2024/01/28 更新

写真a

リョウ ケンボ
梁 剣波
LIANG JIANBO
担当
大学院工学研究科 電子物理系専攻 准教授
工学部 電子物理工学科
職名
准教授
所属
工学研究院

担当・職階

  • 大学院工学研究科 電子物理系専攻 

    准教授  2022年04月 - 継続中

  • 工学部 電子物理工学科 

    准教授  2022年04月 - 継続中

取得学位

  • 博士(工学) ( 名古屋工業大学 )

  • 修士(工学) ( 名古屋工業大学 )

研究分野

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

研究歴

  • SiC/ダイヤモンド直接接合による大口径・高熱伝導率GaN-on-ダイヤモンド基板の研究開発

    国内共同研究

    2020年04月 - 継続中 

  • パワー素子の放熱性向上に向けたGa2O3とSiC接合界面の形成

    国内共同研究

    2020年04月 - 継続中 

  • 高出力・高周波素子に向けたダイヤモンドと窒化物半導体の直接接合研究

    国内共同研究

    2018年04月 - 継続中 

  • シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発

    タンデム太陽電池、シリコンセル、化合物太陽電池  国内共同研究

    2013年04月 - 2016年03月 

委員歴(学外)

  • 委員   Function Diamond編集委員会 編集委員  

    2020年12月 - 継続中 

受賞歴

  • 実装フェスタ関西2022 インパクトポスター賞

    梁剣波

    2022年11月   エレクトロニクス実装学会   パワーデバイス応用に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の研究開発

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    受賞国:日本国

  • Best Presentation Award

    Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    2021年10月   The organizing committee of 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications

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    受賞国:日本国

  • Best Student Presentation Award

    Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    2021年10月   The organizing committee of 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

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    受賞国:日本国

  • 大阪市立大学2019年度南部陽一郎記念若手奨励賞

    梁 剣波

    2019年10月   大阪市立大学  

  • Best Poster Presentation Award

    Shinji Kanda, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    2019年05月   The organizing committee of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application

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    受賞国:日本国

  • Best Presentation Award

    Yutaka Ohno, Reina Miyagawa, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    2019年05月   The organizing committee of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

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    受賞国:日本国

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職務経歴(学外)

  • ブリストル大学   HH Wills 物理学研究所   客員研究員

    2017年02月 - 2017年08月

学歴

  • 名古屋工業大学   工学研究科   未来材料創成工学専攻   博士課程   卒業・修了

    2009年04月 - 2012年03月

  • 名古屋工業大学   工学研究科   未来材料創成工学   修士課程   卒業・修了

    2007年04月 - 2009年03月

論文

  • Probe beam deflection technique with liquid immersion for fast mapping of thermal conductance 査読 国際共著

    Jinchi Sun, Zhe Cheng, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Keisuke Kawamura, Hiroki Uratani, Yoshiki Sakaida, David G. Cahill

    Applied Physics Letter   124 ( 042201 )   042201-1 - 042201-7   2024年01月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1063/5.0179581

  • High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes 査読 国際共著

    Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    Small   ( 2305574 )   2305574-1 - 2305574-14   2023年11月

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    担当区分:最終著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1002/smll.202305574

  • Characterization of Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel polarizations fabricated by surface-activated bonding of freestanding GaN wafers 査読

    Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SN1013 )   SN1013-1 - SN1013-7   2023年09月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acf382

  • Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding 査読

    Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Masataka Higashiwaki

    Journal of Applied Physics   133 ( 194503 )   194503-1 - 194503-7   2023年04月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1063/5.0128554

  • Intrinsic characteristics of Si solar cells coated with thick luminescence down-shifting sol-gel glass films 査読

    Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, YongGu Shim, and Naoteru Shigekaw

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SK1005 )   SK1005-1 - SK1005-7   2023年03月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acc03e

  • Tuning the Interlayer Microstructure and Residual Stress of Buffer-Free Direct Bonding GaN/Si Heterostructures 査読 国際共著

    Yan Zhou, Shi Zhou, Shun Wan, Bo Zou, Yuxia Feng, Rui Mei, Heng Wu, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Pingheng Tan, and Martin Kuball

    Applied Physics Letter   122 ( 082103 )   2023年02月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

  • Interlayer Investigations of GaN Heterostructures Integrated into Silicon Substrates by Surface Activated Bonding 査読 国際共著

    Shi Zhou, Shun Wan, Bo Zou, Yanping Yang, Huarui Sun, Yan Zhou, and Jianbo Liang

    Crystals   13 ( 217 )   1 - 11   2023年01月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: doi.org/10.3390/cryst13020217

  • Room-temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer 招待 査読

    Ayaka Kobayashi, Hazuki Tomiyama, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    Functional diamond   2 ( 142 )   142 - 150   2022年12月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

  • High Thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals 査読 国際共著

    Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Tianli Feng, Naoteru Shigekawa, and David G. Cahill

    Nature Communications   13   7201   2022年11月( ISSN:2041-1723

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1038/s41467-022-34943-w

  • Heterojunctions fabricated by surface activated bonding-dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process 招待 査読

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( 12 )   120101   2022年10月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac993f

  • Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding 査読

    Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Diamond & Related Materials   130   109425   2022年10月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1016/j.diamond.2022.109425

  • 常温におけるダイヤモンドと異種材料の直接接合 招待 査読

    梁剣波,大野裕,重川直輝

    日本金属学会会報   61 ( 6 )   334 - 339   2022年06月

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    担当区分:筆頭著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国内誌  

  • Quantitative capacitance measurements in frequency modulation electronic force microscopy 査読

    Ryota Fukuzawa, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Takuji Tahahashi

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SL1005-1 - SL1005-7   2022年05月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac5fb9

  • Comparison of thermal stabilities of p+-Si/p-diamond heterojunction and Al/p-diamond Schottky barrier diodes 査読

    Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1009-1 - SF1009-9   2022年04月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac6480

  • Low-loss characteristics of coplanar waveguides fabricated by directly bonding metal foils to high-resistivity Si substrates 査読

    Yonekura Kenya, Kawamoto Tasuku, Liang Jianbo, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1008-1 - SF1008-4   2022年04月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac629a

  • Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding 招待 査読

    Ohno Yutaka, Jianbo Liang, Yoshida Hideto, Shimizu Yasuo, Nagai Yasuyoshi, and Shigekawa Naoteru

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1006-1 - SF1006-5   2022年04月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac5d11

  • Intrinsic luminescence-downshifting effects of Zn-based Mn-doped nanoparticle layers on Si Solar Cells 査読

    Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, Kim DaeGwi, Yong-Gu Shim, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61   062004-1 - 062004-6   2022年03月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac5fc8

  • AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process 査読

    Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Express   15   041003-1 - 041003-5   2022年03月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著   国際・国内誌:国際誌  

    We fabricate AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on diamond substrates by transferring 8 μm heterostructures grown on 3CSiC/Si templates and subsequently applying the conventional device process steps. No exfoliation of 3C-SiC/diamond bonding interfaces is
    observed during 800 °C annealing, the essential step for forming ohmic contacts on nitrides. The thermal resistance of HEMTs on diamond is 35%
    of that of HEMTs on Si, which is assumed to be the origin of smaller negative drain conductance in on-diamond HEMTs. The results imply that the
    bonding-first process is applicable for fabricating low-thermal-resistance HEMTs with thick nitride layers.

    DOI: 10.35848/1882-0786/ac5ba7

  • Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications 査読

    Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1001-1 - SF1001-8   2022年03月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.35848/1347-4065/ac4c6c

  • Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties 査読

    Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Tahahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki

    AIP Journal of Applied Physics   13   074501-1 - 074501-9   2022年02月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1063/5.0080734

  • Fabrication of p+-Si/p-diamond heterojunction diodes and effects of thermal annealing on their electrical properties 査読 国際共著

    Yota Uehigashi , Shinya Ohmagari , Hitoshi Umezawa , Hideaki Yamada , Jianbo Liang , Naoteru Shigekawa

    Diamond & Related Materials   120   108665-1 - 108665-6   2021年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    Advanced Materials   33 ( 21045 )   2104564-1 - 2104564-13   2021年09月

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著   国際・国内誌:国際誌  

  • Room temperature direct bonding of diamond and InGaP in atmospheric air 査読

    Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Naoteru Shigekawa

    Functional Diamond   1 ( 1 )   110 - 116   2021年02月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 査読

    Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Tianzhuo Zhan, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Kazu Katayama, Takanobu Watanabe, Hideto Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

    Diamond and Related Materials   111   108207   2020年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • III-V Thin Film Solar Cells Bonded to Si substrate via Metal Grids 査読 国際共著

    Takashi Hishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    ECS Transaction   98 ( 4 )   117 - 123   2020年10月

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Nanostructural Investigation on GaAs//Indium Tin Oxide /Si Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells 査読

    Tomoya Hara, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Kentaro Watanabe, Masakazu Sugiyama, Naoteru Shigekawa

    ECS Transaction   98 ( 4 )   125 - 133   2020年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • 半導体基板の常温直接接合技術 招待 査読

    重川直輝、梁剣波

    電子情報通信学会C   J103-C ( 7 )   341 - 348   2020年07月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces 査読

    Yutaka Ohnoa, Jianbo Liangb, Naoteru Shigekawab, Hideto Yoshidac, Seiji Takedac, Reina Miyagawad, Yasuo Shimizue, Yasuyoshi Nagai

    Applied Surface Science   525   146610   2020年05月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of post bonding annealing on GaAs//Si bonding interfaces and its application for sacrificial-layer-etching based multijunction solar cells 査読 国際共著

    Naoteru Shigekawa, Ryo Kozono, Sanji Yoon, Tomoya Hara, Jianbo Liang, and Akira Yasui

    Solar Energy Materials and Solar Cells   210   110501   2020年03月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Characterization of nanoscopic Cu/diamond interfaces prepared by surface activated bonding: Implications for thermal management 査読

    J. Liang, Y. Ohno, Y. Yamashita, Y. Shimizu, S. Kanda, N. Kamiuchi, S.-W. Kim, K. Koyama, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa

    ACS Applied Nano Materials   3 ( 3 )   2455 - 2462   2020年03月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1021/acsanm.9b02558

  • Fabrication of diamond/Cu direct bonding for power device applications 査読

    S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, J. Liang

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SB )   SBBB03/1 - SBBB03/5   2020年02月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab4f19

  • Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding 査読

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Naoto Kamiuchi, Ryotaro Aso, Seiji Takeda, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   59   SBBB05-1 - SBBB05-5   2020年02月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Low-resistance semiconductor/semiconductor junctions with intermediate metal grids for III-V-on-Si multijunction solar cells 査読 国際共著

    Takashi Hishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SB )   SBBB04   2019年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Low-Loss Characteristics of Metal-Foil-Based Passive Components by Surface-Activated Bonding Technologies 査読 国際共著

    1. Keita Matsuura, Jianbo Liang, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

    IEEE Transactions on Electron Devices   66 ( 9 )   3946 - 3952   2019年07月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Macroscale synthesis of CuO nanowires on FTO plane substrate 査読 国際共著

    1. Yota Mabuchi, Rashid Norhana Mohamed, Xuyang Li, Jianbo Liang, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

    Modern Physics Letters B   33   1950138   2019年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著   国際・国内誌:国際誌  

  • Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface 査読

    Jianbo Liang, Yan Zhou, Satoshi Masuya, Filip Gucmann, Manikant Singh, James Pomeroy, Seongwoo Kim, Martin Kuball, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

    Diamond & Related Materials   93   187 - 192   2019年02月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Hard X-ray photoelectron spectroscopy investigation of annealing effects on buried oxide in GaAs/Si junctions by surface-activated bonding 査読 国際共著

    Shoji Yamajo, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Hassanet Sodabanlu, Kentaro Watanabe, Masakazu Sugiyama, Akira Yasui, Eiji Ikenaga, and Naoteru Shigekawa

    Applied Surface Science   473   627 - 632   2018年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著   国際・国内誌:国際誌  

  • Stability of diamond/Si bonding interface during device fabrication process 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Seongwoo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Express   12   016501-1 - 016501-5   2018年11月

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    担当区分:筆頭著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 査読

    Sho Morita, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    ECS Transactions   86 ( 5 )   137 - 142   2018年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:単著   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1149/08605.0137ecst

  • Room-temperature direct bonding of diamond and Al 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

    Scripta Materialia   159   58 - 61   2018年09月

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    担当区分:筆頭著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Electrical properties of GaAs//indium tin oxide /Si junctions for III-V-on-Si hybrid multijunction cells 査読 国際共著

    Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 8S3 )   08RD05-1 - 08RD05-6   2018年07月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • GaAs/indium tin oxide/Si bonding junctions for III-V-on-Si hybrid multijunction cells with low series resistance 査読 国際共著

    Naoteru Shigekawa, Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Takefumi Kamioka, Kenji Araki, and Masafumi Yamaguchi

    IEEE Journal of Photovoltaics   pp ( 99 )   1 - 8   2018年03月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Electrical properties of Al foil/n-4H-SiC Schottky junctions fabricated by surface-activated bonding 査読

    Morita Sho, Liang Jianbo, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

    57 ( 2 )   2018年02月( ISSN:0021-4922

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.7567/JJAP.57.02BE01

  • Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces 査読 国際共著

    Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE04-1 - 02BE04-5   2018年01月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Electrical conduction of Si/indium tin oxide/Si junctions fabricated by surface activated bonding 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Tomoya Hara, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE03-1 - 02BE03-5   2018年01月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Analysis of effects of interface-state charges on the electrical characteristics in GaAs/GaN heterojunctions 査読 国際共著

    Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE02-1 - 02BE02-5   2017年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Electrical properties of Al foil/n-4H-SiC Schottky junctions fabricated by surface-activated bonding 査読 国際共著

    Sho Morita, Jianbo Liang, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yoshitaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE01-1 - 02BE01-5   2017年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 査読 国際共著

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BA01-1 - 02BA01-3   2017年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Aluminum Foil/Si Direct Bonding as Prototypes of Ultra-Thick Metal Contacts in Devices 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Katsuya Furuna, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yoshitaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

    ECS Journal of Solid State Science and Technology   6 ( 9 )   P626 - P632   2017年08月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Letters   110 ( 11 )   111603-1 - 111603-4   2017年03月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Determination of Band Structure at GaAs/SiC Heterojunctions 国際共著

    Jianbo Liang, Sae Shimizu, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

    Electrochemical Society Transaction   75 ( 9 )   221 - 227   2016年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Ultra-Thick Metal Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding 国際共著

    Jianbo Liang, Katuya Huruna, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

    Electrochemical Society Transaction   75 ( 9 )   25 - 32   2016年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Shota Nishida, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

    Journal of Applied Physics   120 ( 3 )   034504-1 - 034504-7   2016年06月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding 査読 国際共著

    Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 6 )   068002-1 - 068002-3   2016年05月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Mapping of Si/SiC hetero p-n Junctions Using ScanningInternal Photoemission Microscopy 査読 国際共著

    Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima

    Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 3 )   04ER15-1 - 04ER15-4   2016年03月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Fabrication and Characterization of Si-Based Bipolar Transistor Structures Using Low-Temperature Bonding

    Sae Shimizu, Shota Nishida, Jianbo Liang, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)   64 - 65   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Ryusuke Onitsuka, Takaaki Agui, Hiroyuki Juso, and Tatsuya Takamoto

    Japanese Journal of Applied Physics   54   08KE03   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Interface Characteristics of Si/Si Junctions by Using Surface-Activated Bonding

    Syoji Yamajo, Masashi Morimoto, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)   62 - 63   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Investigation on the Interface Resistance of Si/GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding

    Jianbo Liang, Li Chai, Shota Nishida, Masashi Morimoto, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   54   030211   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and concentrations of acceptors in Si

    Shota Nishida, Jianbo Liang, Tomohiro Hayashi, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

    Japanese Journal of Applied Physics   54   030210   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Single phase CuO thin films prepared by thermal oxidation in air with water vapor

    Jianbo Liang, XuYang Li, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

    Advanced Materials Research   1109   544 - 548   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Impacts of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface activated bonding

    Masashi Morimoto, Jianbo Liang, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   54   030212   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Fabricated by Surface Activated Bonding

    Jianbo Liang, Sae Shimizu, Shota Nishida, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

    ECS Solid State Letters   4   Q55   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of Interface State Charges on the Electrical Properties of Si/SiC Heterojunctions

    J. Liang, S. Nishida, T. Hayashi, M. Arai, and N. Shigekawa

    Applied Physics Letters   105   151607   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth of high-quality (111) oriented cuprous oxide thin films oxidized in water vapor

    Jianbo Liang, XuYang Li, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

    Advanced Materials Research   832   138 - 142   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells

    Naoteru Shigekawa, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Jianbo Liang

    Japanese Journal of Applied Physics   53   04ER05   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • I-V characteristics in surface-activated Bonding based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures

    Shota Nishida, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

    Materials Science Forum   778-780   718 - 721   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, and Akio Yamamoto

    Physica status solidi C   11   644 - 647   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effect of thermal annealing process on the electrical properties of p+-Si/n-SiC heterojunctions

    J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa

    Applied Physics Letters   104   161604   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell

    Noriyuki Watanabe, Manabu Mitsuhara, Haruki Yokoyama, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   53   112301   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Hybrid triple-junction solar cells by surface activated bonding of III-V double-junction-cell heterostructures to ion-implantation-based Si cells

    Naoteru Shigekawa, Li Chai, Masashi Morimoto, Jianbo Liang, et al.

    40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   0534   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, and Shota Nishida

    Electrochemical Society Transaction   64 ( 5 )   235 - 242   2014年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding

    Jianbo Liang, Tatsuya Miyazaki, Masashi Morimoto, Shota Nishida, Noriyuki Watanabe, and Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Express   6   021801   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Surface-activating-bonding-based low resistance Si/III-V junctions

    J. Liang, S. Nishida, M. Morimoto, and N. Shigekawa

    Electronics Letters   49   830   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Synthesis of cupric oxide nanowires on spherical surface by thermal oxidation method

    Xuyang Li, Jianbo Liang, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

    Materials Letters   96   192 - 194   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface activated bonding

    Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa

    Physics Status Solidi C   10   1644 - 1647   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding

    J. Liang, T. Miyazaki, M. Morimoto, S. Nishida, and N. Shigekawa

    Journal of Applied Physics   114   183703   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Graphene synthesis by thermal chemical vapor deposition using solid precursor

    Mohsin Ahmed, Naoki Kishi, Ryo Sugita, Akiji Fukaya, Ishwor Khatri, Jianbo Liang, Sharif Mohammad Mominuzzaman

    Journal Material Science: Material Electron   24   2151   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, and Noriyuki Watanabe

    IEEE Photovoltaic Specialists Conference   Proc. 39th   2470 - 2473   2013年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Thin cuprous oxide films prepared by thermal oxidation of copper foils with water vapor

    JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo

    Thin solid films   520   2679 - 2682   2012年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Synthesis of highly-aligned cupric oxide nanowiers by thermal oxidation of copper foils

    JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo

    Journal of Nanomaterials   Article ID 268508   8 pages   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Cross-sectional characterization of Cupric Oxide Nanowires grown by Thermal Oxidation of Copper Foils

    JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo

    Applied Surface Science   257   62 - 66   2010年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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書籍等出版物

  • ラマン分光スペクトルデータ解析事例集 査読

    梁 剣波( 担当: 共著 ,  範囲: 第7章3節)

    技術情報協会  2022年02月 

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    総ページ数:405   担当ページ:205-211   著書種別:教科書・概説・概論   参加形態:コレスポンディングオーサー

MISC(その他記事)

  • ダイヤモンド/異種材料直接接合によるパワーデバイスの作製と特性評価 招待 査読

    New Diamond   151 ( 39 )   4 - 9   2023年10月

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    担当区分:筆頭著者   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(その他)   国際・国内誌:国内誌  

  • 半導体材料3C-SiCが高い熱伝導率を示すことを初めて実証 招待

    梁 剣波

    日本セラミック協会   58 ( 3 )   175   2023年03月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

  • 表面活性化接合によるX on diamond 構造 招待 査読

    重川 直輝、梁 剣波、大野 裕

    GS Yuasa Technical Report   19 ( 2 )   1 - 9   2022年12月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:書評論文,書評,文献紹介等   国際・国内誌:国内誌  

  • ダイヤモンドと異種材料との直接接合による超耐熱マテリアルの開発とその応用について 招待

    梁剣波、重川直輝

    技術情報協会   21 ( 8 )   2022年01月

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    掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   共著区分:共著  

  • 表面活性化接合法による厚膜・低損失配線の実現 招待

    重川直輝, 梁剣波, 前澤宏一

    ケミカルエンジニアリング   65 ( 11 )   686 - 693   2020年11月

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    掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   共著区分:共著  

  • 高効率パワー素子の実現に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の開発 招待

    梁 剣波, 重川 直輝

    化学工業社・ケミカルエンジニアリング   65 ( 8 )   469 - 474   2020年08月

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    掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)  

  • ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現 招待

    梁剣波, 重川直輝

    日本出版制作センター・月刊 JETI   68 ( 6月 )   37 - 40   2020年05月

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    掲載種別:記事・総説・解説・論説等(商業誌、新聞、ウェブメディア)   共著区分:共著  

  • Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 査読

    Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

    Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration   2 - 2   2019年06月

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    掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)  

  • 次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合 査読

    重川直輝 梁剣波

    ニューダイヤモンドフォーラム   34 ( 4 )   3 - 5   2018年10月

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    掲載種別:記事・総説・解説・論説等(学術雑誌)   共著区分:単著  

  • 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性

    林朋宏、梁剣波、新井学、重川直輝

    電子情報通信学会   115 ( 39 )   111 - 15   2015年11月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

  • GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果

    柴麗、梁剣波、重川直輝

    電子情報通信学会   115 ( 329 )   105 - 109   2015年11月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

  • 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成

    梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

    電子情報通信学会   113 ( 329 )   27 - 30   2013年11月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察

    渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

    電子情報通信学会   113 ( 329 )   31 - 34   2013年11月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

  • 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性

    西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

    電子情報通信学会   113 ( 329 )   21 - 25   2013年11月

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    掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

  • 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価

    梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

    電子情報通信学会   112 ( 328 )   1 - 5   2012年11月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

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講演・口頭発表等

  • Enhanced Thermal Performance in GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Applications 国際会議

    Jianbo Liang and Shigekawa Naoteru

    The 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors & The 20th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2023)  2023年11月  The 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors & The 20th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2023)

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Xiamen, China  

  • Low-Temperature Direct Bonding of Diamond—Approach for Fabricating Low-Thermal-Resistance Widegap Devices 招待

    Naoteru Shigekawa, Ryo Kagawa, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno and Yasuyoshi Nagai

    2023 MRS Fall Meeting  2023年11月  Materials Research Society

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    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Boston, USA  

  • Fabrication of nitride/3C-SiC/polycrystalline diamond heterostructures for efficient thermal management of power devices 国際会議

    Chiharu Moriyama, Keisuke Kawamura, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yutaka Ohno, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14)  2023年11月  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14)

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • Thermal Transport in Cubic Silicon Carbide Crystals and Cross Integrated Interfaces 国際共著 国際会議

    Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Tianli Feng, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Samuel Graham, David Cahill

    International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems (InterpACK 2023)  2023年10月  International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems (InterpACK 2023)

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:DoubleTree by Hilton Hotel San Diego – Mission Valley  

  • Integrating GaN with diamond for power devices with efficient thermal management 国際会議

    Jianbo Liang, Yutaka Ohno, and Naoteru Shigekawa

    International Microsystems, Packaging, Assembly and Circuits Technology Conference (IMPACT 2023)  2023年10月  IEEE-EPS-Taipei, iMAPS-Taiwan, ITRI, and TPCA

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    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Taipei Nangang Exhibition Center  

  • Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions 国際会議

    Shota Ishimi, Makoto Hirose, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    244th ECS Meeting  2023年10月  The Electrochemical Society

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Gothenburg, Sweden  

  • 高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製 国内会議

    森山 千春、川村 啓介、大内 澄人、浦谷 泰基、大野 裕、井上 耕治、永井 康介、重川 直輝、梁 剣波

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール  

  • 表面活性化接合法で作製したGaN/GaN界面近傍のケルビン・プローブ・フォース顕微鏡による断面計測 国内会議

    文 思翰、澤井 一樹、梁 剣波、重川 直輝、高橋 琢二

    2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:熊本城ホール  

  • Integration of 3C-SiC and polycrystalline diamond for large-scale high-performance GaN device production 国際会議

    Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Mallorca, Spain  

  • Integration of Si and polycrystalline diamond by a surface-activated bonding method 国際会議

    Jianbo Liang, Yoshiki Nishibayashi, Minori Teramoto, Marika Takeuchi, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

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    会議種別:ポスター発表  

    開催地:Mallorca, Spain  

  • GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価 国内会議

    早川 譲稀 , 大野 裕 , 永井 康介 , 重川 直輝 , 梁 剣波

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学四谷キャンパス  

  • α-Ga2O3/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価 国内会議

    山本 誠志郎 , 大島 祐一 , 大野 裕 , 永井 康 介 , 重川 直輝 , 梁 剣波

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学四谷キャンパス  

  • High Performance GaN-on-Diamond Devices Fabrication using Diamond Wafer Bonding Technology 招待 国際会議

    Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Naoteru Shigekawa

    Hasselt Diamond Workshop 2023  2023年03月 

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    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Hasselt, Belgium  

  • 転位発生源となるシリコン非対称傾角粒界の形成過程 国内会議

    大野 裕 , 斉藤 光 , 梁 剣波 , 横井 達矢 , 松永 克 志 , 重川 直輝 , 井上 耕治 , 永井 康介 , 波多 聰

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:上智大学四谷キャンパス  

  • Direct Wafer Bonding of Nitride and its Application for Advanced Devices 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

    15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanometerials 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science  2023年03月 

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    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Gigu University, Gifu, Japan  

  • Characterization of GaN/ GaN Interfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

    Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai and Naoteru Shigekawa

    15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanometerials 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science  2023年03月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:Gigu University, Gifu, Japan  

  • AlGaN/GaN/3C-SiC-on-diamond high electron mobility transistors (HEMTs) fabrication by diamond room temperature bonding 招待 国際会議

    Jianbo Liang

    Symposium for Functional Diamond, International Diamond Conference  2022年11月 

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    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

    開催地:Online  

  • 表面活性化接合法によるGaN/GaN接合界面の評価 国内会議

    澤井 一樹、梁 剣波、清水 康雄、大野 裕、永井 康介、重川 直輝

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学 川北北キャンパス  

  • n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価 国内会議

    上東 洋太、大曲 新矢、梅沢 仁、山田 英明、梁 剣波、重川 直輝1

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学 川北北キャンパス  

  • 高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製 国内会議

    香川 諒、重川 直輝、梁 剣波、川村 啓介、坂井田 佳紀、大内 澄人、浦谷 泰基、清水 康夫、大野 裕、長井 康介

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学 川北北キャンパス  

  • 表面活性化接合法で作製したn-Si/n-Siおよびp-Si/p-Si接合の二重バイアス変調静電引力顕微鏡による評価 国内会議

    小林 大地、梁 剣波、重川 直輝、高橋 琢二

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学 川北北キャンパス  

  • Si太陽電池に対する高光学密度半導体ナノ粒子膜の堆積効果 国内会議

    粟井 啓伍、井筒 由紀、梁 剣波、西村 悠陽、金 大貴、沈 用球、重川 直輝

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学 川北北キャンパス  

  • パワー素子の放熱向上に向けたGa2O3/3C-SiC直接接合の特性評価 国内会議

    長井 啓、川村 啓介、浦谷 泰基、坂井田 佳紀、重川 直輝、梁 剣波

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

    開催地:東北大学 川北北キャンパス  

  • Nanostructural Analysis of Al/β-Ga2O3 Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

    Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Fabrication of GaN/SiC/diamond Structure for Efficient Thermal Management of Power Device 国際会議

    Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Coplanar Waveguides Fabricated by Directly Bonding Metal Foils to High-Resistivity Si Substrates 国際会議

    Kenya Yonekura, Tasuku Kawamoto, Jianbo Liang, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Polarization Inverted GaN/GaN Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

    Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • High Temperature Stability of p+-Si/p-Diamond Heterojunction diodes 国際会議

    Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Fabrication of Ga2O3/3C-SiC Direct Bonding for Efficient Surface Heat Dissipation 国際会議

    Hiromu Nagai, Keisuke Kawamura, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Fabrication and Characterization of GaN/Diamond Boding Interface 国際会議

    Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Swong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Fabrication of Ga2O3/Si Direct Bonding Interface for High Power Device Applications 国際会議

    JIanbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Structural Analysis of Diamond/Silicon Heterointerfaces Fabricated by Surface Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

    Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ga2O3/Siヘテロ構造の作製及び構造評価 国内会議

    髙月 大輝, 東脇 正高、清水 康雄、大野 裕、永井 康介、重川 直輝、梁 剣波

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of diamond to semiconductors and metals for low thermal resistance modules 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

    31st International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2021)  2021年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Low-temperature direct wafer bonding innovating CS device technologies 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

    International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH 2021)  2021年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Formation process of high thermal-stability diamond/Si and diamond/GaAs heterointerfaces by surface activated bonding 国内会議

    Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Hideto Yoshida, Naoteru Shigekawa

    Materials Research Society (MRS)  2020年11月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Microscopic picture of direct bonding via surface activation for low-resistance Si/wide-gap semiconductor heterointerfaces 国際会議

    Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, and YasuyoshiNagai

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME)  2020年10月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of GaAs and diamond for high power device applications 国際会議

    Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Tianzhuo Zhan, Takanobu Watababe, NaotoKamiuchi, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME)   2020年10月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Structural analysis of Si/diamond heterointerfaces fabricated by surface activated bonding using LT-FIB and STEM 国際会議

    Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

    Global Institute for Materials Research Tohoku Joint International Symposium on Radiation Effects in Materials and Actinide Science 2020 (GIMRT-REMAS2020)  2020年09月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • How to fabricate low-resistance heterointerfaces for tandem cells by direct bonding at low temperatures 国内会議

    Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

    37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU-PVSC)  2020年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現 国内会議

    梁 剣波

    科学技術振興機構、大阪市立大学、大阪府立大学、兵庫県立大学主催新技術説明会  2019年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高出力パワーデバイス応用に向けた GaN/Diamond 直接接合の作製 国内会議

    梁 剣波,清水 康雄,大野 裕, 白崎 謙次, 永井 康介, 嘉数 誠, 金 聖祐, Martin Kuball, 重川 直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaAs/Diamond 直接接合の界面評価 国内会議

    中村 祐志, 清水 康雄, 大野 裕, 詹 天卓, 山下 雄一郎, 白崎 謙次, 永井 康介, 渡邊 孝信, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • InGaP/ITO 界面における熱処理効果 国内会議

    崎原 盛偉,梁 剣波,重川 直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • ELO 法及び SAB 法による GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

    小園 亮, 梁 剣波, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 直接接合された表面実装型 LED パッケージにおける素子温度評価 国内会議

    小丸 啓吾,梁 剣波,西尾 佳高, 重川 直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価 国内会議

    大野裕, 清水康雄, 永井康介, 麻生亮太郎, 神内直人, 吉田秀人, 梁剣波, 重川直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • ELO 法及び SAB 法による GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

    小園 亮、梁 剣波、渡辺 健太郎、杉山 正和、重川 直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

    井筒由紀, 田中駿, 梁剣波, 楢崎友城, 西村悠陽, 金大貴, 重川直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合で形成した Si/GaAs 界面の低温 FIB 法によるアトムプローブ評価 国内会議

    清水 康雄, 海老澤 直樹, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 永井 康介

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

    井筒由紀, 田中駿, 梁剣波, 楢崎友城, 西村悠陽, 金大貴, 重川直輝

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Compositional nanoanalysis at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures 国際会議

    Yutaka OHNO, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    Europian Conference and Exhibition on Advanced Material and Processed (EUROMAT2019)  2019年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Compositional nanoanalysis at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures 国内会議

    Yutaka OHNO, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    Europian Conference and Exhibition on Advanced Material and Processed (EUROMAT2019)  2019年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications 国際会議

    Y. NAKAMURA, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, and Jianbo LIANG

    13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications 国内会議

    Y. NAKAMURA, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, Jianbo LIANG

    13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications 国際会議

    Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

    13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications 国内会議

    Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

    13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding 国際会議

    Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)  2019年07月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding 国内会議

    Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)  2019年07月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates 国際会議

    Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates 国内会議

    Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature 国際会議

    Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature 国内会議

    Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高出力パワーデバイスに向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合 招待 国内会議

    梁 剣波

    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第22回研究会  2019年07月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高出力パワーデバイスに向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合 国内会議

    梁 剣波

    独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第22回研究会  2019年07月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 国際会議

    Yuki IDUTSU, Shun TANAKA, Liang JIANBO, Tomoki NARAZAKI, Hisaaki NISHIMURA, DaeGwi KIM, Naoteru SHIGEKAWA

    The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 国内会議

    Yuki IDUTSU, Shun TANAKA, Liang JIANBO, Tomoki NARAZAKI, Hisaaki NISHIMURA, DaeGwi KIM, Naoteru SHIGEKAWA

    The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 国際会議

    Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 国内会議

    Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of diamond and dissimilar materials for power device applications 招待 国際会議

    Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2019)  2019年06月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of diamond and dissimilar materials for power device applications 国内会議

    Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2019)  2019年06月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 国際会議

    Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application 国内会議

    Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, Jianbo LIANG

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Electrical properties of p+-GaAs//patterned metal layer/n+-Si junctions 国内会議

    Takashi HISHIDA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Directly bonded n+-InGaP/n+-Si junctions with a low interface resistance 国内会議

    Moritake SAKIHARA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Bonding strength evaluation of Al foil/AlN junctions by surface activated bonding 国内会議

    Shotaro HORIKAWA, Sho MORITA, Jianbo LIANG, Yoshihisa KANEKO, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

    Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 国内会議

    Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Directly bonded n+-InGaP/n+-Si junctions with a low interface resistance 国際会議

    Moritake SAKIHARA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Bonding strength evaluation of Al foil/AlN junctions by surface activated bonding 国際会議

    Shotaro HORIKAWA, Sho MORITA, Jianbo LIANG, Yoshihisa KANEKO, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Electrical properties of p+-GaAs//patterned metal layer/n+-Si junctions 国際会議

    Takashi HISHIDA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application 国際会議

    Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, and Jianbo LIANG

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

    Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, and Yasuyoshi NAGAI

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • A polyimide film/aluminum foil junction by modified surface activated bonding 国際会議

    H. AKAZAWA, Jianbo LIANG, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Analysis of SiC/Si Bonding Interface with Thermal Annealing Treatment by XPS 国内会議

    Zexin WAN, Liang JIANBO, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • A polyimide film/aluminum foil junction by modified surface activated bonding 国内会議

    H. AKAZAWA, Jianbo LIANG, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Analysis of SiC/Si Bonding Interface with Thermal Annealing Treatment by XPS 国際会議

    Zexin WAN, Liang JIANBO, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 国際会議

    Yutaka OHNO, Reina MIYAGAWA, Hideto YOSHIDA, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 国内会議

    Yutaka OHNO, Reina MIYAGAWA, Hideto YOSHIDA, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure 国内会議

    Jianbo LIANG, Yan ZHUO, Satoshi MASUYA, Manikant SINGH, James POMEROY, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure 国際会議

    Jianbo LIANG, Yan ZHUO, Satoshi MASUYA, Manikant SINGH, James POMEROY, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

    2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonging of diamond and Cu at room temperature for power devise application 国際会議

    Jianbo LIANG, Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

    13th New Diamond and Nano Carbons Conference  2019年05月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Direct bonging of diamond and Cu at room temperature for power devise application 国内会議

    Jianbo LIANG, Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

    13th New Diamond and Nano Carbons Conference  2019年05月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu 直接接合の形成 国内会議

    梁 剣波,神田 進司,桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu 直接接合の形成 国内会議

    梁 剣波, 神田 進司, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu 直接接合の形成 国内会議

    梁 剣波,神田 進司,桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高出力デバイス応用に向けた GaAs/Diamond 直接接合の作製 国内会議

    中村 祐志,桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高出力デバイス応用に向けた GaAs/Diamond 直接接合の作製 国内会議

    中村 祐志, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合による GaAs/GaAs 界面における元素分布評価 国内会議

    清水 康雄, 海老澤 直樹, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 井上 耕治, 永井 康介

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • XPS による SiC/Si 接合界面の熱処理効果の評価 国内会議

    万 澤欣, 梁 剣波, 重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • XPS による SiC/Si 接合界面の熱処理効果の評価 国内会議

    万 澤欣,梁 剣波,重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 高出力デバイス応用に向けた GaAs/Diamond 直接接合の作製 国内会議

    中村 祐志,桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • XPS による SiC/Si 接合界面の熱処理効果の評価 国内会議

    万 澤欣,梁 剣波,重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • 表面活性化接合による GaAs/GaAs 界面における元素分布評価 国内会議

    清水 康雄,海老澤 直樹,大野 裕,梁 剣波,重川 直輝,井上 耕治,永井 康介

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合による GaAs/GaAs 界面における元素分布評価 国内会議

    清水 康雄,海老澤 直樹,大野 裕,梁 剣波,重川 直輝,井上 耕治,永井 康介

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • III-V/Si 多接合太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層 国内会議

    菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • III-V/Si 多接合太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層 国内会議

    菱田 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • III-V/Si 多接合太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層 国内会議

    菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国際会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

    Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

    Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, and Yasuyoshi NAGAI

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国際会議

    Shunichi KONO, Jianbo LIANG and Naoteru SHIGEKAWA

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

    Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

    Shunichi KONO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国際会議

    Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG and Naoteru SHIGEKAWA

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国際会議

    Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

    Shoji Yamajo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

    Shunichi Kono, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

    Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

    Shunichi Kono, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

    Shunichi Kono, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

    Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国際会議

    Shunichi Kono, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    Summit of Materials Science  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

    Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI

    Summit of Materials Science 2018 (SMS2018  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

    Summit of Materials Science  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

    Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, and Yasuyoshi NAGAI

    Summit of Materials Science 2018 (SMS2018  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    Summit of Materials Science  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

    Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

    Summit of Materials Science  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 招待 国際会議

    Jianbo Liang

    International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 国内会議

    Jianbo Liang

    International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 国内会議

    Jianbo Liang

    International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 国内会議

    Jianbo Liang

    International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国際会議

    Jianbo Liang, Yan Zhou, Shoji Yamajor, Manabu Arai, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

    Jianbo Liang, Yan Zhou, Shoji Yamajor, Manabu Arai, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国内会議

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国内会議

    Sho Morita, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

    Jianbo Liang, Yan Zhou, Shoji Yamajor, Manabu Arai, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国内会議

    Sho Morita, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国内会議

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国内会議

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

    Sho Morita, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si 太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

    田中駿, 楢崎友城, 梁剣波, 金大貴, 重川直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

    梁 剣波, 桝谷 聡士, 藤井 大樹, 金 聖祐, 嘉数 誠, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si 太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

    田中駿, 楢崎友城, 梁剣波, 金大貴, 重川直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

    梁 剣波, 桝谷 聡士, 藤井 大樹, 金 聖祐, 嘉数 誠, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si 太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

    田中駿, 楢崎友城, 梁剣波, 金大貴, 重川直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

    梁 剣波, 桝谷 聡士, 藤井 大樹, 金 聖祐, 嘉数 誠, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合及び犠牲層エッチングによる GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

    小園 亮、尹 翔至、梁 剣波、重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合及び犠牲層エッチングによる GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

    小園 亮, 尹 翔至, 梁 剣波, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線光電子分光評価 国内会議

    原 智也, 梁 剣波, 荒木 健次, 神岡 武文, ソダーバンル ハッサネット, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線光電子分光評価 国内会議

    原 智也、梁 剣波、荒木 健次、神岡 武文、ソダーバンル ハッサネット、渡辺 健太郎、 杉山 正和、重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線光電子分光評価 国内会議

    原 智也、梁 剣波、荒木 健次、神岡 武文、ソダーバンル ハッサネット、渡辺 健太郎、 杉山 正和、重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合及び犠牲層エッチングによる GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

    小園 亮、尹 翔至、梁 剣波、重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

    松本祐二、梁剣波、重川直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

    松本祐二, 梁剣波, 重川直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

    松本祐二、梁剣波、重川直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合法により作製したAl/ダイヤモンド接合界面の構造評価 国内会議

    神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合法により作製したAl/ダイヤモンド接合界面の構造評価 国内会議

    神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ⅲ―Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入 国内会議

    菱田 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ar高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al接合の実現 国内会議

    赤澤 秀征, 梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ⅲ―Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入 国内会議

    菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ar高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al接合の実現 国内会議

    赤澤 秀征,梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ar高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al接合の実現 国内会議

    赤澤 秀征,梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Ⅲ―Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入 国内会議

    菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合法により作製したAl/ダイヤモンド接合界面の構造評価 国内会議

    神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • The combination of diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 国際会議

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

    29th International Conference on Diamond and Carbon on Materials  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • The combination of diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 国内会議

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

    29th International Conference on Diamond and Carbon on Materials  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • The combination of diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 国内会議

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

    29th International Conference on Diamond and Carbon on Materials  2018年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Room-Temperature Direct Bonding of Diamond and Aluminum 国際会議

    Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

    12th New Diamond and Nano Carbons Conference  2018年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Room-Temperature Direct Bonding of Diamond and Aluminum 国内会議

    Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

    12th New Diamond and Nano Carbons Conference  2018年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Room-Temperature Direct Bonding of Diamond and Aluminum 国内会議

    Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

    12th New Diamond and Nano Carbons Conference  2018年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国際会議

    Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, and Martin Kuball

    2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国内会議

    Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, Martin Kuball

    2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国内会議

    Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, and Martin Kuball

    2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国内会議

    Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, and Martin Kuball

    2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 金属箔を直接接合したセラミックス基板上の低損失コプレーナ線路の伝送特性評価 国内会議

    松浦 圭汰、梁 剣波、前沢 宏一、重川 直輝

    電子情報通信学会  2018年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • p+-Siをゲート電極とする高耐熱AlGaN/GaN HEMT の作製 国内会議

    鴻野 駿一, 梁 剣波, 重川 直輝

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si(100)基板上に転送したGaNエピタキシャル層の残留応力評価 国内会議

    梁 剣波、Zhou Yan、Gucmann Filip、Singh Manikant、Pomeroy James、Kuball Martin、重川 直輝

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年03月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 直接接合によるSiC/Si 界面特性の熱処理温度依存性 国内会議

    下里 和史,梁 剣波,新井 学,重川 直輝

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年03月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Annealing effects on GaAs/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding 国際会議

    Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2017年11月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaAs single junction cells on Si substrates fabricated by surface activated bonding and etching of sacrificial layers 国際会議

    Sanji Yoon, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27)  2017年11月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI 国際会議

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Manikant Singh, Michael J. Uren, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

    12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)  2017年09月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates 国際会議

    Keita Matsuura, Jianbo Liang, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impacts of annealing on interfaces of Al foil/Si junctions by using surface activated bonding 国際会議

    Katuya Huruna, Jianbo Liang, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • GaN/GaAs 接合を用いた npn 構造の光電流測定 国内会議

    山條 翔二、梁 剣波、ソダーバンル ハッサネット、渡辺 健太郎、杉山 正和、重川 直輝

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価 国内会議

    梁 剣波、桝谷 聡士、嘉数 誠、Zhou Yan、Gucmann Filip、Singh Manikant、Pomeroy James、Kuball Martin、重川 直輝

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 室温表面活性化接合で作成した Si/GaAs 界面の熱処理による構造変化 国内会議

    大野 裕、吉田 秀人、竹田 精治、梁 剣波、重川 直輝

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • ITOを中間層とするInGaP/GaAs/ITO/Si3接合太陽電池の特性評価 国内会議

    原智也、小川智輝、梁剣波、荒木健次、神岡武文、山口真史、重川直輝

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 犠牲層エッチングによるⅢ-Ⅴ族薄層/Si接合の形成 国内会議

    尹 翔至、梁 剣波、重川 直輝

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

    田中 駿,浅川 良介,小川 智輝,楢崎 友城,梁 剣波, 金 大貴, 重川 直輝

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Formation of contacts with high thermal tolerance by using Si/GaN junctions 国際会議

    Jianbo Liang, Takuya Nishimura, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

    12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’12)  2017年07月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Analysis of the influence of interface charges on the electrical characteristics of GaAs/GaN junctions 国際会議

    Syoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Transport characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai

    2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Electrical conduction of Si/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding 国際会議

    Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Tomoya Hara, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, and Naoteru Shigekawa

    2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Impacts of bonding-layer resistance of Si bottom cells on interface resistance in InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 国際会議

    Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

    2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

    Sho Morita, Jianbo Liang, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

    2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells 国際会議

    Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

    2017 International Conference on Electronics Packaging (ICEP 2017)  2017年04月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si(100)基板上に転送したGaNエピタキシャル層の残留応力評価 国内会議

    梁 剣波、Zhou Yan、Gucmann Filip、Singh Manikant、Pomeroy James、Kuball Martin、重川 直輝

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合への熱処理効果 国内会議

    古名克也、梁剣波、松原萌子、ダムリンマルワン、西尾佳高、重川直輝

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Si基板上GaAs/GaNヘテロ接合の縦方向電気特性評価(2) 国内会議

    山條翔二、梁剣波、重川直輝

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化接合法によるAl箔/n+-Si/n-GaN接合のコンタクト抵抗評価 国内会議

    森田匠、西村拓也、梁剣波、松原萌子、ダムリンマルワン、西尾佳高、重川直輝

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 表面活性化ボンディング法によるGaAs/ITO/Si接合のアニール温度依存性 国内会議

    原 智也、小川 智輝、梁 剣波、荒木 健次、神岡 武文、重川 直輝

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • InGaP/GaAs/Si3接合セルにおけるBonding 界面抵抗評価 国内会議

    重川直輝、梁剣波

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造 国内会議

    大野裕、吉田秀人、竹田 精治、梁剣波、重川直輝

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

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    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Determination of Band Structure at GaAs/4H-SiC Heterojunctions 国際会議

    Jianbo Liang, Sae Shimizu, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2016  2016年10月 

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    会議種別:ポスター発表  

  • Ultra-Thick Metal Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding 国際会議

    -

    Pacific Rim Meeing on Electrochemical and Solid-State Science 2016  2016年10月 

  • GaAs薄膜/Si接合の硬X線光電子分光ー電子状態への熱酸化処理 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • GaAs薄層 /Si 接合の硬 X線光電子分-バンドオフセット の評価 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • InGaP/GaAs/Si 3 接合太陽電池におけるIII-V/Si サブセル間カップリング特性 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • Si ショットキー接合に対するAr 原子ビーム照射時間の影響と熱処理による回復 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • Si 基板/ITO 薄膜表面活性化接合の形成 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • 常温で表面活性化接合し 常温で表面活性化接合し た Si /GaAs 界面 の平界面 の平TEM 観 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • 表面活性化ボンディング法によるCu 箔/Si 接合の電気特性評価 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • 表面活性化接合法によるAl 箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合 国内会議

    -

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

  • abrication and characterization of Si/4H-SiC interfaces by surface activated bonding 国際会議

    -

    EMN Surface and Interface Meeting 2016  2016年09月 

  • Effects of Ar beam irradiation on Si-Based Schottky contacts 国内会議

    -

    2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • Electrical characteristics of SAB-Based n+-n Ge/4H-SiC heterojunctions 国内会議

    -

    2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method 国内会議

    -

    2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells 国内会議

    -

    2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • 熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • 表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合の電気特性評価 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • Room-temperature bonding technologies of dissimilar semiconductor materials applied for high-efficiencies and low-cost devices 国内会議

    -

    World Engineering Conference and Convention: Engineering Innovation and Society  2015年11月 

  • GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

  • 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

  • Electrical Properties of Room Temperature Bonded Si/GaN Heterojunctions without Buffer Layers 国際会議

    -

    11th International Conference on Nitride Semiconductors  2015年09月 

  • Transport Characteristics of Minority Carriers in 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Structures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

    -

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

  • Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国内会議

    -

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

  • Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC Junctions by Surface Activated Bonding 国内会議

    -

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

  • 多接合太陽電池のボトムセル応用のためのSi逆ピラミッド構造の検討 国内会議

    -

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • 表面活性化接合によるp-Si/n-GaN接合の電気特性評価 国内会議

    -

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • GaAs/GaAs接合界面の電気特性に対するアニール効果の抽出の試み 国内会議

    -

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • 界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価 国内会議

    -

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • 常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価 国内会議

    -

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • Band lineups in GaAs/GaN junctions using surfaceactivated bonding 国内会議

    -

    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

  • Fabrication and characterization of GaAs/4H-SiC junctions by using SAB 国内会議

    -

    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

  • Impacts of annealing in N2/H2 ambient on electrical properties of Si/GaN junctions 国内会議

    -

    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

  • Surface-activated bonding of n+-Si to n-GaN: A possible process for fabricating ohmic contacts to nitrides with smooth surface 国際会議

    -

    39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits  2015年06月 

  • Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces 国内会議

    -

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • Electrical properties of n+-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding 国内会議

    -

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding 国内会議

    -

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding 国内会議

    -

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • Impacts of optical properties of anti-reflection coatings on characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 国際会議

    -

    42nd IEEE International Photovoltaic Specialists Conference  2015年06月 

  • タンデム太陽電池応用のためのSi/InGaP ヘテロ接合の電気伝導特性 国内会議

    -

    第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • SAB 法による4H-SiC/Si HBT構造における少数キャリア注入特性 国内会議

    -

    第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • SAB 法によるSi/Si 接合の界面特性の評価 国内会議

    -

    第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • 表面活性化接合によるn+-Si/n-GaN コンタクトの検討 国内会議

    -

    第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • AR 膜によるInGaP/GaAs/Si 3 接合セル中サブセル特性の制御 国内会議

    -

    第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造が短絡電流に与える影響 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2014年11月 

  • InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells by Surface-Activated Bonding of Invertedly-Grown III-V Heterostructures to Si- Based Bottom Cells 国内会議

    -

    The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells 国際会議

    -

    2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting  2014年10月 

  • 異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル 国内会議

    -

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

  • SiC 基板上Si 薄膜のウェット酸化と界面構造の安定 国内会議

    -

    第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

  • III-V系半導体セルとイオン注入Siセルの貼り合わせによるハイブリッド3接合セル 国内会議

    -

    第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2014年07月 

  • Effects of annealing on GaAs/Si Bonding Interfaces for Hybrid Tandem Solar Cells 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

  • Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

  • Annealing Characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions by Using Surface Activated Bonding 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

  • Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n+-Si/n-SiC junctions 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

  • Hybrid triple-junction solar cells by surface activate bonding of III-V Double-junction-cell heterostructures to ion-implanation-based Si cells 国際会議

    -

    40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference  2014年06月 

  • Fabrication and Characterization of Si/ 10m Mesa-Etched Si Junctions by Surface Activated Bonding 国内会議

    -

    2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2014年06月 

  • Effects of Annealing on GaAs/Si Bonding Interface for Hybrid Tandem Solar Cells 国内会議

    -

    2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2014年06月 

  • Improvement in electrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing 国内会議

    -

    2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2014年06月 

  • ハイプリッドタンデム太陽電池構造の接合界面に対するアニール効果 国内会議

    -

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

  • SAB法によるp+-Si/n-4H-SiC接合のアニール温度依存性 国内会議

    -

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

  • Si/4H-SiCヘテロ接合界面に対する熱処理の効果 国内会議

    -

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

  • 表面活性化ボンディング法によるSi/Si接合特性における熱処理依存性 国内会議

    -

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

  • SAB法による深いメサ構造を有するSi/Si接合における寄生容量の低減 国内会議

    -

    第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

  • 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 国内会議

    -

    電子情報通信学会技術研究報  2013年11月 

  • InGaN/GaN MQW 太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 国内会議

    -

    電子情報通信学会技術研究報  2013年11月 

  • 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 国内会議

    -

    電子情報通信学会技術研究報  2013年11月 

  • Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding 国内会議

    -

    3rd International Congress on Natural Science (ICNS 2013)  2013年10月 

  • Electrical Properties of p+-Si /n-SiC Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 国内会議

    -

    10th Topical Workshop on Heterostructure Miroelectronics  2013年09月 

  • I-V characteristics in Surface-Activated Bonding (SAB) based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures 国内会議

    -

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013  2013年09月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi/4H-Sic接合のブレークダウン特性 国内会議

    -

    第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

  • 表面活性化ボンディングによるInGaP/Si タンデム太陽電池の作製 国内会議

    -

    第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

  • InGaN/GaN MQW 太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関 国内会議

    -

    第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

  • SAB法によるSi/Si接合特性におけるArプラズマ照射効果 国内会議

    -

    第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

  • Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding 国内会議

    -

    39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2013年06月 

  • Type II band lineup in SAB-Based GaAs/Si Heterojunctions 国内会議

    -

    2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2013年06月 

  • Band Structures of Si/InGaP heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 国内会議

    -

    Compound Semiconductor Week 2013  2013年05月 

  • Well-number dependence of photovoltaic properties of InGaP/GaN multiple quantum well solar cells 国内会議

    -

    Compound Semiconductor Week 2013  2013年05月 

  • Growth of high-quality (111) oriented cuprous oxide thin films oxidized in water vapor 国際会議

    -

    International Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2013  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるメサエッチングSi基板の接合特性評価 国内会議

    -

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるn-Si/n-4H-Sicヘテロ接合の作製及び評価 国内会議

    -

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによる低抵抗Si/III-V接合 国内会議

    -

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi/GaAsヘテロ接合のバンド構造評価 国内会議

    -

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi/InGaPヘテロ接合のバンド構造評価 国内会議

    -

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi/4H-SiC接合のC-V特性評価 国内会議

    -

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • InGaN/GaN MQW 太陽電池特性のペア数依存性 国内会議

    -

    第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi • 異種材料接合の電気特性評価 国内会議

    -

    電子情報通信学会技術研究報  2012年11月 

  • 面活性化ウェハボンディングによるp-Si/n-GaAs貼り合わせ構造の特性評価 国内会議

    -

    第73回秋季応用物理学会学術講演会  2012年09月 

  • 表面活性化ボンディングによるp-Si/n+-Si貼り合わせ構造の輸送特性評価 国内会議

    -

    第73回秋季応用物理学会学術講演会  2012年09月 

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産業財産権等

  • 電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法

    重川直輝、梁剣波

     詳細を見る

    産業財産権の種類:特許権 

    出願番号:特願2015-145514 

    公開番号:特開2017-28115 

    公表番号:特開2017-28115 

  • 半導体装置、及びその半導体装置の製造方法

    重川直輝、梁剣波

     詳細を見る

    産業財産権の種類:特許権 

    出願番号:特願2014-26134 

    特許番号/登録番号:特開2015-153893 

科研費

  • Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

    基盤研究(B)  2021年04月

  • 縦型デバイス応用に向けた導電性ダイヤモンドとGaN、Ga2O3ヘテロ接合の形成

    基盤研究(C)  2020年04月

  • パワーデバイス応用に向けた酸化ガリウム/IV族半導体直接接合界面形成

    基盤研究(B)  2019年04月

  • 高効率素子に向けたワイドギャップ半導体/ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明

    挑戦的研究(開拓・萌芽)  2018年04月

受託研究

  • GaN成膜用低熱抵抗3C-SiC-on-ダイヤモンド基板の研究開発

    国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)  『官民による若手研究者発掘支援事業』マッチングサポートフェーズ  2022年09月

  • RFデバイス用低熱抵抗4インチGaN-on-多結晶ダイヤモンド基板の研究開発

    国立研究開発法人科学技術振興機構  起業挑戦/産学共同促進/実用化挑戦A-STEP 産学共同(本格型)  2022年09月

  • SiC/ダイヤモンド直接接合による大口径・高熱伝導率GaN-on-ダイヤモンド基板の研究開発

    2021年05月

  • ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発

    2019年07月

  • 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発(高効率・低コストIII-V/Siタンデム)/表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ/Si多接合セル

    2018年04月

  • シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発

    2012年04月

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奨励寄附金・助成金

  • エレクトロニクス応用に向けたダイヤモンドとシリコンの接合界面形成機構の解明とその実用性の検証

    公益財団法人ヒロセ国際奨学財団  2018年01月

その他補助金等

  • パワー素子の放熱性向上に向けたGa2O3とSiC接合界面の形成

    大学  2021年05月

  • 大口径ダイヤモンド基板実現に向けたダイヤモンド/Si接合界面形成機構の解明

    大学  2019年04月

担当教育概要

  • 電子・物理工学実験Ⅰでは、情報処理システムの動作を理解するために必要エレクトロニクスに関する基礎知識を実験により修得することを目的している。 電磁気学Ⅰ演習では、電磁気学をより深く理解し、それによって応用能力を身につけるためには、練習問題を実際に数多く解いてみることが極めて重要である。

担当授業科目

  • 特別演習(電子・物理工学Ⅰ)

    2018年度     大学院

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学II)

    2018年度     大学

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅰ)

    2018年度     大学院

  • 卒業研究

    2018年度     大学

  • 電子・物理工学実験Ⅱ

    2018年度     大学

  • 電子・物理工学関係外書講読

    2018年度     大学

  • 電磁気学Ⅰ演習

    2018年度     大学

  • 電磁気学Ⅰ演習

    2017年度     大学

  • 電子・物理工学実験Ⅱ

    2017年度     大学

  • 卒業研究

    2017年度     大学

  • 電子・物理工学関係外書購読

    2017年度     大学

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅰ)

    2017年度     大学院

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅱ)

    2017年度     大学院

  • 卒業研究

    2016年度     大学

  • 電子・物理工学関係外書購読

    2016年度     大学

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅰ)

    2016年度     大学院

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅱ)

    2016年度     大学院

  • 電子・物理工学実験Ⅰ

    2016年度     大学

  • 電磁気学Ⅰ演習

    2016年度     大学

  • 電子・物理工学関係外書購読

    2015年度     大学

  • 卒業研究

    2015年度     大学

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅰ)

    2015年度     大学院

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅱ)

    2015年度     大学院

  • 前期特性研究

    2015年度     大学院

  • 電磁気学Ⅰ演習

    2015年度     大学

  • 電子・物理工学実験Ⅰ

    2015年度     大学

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FD活動

  • FD活動への貢献  2019年度

     詳細を見る

    本学工学研究科機能創成科学教育研究センターが開催した2019年度第1回機能創成科学セミナーにてダイヤモンドと異種材料融合研究の最前線という題目で講演した。

独自項目・特記事項(教育活動)

  • 2018年度

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    独自項目:研究室ソフトボール大会の幹事に務めた。

  • 2018年度

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    独自項目:3回生工場見学の引率に務めた。

  • 2017年度

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    独自項目:研究室ソフトボール大会の幹事に務めた

  • 2017年度

      詳細を見る

    独自項目:ブリストル大学との共同研究連携に貢献した

  • 2016年度

      詳細を見る

    独自項目:研究室ソフトボール大会の幹事に務めた。

その他

  • 職務経歴

    2019年04月 - 継続中

      詳細を見る

    大阪市立大学 工学研究科 准教授

  • 職務経歴

    2015年04月 - 2019年03月

      詳細を見る

    大阪市立大学 工学研究科 講師

  • 職務経歴

    2012年04月 - 2015年03月

      詳細を見る

    大阪市立大学 工学研究科 博士研究員