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電気学会

電子情報通信学会

英国物理学会

応用物理学会

APEX/JJAP編集貢献賞

2017年03月  

Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga₂O₃ and p⁺-Si/n-Ga₂O₃ heterostructures fabricated by surface-activated bonding 査読

Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Masataka Higashiwaki

Journal of Applied Physics   133   194503-1 - 194503-7   2023年05月

Intrinsic characteristics of Si solar cells coated with thick luminescence down-shifting sol-gel glass films 査読

Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SK )   SK1005-1 - SK1005-7   2023年03月（ ISSN:00214922 ）

Tuning the interlayer microstructure and residual stress of buffer-free direct bonding GaN/Si heterostructures 査読 国際共著

Yan Zhou, Shi Zhou, Shun Wan, Bo Zou, Yuxia Feng, Rui Mei, Heng Wu, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Pingheng Tan, Martin Kuball

122 ( 8 )   082103-1 - 082103-6   2023年02月（ ISSN:00036951 ）

Room-temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer 査読

Ayaka Kobayashi, Hazuki Tomiyama, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

Functional Diamond   2 ( 1 )   142 - 150   2022年12月

Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding 査読

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Diamond and Related Materials   130   109425-1 - 109425-8   2022年12月（ ISSN:09259635 ）

High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals 査読 国際共著

Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Tianli Feng, Naoteru Shigekawa, David G. Cahill

Nature Communications   13   7201-1 - 7201-9   2022年11月

Heterojunctions fabricated by surface activated bonding—dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process 招待 査読

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

Japanese Journal of Applied Physics   61 ( 12 )   120101-1 - 120101-19   2022年11月

Quantitative capacitance measurements in frequency modulation electrostatic force microscopy 査読

Ryota Fukuzawa, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Takuji Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SL )   SL1005-1 - SL1005-7   2022年09月（ ISSN:00214922 ）

Low-loss characteristics of coplanar waveguides fabricated by directly bonding metal foils to high-resistivity Si substrates 査読

Kenya Yonekura, Tasuku Kawamoto, Jianbo Liang, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SF )   SF1008-1 - SF1008-4   2022年06月（ ISSN:00214922 ）

Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications 査読

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

61 ( SF )   SF1001-1 - SF1001-7   2022年06月（ ISSN:00214922 ）

Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding 査読

Y. Ohno, J. Liang, H. Yoshida, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa

61 ( SF )   SF1006-1 - SF1006-5   2022年06月（ ISSN:00214922 ）

Intrinsic luminescence-downshifting effects of Zn-based Mn-doped nanoparticle layers on Si solar cells 査読

Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   61 ( 6 )   062004-1 - 062004-6   2022年05月（ ISSN:00214922 ）

Comparison of thermal stabilities of p⁺-Si/p-diamond heterojunction and Al/p-diamond Schottky barrier diodes 査読

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SF )   SF1009-1 - SF1009-9   2022年04月（ ISSN:00214922 ）

AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process 査読

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express   15 ( 4 )   041003-1 - 041003-5   2022年03月（ ISSN:18820778 ）

Fabrication of n-Si/n-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties 査読

Wang Z.

Journal of Applied Physics   131 ( 7 )   2022年02月（ ISSN:00218979 ）

Fabrication of p(+)-Si/p-diamond heterojunction diodes and effects of thermal annealing on their electrical properties 査読

Uehigashi Yota, Ohmagari Shinya, Umezawa Hitoshi, Yamada Hideaki, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

DIAMOND AND RELATED MATERIALS   120   2021年12月（ ISSN:0925-9635 ）

Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 査読

Liang Jianbo, Kobayashi Ayaka, Shimizu Yasuo, Ohno Yutaka, Kim Seong-Woo, Koyama Koji, Kasu Makoto, Nagai Yasuyoshi, Shigekawa Naoteru

ADVANCED MATERIALS   33 ( 43 )   2021年10月（ ISSN:0935-9648 ）

Room temperature direct bonding of diamond and InGaP in atmospheric air 査読 国際共著

Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Naoteru Shigekawa

Functional Diamond   1 ( 1 )   110 - 116   2021年02月

Water-soluble ZnSe/ZnS:Mn/ZnS quantum dots convert UV to visible light for improved Si solar cell efficiency 査読

Nishimura Hisaaki, Maekawa Takaya, Enomoto Kazushi, Shigekawa Naoteru, Takagi Tomomi, Sobue Susumu, Kawai Shoichi, Kim DaeGwi

JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   9 ( 2 )   693 - 701   2021年01月（ ISSN:2050-7526 ）

Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 査読

Liang Jianbo, Nakamura Yuji, Zhan Tianzhuo, Ohno Yutaka, Shimizu Yasuo, Katayama Kazu, Watanabe Takanobu, Yoshida Hideto, Nagai Yasuyoshi, Wang Hongxing, Kasu Makoto, Shigekawa Naoteru

DIAMOND AND RELATED MATERIALS   111   2021年01月（ ISSN:0925-9635 ）

Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces 査読

Ohno Yutaka, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru, Yoshida Hideto, Takeda Seiji, Miyagawa Reina, Shimizu Yasuo, Nagai Yasuyoshi

APPLIED SURFACE SCIENCE   525   2020年09月（ ISSN:0169-4332 ）

III-V Thin Film Solar Cells Bonded to Si Substrates via Metal Grids 査読

T. Hishida, J. Liang, N. Shigekawa

ECS Transaction   98 ( 4 )   117 - 123   2020年09月

Nanostructural Investigation on GaAs//Indium Tin Oxide/Si Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells 査読

4. T. Hara, J. Liang, K. Araki, T. Kamioka, H. Sodabanlu, K. Wanatabe, M. Sugiyama, N. Shigekawa

ECS Transaction   98 ( 4 )   125 - 133   2020年09月

半導体基板の常温直接接合技術 招待 査読

重川直輝, 梁　剣波

電子情報通信学会和文論文誌   J103-C ( 7 )   341 - 348   2020年07月

Modulation of Characteristics of Si Solar Cells by Luminescence-Downshifting Zn-Based Nanoparticles with Mn doped 査読

Y. Idutsu, J.Liang, H.Nishimura, D.G.Kim, N.Shigekawa

Proceedings, 2020 IEEE 47th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)   234 - 237   2020年05月

Effects of post bonding annealing on GaAs//Si bonding interfaces and its application for sacrificial-layer-etching based multijunction solar cells 査読

Naoteru Shigekawa, Ryo Kozono, Sanji Yoon, Tomoya Hara, Jianbo Liang, Akira Yasui

Solar Energy Materials and Solar Cells   2020年03月

Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management 査読

Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Yuichiro Yamashita, Yasuo Shimizu, Shinji Kanda, Naoto Kamiuchi, Seongwoo Kim, Koyama Koji, Yasuyoshi Nagai, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

ACS Applied Nano Materials   2020年02月

GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 査読

Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Proceedings 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), Chicago, IL, USA, 2019   1018 - 1020   2020年02月

Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 査読

Y. Idutsu, S. Tanaka, J.Liang, T.Narazaki, H.Nishimura, D.G.Kim, N.Shigekawa

Proceedings 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), Chicago, IL, USA, 2019   1753 - 1755   2020年02月

Low Temperature Bonding for 3D Integration 招待 査読

Shigekawa N.

Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SB )   2020年02月（ ISSN:00214922 ）

Fabrication of diamond/Cu direct bonding for power device applications 査読

Shinji Kanda, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Kenji Shirasaki, Yasuyoshi Nagai, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

Japanese Journal of Applied Physics   2019年10月

Low-resistance semiconductor/semiconductor junctions with intermediate metal grids for III-V-on-Si multijunction solar cells 査読

Takashi Hishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   2019年10月

Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding 査読

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Naoto Kamiuchi, Ryotaro Aso, Seiji Takeda, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics   2019年10月

Synthesis of Mn-Doped ZnSe-ZnS Alloy Quantum Dots by a Hydrothermal Method 査読

Nishimura Hisaaki, Lin Yuxin, Hizume Masayuki, Taniguchi Taichi, Shigekawa Naoteru, Takagi Tomomi, Sobue Susumu, Kawai Shoichi, Okuno Eiichi, Kim DaeGwi

公益社団法人 日本化学会　CHEMISTRY LETTERS   48 ( 9 )   1081 - 1083   2019年09月（ ISSN:0366-7022 ）

Low-Loss Characteristics of Metal-Foil-Based Passive Components by Surface-Activated Bonding Technologies 査読

Matsuura Keita, Liang Jianbo, Maezawa Koichi, Shigekawa Naoteru

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   66 ( 9 )   3946 - 3952   2019年09月（ ISSN:0018-9383 ）

Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface 査読

Liang Jianbo, Zhou Yan, Masuya Satoshi, Gucmann Filip, Singh Manikant, Pomeroy James, Kim Seongwoo, Kuball Martin, Kasu Makoto, Shigekawa Naoteru

DIAMOND AND RELATED MATERIALS   93   187 - 192   2019年03月（ ISSN:0925-9635 ）

Hydrothermal synthesis of ZnSe:Mn quantum dots and their optical properties 査読

Nishimura Hisaaki, Lin Yuxin, Hizume Masayuki, Taniguchi Taichi, Shigekawa Naoteru, Takagi Tomomi, Sobue Susumu, Kawai Shoichi, Okuno Eiichi, Kim DaeGwi

AIP ADVANCES   9 ( 2 )   2019年02月（ ISSN:2158-3226 ）

Room-temperature direct bonding of diamond and Al 査読

Liang Jianbo, Yamajo Shoji, Kuball Martin, Shigekawa Naoteru

SCRIPTA MATERIALIA, Elsevier   159   58 - 61   2019年01月（ ISSN:1359-6462 ）

Hard X-ray photoelectron spectroscopy investigation of annealing effects on buried oxide in GaAs/Si junctions by surface-activated bonding 査読

Yamajo Shoji, Yoon Sanji, Liang Jianbo, Sodabanlu Hassanet, Watanabe Kentaro, Sugiyama Masakazu, Yasui Akira, Ikenaga Eiji, Shigekawa Naoteru

APPLIED SURFACE SCIENCE, Elsevier   473   627 - 632   2018年12月（ ISSN:0169-4332 ）

Stability of diamond/Si bonding interface during device fabrication process 査読

Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Seongwoo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express, Japan Society of Applied Physics   12   016501-1 - 016501-5   2018年11月

Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 査読

重川　直輝

ECS Trans   86 ( 5 )   137 - 142   2018年10月

Electrical properties of GaAs//indium tin oxide/Si junctions for III V-on-Si hybrid multijunction cells 査読

Hara Tomoya, Ogawa Tomoki, Liang Jianbo, Araki Kenji, Kamioka Takefumi, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 8 )   08RD05-1 - 08RD05-6   2018年08月（ ISSN:0021-4922 ）

GaAs/Indium Tin Oxide/Si Bonding Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells With Low Series Resistance 査読

Shigekawa Naoteru, Hara Tomoya, Ogawa Tomoki, Liang Jianbo, Kamioka Takefumi, Araki Kenji, Yamaguchi Masafumi

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS   8 ( 3 )   879 - 886   2018年05月（ ISSN:2156-3381 ）

Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces 査読

Shigekawa Naoteru, Shimizu Sae, Liang Jianbo, Shingo Masato, Shiojima Kenji, Arai Manabu

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE04-1 - 02BE04-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

Analysis of effects of interface-state charges on the electrical characteristics in GaAs/GaN heterojunctions 査読

Yamajo Shoji, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE02-1 - 02BE02-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

Electrical conduction of Si/indium tin oxide/Si junctions fabricated by surface activated bonding 査読

Liang Jianbo, Ogawa Tomoki, Hara Tomoya, Araki Kenji, Kamioka Takefumi, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE03-1 - 02BE03-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

Electrical properties of Al foil/n-4H-SiC Schottky junctions fabricated by surface-activated bonding 査読

Morita Sho, Liang Jianbo, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE01-1 - 02BE01-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 査読

Ohno Yutaka, Yoshida Hideto, Takeda Seiji, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BA01-1 - 02BA01-3   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

創エネ・省エネデバイスを目指す異種半導体材料の貼りあわせ 招待 査読

重川 直輝

一般社団法人 日本真空学会　Journal of the Vacuum Society of Japan   60 ( 11 )   421 - 427   2017年11月

Aluminum Foil/Si Direct Bonding as Prototypes of Ultra-Thick Metal Contacts in Devices 査読

Liang Jianbo, Furuna Katsuya, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   6 ( 9 )   P626 - P632   2017年08月（ ISSN:2162-8769 ）

Aluminum Foil/Si Direct Bonding as Prototypes of Ultra-Thick Metal Contacts in Device 査読

Liang Jianbo, Furuna Katsuya, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   2017年08月

Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates 査読

Liang Jianbo, Masuya Satoshi, Kasu Makoto, Shigekawa Naoteru

APPLIED PHYSICS LETTERS   110 ( 11 )   111603-1 - 111603-4   2017年03月（ ISSN:0003-6951 ）

Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate 査読

Mitsuhara M., Watanabe N., Yokoyama H., Iga R., Shigekawa N.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   449   86 - 91   2016年09月（ ISSN:0022-0248 ）

表面活性化接合法によるAl箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性

森田 匠, 西村 拓也, 梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2 ( 0 )   2872 - 2872   2016年09月

Ultra-thick metal ohmic contact fabrication using surface activated bonding

J. Liang, K. Furuna, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio, and N. Shigekawa

ECS Transaction   75 ( 9 )   25 - 32   2016年09月

Determination of Band Structure at GaAs/4H-SiC Heterojunctions

J. Liang, S. Shimizu, M. Arai, and N. Shigekawa

ECS Transaction   75 ( 9 )   221 - 227   2016年09月

Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment 査読

Liang J., Nishida S., Arai M., Shigekawa N.

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 ( 3 )   7   2016年07月（ ISSN:0021-8979 ）

Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment

J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa

Journal of Applied Physics   120   034504-1-034504-7   2016年07月

Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structures grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) sbstrate

M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, and N. Shigekawa

Journal of Crystal Growth   449   86 - 91   2016年06月

Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding 査読

Chai Li, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 6 )   2016年06月（ ISSN:0021-4922 ）

Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding

Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

Journal of Applied Physics   55   068002-1-068002-3   2016年05月

Low-temperature (>= 400 degrees C) growth of InN by metalorganic vapor phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst 査読

Yamamoto Akio, Kodama Kazuki, Shigekawa Naoteru, Matsuoka Takashi, Kuzuhara Masaaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 5 )   2016年05月（ ISSN:0021-4922 ）

Low-temperature (> 400 ºC) growth of InN by metalorganic vapor phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst

Akio Yamamoto, Kazuki Kodama, Naoteru Shigekawa, Takashi Matsuoka, and Masaaki Kuzuhara

Japanese Journal of Applied Physics   55   05FD04-1-05FD04-5   2016年04月

Mapping of Si/SiC p-n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy 査読

Shingo Masato, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru, Arai Manabu, Shiojima Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 4 )   2016年04月（ ISSN:0021-4922 ）

Mapping of Si/SiC p–n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy

Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima

Japanese Journal of Applied Physics   55   04ER15   2016年03月

4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated by Surface Activated Bonding

Jianbo Liang, Sae Shimizu, Shota Nishida, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

ECS Solid State Lett.   4   Q55   2015年09月

MOVPE growth of thick (similar to 1 mu m) InGaN on AIN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells 査読

Yamamoto Akio, Kodama Kazuki, Hasan Md. Tanvir, Shigekawa Naoteru, Kuzuhara Masaaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 8 )   2015年08月（ ISSN:0021-4922 ）

Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding-based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 査読

Shigekawa Naoteru, Liang Jianbo, Onitsuka Ryusuke, Agui Takaaki, Juso Hiroyuki, Takamoto Tatsuya

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 8 )   2015年08月（ ISSN:0021-4922 ）

MOCVD growth of thick (~1 µm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells

Akio Yamamoto, Kazuki. Kodama, Md. Tanvir Hasan, Naoteru Shigekawa, and Masaaki Kuzuhara

Jpn. J. Appl. Phys.   54   08KA12   2015年07月

Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding-based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Ryusuke Onitsuka, Takaaki Agui, Hiroyuki Juso, and Tatsuya Takamoto

Jpn. J. Appl. Phys.   54   08KE03   2015年07月

Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (similar to 1 mu m) InxGa1-xN (x=0.2-0.4) 査読

Yamamoto A., Hasan Tanvir Md, Kodama K., Shigekawa N., Kuzuhara M.

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   419   64 - 68   2015年06月（ ISSN:0022-0248 ）

Thick (similar to 1 mu m) p-type InxGa1-xN (x similar to 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (similar to 570 degrees C) 査読

Yamamoto A., Hasan T. Md., Kodama K., Shigekawa N., Kuzuhara M.

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 ( 5 )   909 - 912   2015年05月（ ISSN:0370-1972 ）

Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick(~1 µm) InxGa1-xN (x=0.2-0.4)

A. Yamamoto, Tanvir Md. Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, and M. Kuzuhara

J. Crystal Growth   419   64   2015年03月

Advances in Low-Temperature Bonding Technologies for 3D Integration 査読

Suga Tadatomo, Shigekawa Naoteru, Higurashi Eiji, Takagi Hideki, Shimomura Kazuhiko

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and concentrations of acceptors in Si 査読

Nishida Shota, Liang Jianbo, Hayashi Tomohiro, Arai Manabu, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   1 - 30210   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

Effects of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface-activated bonding 査読

Morimoto Masashi, Liang Jianbo, Nishida Shota, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   1 - 30212   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

Investigation on the interface resistance of Si/GaAs heterojunctions fabricated by surface-activated bonding 査読

Liang Jianbo, Chai Li, Nishida Shota, Morimoto Masashi, Shigekawa Naoteru

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   1 - 30211   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

Thick (~1 µm) p-type InxGa1-xN (x~0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570 ºC)

A. Yamamoto, T. Md. Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, and M. Kuzuhara

Physica Stat. Solidi B   42739   DOI: 10.1002/pssb.201451736   2015年02月

Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and cocentrations of acceptors in Si

Shota Nishida, Jianbo Liang, Tomohiro Hayashi, Manabu Arai and Naoteru Shigekawa

Jpn. J. Appl. Phys.   54   30210   2015年02月

Effects of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface-activated bonding

Masashi Morimoto, Jianbo Liang, Shota Nishida and Naoteru Shigekawa

Jpn. J. Appl. Phys.   54   30212   2015年02月

Investigation on the interface resistance of Si/GaAs heterojunctions fabricated by surface-activated bonding

Jianbo Liang, Li Chai, Shota Nishida, Masashi Morimoto and Naoteru Shigekawa

Jpn. J. Appl. Phys.   54   30211   2015年02月

Impacts of Optical Properties of Anti-Reflection Coatings on Characteristics of InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells 査読

重川　直輝

2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)   2015年（ ISSN:0160-8371 ）

4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated by Surface Activated Bonding 査読

Liang Jianbo, Shimizu Sae, Nishida Shota, Shigekawa Naoteru, Arai Manabu

ECS SOLID STATE LETTERS   4 ( 11 )   Q55 - Q57   2015年（ ISSN:2162-8742 ）

MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (電子部品・材料) 査読

児玉 和樹, Hasan Md Tanvir, 野村 裕之, 重川 直輝, 山本 〓勇, 葛原 正明

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 337 )   9 - 14   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 338 )   103 - 106   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 (電子デバイス) 査読

渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 336 )   103 - 106   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 (電子部品・材料) 査読

渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 337 )   103 - 106   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

児玉 和樹, Hasan Md Tanvir, 野村 裕之, 重川 直輝, 山本 〓勇, 葛原 正明

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 338 )   9 - 14   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (電子デバイス) 査読

児玉 和樹, Hasan Md Tanvir, 野村 裕之, 重川 直輝, 山本 〓勇, 葛原 正明

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 336 )   9 - 14   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell 査読

Watanabe Noriyuki, Mitsuhara Manabu, Yokoyama Haruki, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 11 )   1 - 112301   2014年11月（ ISSN:0021-4922 ）

Effects of interface state charges on the electrical properties of Si/SiC heterojunctions 査読

Liang J., Nishida S., Hayashi T., Arai M., Shigekawa N.

APPLIED PHYSICS LETTERS   105 ( 15 )   2014年10月（ ISSN:0003-6951 ）

Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell

N. Watanabe, M. Mitsuhara, H. Yokoyama, J. Liang, and N. Shigekawa

Jpn. J. Appl. Phys.   53   112301   2014年10月

Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, and Shota Nishida

ECS Trans.   64 ( 5 )   235 - 242   2014年10月

Effects of interface state charges on the electrical properties of Si/SiC heterojunctions

J. Liang, S. Nishida, T. Hayashi, M. Arai, and N. Shigekawa

Appl. Phys. Lett.   105   151607   2014年10月

Effects of thermal annealing process on the electrical properties of p(+)-Si/n-SiC heterojunctions 査読

Liang J., Nishida S., Arai M., Shigekawa N.

APPLIED PHYSICS LETTERS   104 ( 16 )   2014年04月（ ISSN:0003-6951 ）

Effects of thermal annealing process on the electrical properties of p+-Si/n-SiC heterojunctions

J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa

Appl. Phys. Lett.   104   161604   2014年04月

Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells 査読

Shigekawa Naoteru, Morimoto Masashi, Nishida Shota, Liang Jianbo

Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 4 )   1 - 4   2014年04月（ ISSN:0021-4922 ）

Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding

14.N. Shigekawa, J. Liang, N. Watanabe, and A. Yamamoto

Physica Status Solidi C   11 ( 42798 )   644 - 647   2014年03月

Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activated Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells

Naoteru Shigekawa, et al.

Proc. 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   534 - 537   2014年

Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding 査読

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, and Akio Yamamoto

Physica Status Solidi C   11 ( 3-4 )   644 - 647   2014年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activate Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells 査読

Shigekawa N., Morimoto M., Chai L., Onitsuka R., Liang J., Juso H., Agui T., Takamoto T.

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)   534 - 537   2014年

I-V characteristics in Surface-Activated Bonding (SAB) based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures 査読

Shota Nishida, Jianbo Liang, Masashi Morimoto,Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

Materials Science Forum   778/780 ( Pt.2 )   718 - 721   2014年（ ISSN:0255-5476 ）

Phase separation of thick (>1 μm) InxGa1-xN (x > 0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In–Ga and GaN-rich InGaN 査読

Akio Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, Akihiro Mihara, Norihiko Narita, Naoteru Shigekawa, and Masaki Kuzuhara

Applied Physics Express   7 ( 3 )   1 - 35502   2014年（ ISSN:1882-0778|1882-0786 ）

Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells 査読

Shigekawa Naoteru, Liang Jianbo, Morimoto Masashi, Nishida Shota

SEMICONDUCTOR WAFER BONDING 13: SCIENCE, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS   64 ( 5 )   235 - 242   2014年（ ISSN:1938-6737|1938-5862 ）

I-V characteristics in surface-activated bonding (SAB) based Si/SiC junctions in raised ambient temperatures

S. Nishida, J. Liang, M. Morimoto, and M. Arai

Materials Science Forum   778-780   718   2014年

Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells

M. Morimoto, S. Nishida, and J. Liang

Japanese Journal of Applied Physics   53   04ER05   2014年

Phase separation of thick (~1 µm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si (111): Simulateneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

A. Yamamoto, M. T. Hasan, A. Mihara, and M. Kuzuhara

Applied Physics Express   7   35502   2014年

表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 (電子部品・材料) 査読

梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 330 )   27 - 30   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 331 )   31 - 34   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (電子デバイス) 査読

渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 329 )   31 - 34   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (電子部品・材料) 査読

渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 330 )   31 - 34   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 331 )   21 - 25   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 (電子デバイス) 査読

西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 329 )   21 - 25   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 (電子部品・材料) 査読

西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 330 )   21 - 25   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 331 )   27 - 30   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 (電子デバイス) 査読

梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 329 )   27 - 30   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding 査読

Liang J., Miyazaki T., Morimoto M., Nishida S., Shigekawa N.

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   114 ( 18 )   2013年11月（ ISSN:0021-8979 ）

Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface-activated bonding

J. Liang, M. Morimoto, S. Nishida, and N. Shigekawa

Phys. Status Solidi C   10   1644   2013年09月

Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x similar to 0.3) grown on GaN/alpha-Al2O3(0001) template 査読

Yamamoto Akio, Mihara Akihiro, Shigekawa Naoteru, Narita Norihiko

APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 8 )   2013年08月（ ISSN:0003-6951 ）

Observation of Negative Differential Resistance in a GaN/AlGaN/GaN: Possible Tunneling Junction Using Polarization 査読

Watanabe Noriyuki, Yokoyama Haruki, Shigekawa Naoteru

The Japan Society of Applied Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 8 )   08JN03 - 08JN03-3   2013年08月（ ISSN:0021-4922 ）

A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate 査読

Yamamoto Akio, Mihara Akihiro, Zheng Yangdong, Shigekawa Naoteru

公益社団法人　応用物理学会　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 8 )   08JD03 - 08JD03-3   2013年08月（ ISSN:0021-4922 ）

Surface-activating-bonding-based low-resistance Si/III-V junctions 査読

Liang J., Nishida S., Morimoto M., Shigekawa N.

ELECTRONICS LETTERS   49 ( 13 )   830 - 831   2013年06月（ ISSN:0013-5194 ）

Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 査読

Liang Jianbo, Miyazaki Tatsuya, Morimoto Masashi, NISHIDA Shota, WATANABE Noriyuki, SHIGEKAWA Naoteru

Japan Society of Applied Physics　Applied physics express   6 ( 2 )   "021801 - 1"-"021801-3"   2013年02月（ ISSN:18820778 ）

MOVPE Growth of InxGa1-xN (x~0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface

A. Yamamoto, A. Mihara, D. Hironaga, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Shigekawa, N. Watanabe

Physica Status Solidi (C)   10   437 - 440   2013年02月

Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 査読

Liang Jianbo, Miyazaki Tatsuya, Morimoto Masashi, Nishida Shota, Watanabe Noriyuki, Shigekawa Naoteru

APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 ( 2 )   1 - 21801   2013年02月（ ISSN:1882-0778 ）

Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface Activated Bonding

Jianbo Liang, Tatsuya Miyazaki, Masashi Morimoto, Shota Nishida, Noriyuki Watanabe, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express   6   021801-1-021801-3   2013年01月

Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface Activated Bonding

N. Shigekawa, J. Liang, and N. Watanabe

Proc. 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2470 - 2473   2013年

Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface activated bonding 査読

Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa

Physica Status Solidi C   10 ( 11 )   1644 - 1647   2013年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding 査読

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, and Noriyuki Watanabe

Proceedings of 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2470 - 2473   2013年（ ISSN:0160-8371 ）

MOVPE growth of InxGa1-xN (x similar to 0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface 査読

Yamamoto A., Mihara A., Hironaga D., Sugita K., Bhuiyan A. G., Hashimoto A., Shigekawa N., Watanabe N.

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3   10 ( 3 )   437 - 440   2013年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

MOVPE-grown n-InxGa1-xN (x similar to 0.5)/p-Si(111) template as a novel substrate 査読

Yamamoto A., Mihara A., Sugita K., Davydov V. Yu, Shigekawa N.

LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVII   8641   2013年（ ISSN:0277-786X ）

Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding

J. Liang, T. Miyazaki, M. Morimoto, S. Nishida

Journal of Applied Physics   114   183703   2013年

Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface-activated bonding

J. Liang, M. Morimoto, S. Nishida

Physica Status Solidi C   10   1644   2013年

Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x~0.3) grown on GaN/a-Al2O3(0001) template

6.A. Yamamoto, A. Mihara, and N. Narita

Applied Physics Letters   103   82113   2013年

Surface-activating-bonding-based low-resistance Si/III-V junctions

J. Liang, S. Nishida, M. Morimoto

Electronics Letters   49 ( 13 )   830   2013年

A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate

A. Yamamoto, A. Mihara, Y. Zheng

Japnese Journal of Applied Physics   52   08JB19   2013年

Observation of Negative Differential Resistance in a GaN/AlGaN/GaN: Possible Tunneling Junction Using Polarization

N. Watanabe, H. Yokoyama

Japanese Journal of Applied Physics   52   08JN03   2013年

Electrical Properties of Si-based Junctions by SAB

N. Shigekawa, N. Watanabe, E. Higurashi

Proc. 3rd International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration   109 - 112   2012年12月

表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 査読

梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   112 ( 329 )   1 - 5   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 査読

渡邉 則之, 横山 春喜, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   112 ( 329 )   21 - 24   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 査読

渡邉 則之, 横山 春喜, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112 ( 327 )   21 - 24   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 査読

渡邉 則之, 横山 春喜, 重川 直輝

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 ( 328 )   21 - 24   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 査読

梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 ( 328 )   1 - 5   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 査読

梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112 ( 327 )   1 - 5   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

Barrier Thickness Dependence of Photovoltaic Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells

Noriyuki Watanabe, Haruki Yokoyama, Naoteru Shigekawa, Ken-ichi Sugita, Akio Yamamoto

Japanese Jounral of Applied Physics   51 ( 10 )   10ND10-1-10ND10-5   2012年10月

Reduction of In Composition in Heavily Zn-Doped InAlGaAs Layers Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi, Naoteru Shigekawa, and Minoru Ida

Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 2 )   025601-1-025601-4   2012年02月

Inverted InAlAs/InGaAs Avalanche Photodiode with Low-High-Low Electric Field Profile 査読

Nada Masahiro, Muramoto Yoshifumi, Yokoyama Haruki, Shigekawa Naoteru, Ishibashi Tadao, Kodama Satoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 2,Issue 2 )   1 - 2   2012年02月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

Reduction of In Composition in Heavily Zn-Doped InAlGaAs Layers Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 査読

Yokoyama Haruki, Hoshi Takuya, Shigekawa Naoteru, Ida Minoru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 2,Issue 1 )   1 - 25601   2012年02月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

Inverted InAlAs/InGaAs Avalanche Photodiode with Low-High-Low Electric Field Profile

Masahiro Nada, Yoshifumi Muramoto, Haruki Yokoyama, Naoteru Shigekawa, Tadao Ishibashi, Satoshi Kodama

Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 2 )   02BG03-1-02BG03-4   2012年02月

Optimization of AlGaN-based spacer layer for InAlN/GaN interfaces 査読

Akazawa M., Gao B., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 ( 3-4 )   592 - 595   2012年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

MOVPE growth of InGaN on Si(111) substrates with an intermediate range of In content 査読

Bhuiyan Ashraful G., Mihara A., Esaki T., Sugita K., Hashimoto A., Yamamoto A., Watanabe N., Yokoyama H., Shigekawa N.

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 ( 3-4 )   670 - 672   2012年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

Optimization of AlGaN-based spacer layer for InAlN/GaN interfaces

M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, N. Shigekawa

Physica Status Solidi (C)   9 ( 42798 )   592 - 595   2011年12月

MOVPE growth of InGaN on Si(111) substrates with an intermediate range of In content

Ashraful G. Bhuiyan, A. Mihara, T. Esaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, N. Watanabe, H. Yokoyama, N. Shigekawa

Physica Status Solidi (C)   9 ( 42798 )   670 - 672   2011年11月

Al0.44Ga0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures 査読

Akazawa M., Gao B., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

APPLIED PHYSICS LETTERS   98 ( 14 )   142117   2011年04月（ ISSN:0003-6951 ）

Al0.44Ga0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures

M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa

Applied Physics Letters   98 ( 14 )   142117-1-142117-3   2011年03月

Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読

Akazawa M., Gao B., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 ( 1 )   13703   2011年01月（ ISSN:1089-7550|0021-8979 ）

Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy

M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, N. Shigekawa

Journal of Applied Physics   109 ( 1 )   013703-1-013703-8   2011年01月

Investigation of polarization-induced electric field in ultrathin InAlN layers on GaN by X-ray photoelectron spectroscopy 査読

Akazawa M., Hashizume T., Gao B., Yamahata S., Hiroki M., Shigekawa N.

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 ( 7-8 )   2139 - 2141   2011年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs

Naoteru Shigekawa, Suehiro Sugitani

IEICE Transaction on Electronics   E93-C ( 8 )   1212 - 1217   2010年08月

Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs 査読

Shigekawa Naoteru, Sugitani Suehiro

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E93C ( 8 )   1212 - 1217   2010年08月（ ISSN:0916-8524 ）

Suppression of space charge effect in MIC-PD using composite field structure 査読

Yoshimatsu T., Muramoto Y., Kodama S., Furuta T., Shigekawa N., Yokoyama H., Ishibashi T.

ELECTRONICS LETTERS   46 ( 13 )   941 - 943   2010年06月（ ISSN:0013-5194|1350-911X ）

Dependence of Electrical Properties of InAlN/GaN and InAlN/AlGaN/GaN Heterostructures FETs on the AlN Interlayer Thickness 査読

Hiroki Masanobu, Maeda Narihiko, Shigekawa Naoteru

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E93-C ( 5 )   579 - 584   2010年05月（ ISSN:0916-8524|1745-1353 ）

Small valence-band offset of In0.17Al0.83N/GaN heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読

Akazawa M., Matsuyama T., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

APPLIED PHYSICS LETTERS   96 ( 13 )   132104   2010年03月（ ISSN:0003-6951 ）

Suppression of space charge effect in MIC-PD using composite field structure

T. Yoshimatsu, Y. Muramoto, S. Kodama, T. Furuta, N. Shigekawa, H. Yokoyama, and T. Ishibashi

Electronics Letters   46 ( 13 )   941 - 943   2010年01月

Compressively Strained InxAl1-xN/Al0.22Ga0.78N/GaN (x=0.245-0.325) Heterostructure Field Effect Transistors with Regrown AlGaN Contact Layers 査読

Hiroki Masanobu, Maeda Narihiko, Shigekawa Naoteru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 4,Issue 2 )   1 - 4   2010年（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

Numerical analysis of impact of stress in passivation films on electrical properties in AlGaN/GaN heterostructures 査読

Shigekawa Naoteru, Sugitani Suehiro

IEICE ELECTRONICS EXPRESS   6 ( 14 )   1045 - 1050   2009年07月（ ISSN:1349-2543 ）

DC variable harmonic pass band operation of AlGaN/GaN surface acoustic wave devices 査読

Hohkawa Kohji, Koh Keishin, Nishimura Kazumi, Shigekawa Naoteru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 9 Issue 1 )   7104 - 7107   2008年09月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

Surface acoustic waves in reverse-biased AlGaN/GaN hetero structures 査読

Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Yokoyama Haruki, Hohkawa Kohji

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   55 ( 7 )   1585 - 1591   2008年07月（ ISSN:1557-9646|0018-9383 ）

SAW filters composed of interdigital Schottky and Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures 査読

Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Suemitsu Tetsuya, Yokoyama Haruki, Hohkawa Kohji

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   28 ( 2 )   90 - 92   2007年02月（ ISSN:0741-3106|1558-0563 ）

Interdigital transducers with control gates on AlGaN/GaN heterostructures 査読

Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Suemitsu Tetsuya, Yokoyama Haruki, Hohkawa Kohji

APPLIED PHYSICS LETTERS   89 ( 3 )   2006年07月（ ISSN:0003-6951 ）

SAW characteristics of GaN with n(+)-GaN IDTs 査読

Nishimura K, Shigekawa N, Yokoyama H, Hohkawa K

ELECTRONICS LETTERS   42 ( 1 )   62 - 63   2006年01月（ ISSN:0013-5194|1350-911X ）

Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs 査読

Shiojima K., Makimura T., Maruyama T., Suemitsu T., Shigekawa N., Hiroki M., Yokoyama H.

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6   3 ( 6 )   2360 - 2363   2006年（ ISSN:1862-6351|1610-1634 ）

Dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with short gate length for high-power mixers 査読

Shiojima K, Makimura T, Maruyama T, Kosugi T, Suemitsu T, Shigekawa N, Hiroki M, Yokoyama H

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3   3 ( 3 )   469 - 472   2006年（ ISSN:1610-1634 ）

Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate high-electron-mobility transistors on sapphire substrates 査読

Shiojima K, Makimura T, Suemitsu T, Shigekawa N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 12 )   8435 - 8440   2005年12月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

Velocity dispersion in GaN-based surface acoustic wave filters on (0001) sapphire substrates 査読

Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Yokoyama Haruki, Shiojima Kenji, Hohkawa Kohji

IEICE ELECTRONICS EXPRESS   2 ( 19 )   495 - 500   2005年10月（ ISSN:1349-2543 ）

SAW characteristics of GaN layers with surfaces exposed by dry etching 査読

Nishimura Kazumi, Shigekawa Naoteru, Yokoyama Haruki, Hiroki Masanobu, Hohkawa Kohji

IEICE ELECTRONICS EXPRESS   2 ( 19 )   501 - 505   2005年10月（ ISSN:1349-2543 ）

Side-gate effects on transfer characteristics in GaN-based transversal filters 査読

Shigekawa N, Nishimura K, Yokoyama H, Hohkawa K

APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 8 )   1 - 84102   2005年08月（ ISSN:0003-6951 ）

Low frequency noise of AlGaN/GaN MODFETs: A comparative study of surface, barrier and heterointerface effects 査読

Valizadeh P, Pavlidis D, Shiojima K, Makimura T, Shigekawa N

SOLID-STATE ELECTRONICS   49 ( 8 )   1352 - 1360   2005年08月（ ISSN:0038-1101 ）

Al/AlN/InP metal-insulator-semiconductor-diode characteristics with amorphous AlN films deposited by electron-cyclotron-resonance sputtering 査読

Saito K, Ono T, Shimada M, Shigekawa N, Enoki T

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 1A )   334 - 342   2005年01月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

Temperature dependence of surface acoustic wave characteristics of GaN layers on sapphire substrates 査読

Nishimura K, Shigekawa N, Yokoyama H, Hohkawa K

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 16-19 )   564 - 565   2005年（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistors on SiC substrates for high-power mixers 査読

Shiojima K, Makimura T, Kosugi T, Sugitani S, Shigekawa N, Ishikawa H, Egawa T

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS, VOL 2, NO 7   2 ( 7 )   2623 - 2626   2005年（ ISSN:1610-1634 ）

Intrinsic transit delay and effective electron velocity of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 査読

Suemitsu T, Shiojima K, Makimura T, Shigekawa N

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 1-7 )   211 - 213   2005年（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

High temperature stability of p⁺-Si/p-diamond heterojunction diodes 査読

Uehigashi Y.

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device 査読

Kagawa R.

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

Fabrication of Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation 査読

Nagai H.

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

Preface

Shigekawa N.

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

表面活性化接合法による厚膜・低損失配線の実現 招待

重川　直輝, 梁　剣波, 前澤　宏一

ケミカルエンジニヤリング（化学工業社）   65 ( 11 )   686 - 693   2020年11月

高効率パワー素子の実現に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の開発 招待

梁　剣波、重川　直輝

ケミカルエンジニヤリング（化学工業社）   65 ( 8 )   469 - 474   2020年08月

ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現 招待

梁 剣波, 重川 直輝

月刊JETI   68 ( 6 )   37 - 40   2020年06月

A polyimide film/aluminum foil junction by modified surface activated bonding 査読

Akazawa H.

Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 査読

Ohno Y.

Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

Electrical properties of p Ga Aspatterned metal layer/n Si junctions 査読

Hishida T.

Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

Directly bonded n InGaP/n Si junctions with a low interface resistance 査読

Sakihara M.

Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 査読

Ohno Y.

Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合 招待

重川直輝, 梁剣波

New Diamond   34 ( 4 )   3 - 5   2018年10月

Transport Characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces 査読

重川　直輝

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   26   2017年

Analysis of the influence of interface charges on the electrical characteristics of GaAs/GaN junctions 査読

重川　直輝

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   77   2017年

Electrical conduction of Si/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding 査読

重川　直輝

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   51   2017年

Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 査読

重川　直輝

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   68   2017年

Impacts of bonding-layer resistance of Si bottom cells on interface resistance in InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 査読

重川　直輝

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   52   2017年

Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 査読

重川　直輝

2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   4   2017年

Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells 査読

重川　直輝

2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS PACKAGING (ICEP)   229 - 231   2017年

Electrical characteristics of SAB-Based n(+)-n Ge/4H-SiC heterojunctions 査読

重川　直輝

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   74 - 75   2016年

Effects of Ar beam irradiation on Si-Based Schottky contacts 査読

重川　直輝

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   40 - 41   2016年

Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells 査読

重川　直輝

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   114 - 115   2016年

Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method 査読

重川　直輝

2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   86 - 87   2016年

Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding 査読

Yamajo S., Liang J., Morimoto M., Shigekawa N.

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   62 - 63   2015年

Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces 査読

Chai L., Nishida S., Liang J., Shigekawa N., Morimoto M.

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   44 - 45   2015年

Electrical properties of n(+)-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding 査読

Nishimura T., Shigekawa N., Liang J., Watanabe N.

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   46 - 47   2015年

Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding 査読

Shimizu S., Liang J., Nishida S., Shigekawa N., Morimoto M.

2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   64 - 65   2015年

Annealing Characteristics of p(+)-Si/n-4H-SiC Junctions by Using Surface-Activated Bonding 査読

Nishida S., Liang J., Hayashi T., Morimoto M., Shigekawa N., Arai M.

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   54   2014年

Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions 査読

Morimoto M., Liang J., Nishida S., Li Chai., Takemura K., Shigekawa N.

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   52   2014年

Effects of Annealing on GaAs/Si Bonding Interfaces for Hybrid Tandem Solar Cells 査読

Chai L., Liang J., Nishida S., Morimoto M., Shigekawa N.

2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   2014年

Fabrication and Characterization of Si/similar to 10-mu m Mesa-Etched Si Junctions by Surface Activated Bonding 査読

Takemura K., Nishida S., Morimoto M., Shigekawa N., Liang J.

2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   2014年

Improvement in elecrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing 査読

Hayashi T., Nishida S., Liang J., Arai M., Shigekawa N.

2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   2014年

Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n(+)-Si/n-SiC junctions 査読

Liang Jianbo, Nishida Shota, Hayashi Tomohiro, Morimoto Masashi, Shigekawa Naoteru, Arai Manabu

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   53   2014年

Type II band lineup in SAB-Based GaAs/Si Heterojunctions 査読

重川　直輝

2013 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK2013)   2013年

表面活性化ウェハボンディングによる半導体接合の特性評価

重川直輝, 渡邊則之, 日暮栄治

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   2012年

25-Gbit/s RECEIVER OPTICAL SUBASSEMBLY USING MAXIMIZED-INDUCED-CURRENT PHOTODIODE 査読

重川　直輝

2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年（ ISSN:1092-8669 ）

A CAN-type MIC-PD ROSA operating at 40-Gbit/s 査読

重川　直輝

2010 36TH EUROPEAN CONFERENCE AND EXHIBITION ON OPTICAL COMMUNICATION (ECOC), VOLS 1 AND 2   2010年

COMPOSITE-FIELD MIC-PDS FOR LOW-BIAS-VOLTAGE OPERATION 査読

重川　直輝

2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年（ ISSN:1092-8669 ）

Continuous-wave Terahertz Spectroscopic Imaging at over 1 THz for Pharmaceutical Applications 査読

重川　直輝

35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010)   2010年

ULTRA-THIN InAIP/InGaAs HETEROJUNCTIONS GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY 査読

重川　直輝

2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)   222 - +   2009年（ ISSN:1092-8669 ）

Single Phase Transducer Consisting of AlGaN/GaN 査読

HOHKAWA Kohji, OSHIYAMA Satoshi, TERAO Yuji, KOH Keishin, NISHIMURA Kazumi, SHIGEKAWA Naoteru

2008 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-4 AND APPENDIX   2008 Vol.4   1928 - 1931   2008年（ ISSN:1051-0117 ）

Wideband Layer Mode Acoustic Devices on GaN/Sapphire Substrate 査読

重川　直輝

2006 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-5, PROCEEDINGS   2301 - +   2006年（ ISSN:1051-0117 ）

AlGaN/GaN dual-gate HEMT mixers for 24 GHz pulse-modulation 査読

重川　直輝

2006 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, VOLS 1-5   1331 - +   2006年（ ISSN:0149-645X ）

Basic Study on SAW Device with Semiconductor Layer as IDTs and Control Means for Variable Operation 査読

重川　直輝

2006 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-5, PROCEEDINGS   2314 - +   2006年（ ISSN:1051-0117 ）

Transfer effects of induced carriers by SAW 査読

KANESHIRO C., KOH K., HOHKAWA K., NISHIMURA K., SHIGEKAWA N.

2005 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-4   2005 Vol.4   1896 - 1899   2005年（ ISSN:1051-0117 ）

Layer mode devices on epitaxially grown GaN films on Al2O3 査読

HOHKAWA K., KANESHIRO C., KOH K., NISHIMURA K., SHIGEKAWA N.

2005 IEEE Ultrasonics Symposium, Vols 1-4   2005 Vol.3   1600 - 1603   2005年（ ISSN:1051-0117 ）

Study on photo-induced acoustic charge transport effect in GaN film 査読

HOHKAWA K, KANESHIRO C, KOH K, NISHIMURU K, SHIGEKAWA N

2005 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM, VOLS 1-4   421 - 424   2005年（ ISSN:0149-645X ）

常温接合技術による新機能界面・デバイスの創成 招待 国内会議

重川 直輝, 梁 剣波, 大野 裕, 井上 耕治, 永井 康介

ワイドギャップ半導体学会第14回研究会  2023年12月  ワイドギャップ半導体学会

Low-Temperature Direct Bonding of Diamond—Approach for Fabricating Low-Thermal-Resistance Widegap Devices 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa, Ryo Kagawa, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai,

2023 MRS Fall Meeting  2023年11月  Materials Research Society

Fabrication of nitride/3C-SiC/polycrystalline diamond heterostructures for efficient thermal management of power devices 国際会議

Chiharu Moriyama, Keisuke Kawamura, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yutaka Ohno, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)  2023年11月  The Japan Association for Crystal Growth

Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions 国際会議

S. Ishimi, M. Hirose, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

244th ECS Meeting  2023年10月  Electrochemical Society

高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製 国内会議

森山 千春, 川村 啓介, 大内 澄人, 浦谷 泰基, 大野 裕, 井上 耕治, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

表面活性化接合法で作製したGaN/GaN界面近傍のケルビン・プローブ・フォース顕微鏡による断面計測 国内会議

文 思翰, 澤井 一樹, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

Integration of 3C-SiC and polycrystalline diamond for large-scale high-performance GaN device production 国際会議

Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Chiharu Moriyama, Hazuki Tomiyama, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

Integration of Si and polycrystalline diamond by a surface-activated bonding method 国際会議

Jianbo Liang, Yoshiki Nishibayashi, Minori Teramoto, Marika Takeuchi, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

ダイヤモンド直接接合による半導体素子の熱抵抗低減 招待 国内会議

重川直輝

応用物理学会先進パワー半導体分科会　第２５回研究会  2023年09月  応用物理学会 先進パワー半導体分科会

ダイヤモンド//異種材料接合の高機能化合物半導体素子応用 国内会議

重川　直輝, 香川　諒, 梁　剣波, 清水　康雄, 大野　裕, 永井　康介

電気学会　2023 年　電子・情報・システム部門大会  2023年08月  電気学会

半導体デバイスプロセスに革新をもたらす異種材料直接接合 招待 国内会議

重川直輝

日本真空工業会関西支部第37回定時総会並びに講演会  2023年06月  日本真空工業会関西支部

GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価 国内会議

早川 譲稀, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

α-Ga₂O₃/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価 国内会議

山本 誠志郎, 大島 祐一, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

High Performance GaN-on-Diamond Devices Fabrication using Diamond Wafer Bonding Technology 招待 国際会議

Jianbo Liang, Yutaka Ohno and Naoteru Shigekawa

Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII  2023年03月 

転位発生源となるシリコン非対称傾角粒界の形成過程 国内会議

大野 裕, 斉藤 光, 梁 剣波, 横井 達矢, 松永 克志, 重川 直輝, 井上 耕治, 永井 康介, 波多 聰

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

Characterization of GaN/GaN interfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

Kazuki Sawai, Jianbo liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanoparticles (ISPlasma2023)  2023年03月  Japan Society of Applied Physics

Direct wafer bonding of nitride and its application for advanced devices 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanoparticles (ISPlasma2023)  2023年03月  Japan Society of Applied Physics

Effects of thick luminescent down-shifting layers with ZnSe/ZnS:Mn/ZnS nanoparticles on Si solar cells 国際会議

Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月  The Japan Photovoltaic Society (J-PVS)

n⁺-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価 国内会議

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

ボンディングファーストによるX-on-diamond 構造及び素子応用 招待 国内会議

第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

Fabrication of High-Thermal-Stability GaN/Diamond Junctions via Intermediate Layers 国際会議

Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Conference on Wafer Bonding for Microsystems, 3D- and Wafer Level Integration (WaferBond '22)  2022年10月 

n⁺-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価 国内会議

上東 洋太, 大曲 新矢, 梅沢 仁, 山田 英明, 梁 剣波, 重川 直輝

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

表面活性化接合法によるGaN/GaN接合界面の評価 国内会議

澤井 一樹, 梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製 国内会議

香川 諒, 重川 直輝, 梁 剣波, 川村 啓介, 坂井田 佳紀, 大内 澄人, 浦谷 泰基, 清水 康夫, 大野 裕, 長井 康介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

表面活性化接合法で作製したn-Si/n-Siおよびp-Si/p-Si接合の二重バイアス変調静電引力顕微鏡による評価 国内会議

小林 大地, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

Si太陽電池に対する高光学密度半導体ナノ粒子膜の堆積効果 国内会議

粟井 啓伍, 井筒 由紀, 梁 剣波, 西村 悠陽, 金 大貴, 沈 用球, 重川 直輝

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

パワー素子の放熱向上に向けたGa₂O₃/3C-SiC直接接合の特性評価 国内会議

長井 啓, 川村 啓介, 浦谷 泰基, 坂井田 佳紀, 重川 直輝, 梁 剣波

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

Dual Bias Modulation Electrostatic Force Microscopy on n-type Si/Si Junctions Fabricated by Surface-activated Bonding 国際会議

Daichi Kobayashi, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Takuji Takahashi

The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)  2022年09月  The Japan Society of Vacuum and Surface Science

Electrical properties in wafer-bonding-based GaAs/GaN junctions on free-standing substrates 国際会議

M. Hirose, S. Ishimi, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)  2022年08月  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Nano-structural and electro-thermal analyses of AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs prepared by bonding-first process 国際会議

R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida，S. Ouchi，H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)  2022年08月  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Thermal Annealing Effect on the Structure of GaN/Diamond Bonding Interface 国際会議

Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2022 (NDNC 2022)  2022年06月 

Fabrication and electrical characterization of n+-Si/p-diamond heterojunction diodes 国際会議

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2022 (NDNC 2022)  2022年06月 

周波数変調型静電引力顕微鏡法によるキャリア密度の定量測定 国内会議

福澤 亮太, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価 国内会議

上東 洋太, 大曲 新矢, 梅沢 仁, 山田 英明, 梁 剣波, 重川 直輝

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

ウェハ直接接合による自立基板上n-GaNエピ層/p-GaAs接合の光電流測定 国内会議

石見 翔太, 廣瀬 淳, 梁 剣波, 重川 直輝

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価 国内会議

梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝

2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

Direct bonding of diamond for fabricating advanced electron devices 招待 国内会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

第1回ダイヤモンドデバイス国際ワークショップ  2022年02月 

ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発 招待 国内会議

重川　直輝

NEDO先導研究プログラム報告会～社会実装への展開とマネジメントの秘訣～  2022年02月 

表面活性化接合によるIII-V/Si界面創成及びその多接合太陽電池応用 招待 国内会議

重川直輝, 梁　剣波

日本太陽光発電学会次世代太陽電池セル・モジュール分科会2021年度第2回研究会  2022年01月 

Fabrication and Characterization of GaN/Diamond bonding interface 国際会議

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

Ga₂O_3/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation 国際会議

H. Nagai, K. Kawamura, Y. Sakaida, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

Coplanar waveguides fabricated by directly bonding metal foils to high-resistivity Si substrates 国際会議

Kenya Yonekura, Tasuku Kawamoto, Jianbo Liang, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding 国際会議

Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

Fabrication of beta-Ga₂O₃/Si direct bonding interface for high power device applications 国際会議

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

Nanostructural Analysis of Al/beta-Ga₂O₃ Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power devices 国際会議

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida，Sumito Ouchi，Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 国際会議

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

High temperature stability of p⁺-Si/p-diamond heterojunction diodes 国際会議

Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

半導体異種材料接合の研究 招待 国内会議

重川　直輝

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム令和３年度利用成果発表会  2021年09月 

Ga₂O₃/Si ヘテロ構造の作製及び構造評価 国内会議

高月 大輝, 東脇 正高, 清水 康雄, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価 国内会議

上東 洋太, 大曲 新矢, 梅沢 仁, 山田 英明, 梁 剣波, 重川 直輝

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

ジュール熱の外部変調を利用した非接触型抵抗原子間力顕微鏡法 国内会議

福澤 亮太, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

高光学密度な半導体ナノ粒子膜の堆積による太陽電池特性制御 国内会議

粟井啓伍, 井筒由紀, 梁剣波, 西村悠陽, 金大貴, 沈用球, 重川直輝

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

Direct bonding of diamond to semiconductors and metals for low thermal resistance modules 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

International Conference on Diamond and Carbon Materials 2021  2021年09月 

Si上化合物半導体ハイブリッドタンデム太陽電池 招待 国内会議

重川　直輝

応用電子物性分科会研究例会「タンデム太陽電池の最近の動向」  2021年06月 

Low-temperature direct wafer bonding innovating CS device technologies 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2021年05月 

表面活性化接合法によるダイヤモンド/Si ヘテロ接合ダイオードの作製 国内会議

上東 洋太、大曲 新矢、梅沢 仁、山田 英明、梁 剣波、重川 直輝

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価 国内会議

小林 礼佳、清水 康雄、大野 裕、金 聖祐、小山 浩司、嘉数 誠、重川 直輝、梁 剣波

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

波長変換ナノ粒子ZnSe/ZnS:Mn/ZnSの付加による太陽電池特性の向上 II 国内会議

西村 悠陽、前川 貴哉、高木 知己、祖父江 進、川井 正一、重川 直輝、金 大貴

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

二重バイアス変調静電引力顕微鏡による直接貼り合わせp-n接合の断面解析 国内会議

福澤 亮太、梁 剣波、重川 直輝、高橋 琢二

2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

表面活性化法による異種半導体直接接合界面の電気特性と太陽電池応用 招待 国内会議

重川　直輝

第5回 3次元積層半導体量子イメージセンサ研究会（TIA連携プログラム探索推進事業「かけはし」：「究極の広帯域量子イメージセンサ実現を目指して」グループ）  2021年02月 

Microscopic Picture of Direct Bonding Via Surface Activation for Low-Resistance Si/Wide-Gap Semiconductor Heterointerface 国際会議

Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

ECS PRiME 2020  2020年10月 

Direct Bonding of GaAs and Diamond for High Power Device Applications 国際会議

J. Liang, Y. Nakamura, Y. Ohno, Y. Shimizu, T. Zhan, T. Watanabe, N. Kamiuchi, Y. Nagai, N. Shigekawa

ECS PRiME 2020  2020年10月 

III-V Thin-Film Solar Cells Bonded to Si Substrates via Metal Grids 国際会議

T. Hishida, J. Liang, N. Shigekawa

ECS PRiME 2020  2020年10月 

Nanostructural Investigation on GaAs//Indium Tin Oxide/Si Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells 国際会議

T. Hara, J. Liang, K. Araki, T. Kamioka, H. Sodabanlu, K. Watanabe, M. Sugiyama, N. Shigekawa

ECS PRiME 2020  2020年10月 

低温FIB-断面STEM法によるSi/Diamond表面活性化接合界面の構造評価 国内会議

大野 裕、梁 剣波、吉田 秀人、清水 康雄、永井 康介、重川 直輝

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年09月 

ラマン分光法によるGa2O3ショットキーバリアダイオードの自己発熱評価 国内会議

6. 万 澤欣、高月 大輝、林 家弘、梁 剣波、東脇 正高、重川 直輝

2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年09月 

Modulation of Characteristics of Si Solar Cells by Luminescence-Downshifting Zn-Based Nanoparticles with Mn doped 国際会議

Y.Idutsu, J.Liang, H.Nishimura, D.G.Kim, N.Shigekawa

ECS PRiME 2020  2020年06月 

Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価 国内会議

梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 重川 直輝

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 国内会議

小林 礼佳, 清水 康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価 国内会議

廣瀬 淳, 清水 康雄, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

Si太陽電池に対するZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/shellナノ粒子の堆積効果 国内会議

井筒 由紀, 梁 剣波, 西村 悠陽, 金 大貴, 重川 直輝

2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

GaAs//Si Hybrid Double Junction Cells Fabricated by Direct Bonding of Epitaxially Lifted-Off GaAs Subcell Layers on PET Films 国際会議

Ryo Kozono, Jianbo Liang, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Naoteru Shigekawa

29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2019年11月 

Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

井筒 由紀, 田中 駿, 梁 剣波, 楢崎 友城, 西村 悠陽, 金 大貴, 重川 直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価 国内会議

大野 裕, 清水 康雄, 永井 康介, 麻生 亮太郎, 神内 真人, 吉田 秀人, 梁 剣波, 重川 直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

直接接合された表面実装型LEDパッケージにおける素子温度評価 国内会議

小丸 啓吾, 梁 剣波, 西尾 佳高, 重川 直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

ELO法及びSAB法によるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製 国内会議

小園 亮, 梁 剣波, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価 国内会議

清水 康雄, 海老澤 直樹, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 永井 康介

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

GaAs/Diamond直接接合の界面評価 国内会議

中村 祐志, 清水 康雄, 大野 裕, 詹 天卓, 山下 雄一郎, 白崎 謙次, 永井 康介, 渡邊 孝信, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製 国内会議

梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 白崎 謙次, 永井 康介, 嘉数 誠, 金 聖祐, Kuball Martin, 重川 直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

InGaP/ITO 界面における熱処理効果 国内会議

崎原 盛偉, 梁 剣波, 重川 直輝

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications 国際会議

J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, S. Kim, M. Kasu, M. Kuball, and N. Shigekawa

13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications 国際会議

Y. Nakamura, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang

13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates 国際会議

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019  2019年07月 

Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature 国際会議

Jianbo Liang, Makoto Kasu, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019  2019年07月 

Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 国際会議

Y. Idutsu, S. Tanaka, J.Liang, T.Narazaki, H.Nishimura, D.G.Kim, and N.Shigekawa

46TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE  2019年06月 

GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 国際会議

Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

46TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE  2019年06月 

Electrical properties of p+-GaAs//patterned metal layer/n+-Si junctions 国際会議

T. Hishida, J. Liang, and N. Shigekawa

2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

Bonding strength evaluation of Al foil/AlN junctions by surface activated bonding 国際会議

S. Horikawa, S. Morita, J. Liang, Y. Kaneko, Y. Nishio, M. Matsubara, H. Asahi, and N. Shigekawa

2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

Directly bonded n+-InGaP/n+-Si junctions with a low interface resistance 国際会議

M. Sakihara, J. Liang, and N. Shigekawa

2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application 国際会議

S. Kanda, S. Masuya, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang

2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure 国際会議

J. Liang, Y. Zhou, S. Masuya ; F. Gucmann, M. Singh, J. Pomeroy, S. Kim, M. Kuball, M. Kasu, N. Shigekawa

2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

Analysis of SiC/Si Bonding Interface with Thermal Annealing Treatment by XPS 国際会議

Z. Wan, J. Liang, and N. Shigekawa

2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

Direct bonding of diamond and Cu at room temperature for power device application 国際会議

Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, et al.

13th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2019)  2019年05月 

パワーデバイス応⽤に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 国内会議

梁 剣波, 神⽥ 進司, 桝⾕ 聡⼠, 嘉数 誠, 重川 直輝

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

表⾯活性化接合によるGaAs/GaAs界⾯における元素分布評価 国内会議

清⽔ 康雄, 海⽼澤 直樹, ⼤野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 井上 耕治, 永井 康介

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

⾼出⼒デバイス応⽤に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 国内会議

中村 祐志, 桝⾕ 聡⼠, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

XPSによるSiC/Si接合界⾯の熱処理効果の評価 国内会議

万 澤欣, 梁 剣波, 重川 直輝

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

Ⅲ-Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入(2) 国内会議

菱⽥ 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

表面活性化接合法によるAl箔/AlN接合の接合強度評価 国内会議

堀川昇太朗, 森田匠, 梁剣波, 兼子佳久, 西尾佳高, 松原萌子, 旭洋, 重川直輝

2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates 招待 国内会議

K. Matsuura, J. Liang, K. Maezawa, and N. Shigekawa

第18回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ  2019年01月 

TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国際会議

Shoji Yamajo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)  2018年11月 

p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interfaces for high thermal tolerance 国際会議

Shunichi Kono, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)  2018年11月 

Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

S. Morita, J. Liang, N. Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AIMES2018)  2018年09月 

Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国際会議

J. Liang, Y. Zhou, S. Yamajo, M. Arai, M. Kuball, N. Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AIMES2018)  2018年09月 

Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AIMES2018)  2018年09月 

Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

田中 駿, 楢崎 友城, 梁 剣波, 金 大貴, 重川 直輝

2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線電子分光評価 国内会議

原 智也, 梁 剣波, 荒木 健次, 神岡 武文, ソダーバンル ハッサネット, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

表面活性化接合及び犠牲層エッチングによるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製 国内会議

小園 亮, 尹 翔至, 梁 剣波, 重川 直輝

2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

III-V族/Si太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層の導入 国内会議

菱田 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Ar 高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al 接合の実現 国内会議

赤澤 秀征, 梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

松本 祐二, 梁 剣波, 重川 直輝

2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

金属箔直接接合による低損失インダクタのRF特性評価 国内会議

松浦圭汰, 梁　剣波, 前澤宏一, 重川直輝

2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会  2018年09月 

Fabrication of Si//patterned metal layer/Si junctions for hybrid multijunction solar cells with improved bonding interface properties 国際会議

T. Hishida, J. Liang, N. Shigekawa

2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2018)  2018年06月 

Dependence of characteristics of directly-bonded SiC/Si junctions on bonding temperature 国際会議

K. Shimozato, J. Liang, M. Arai, N. Shigekawa

2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2018)  2018年06月 

Penetration depth of effects of irradiation of Ar fast atom beams in n-Si surfaces 国際会議

Y. Matsumoto, S. Hisamoto, J. Liang, N. Shigekawa

2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2018)  2018年06月 

Room-Temperature Direct Bonding of Diamond to Aluminum 国際会議

Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)  2018年05月 

Hybrid heterostructures and heterostructure devices fabricated by surface activated bonding technologies 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa

The 42nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2018)  2018年05月 

Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国際会議

Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, Martin Kuball

2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technologies  2018年05月 

Si(100)基板上に転送したGaNエピタキシャル層の残留応力評価 国内会議

梁 剣波, Zhou Yan, Singh Manikant, Gucmann Filip, Pomeroy James, Kuball Martin, 重川 直輝

第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

p⁺-Siをゲート電極とする高耐熱AlGaN/GaN HEMTの作製 国内会議

鴻野 駿一, 梁 剣波, 重川 直輝

第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

p⁺-Siをゲート電極とする高耐熱AlGaN/GaN HEMTの作製 国内会議

鴻野 駿一, 梁 剣波, 重川 直輝

第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

直接接合によるSiC/Si 界面特性の熱処理温度依存性 国内会議

下里 和史, 梁 剣波, 新井 学, 重川 直輝

第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

Application of surface-activated bonding technologies for III-V-on-Si hybrid multijunction cells 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa

EMN Singapore Meeting 2018  2018年01月 

表面活性化接合法によるＩＩＩ－Ｖ－ｏｎ－Ｓｉタンデム太陽電池 招待 国内会議

重川直輝

学振第175 委員会 次世代シリコン太陽電池分科会 超高効率太陽電池分科会  2017年12月 

表面活性化による異種半導体接合技術とその応用 招待 国内会議

重川直輝

日本学術振興会　第１３１委員会  2017年12月 

Annealing effects on GaAs/ITO/Si junctions fabricated by surface-activated bonding 国際会議

Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2017年11月 

GaAs single junction cells on Si substrates fabricated by surface activated bonding and etching of sacrificial layers 国際会議

Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2017年11月 

Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates 国際会議

K. Matsuura, J. Liang, K. Maezawa, N. Shigekawa

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

Impacts of annealing on interfaces of Al foil/Si junctions by using surface activated bonding 国際会議

K. Furuna, J. Liang, M. Matsubara, D. Marwan, Y. Nishio, N. Shigekawa

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

Si基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価 国内会議

梁　剣波, 重川　直輝, 他

第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

GaAs/GaN接合を用いたnpn構造の光電流測定 国内会議

山條　翔二, 梁　剣波, ソダーバンル　ハッサネット, 渡辺　健太郎, 杉山　正和, 重川　直輝

第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

ITOを中間層とするInGaP/GaAs/ITO/Si３接合太陽電池の特性評価 国内会議

原　智也, 小川　智輝, 梁　剣波, 荒木　健次, 神岡　武文, 山口　真史, 重川　直輝

第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

室温表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の熱処理による構造変化 国内会議

大野　裕, 吉田　秀人, 竹田　精治, 梁　剣波, 重川　直輝

第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

田中　駿, 浅川　良介, 小川　智輝, 楢崎　友城, 梁　剣波, 金　大貴, 重川　直輝

第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

犠牲層エッチングによるIII-V族薄層/Si接合の形成 国内会議

尹　翔至, 梁　剣波, 重川　直輝

第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI 国際会議

Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa,他

12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2017年08月 

Formation of contacts with high thermal tolerance by using Si/GaN junctions 国際会議

Jianbo Liang, Takuya Nishimura, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yoshitaka Nishio, Naoteru Shigekawa

12th International Conference on Nitride Semiconductors  2017年07月 

Measurements of Potentials at Tap Contacts and Estimation of Resistance across Bonding Interfaces in InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells 国際会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2017年06月 

InGaP/GaAs/ITO/Si Hybrid Triple-Junction Cells with GaAs/ITO Bonding Interfaces 国際会議

Naoteru Shigekawa, Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Takafumi Kamioka, Kenji Araki, Masafumi Yamaguchi

2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2017年06月 

Analysis of the Influence of Interface Charges on the Electrical Characteristics of GaAs/GaN Junctions 国際会議

7.S. Yamajo, J. Liang, N. Shigekawa

2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

Transport Characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons Across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces 国際会議

Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, Manabu Arai

2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

Electrical Conduction of Si/ITO/Si Junctions Fabricated by Surface Activated Bonding 国際会議

Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

Impacts of Bonding-Layer Resistance of Si Bottom Cells on Interface Resistance In InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells 国際会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

S. Morita, J. Liang, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio, N. Shigekawa

2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

Plane-View Transmission Electron Microscopy of Si/GaAs Interfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Liang Jianbo, Naoteru Shigekawa

2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells 招待 国際会議

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

2018 International Conference on Electronics Packaging  2017年04月 

Electrical Characterisation of Coupling Properties in InGaP/GaAs/Si Triple-Junction Cells 国際会議

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26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2016年10月 

Effects of Ar beam irradiation on Si-based Schottky contacts 国内会議

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IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells 国内会議

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IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method 国内会議

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IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

Electrical characteristics of SAB-Based n+-n Ge/4H-SiC heterojunctions 国内会議

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IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

GaN 基板上InGaN/GaN MQW 太陽電池における井戸層厚と太陽電池特性 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

GaN/Ga2O3 基板およびGaN 基板に成長したInGaN/GaN MQW 太陽電池特性 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

“NH3分解触媒援用MOVPE成長InxGa1-xN(x~0.35)のMgドーピング挙動 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合の電気特性評価 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善 国内会議

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第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

III-V-on-Si hybrid tandem cells by room-temperature surface-activated bonding 国際会議

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EMN Meeting on Photovoltaic 2016  2016年01月 

Low-resistivity InxGa1-xN (x=0~0.35) grown by low-temperature (≲ 600˚C) MOVPE using NH3 decomposition catalysts 国内会議

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6th International Symposium on Growth of III-Nitrides  2015年11月 

表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 国内会議

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電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 国内会議

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電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

NH3 decomposition catalyst-assisted MOVPE growth of In0.3Ga0.7N for solar cell application 国際会議

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PVSEC-25  2015年11月 

Migration-enhanced, low-temperature (~400˚C) MOVPE growth of InN using NH3 decomposition catalysts 国内会議

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6th International Symposium on Growth of III-Nitrides  2015年11月 

常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

GaAs/GaAs接合界面の電気特性に対するアニール効果の抽出の試み 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

表面活性化接合によるp-Si/n-GaN接合の電気特性評価 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

多接合太陽電池のボトムセル応用のためのSi逆ピラミッド構造の検討 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅱ): InxGa1-xN(x~0.3)の成長 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅰ): InN成長 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC Junctions by Surface Activated Bonding 国内会議

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2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国内会議

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2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

Transport Characteristics of Minority Carriers in 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Structures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

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2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

GaN/Ga2O3テンプレート基板上に成長したInGaN/GaN MQW太陽電池構造 国内会議

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2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

Electrical Properties of Room Temperature Bonded Si/GaN Heterojunctions without Buffer Layers 国際会議

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11th International Conference on Nitride Semiconductors  2015年09月 

MOVPE Growth and Device Fabrication of Thick N+-P InGaN with in Composition of 0.3 and No Phase Separation at 600 ºC 国際会議

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11th International Conference on Nitride Semiconductors  2015年09月 

Fabrication and characterization of GaAs/4H-SiC junctions by using SAB 国内会議

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11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

Band lineups in GaAs/GaN junctions using surfaceactivated bonding 国内会議

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11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

Impacts of annealing in N2/H2 ambient on electrical properties of Si/GaN junctions 国内会議

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11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

Surface-activated bonding of n+-Si to n-GaN: A possible process for fabricating ohmic contacts to nitrides with smooth surface 国際会議

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39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits  2015年06月 

Impacts of optical properties of anti-reflection coatings on characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 国際会議

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42nd IEEE International Photovoltaic Specialists Conference  2015年06月 

Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding 国内会議

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The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding 国内会議

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The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

Electrical properties of n+-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding 国内会議

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The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces 国内会議

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The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

SAB 法による4H-SiC/Si　HBT構造における少数キャリア注入特性 国内会議

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2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

MOVPE 法によるn+-p 構造InxGa1-xN (x~0.3)光起電力素子の作製 国内会議

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第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

タンデム太陽電池応用のためのSi/InGaP ヘテロ接合の電気伝導特性 国内会議

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2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

AR 膜によるInGaP/GaAs/Si 3 接合セル中サブセル特性の制御 国内会議

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2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

表面活性化接合によるn+-Si/n-GaN コンタクトの検討 国内会議

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2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

SAB 法によるSi/Si 接合の界面特性の評価 国内会議

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2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

MOVPE 成長InGaN 厚膜における相分離の臨界膜厚 国内会議

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電子情報通信学会電子デバイス研究会  2014年11月 

InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造が短絡電流に与える影響 国内会議

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電子情報通信学会電子デバイス研究会  2014年11月 

InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells by Surface-Activated Bonding of Invertedly-Grown III-V Heterostructures to Si- Based Bottom Cells 国内会議

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The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL 国内会議

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6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)  2014年11月 

GaAs 傾斜基板上に成長したInGaP/InGaP 多重量子細線構造 国内会議

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第44 回結晶成長国内会議  2014年11月 

Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells 国際会議

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226th Meeting of The Electrochemical Society  2014年10月 

RTA of MOVPEgrown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation 国内会議

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第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

SiC 基板上Si 薄膜のウェット酸化と界面構造の安定 国内会議

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第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

GaAs 傾斜基板上に多重積層させた自己形成InGaP/InGaP 量子細線状構造 国内会議

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第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル 国内会議

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第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

p-type InxGa1-xN (x~0.3) grown by MOVPE at a low temperature (~570ºC) 国際会議

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2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)  2014年08月 

Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 μm) InxGa1-xN (x = 0.2~0.4) 国際会議

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2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)  2014年08月 

III-V系半導体セルとイオン注入Siセルの貼り合せによるハイブリッド3接合セル 国内会議

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第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2014年07月 

Annealing characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions by using surface-activated bonding 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n+-Si/n-SiC junctions 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

Effects of annealing on GaAs/Si bonding interfaces for hybrid tandem solar cells 国内会議

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2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

Fabrication and characterization of Si/~10-μm mesa-etched Si junctions by surface activated bonding 国内会議

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2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)  2014年06月 

Improvement in electrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing 国内会議

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2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)  2014年06月 

Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activate Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells 国際会議

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40th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE  2014年06月 

Observation of phase separation for thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si substrate 国際会議