Best Poster Presentation Award

Shinji Kanda, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2019年05月   The organizing committee of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application

Best Presentation Award

Yutaka Ohno, Reina Miyagawa, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

2019年05月   The organizing committee of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Tuning the Interlayer Microstructure and Residual Stress of Buffer-Free Direct Bonding GaN/Si Heterostructures 査読 国際共著

Yan Zhou, Shi Zhou, Shun Wan, Bo Zou, Yuxia Feng, Rui Mei, Heng Wu, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Pingheng Tan, and Martin Kuball

Applied Physics Letter   122 ( 082103 )   2023年02月

Interlayer Investigations of GaN Heterostructures Integrated into Silicon Substrates by Surface Activated Bonding 査読 国際共著

Shi Zhou, Shun Wan, Bo Zou, Yanping Yang, Huarui Sun, Yan Zhou, and Jianbo Liang

Crystals   13 ( 217 )   1 - 11   2023年01月

Room-temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer 招待 査読

Ayaka Kobayashi, Hazuki Tomiyama, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

Functional diamond   2 ( 142 )   142 - 150   2022年12月

High Thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals 査読 国際共著

Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Tianli Feng, Naoteru Shigekawa, and David G. Cahill

Nature Communications   13   7201   2022年11月（ ISSN:2041-1723 ）

Heterojunctions fabricated by surface activated bonding-dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process 招待 査読

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

Japanese Journal of Applied Physics   61 ( 12 )   120101   2022年10月

Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding 査読

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Diamond & Related Materials   130   109425   2022年10月

常温におけるダイヤモンドと異種材料の直接接合 招待 査読

梁剣波,大野裕,重川直輝

日本金属学会会報   61 ( 6 )   334 - 339   2022年06月

Quantitative capacitance measurements in frequency modulation electronic force microscopy 査読

Ryota Fukuzawa, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Takuji Tahahashi

Japanese Journal of Applied Physics   61   SL1005-1 - SL1005-7   2022年05月

Comparison of thermal stabilities of p+-Si/p-diamond heterojunction and Al/p-diamond Schottky barrier diodes 査読

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1009-1 - SF1009-9   2022年04月

Low-loss characteristics of coplanar waveguides fabricated by directly bonding metal foils to high-resistivity Si substrates 査読

Yonekura Kenya, Kawamoto Tasuku, Liang Jianbo, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1008-1 - SF1008-4   2022年04月

Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding 招待 査読

Ohno Yutaka, Jianbo Liang, Yoshida Hideto, Shimizu Yasuo, Nagai Yasuyoshi, and Shigekawa Naoteru

Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1006-1 - SF1006-5   2022年04月

Intrinsic luminescence-downshifting effects of Zn-based Mn-doped nanoparticle layers on Si Solar Cells 査読

Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, Kim DaeGwi, Yong-Gu Shim, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   61   062004-1 - 062004-6   2022年03月

AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process 査読

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express   15   041003-1 - 041003-5   2022年03月

Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications 査読

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   61   SF1001-1 - SF1001-8   2022年03月

Fabrication of n-Si/n-Ga2O3 heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties 査読

Zhenwei Wang, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Tahahiro Kitada, Naoteru Shigekawa, and Masataka Higashiwaki

AIP Journal of Applied Physics   13   074501-1 - 074501-9   2022年02月

Fabrication of p+-Si/p-diamond heterojunction diodes and effects of thermal annealing on their electrical properties 査読 国際共著

Yota Uehigashi , Shinya Ohmagari , Hitoshi Umezawa , Hideaki Yamada , Jianbo Liang , Naoteru Shigekawa

Diamond & Related Materials   120   108665-1 - 108665-6   2021年10月

Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 査読 国際共著

Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

Advanced Materials   33 ( 21045 )   2104564-1 - 2104564-13   2021年09月

Room temperature direct bonding of diamond and InGaP in atmospheric air 査読

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Naoteru Shigekawa

Functional Diamond   1 ( 1 )   110 - 116   2021年02月

Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 査読

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Tianzhuo Zhan, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Kazu Katayama, Takanobu Watanabe, Hideto Yoshida, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

Diamond and Related Materials   111   108207   2020年11月

III-V Thin Film Solar Cells Bonded to Si substrate via Metal Grids 査読 国際共著

Takashi Hishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

ECS Transaction   98 ( 4 )   117 - 123   2020年10月

Nanostructural Investigation on GaAs//Indium Tin Oxide /Si Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells 査読

Tomoya Hara, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Kentaro Watanabe, Masakazu Sugiyama, Naoteru Shigekawa

ECS Transaction   98 ( 4 )   125 - 133   2020年10月

半導体基板の常温直接接合技術 招待 査読

重川直輝、梁剣波

電子情報通信学会C   J103-C ( 7 )   341 - 348   2020年07月

Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces 査読

Yutaka Ohnoa, Jianbo Liangb, Naoteru Shigekawab, Hideto Yoshidac, Seiji Takedac, Reina Miyagawad, Yasuo Shimizue, Yasuyoshi Nagai

Applied Surface Science   525   146610   2020年05月

Effects of post bonding annealing on GaAs//Si bonding interfaces and its application for sacrificial-layer-etching based multijunction solar cells 査読 国際共著

Naoteru Shigekawa, Ryo Kozono, Sanji Yoon, Tomoya Hara, Jianbo Liang, and Akira Yasui

Solar Energy Materials and Solar Cells   210   110501   2020年03月

Characterization of nanoscopic Cu/diamond interfaces prepared by surface activated bonding: Implications for thermal management 査読

J. Liang, Y. Ohno, Y. Yamashita, Y. Shimizu, S. Kanda, N. Kamiuchi, S.-W. Kim, K. Koyama, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa

ACS Applied Nano Materials   3 ( 3 )   2455 - 2462   2020年03月

Fabrication of diamond/Cu direct bonding for power device applications 査読

S. Kanda, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, J. Liang

Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SB )   SBBB03/1 - SBBB03/5   2020年02月

Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding 査読

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Naoto Kamiuchi, Ryotaro Aso, Seiji Takeda, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   59   SBBB05-1 - SBBB05-5   2020年02月

Low-resistance semiconductor/semiconductor junctions with intermediate metal grids for III-V-on-Si multijunction solar cells 査読 国際共著

Takashi Hishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SB )   SBBB04   2019年11月

Low-Loss Characteristics of Metal-Foil-Based Passive Components by Surface-Activated Bonding Technologies 査読 国際共著

1. Keita Matsuura, Jianbo Liang, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

IEEE Transactions on Electron Devices   66 ( 9 )   3946 - 3952   2019年07月

Macroscale synthesis of CuO nanowires on FTO plane substrate 査読 国際共著

1. Yota Mabuchi, Rashid Norhana Mohamed, Xuyang Li, Jianbo Liang, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

Modern Physics Letters B   33   1950138   2019年04月

Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface 査読

Jianbo Liang, Yan Zhou, Satoshi Masuya, Filip Gucmann, Manikant Singh, James Pomeroy, Seongwoo Kim, Martin Kuball, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

Diamond & Related Materials   93   187 - 192   2019年02月

Hard X-ray photoelectron spectroscopy investigation of annealing effects on buried oxide in GaAs/Si junctions by surface-activated bonding 査読 国際共著

Shoji Yamajo, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Hassanet Sodabanlu, Kentaro Watanabe, Masakazu Sugiyama, Akira Yasui, Eiji Ikenaga, and Naoteru Shigekawa

Applied Surface Science   473   627 - 632   2018年12月

Stability of diamond/Si bonding interface during device fabrication process 査読 国際共著

Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Seongwoo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express   12   016501-1 - 016501-5   2018年11月

Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 査読

Sho Morita, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

ECS Transactions   86 ( 5 )   137 - 142   2018年10月

Room-temperature direct bonding of diamond and Al 査読 国際共著

Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

Scripta Materialia   159   58 - 61   2018年09月

Electrical properties of GaAs//indium tin oxide /Si junctions for III-V-on-Si hybrid multijunction cells 査読 国際共著

Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 8S3 )   08RD05-1 - 08RD05-6   2018年07月

GaAs/indium tin oxide/Si bonding junctions for III-V-on-Si hybrid multijunction cells with low series resistance 査読 国際共著

Naoteru Shigekawa, Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Takefumi Kamioka, Kenji Araki, and Masafumi Yamaguchi

IEEE Journal of Photovoltaics   pp ( 99 )   1 - 8   2018年03月

Electrical properties of Al foil/n-4H-SiC Schottky junctions fabricated by surface-activated bonding 査読

Morita Sho, Liang Jianbo, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

57 ( 2 )   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces 査読 国際共著

Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE04-1 - 02BE04-5   2018年01月

Electrical conduction of Si/indium tin oxide/Si junctions fabricated by surface activated bonding 査読 国際共著

Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Tomoya Hara, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE03-1 - 02BE03-5   2018年01月

Analysis of effects of interface-state charges on the electrical characteristics in GaAs/GaN heterojunctions 査読 国際共著

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE02-1 - 02BE02-5   2017年12月

Electrical properties of Al foil/n-4H-SiC Schottky junctions fabricated by surface-activated bonding 査読 国際共著

Sho Morita, Jianbo Liang, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yoshitaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BE01-1 - 02BE01-5   2017年11月

Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 査読 国際共著

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   57 ( 2S1 )   02BA01-1 - 02BA01-3   2017年11月

Aluminum Foil/Si Direct Bonding as Prototypes of Ultra-Thick Metal Contacts in Devices 査読 国際共著

Jianbo Liang, Katsuya Furuna, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yoshitaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

ECS Journal of Solid State Science and Technology   6 ( 9 )   P626 - P632   2017年08月

Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates 査読 国際共著

Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

Applied Physics Letters   110 ( 11 )   111603-1 - 111603-4   2017年03月

Determination of Band Structure at GaAs/SiC Heterojunctions 国際共著

Jianbo Liang, Sae Shimizu, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

Electrochemical Society Transaction   75 ( 9 )   221 - 227   2016年10月

Ultra-Thick Metal Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding 国際共著

Jianbo Liang, Katuya Huruna, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

Electrochemical Society Transaction   75 ( 9 )   25 - 32   2016年10月

Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment 査読 国際共著

Jianbo Liang, Shota Nishida, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

Journal of Applied Physics   120 ( 3 )   034504-1 - 034504-7   2016年06月

Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding 査読 国際共著

Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 6 )   068002-1 - 068002-3   2016年05月

Mapping of Si/SiC hetero p-n Junctions Using ScanningInternal Photoemission Microscopy 査読 国際共著

Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima

Japanese Journal of Applied Physics   55 ( 3 )   04ER15-1 - 04ER15-4   2016年03月

Investigation on the Interface Resistance of Si/GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding

Jianbo Liang, Li Chai, Shota Nishida, Masashi Morimoto, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   54   030211   2015年

Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and concentrations of acceptors in Si

Shota Nishida, Jianbo Liang, Tomohiro Hayashi, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

Japanese Journal of Applied Physics   54   030210   2015年

Single phase CuO thin films prepared by thermal oxidation in air with water vapor

Jianbo Liang, XuYang Li, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

Advanced Materials Research   1109   544 - 548   2015年

Impacts of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface activated bonding

Masashi Morimoto, Jianbo Liang, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   54   030212   2015年

4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Fabricated by Surface Activated Bonding

Jianbo Liang, Sae Shimizu, Shota Nishida, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

ECS Solid State Letters   4   Q55   2015年

Interface Characteristics of Si/Si Junctions by Using Surface-Activated Bonding

Syoji Yamajo, Masashi Morimoto, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)   62 - 63   2015年

Fabrication and Characterization of Si-Based Bipolar Transistor Structures Using Low-Temperature Bonding

Sae Shimizu, Shota Nishida, Jianbo Liang, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)   64 - 65   2015年

Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Ryusuke Onitsuka, Takaaki Agui, Hiroyuki Juso, and Tatsuya Takamoto

Japanese Journal of Applied Physics   54   08KE03   2015年

Effects of Interface State Charges on the Electrical Properties of Si/SiC Heterojunctions

J. Liang, S. Nishida, T. Hayashi, M. Arai, and N. Shigekawa

Applied Physics Letters   105   151607   2014年

Growth of high-quality (111) oriented cuprous oxide thin films oxidized in water vapor

Jianbo Liang, XuYang Li, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

Advanced Materials Research   832   138 - 142   2014年

Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells

Naoteru Shigekawa, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Jianbo Liang

Japanese Journal of Applied Physics   53   04ER05   2014年

I-V characteristics in surface-activated Bonding based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures

Shota Nishida, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

Materials Science Forum   778-780   718 - 721   2014年

Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, and Akio Yamamoto

Physica status solidi C   11   644 - 647   2014年

Effect of thermal annealing process on the electrical properties of p+-Si/n-SiC heterojunctions

J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa

Applied Physics Letters   104   161604   2014年

Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell

Noriyuki Watanabe, Manabu Mitsuhara, Haruki Yokoyama, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   53   112301   2014年

Hybrid triple-junction solar cells by surface activated bonding of III-V double-junction-cell heterostructures to ion-implantation-based Si cells

Naoteru Shigekawa, Li Chai, Masashi Morimoto, Jianbo Liang, et al.

40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   0534   2014年

Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, and Shota Nishida

Electrochemical Society Transaction   64 ( 5 )   235 - 242   2014年

Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding

Jianbo Liang, Tatsuya Miyazaki, Masashi Morimoto, Shota Nishida, Noriyuki Watanabe, and Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express   6   021801   2013年

Surface-activating-bonding-based low resistance Si/III-V junctions

J. Liang, S. Nishida, M. Morimoto, and N. Shigekawa

Electronics Letters   49   830   2013年

Synthesis of cupric oxide nanowires on spherical surface by thermal oxidation method

Xuyang Li, Jianbo Liang, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

Materials Letters   96   192 - 194   2013年

Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface activated bonding

Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa

Physics Status Solidi C   10   1644 - 1647   2013年

Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding

J. Liang, T. Miyazaki, M. Morimoto, S. Nishida, and N. Shigekawa

Journal of Applied Physics   114   183703   2013年

Graphene synthesis by thermal chemical vapor deposition using solid precursor

Mohsin Ahmed, Naoki Kishi, Ryo Sugita, Akiji Fukaya, Ishwor Khatri, Jianbo Liang, Sharif Mohammad Mominuzzaman

Journal Material Science: Material Electron   24   2151   2013年

Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, and Noriyuki Watanabe

IEEE Photovoltaic Specialists Conference   Proc. 39th   2470 - 2473   2013年

Thin cuprous oxide films prepared by thermal oxidation of copper foils with water vapor

JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo

Thin solid films   520   2679 - 2682   2012年

Synthesis of highly-aligned cupric oxide nanowiers by thermal oxidation of copper foils

JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo

Journal of Nanomaterials   Article ID 268508   8 pages   2011年

Cross-sectional characterization of Cupric Oxide Nanowires grown by Thermal Oxidation of Copper Foils

JianBo Liang, Naoki Kishi, Tetsuo Soga, and Takashi Jimbo

Applied Surface Science   257   62 - 66   2010年

高効率パワー素子の実現に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の開発 招待

梁 剣波, 重川 直輝

化学工業社・ケミカルエンジニアリング   65 ( 8 )   469 - 474   2020年08月

ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現 招待

梁剣波, 重川直輝

日本出版制作センター・月刊 JETI   68 ( 6月 )   37 - 40   2020年05月

Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 査読

Y. Ohno, R. Miyagawa, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Proceedings of the 6th International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration   2 - 2   2019年06月

次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合 査読

重川直輝　梁剣波

ニューダイヤモンドフォーラム   34 ( 4 )   3 - 5   2018年10月

表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性

林朋宏、梁剣波、新井学、重川直輝

電子情報通信学会   115 ( 39 )   111 - 15   2015年11月

GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果

柴麗、梁剣波、重川直輝

電子情報通信学会   115 ( 329 )   105 - 109   2015年11月

表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成

梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

電子情報通信学会   113 ( 329 )   27 - 30   2013年11月

InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察

渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

電子情報通信学会   113 ( 329 )   31 - 34   2013年11月

表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性

西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

電子情報通信学会   113 ( 329 )   21 - 25   2013年11月

表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価

梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

電子情報通信学会   112 ( 328 )   1 - 5   2012年11月

Enhanced Thermal Performance in GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Applications 招待 国際会議

Jianbo Liang and Shigekawa Naoteru

The 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors & The 20th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2023)  2023年11月  The 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors & The 20th China International Forum on Solid State Lighting (IFWS & SSLCHINA 2023)

Fabrication of nitride/3C-SiC/polycrystalline diamond heterostructures for efficient thermal management of power devices 国際会議

Chiharu Moriyama, Keisuke Kawamura, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yutaka Ohno, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14)  2023年11月  14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 14)

Thermal Transport in Cubic Silicon Carbide Crystals and Cross Integrated Interfaces 国際共著 国際会議

Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Tianli Feng, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Samuel Graham, David Cahill

International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems (InterpACK 2023)  2023年10月  International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems (InterpACK 2023)

Integrating GaN with diamond for power devices with efficient thermal management 招待 国際会議

Jianbo Liang, Yutaka Ohno, and Naoteru Shigekawa

International Microsystems, Packaging, Assembly and Circuits Technology Conference (IMPACT 2023)  2023年10月  IEEE-EPS-Taipei, iMAPS-Taiwan, ITRI, and TPCA

Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions 国際会議

Shota Ishimi, Makoto Hirose, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

244th ECS Meeting  2023年10月  The Electrochemical Society

高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製 国内会議

森山 千春、川村 啓介、大内 澄人、浦谷 泰基、大野 裕、井上 耕治、永井 康介、重川 直輝、梁 剣波

2023年第８４回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

表面活性化接合法で作製したGaN/GaN界面近傍のケルビン・プローブ・フォース顕微鏡による断面計測 国内会議

文 思翰、澤井 一樹、梁 剣波、重川 直輝、高橋 琢二

2023年第８４回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

Integration of 3C-SiC and polycrystalline diamond for large-scale high-performance GaN device production 国際会議

Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

Integration of Si and polycrystalline diamond by a surface-activated bonding method 国際会議

Jianbo Liang, Yoshiki Nishibayashi, Minori Teramoto, Marika Takeuchi, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価 国内会議

早川 譲稀 , 大野 裕 , 永井 康介 , 重川 直輝 , 梁 剣波

第７０回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

α-Ga2O3/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価 国内会議

山本 誠志郎 , 大島 祐一 , 大野 裕 , 永井 康 介 , 重川 直輝 , 梁 剣波

第７０回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

High Performance GaN-on-Diamond Devices Fabrication using Diamond Wafer Bonding Technology 招待 国際会議

Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Naoteru Shigekawa

Hasselt Diamond Workshop 2023  2023年03月 

転位発生源となるシリコン非対称傾角粒界の形成過程 国内会議

大野 裕 , 斉藤 光 , 梁 剣波 , 横井 達矢 , 松永 克 志 , 重川 直輝 , 井上 耕治 , 永井 康介 , 波多 聰

第７０回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

Characterization of GaN/ GaN Interfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai and Naoteru Shigekawa

15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanometerials 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science  2023年03月 

Direct Wafer Bonding of Nitride and its Application for Advanced Devices 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanometerials 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science  2023年03月 

AlGaN/GaN/3C-SiC-on-diamond high electron mobility transistors (HEMTs) fabrication by diamond room temperature bonding 招待 国際会議

Jianbo Liang

Symposium for Functional Diamond, International Diamond Conference  2022年11月 

表面活性化接合法によるGaN/GaN接合界面の評価 国内会議

澤井 一樹、梁 剣波、清水 康雄、大野 裕、永井 康介、重川 直輝

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価 国内会議

上東 洋太、大曲 新矢、梅沢 仁、山田 英明、梁 剣波、重川 直輝1

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製 国内会議

香川 諒、重川 直輝、梁 剣波、川村 啓介、坂井田 佳紀、大内 澄人、浦谷 泰基、清水 康夫、大野 裕、長井 康介

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

表面活性化接合法で作製したn-Si/n-Siおよびp-Si/p-Si接合の二重バイアス変調静電引力顕微鏡による評価 国内会議

小林 大地、梁 剣波、重川 直輝、高橋 琢二

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

Si太陽電池に対する高光学密度半導体ナノ粒子膜の堆積効果 国内会議

粟井 啓伍、井筒 由紀、梁 剣波、西村 悠陽、金 大貴、沈 用球、重川 直輝

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

パワー素子の放熱向上に向けたGa2O3/3C-SiC直接接合の特性評価 国内会議

長井 啓、川村 啓介、浦谷 泰基、坂井田 佳紀、重川 直輝、梁 剣波

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

Nanostructural Analysis of Al/β-Ga2O3 Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Fabrication of GaN/SiC/diamond Structure for Efficient Thermal Management of Power Device 国際会議

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Coplanar Waveguides Fabricated by Directly Bonding Metal Foils to High-Resistivity Si Substrates 国際会議

Kenya Yonekura, Tasuku Kawamoto, Jianbo Liang, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Polarization Inverted GaN/GaN Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

High Temperature Stability of p+-Si/p-Diamond Heterojunction diodes 国際会議

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Fabrication of Ga2O3/3C-SiC Direct Bonding for Efficient Surface Heat Dissipation 国際会議

Hiromu Nagai, Keisuke Kawamura, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Fabrication and Characterization of GaN/Diamond Boding Interface 国際会議

Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Swong-Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Fabrication of Ga2O3/Si Direct Bonding Interface for High Power Device Applications 国際会議

JIanbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Structural Analysis of Diamond/Silicon Heterointerfaces Fabricated by Surface Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

2021 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2021年10月 

Ga2O3/Siヘテロ構造の作製及び構造評価 国内会議

髙月　大輝, 東脇　正高、清水　康雄、大野　裕、永井　康介、重川　直輝、梁　剣波

第８２回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

Direct bonding of diamond to semiconductors and metals for low thermal resistance modules 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

31st International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2021)  2021年09月 

Low-temperature direct wafer bonding innovating CS device technologies 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS-MANTECH 2021)  2021年05月 

Formation process of high thermal-stability diamond/Si and diamond/GaAs heterointerfaces by surface activated bonding 国内会議

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Hideto Yoshida, Naoteru Shigekawa

Materials Research Society (MRS)  2020年11月 

Microscopic picture of direct bonding via surface activation for low-resistance Si/wide-gap semiconductor heterointerfaces 国際会議

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, and YasuyoshiNagai

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME)  2020年10月 

Direct bonding of GaAs and diamond for high power device applications 国際会議

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Tianzhuo Zhan, Takanobu Watababe, NaotoKamiuchi, Yasuyoshi Nagai, and Naoteru Shigekawa

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME)   2020年10月 

Structural analysis of Si/diamond heterointerfaces fabricated by surface activated bonding using LT-FIB and STEM 国際会議

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

Global Institute for Materials Research Tohoku Joint International Symposium on Radiation Effects in Materials and Actinide Science 2020 (GIMRT-REMAS2020)  2020年09月 

How to fabricate low-resistance heterointerfaces for tandem cells by direct bonding at low temperatures 国内会議

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Hideto Yoshida, Reina Miyagawa, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai

37th European PV Solar Energy Conference and Exhibition (EU-PVSC)  2020年09月 

ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現 国内会議

梁 剣波

科学技術振興機構、大阪市立大学、大阪府立大学、兵庫県立大学主催新技術説明会  2019年11月 

GaAs/Diamond 直接接合の界面評価 国内会議

中村 祐志, 清水 康雄, 大野 裕, 詹 天卓, 山下 雄一郎, 白崎 謙次, 永井 康介, 渡邊 孝信, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

高出力パワーデバイス応用に向けた GaN/Diamond 直接接合の作製 国内会議

梁 剣波，清水 康雄，大野 裕, 白崎 謙次， 永井 康介, 嘉数 誠, 金 聖祐, Martin Kuball, 重川 直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

InGaP/ITO 界面における熱処理効果 国内会議

崎原 盛偉，梁 剣波，重川 直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

ELO 法及び SAB 法による GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

小園 亮, 梁 剣波, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

直接接合された表面実装型 LED パッケージにおける素子温度評価 国内会議

小丸 啓吾,梁 剣波,西尾 佳高, 重川 直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価 国内会議

大野裕, 清水康雄, 永井康介, 麻生亮太郎, 神内直人, 吉田秀人, 梁剣波, 重川直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

ELO 法及び SAB 法による GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

小園 亮、梁 剣波、渡辺 健太郎、杉山 正和、重川 直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

井筒由紀, 田中駿, 梁剣波, 楢崎友城, 西村悠陽, 金大貴, 重川直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

表面活性化接合で形成した Si/GaAs 界面の低温 FIB 法によるアトムプローブ評価 国内会議

清水 康雄, 海老澤 直樹, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 永井 康介

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

井筒由紀, 田中駿, 梁剣波, 楢崎友城, 西村悠陽, 金大貴, 重川直輝

第８０回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

Compositional nanoanalysis at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures 国際会議

Yutaka OHNO, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

Europian Conference and Exhibition on Advanced Material and Processed (EUROMAT2019)  2019年09月 

Compositional nanoanalysis at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures 国内会議

Yutaka OHNO, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

Europian Conference and Exhibition on Advanced Material and Processed (EUROMAT2019)  2019年09月 

Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications 国際会議

Y. NAKAMURA, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, and Jianbo LIANG

13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications 国内会議

Y. NAKAMURA, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, Jianbo LIANG

13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications 国際会議

Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications 国内会議

Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding 国際会議

Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)  2019年07月 

Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding 国内会議

Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)  2019年07月 

Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates 国際会議

Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates 国内会議

Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature 国際会議

Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature 国内会議

Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

高出力パワーデバイスに向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合 招待 国内会議

梁　剣波

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第２２回研究会  2019年07月 

高出力パワーデバイスに向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合 国内会議

梁 剣波

独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会第２２回研究会  2019年07月 

Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 国際会議

Yuki IDUTSU, Shun TANAKA, Liang JIANBO, Tomoki NARAZAKI, Hisaaki NISHIMURA, DaeGwi KIM, Naoteru SHIGEKAWA

The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 国内会議

Yuki IDUTSU, Shun TANAKA, Liang JIANBO, Tomoki NARAZAKI, Hisaaki NISHIMURA, DaeGwi KIM, Naoteru SHIGEKAWA

The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 国際会議

Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 国内会議

Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

The 46th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC 46)  2019年06月 

Direct bonding of diamond and dissimilar materials for power device applications 招待 国際会議

Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2019)  2019年06月 

Direct bonding of diamond and dissimilar materials for power device applications 国内会議

Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

2019 International Symposium on Single Crystal Diamond and Electronics (SCDE 2019)  2019年06月 

Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 国際会議

Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application 国内会議

Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, Jianbo LIANG

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Electrical properties of p+-GaAs//patterned metal layer/n+-Si junctions 国内会議

Takashi HISHIDA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Directly bonded n+-InGaP/n+-Si junctions with a low interface resistance 国内会議

Moritake SAKIHARA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Bonding strength evaluation of Al foil/AlN junctions by surface activated bonding 国内会議

Shotaro HORIKAWA, Sho MORITA, Jianbo LIANG, Yoshihisa KANEKO, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 国内会議

Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Directly bonded n+-InGaP/n+-Si junctions with a low interface resistance 国際会議

Moritake SAKIHARA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Bonding strength evaluation of Al foil/AlN junctions by surface activated bonding 国際会議

Shotaro HORIKAWA, Sho MORITA, Jianbo LIANG, Yoshihisa KANEKO, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Electrical properties of p+-GaAs//patterned metal layer/n+-Si junctions 国際会議

Takashi HISHIDA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application 国際会議

Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, and Jianbo LIANG

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Atom probe tomography of GaAs homointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, and Yasuyoshi NAGAI

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

A polyimide film/aluminum foil junction by modified surface activated bonding 国際会議

H. AKAZAWA, Jianbo LIANG, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Analysis of SiC/Si Bonding Interface with Thermal Annealing Treatment by XPS 国内会議

Zexin WAN, Liang JIANBO, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

A polyimide film/aluminum foil junction by modified surface activated bonding 国内会議

H. AKAZAWA, Jianbo LIANG, Yoshitaka NISHIO, Moeko MATSUBARA, Hiroshi ASAHI, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Analysis of SiC/Si Bonding Interface with Thermal Annealing Treatment by XPS 国際会議

Zexin WAN, Liang JIANBO, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 国際会議

Yutaka OHNO, Reina MIYAGAWA, Hideto YOSHIDA, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 国内会議

Yutaka OHNO, Reina MIYAGAWA, Hideto YOSHIDA, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure 国内会議

Jianbo LIANG, Yan ZHUO, Satoshi MASUYA, Manikant SINGH, James POMEROY, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure 国際会議

Jianbo LIANG, Yan ZHUO, Satoshi MASUYA, Manikant SINGH, James POMEROY, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

2019 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2019年05月 

Direct bonging of diamond and Cu at room temperature for power devise application 国際会議

Jianbo LIANG, Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

13th New Diamond and Nano Carbons Conference  2019年05月 

Direct bonging of diamond and Cu at room temperature for power devise application 国内会議

Jianbo LIANG, Shinji KANDA, Satoshi MASUYA, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA

13th New Diamond and Nano Carbons Conference  2019年05月 

パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu 直接接合の形成 国内会議

梁 剣波，神田 進司，桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu 直接接合の形成 国内会議

梁 剣波, 神田 進司, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド/Cu 直接接合の形成 国内会議

梁 剣波，神田 進司，桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

高出力デバイス応用に向けた GaAs/Diamond 直接接合の作製 国内会議

中村 祐志，桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

高出力デバイス応用に向けた GaAs/Diamond 直接接合の作製 国内会議

中村 祐志, 桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

表面活性化接合による GaAs/GaAs 界面における元素分布評価 国内会議

清水 康雄, 海老澤 直樹, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 井上 耕治, 永井 康介

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

XPS による SiC/Si 接合界面の熱処理効果の評価 国内会議

万 澤欣, 梁 剣波, 重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

XPS による SiC/Si 接合界面の熱処理効果の評価 国内会議

万 澤欣，梁 剣波，重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

高出力デバイス応用に向けた GaAs/Diamond 直接接合の作製 国内会議

中村 祐志，桝谷 聡士, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

XPS による SiC/Si 接合界面の熱処理効果の評価 国内会議

万 澤欣，梁 剣波，重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

表面活性化接合による GaAs/GaAs 界面における元素分布評価 国内会議

清水 康雄，海老澤 直樹，大野 裕，梁 剣波，重川 直輝，井上 耕治，永井 康介

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

表面活性化接合による GaAs/GaAs 界面における元素分布評価 国内会議

清水 康雄，海老澤 直樹，大野 裕，梁 剣波，重川 直輝，井上 耕治，永井 康介

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

III-V/Si 多接合太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層 国内会議

菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

III-V/Si 多接合太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層 国内会議

菱田 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

III-V/Si 多接合太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層 国内会議

菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国際会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI

2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, and Yasuyoshi NAGAI

2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

Impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography 国内会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

2018 MRS Fall Meeting & Exhibit  2018年11月 

p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国際会議

Shunichi KONO, Jianbo LIANG and Naoteru SHIGEKAWA

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

Shunichi KONO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国際会議

Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG and Naoteru SHIGEKAWA

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国際会議

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

Shunichi Kono, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

Shunichi Kono, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国内会議

Shunichi Kono, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国内会議

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interface for high thermal tolerance 国際会議

Shunichi Kono, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)  2018年11月 

Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

Summit of Materials Science  2018年10月 

Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI

Summit of Materials Science 2018 (SMS2018  2018年10月 

Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai

Summit of Materials Science  2018年10月 

Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yutaka OHNO, Jianbo LIANG, Naoteru SHIGEKAWA, Koji INOUE, and Yasuyoshi NAGAI

Summit of Materials Science 2018 (SMS2018  2018年10月 

Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

Summit of Materials Science  2018年10月 

Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding 国内会議

Yasuo Shimizu, Naoki Ebisawa, Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Koji Inoue, and Yasuyoshi Nagai

Summit of Materials Science  2018年10月 

Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 招待 国際会議

Jianbo Liang

International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 国内会議

Jianbo Liang

International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 国内会議

Jianbo Liang

International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

Direct bonding of diamond and Si by surface activated bonding 国内会議

Jianbo Liang

International Forum on Wide Bandgap Semiconductors  2018年10月 

Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国際会議

Jianbo Liang, Yan Zhou, Shoji Yamajor, Manabu Arai, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

Jianbo Liang, Yan Zhou, Shoji Yamajor, Manabu Arai, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国内会議

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国内会議

Sho Morita, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

Jianbo Liang, Yan Zhou, Shoji Yamajor, Manabu Arai, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国内会議

Sho Morita, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国内会議

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国内会議

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

Sho Morita, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AiMS)  2018年09月 

Si 太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

田中駿, 楢崎友城, 梁剣波, 金大貴, 重川直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

梁 剣波, 桝谷 聡士, 藤井 大樹, 金 聖祐, 嘉数 誠, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Si 太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

田中駿, 楢崎友城, 梁剣波, 金大貴, 重川直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

梁 剣波， 桝谷 聡士, 藤井 大樹, 金 聖祐, 嘉数 誠, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Si 太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

田中駿, 楢崎友城, 梁剣波, 金大貴, 重川直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

梁 剣波， 桝谷 聡士, 藤井 大樹, 金 聖祐, 嘉数 誠, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

表面活性化接合及び犠牲層エッチングによる GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

小園 亮、尹 翔至、梁 剣波、重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

表面活性化接合及び犠牲層エッチングによる GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

小園 亮, 尹 翔至, 梁 剣波, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線光電子分光評価 国内会議

原 智也, 梁 剣波, 荒木 健次, 神岡 武文, ソダーバンル ハッサネット, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線光電子分光評価 国内会議

原 智也、梁 剣波、荒木 健次、神岡 武文、ソダーバンル ハッサネット、渡辺 健太郎、 杉山 正和、重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線光電子分光評価 国内会議

原 智也、梁 剣波、荒木 健次、神岡 武文、ソダーバンル ハッサネット、渡辺 健太郎、 杉山 正和、重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

表面活性化接合及び犠牲層エッチングによる GaAs/Si 2 接合太陽電池の作製 国内会議

小園 亮、尹 翔至、梁 剣波、重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

松本祐二、梁剣波、重川直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

松本祐二, 梁剣波, 重川直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

松本祐二、梁剣波、重川直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

表面活性化接合法により作製したAl/ダイヤモンド接合界面の構造評価 国内会議

神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

表面活性化接合法により作製したAl/ダイヤモンド接合界面の構造評価 国内会議

神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Ⅲ―Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入 国内会議

菱田 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Ar高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al接合の実現 国内会議

赤澤 秀征, 梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Ⅲ―Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入 国内会議

菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Ar高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al接合の実現 国内会議

赤澤 秀征，梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Ar高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al接合の実現 国内会議

赤澤 秀征，梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Ⅲ―Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入 国内会議

菱田 貴史、梁 剣波、重川 直輝

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

表面活性化接合法により作製したAl/ダイヤモンド接合界面の構造評価 国内会議

神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

The combination of diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 国際会議

Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

29th International Conference on Diamond and Carbon on Materials  2018年09月 

The combination of diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 国内会議

Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

29th International Conference on Diamond and Carbon on Materials  2018年09月 

The combination of diamond devices with Si LSI by surface activated bonding 国内会議

Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

29th International Conference on Diamond and Carbon on Materials  2018年09月 

Room-Temperature Direct Bonding of Diamond and Aluminum 国際会議

Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

12th New Diamond and Nano Carbons Conference  2018年05月 

Room-Temperature Direct Bonding of Diamond and Aluminum 国内会議

Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

12th New Diamond and Nano Carbons Conference  2018年05月 

Room-Temperature Direct Bonding of Diamond and Aluminum 国内会議

Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

12th New Diamond and Nano Carbons Conference  2018年05月 

Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国際会議

Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, and Martin Kuball

2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国内会議

Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, Martin Kuball

2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国内会議

Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, and Martin Kuball

2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国内会議

Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, and Martin Kuball

2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2018年05月 

金属箔を直接接合したセラミックス基板上の低損失コプレーナ線路の伝送特性評価 国内会議

松浦 圭汰、梁　剣波、前沢　宏一、重川　直輝

電子情報通信学会  2018年03月 

p+-Siをゲート電極とする高耐熱AlGaN/GaN HEMT の作製 国内会議

鴻野 駿一, 梁 剣波, 重川 直輝

第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年03月 

Si(100)基板上に転送したGaNエピタキシャル層の残留応力評価 国内会議

梁 剣波、Zhou Yan、Gucmann Filip、Singh Manikant、Pomeroy James、Kuball Martin、重川 直輝

第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年03月 

直接接合によるSiC/Si 界面特性の熱処理温度依存性 国内会議

下里 和史，梁 剣波，新井 学，重川 直輝

第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年03月 

Annealing effects on GaAs/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding 国際会議

Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2017年11月 

GaAs single junction cells on Si substrates fabricated by surface activated bonding and etching of sacrificial layers 国際会議

Sanji Yoon, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27)  2017年11月 

Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI 国際会議

Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Makoto Kasu, Manikant Singh, Michael J. Uren, Martin Kuball, and Naoteru Shigekawa

12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)  2017年09月 

Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates 国際会議

Keita Matsuura, Jianbo Liang, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

Impacts of annealing on interfaces of Al foil/Si junctions by using surface activated bonding 国際会議

Katuya Huruna, Jianbo Liang, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

GaN/GaAs 接合を用いた npn 構造の光電流測定 国内会議

山條 翔二、梁 剣波、ソダーバンル ハッサネット、渡辺 健太郎、杉山 正和、重川 直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

Si 基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価 国内会議

梁 剣波、桝谷 聡士、嘉数 誠、Zhou Yan、Gucmann Filip、Singh Manikant、Pomeroy James、Kuball Martin、重川 直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

室温表面活性化接合で作成した Si/GaAs 界面の熱処理による構造変化 国内会議

大野 裕、吉田 秀人、竹田 精治、梁 剣波、重川 直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

ITOを中間層とするInGaP/GaAs/ITO/Si3接合太陽電池の特性評価 国内会議

原智也、小川智輝、梁剣波、荒木健次、神岡武文、山口真史、重川直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

犠牲層エッチングによるⅢ-Ⅴ族薄層/Si接合の形成 国内会議

尹 翔至、梁 剣波、重川 直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

田中 駿，浅川 良介，小川 智輝，楢崎 友城，梁 剣波, 金 大貴, 重川 直輝

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

Formation of contacts with high thermal tolerance by using Si/GaN junctions 国際会議

Jianbo Liang, Takuya Nishimura, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’12)  2017年07月 

Analysis of the influence of interface charges on the electrical characteristics of GaAs/GaN junctions 国際会議

Syoji Yamajo, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 国際会議

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

Transport characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces 国際会議

Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai

2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

Electrical conduction of Si/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding 国際会議

Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Tomoya Hara, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, and Naoteru Shigekawa

2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

Impacts of bonding-layer resistance of Si bottom cells on interface resistance in InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 国際会議

Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

Sho Morita, Jianbo Liang, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yositaka Nishio, and Naoteru Shigekawa

2017 IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2017年05月 

Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells 国際会議

Naoteru Shigekawa and Jianbo Liang

2017 International Conference on Electronics Packaging (ICEP 2017)  2017年04月 

Si(100)基板上に転送したGaNエピタキシャル層の残留応力評価 国内会議

梁 剣波、Zhou Yan、Gucmann Filip、Singh Manikant、Pomeroy James、Kuball Martin、重川 直輝

第65回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合への熱処理効果 国内会議

古名克也、梁剣波、松原萌子、ダムリンマルワン、西尾佳高、重川直輝

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

Si基板上GaAs/GaNヘテロ接合の縦方向電気特性評価(2) 国内会議

山條翔二、梁剣波、重川直輝

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

表面活性化接合法によるAl箔/n+-Si/n-GaN接合のコンタクト抵抗評価 国内会議

森田匠、西村拓也、梁剣波、松原萌子、ダムリンマルワン、西尾佳高、重川直輝

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

表面活性化ボンディング法によるGaAs/ITO/Si接合のアニール温度依存性 国内会議

原 智也、小川 智輝、梁 剣波、荒木 健次、神岡 武文、重川 直輝

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

InGaP/GaAs/Si３接合セルにおけるBonding 界面抵抗評価 国内会議

重川直輝、梁剣波

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造 国内会議

大野裕、吉田秀人、竹田 精治、梁剣波、重川直輝

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年03月 

Determination of Band Structure at GaAs/4H-SiC Heterojunctions 国際会議

Jianbo Liang, Sae Shimizu, Manabu Arai, and Naoteru Shigekawa

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2016  2016年10月 

Ultra-Thick Metal Contact Fabrication Using Surface Activated Bonding 国際会議

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Pacific Rim Meeing on Electrochemical and Solid-State Science 2016  2016年10月 

GaAs薄膜/Si接合の硬X線光電子分光ー電子状態への熱酸化処理 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

GaAs薄層 /Si 接合の硬 X線光電子分－バンドオフセット の評価 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

InGaP/GaAs/Si 3 接合太陽電池におけるIII-V/Si サブセル間カップリング特性 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

Si ショットキー接合に対するAr 原子ビーム照射時間の影響と熱処理による回復 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

Si 基板/ITO 薄膜表面活性化接合の形成 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

常温で表面活性化接合し 常温で表面活性化接合し た Si /GaAs 界面 の平界面 の平TEM 観 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

表面活性化ボンディング法によるCu 箔/Si 接合の電気特性評価 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

表面活性化接合法によるAl 箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

ダイヤモンド単結晶とSi単結晶基板の常温接合 国内会議

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第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年09月 

abrication and characterization of Si/4H-SiC interfaces by surface activated bonding 国際会議

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EMN Surface and Interface Meeting 2016  2016年09月 

Effects of Ar beam irradiation on Si-Based Schottky contacts 国内会議

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2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

Electrical characteristics of SAB-Based n+-n Ge/4H-SiC heterojunctions 国内会議

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2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method 国内会議

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2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells 国内会議

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2016 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合の電気特性評価 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

Room-temperature bonding technologies of dissimilar semiconductor materials applied for high-efficiencies and low-cost devices 国内会議

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World Engineering Conference and Convention: Engineering Innovation and Society  2015年11月 

GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 国内会議

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電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 国内会議

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電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

Electrical Properties of Room Temperature Bonded Si/GaN Heterojunctions without Buffer Layers 国際会議

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11th International Conference on Nitride Semiconductors  2015年09月 

Transport Characteristics of Minority Carriers in 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Structures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

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2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国内会議

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2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC Junctions by Surface Activated Bonding 国内会議

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2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

多接合太陽電池のボトムセル応用のためのSi逆ピラミッド構造の検討 国内会議

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第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

表面活性化接合によるp-Si/n-GaN接合の電気特性評価 国内会議

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第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

GaAs/GaAs接合界面の電気特性に対するアニール効果の抽出の試み 国内会議

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第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価 国内会議

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第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価 国内会議

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第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

Band lineups in GaAs/GaN junctions using surfaceactivated bonding 国内会議

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11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

Fabrication and characterization of GaAs/4H-SiC junctions by using SAB 国内会議

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11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

Impacts of annealing in N2/H2 ambient on electrical properties of Si/GaN junctions 国内会議

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11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

Surface-activated bonding of n+-Si to n-GaN: A possible process for fabricating ohmic contacts to nitrides with smooth surface 国際会議

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39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits  2015年06月 

Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces 国内会議

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2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

Electrical properties of n+-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding 国内会議

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2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding 国内会議

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2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding 国内会議

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2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

Impacts of optical properties of anti-reflection coatings on characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 国際会議

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42nd IEEE International Photovoltaic Specialists Conference  2015年06月 

タンデム太陽電池応用のためのSi/InGaP ヘテロ接合の電気伝導特性 国内会議

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第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

SAB 法による4H-SiC/Si　HBT構造における少数キャリア注入特性 国内会議

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第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

SAB 法によるSi/Si 接合の界面特性の評価 国内会議

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第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

表面活性化接合によるn+-Si/n-GaN コンタクトの検討 国内会議

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第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

AR 膜によるInGaP/GaAs/Si 3 接合セル中サブセル特性の制御 国内会議

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第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells by Surface-Activated Bonding of Invertedly-Grown III-V Heterostructures to Si- Based Bottom Cells 国内会議

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The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造が短絡電流に与える影響 国内会議

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電子情報通信学会電子デバイス研究会  2014年11月 

Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells 国際会議

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2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting  2014年10月 

異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル 国内会議

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第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

SiC 基板上Si 薄膜のウェット酸化と界面構造の安定 国内会議

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第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

III-V系半導体セルとイオン注入Siセルの貼り合わせによるハイブリッド3接合セル 国内会議

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第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2014年07月 

Effects of annealing on GaAs/Si Bonding Interfaces for Hybrid Tandem Solar Cells 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

Annealing Characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions by Using Surface Activated Bonding 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n+-Si/n-SiC junctions 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2014年07月 

Hybrid triple-junction solar cells by surface activate bonding of III-V Double-junction-cell heterostructures to ion-implanation-based Si cells 国際会議

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40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference  2014年06月 

Fabrication and Characterization of Si/ 10m Mesa-Etched Si Junctions by Surface Activated Bonding 国内会議

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2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2014年06月 

Effects of Annealing on GaAs/Si Bonding Interface for Hybrid Tandem Solar Cells 国内会議

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2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2014年06月 

Improvement in electrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing 国内会議

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2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2014年06月 

SAB法によるp+-Si/n-4H-SiC接合のアニール温度依存性 国内会議

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第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

Si/4H-SiCヘテロ接合界面に対する熱処理の効果 国内会議

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第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

表面活性化ボンディング法によるSi/Si接合特性における熱処理依存性 国内会議

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第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

SAB法による深いメサ構造を有するSi/Si接合における寄生容量の低減 国内会議

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第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

ハイプリッドタンデム太陽電池構造の接合界面に対するアニール効果 国内会議

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第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月 

InGaN/GaN MQW 太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 国内会議

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電子情報通信学会技術研究報  2013年11月 

表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 国内会議

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電子情報通信学会技術研究報  2013年11月 

表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 国内会議

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電子情報通信学会技術研究報  2013年11月 

Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding 国内会議

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3rd International Congress on Natural Science (ICNS 2013)  2013年10月 

Electrical Properties of p+-Si /n-SiC Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 国内会議

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10th Topical Workshop on Heterostructure Miroelectronics  2013年09月 

I-V characteristics in Surface-Activated Bonding (SAB) based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures 国内会議

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International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013  2013年09月 

表面活性化ボンディングによるSi/4H-Sic接合のブレークダウン特性 国内会議

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第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

表面活性化ボンディングによるInGaP/Si タンデム太陽電池の作製 国内会議

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第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

InGaN/GaN MQW　太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関 国内会議

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第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

SAB法によるSi/Si接合特性におけるArプラズマ照射効果 国内会議

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第74回秋季応用物理学会学術講演会  2013年09月 

Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding 国内会議

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39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2013年06月 

Type II band lineup in SAB-Based GaAs/Si Heterojunctions 国内会議

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2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2013年06月 

Band Structures of Si/InGaP heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 国内会議

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Compound Semiconductor Week 2013  2013年05月 

Well-number dependence of photovoltaic properties of InGaP/GaN multiple quantum well solar cells 国内会議

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Compound Semiconductor Week 2013  2013年05月 

Growth of high-quality (111) oriented cuprous oxide thin films oxidized in water vapor 国際会議

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International Conference on Nanoscience and Nanotechnology 2013  2013年03月 

表面活性化ボンディングによるメサエッチングSi基板の接合特性評価 国内会議

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第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

表面活性化ボンディングによるn-Si/n-4H-Sicヘテロ接合の作製及び評価 国内会議

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第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

表面活性化ボンディングによる低抵抗Si/III-V接合 国内会議

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第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

表面活性化ボンディングによるSi/GaAsヘテロ接合のバンド構造評価 国内会議

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第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

表面活性化ボンディングによるSi/InGaPヘテロ接合のバンド構造評価 国内会議

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第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

表面活性化ボンディングによるSi/4H-SiC接合のC-V特性評価 国内会議

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第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

InGaN/GaN MQW　太陽電池特性のペア数依存性 国内会議

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第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

表面活性化ボンディングによるSi • 異種材料接合の電気特性評価 国内会議

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電子情報通信学会技術研究報  2012年11月 

面活性化ウェハボンディングによるp-Si/n-GaAs貼り合わせ構造の特性評価 国内会議

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第73回秋季応用物理学会学術講演会  2012年09月 

表面活性化ボンディングによるp-Si/n+-Si貼り合わせ構造の輸送特性評価 国内会議

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第73回秋季応用物理学会学術講演会  2012年09月 

シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発

2012年04月

電子物理系特別研究（電子材料）

2023年度   集中講義   大学院

卒業研究

2023年度   集中講義   大学

電子・物理工学関係外書講読

2023年度   集中講義   大学

電子・物理工学概論

2023年度   集中講義   大学

半導体材料学特論

2023年度   週間授業   大学院

特別演習（電子材料2）

2023年度   週間授業   大学院

電子物理系特別研究第2（電子材料）

2023年度   集中講義   大学院

電子物理系特別演習第2（電子材料）

2023年度   集中講義   大学院

電磁気学演習

2023年度   週間授業   大学

半導体工学Ⅱ

2023年度   週間授業   大学

電子・物理工学実験Ⅱ

2023年度   週間授業   大学

特別演習（電子・物理工学Ⅰ）

2018年度     大学院

特別演習（パワーエレクトロニクス工学II）

2018年度     大学

特別演習（パワーエレクトロニクス工学Ⅰ）

2018年度     大学院

卒業研究

2018年度     大学

電子・物理工学実験Ⅱ

2018年度     大学

電子・物理工学関係外書講読

2018年度     大学

電磁気学Ⅰ演習

2018年度     大学

電磁気学Ⅰ演習

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電子・物理工学実験Ⅱ

2017年度     大学

卒業研究

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電子・物理工学関係外書購読

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特別演習（パワーエレクトロニクス工学Ⅰ）

2017年度     大学院

特別演習（パワーエレクトロニクス工学Ⅱ）

2017年度     大学院

卒業研究

2016年度     大学

電子・物理工学関係外書購読

2016年度     大学

特別演習（パワーエレクトロニクス工学Ⅰ）

2016年度     大学院

特別演習（パワーエレクトロニクス工学Ⅱ）

2016年度     大学院

電子・物理工学実験Ⅰ

2016年度     大学

電磁気学Ⅰ演習

2016年度     大学

電子・物理工学関係外書購読

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卒業研究

2015年度     大学

特別演習（パワーエレクトロニクス工学Ⅰ）

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特別演習（パワーエレクトロニクス工学Ⅱ）

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前期特性研究

2015年度     大学院

電磁気学Ⅰ演習

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電子・物理工学実験Ⅰ

2015年度     大学