2024/06/03 更新

写真a

シゲカワ　ナオテル
重川　直輝
SHIGEKAWA Naoteru
担当
大学院工学研究科 電子物理系専攻 教授
工学部 電子物理工学科
職名
教授
所属
工学研究院
所属キャンパス
中百舌鳥キャンパス

担当・職階

  • 大学院工学研究科 電子物理系専攻 

    教授  2022年04月 - 継続中

  • 工学部 電子物理工学科 

    教授  2022年04月 - 継続中

取得学位

  • 博士（理） （ 東京大学 ）

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

研究キーワード

  • キャリア輸送特性

  • 異種材料直接接合

  • 半導体ヘテロ接合

  • 表面活性化接合

  • 半導体ヘテロ構造

  • ワイドギャップ半導体

研究概要

  • 異なる半導体同士、あるいは半導体と金属、セラミックスなどの異種材料を直接接合する。バンドエンジニアリングなどの接合界面物性の研究、新機能素子の創成を行う。

研究歴

  • シリコン基板上異種材料タンデム太陽電池

    グリーンパワーデバイス、高効率太陽電池、パワーエレクトロニクス  国内共同研究

    2011年10月 - 継続中 

  • 厚膜金属直接接合による低損失配線の形成

    グリーンパワーデバイス、パワーエレクトロニクス、モノリシック集積  国内共同研究

    2011年10月 - 継続中 

  • ワイドギャップ半導体直接接合によるヘテロ接合及びヘテロ接合デバイス

    グリーンパワーデバイス、パワーエレクトロニクス  国内共同研究

    2011年10月 - 継続中 

所属学協会

  • 日本物理学会

      国内

  • 電子情報通信学会

      国内

  • 電気学会

      国内

  • ＩＥＥＥ

      国外

  • 英国物理学会

      国外

  • ＩＥＥＥ

  • 電気学会

  • 電子情報通信学会

  • 英国物理学会

  • 応用物理学会

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委員歴（学外）

  • 接合界面創成研究会　幹事   一般社団法人電子実装工学研究所  

    2021年04月 - 継続中 

  • 編集委員   エレクトロニクスレターズ　編集委員会  

    2016年07月 - 2020年05月 

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    IEE Electronics Letters編集委員

  • 幹事   日本学術振興会産学協力研究委員会　接合界面創成技術第191委員会  

    2015年10月 - 2021年03月 

受賞歴

  • Silver Young Scholar Award

    Yota Uehigashi

    2022年06月   15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2022   Fabrication and electrical characterization of n+-Si/p-diamond heterojunction diodes

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    受賞国：日本国

  • 第2回ダイヤモンド・DLC関連若手研究会　プレゼンテーション賞　シルバー

    上東 洋太

    2021年11月   一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム   導電性ダイヤモンドとシリコンの直接接合による新規縦型素子の探索

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    受賞国：日本国

    第2回ダイヤモンド・DLC関連若手研究会において、指導する学生が受賞

  • Best Presentation Award, 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)

    J. Liang, D. Takatsuki, Y. Shimizu, M. Higashiwaki, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

    2021年10月   The Organizing Committee of 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Fabrication of Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications

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    受賞国：日本国

  • Best Student Presentation Award, 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)

    R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida, S. Ouchi, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

    2021年10月   The Organizing Committee of 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)   Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

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    受賞国：日本国

  • APEX/JJAP編集貢献賞

    2017年03月  

  • APEX/JJAP編集貢献賞

    2017年03月  

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    受賞国：日本国

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論文

  • Fabrication of low thermal resistance 3C-SiC/diamond structure for GaN epitaxial layer growth 査読

    Ryo Kagawa, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    Functional Diamond   4 ( 1 )   2337352-1 - 2337352-11   2024年04月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1080/26941112.2024.2337352

  • Probe beam deflection technique with liquid immersion for fast mapping of thermal conductance 査読 国際共著

    Jinchi Sun, Zhe Cheng, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Keisuke Kawamura, Hiroki Uratani, Yoshiki Sakaida, David G. Cahill

    Applied Physics Letters   124   042201-1 - 042201-7   2024年01月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/5.0179581

  • High Thermal Stability and Low Thermal Resistance of Large Area GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Processes 査読 国際共著

    Ryo Kagawa, Zhe Cheng, Keisuke Kawamura, Yutaka Ohno, Chiharu Moriyama, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    Small   2305574-1 - 2305574-14   2023年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1002/smll.202305574

  • Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions 査読

    Shota Ishimi, Makoto Hirose, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    ECS Transactions   11 ( 3 )   111 - 118   2023年10月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1149/11203.0111ecst

  • Characterization of Ga-face/Ga-face and N-face/N-face interfaces with antiparallel polarizations fabricated by surface-activated bonding of freestanding GaN wafers 査読

    Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   62   SN1013-1 - SN1013-7   2023年09月

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acf38

  • Electrical properties and energy band alignments of p-Si/n-Ga2O3 and p+-Si/n-Ga2O3 heterostructures fabricated by surface-activated bonding 査読

    Zhenwei Wang, Takahiro Kitada, Daiki Takatsuki, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Masataka Higashiwaki

    Journal of Applied Physics   133   194503-1 - 194503-7   2023年05月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/5.0128554

  • Intrinsic characteristics of Si solar cells coated with thick luminescence down-shifting sol-gel glass films 査読

    Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SK )   SK1005-1 - SK1005-7   2023年03月（ ISSN:00214922 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/acc03e

  • Tuning the interlayer microstructure and residual stress of buffer-free direct bonding GaN/Si heterostructures 査読 国際共著

    Yan Zhou, Shi Zhou, Shun Wan, Bo Zou, Yuxia Feng, Rui Mei, Heng Wu, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Pingheng Tan, Martin Kuball

    122 ( 8 )   082103-1 - 082103-6   2023年02月（ ISSN:00036951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/5.0135138

  • Room-temperature bonding of GaN and diamond via a SiC layer 査読

    Ayaka Kobayashi, Hazuki Tomiyama, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    Functional Diamond   2 ( 1 )   142 - 150   2022年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1080/26941112.2022.2145508

  • Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding 査読

    Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    Diamond and Related Materials   130   109425-1 - 109425-8   2022年12月（ ISSN:09259635 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1016/j.diamond.2022.109425

  • High thermal conductivity in wafer-scale cubic silicon carbide crystals 査読 国際共著

    Zhe Cheng, Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Hao Zhou, Hidetoshi Asamura, Hiroki Uratani, Janak Tiwari, Samuel Graham, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Tianli Feng, Naoteru Shigekawa, David G. Cahill

    Nature Communications   13   7201-1 - 7201-9   2022年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1038/s41467-022-34943-w

  • Heterojunctions fabricated by surface activated bonding—dependence of their nanostructural and electrical characteristics on thermal process 招待 査読

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( 12 )   120101-1 - 120101-19   2022年11月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac993f

  • Quantitative capacitance measurements in frequency modulation electrostatic force microscopy 査読

    Ryota Fukuzawa, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Takuji Takahashi

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SL )   SL1005-1 - SL1005-7   2022年09月（ ISSN:00214922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac5fb9

  • Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding 査読

    Y. Ohno, J. Liang, H. Yoshida, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa

    61 ( SF )   SF1006-1 - SF1006-5   2022年06月（ ISSN:00214922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac5d11

  • Low-loss characteristics of coplanar waveguides fabricated by directly bonding metal foils to high-resistivity Si substrates 査読

    Kenya Yonekura, Tasuku Kawamoto, Jianbo Liang, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SF )   SF1008-1 - SF1008-4   2022年06月（ ISSN:00214922 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac629a

  • Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications 査読

    Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    61 ( SF )   SF1001-1 - SF1001-7   2022年06月（ ISSN:00214922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac4c6c

  • Intrinsic luminescence-downshifting effects of Zn-based Mn-doped nanoparticle layers on Si solar cells 査読

    Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( 6 )   062004-1 - 062004-6   2022年05月（ ISSN:00214922 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac5fc8

  • Comparison of thermal stabilities of p+-Si/p-diamond heterojunction and Al/p-diamond Schottky barrier diodes 査読

    Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   61 ( SF )   SF1009-1 - SF1009-9   2022年04月（ ISSN:00214922 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac6480

  • AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process 査読

    Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Express   15 ( 4 )   041003-1 - 041003-5   2022年03月（ ISSN:18820778 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.35848/1882-0786/ac5ba7

  • Fabrication of n-Si/n-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> heterojunctions by surface-activated bonding and their electrical properties 査読

    Wang Z.

    Journal of Applied Physics   131 ( 7 )   2022年02月（ ISSN:00218979 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/5.0080734

  • Fabrication of p(+)-Si/p-diamond heterojunction diodes and effects of thermal annealing on their electrical properties 査読

    Uehigashi Yota, Ohmagari Shinya, Umezawa Hitoshi, Yamada Hideaki, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS   120   2021年12月（ ISSN:0925-9635 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.diamond.2021.108665

    リポジトリURL： http://hdl.handle.net/10466/0002000452

  • Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design 査読

    Liang Jianbo, Kobayashi Ayaka, Shimizu Yasuo, Ohno Yutaka, Kim Seong-Woo, Koyama Koji, Kasu Makoto, Nagai Yasuyoshi, Shigekawa Naoteru

    ADVANCED MATERIALS   33 ( 43 )   2021年10月（ ISSN:0935-9648 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/adma.202104564

  • Room temperature direct bonding of diamond and InGaP in atmospheric air 査読 国際共著

    Jianbo Liang, Yuji Nakamura, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Hongxing Wang, Naoteru Shigekawa

    Functional Diamond   1 ( 1 )   110 - 116   2021年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1080/26941112.2020.1869435

  • Water-soluble ZnSe/ZnS:Mn/ZnS quantum dots convert UV to visible light for improved Si solar cell efficiency 査読

    Nishimura Hisaaki, Maekawa Takaya, Enomoto Kazushi, Shigekawa Naoteru, Takagi Tomomi, Sobue Susumu, Kawai Shoichi, Kim DaeGwi

    JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C   9 ( 2 )   693 - 701   2021年01月（ ISSN:2050-7526 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1039/d0tc04580b

  • Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications 査読

    Liang Jianbo, Nakamura Yuji, Zhan Tianzhuo, Ohno Yutaka, Shimizu Yasuo, Katayama Kazu, Watanabe Takanobu, Yoshida Hideto, Nagai Yasuyoshi, Wang Hongxing, Kasu Makoto, Shigekawa Naoteru

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS   111   2021年01月（ ISSN:0925-9635 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.diamond.2020.108207

  • Chemical bonding at room temperature via surface activation to fabricate low-resistance GaAs/Si heterointerfaces 査読

    Ohno Yutaka, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru, Yoshida Hideto, Takeda Seiji, Miyagawa Reina, Shimizu Yasuo, Nagai Yasuyoshi

    APPLIED SURFACE SCIENCE   525   2020年09月（ ISSN:0169-4332 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2020.146610

  • III-V Thin Film Solar Cells Bonded to Si Substrates via Metal Grids 査読

    T. Hishida, J. Liang, N. Shigekawa

    ECS Transaction   98 ( 4 )   117 - 123   2020年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：単著  

    DOI： 10.1149/09804.0117ecst

  • Nanostructural Investigation on GaAs//Indium Tin Oxide/Si Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells 査読

    4. T. Hara, J. Liang, K. Araki, T. Kamioka, H. Sodabanlu, K. Wanatabe, M. Sugiyama, N. Shigekawa

    ECS Transaction   98 ( 4 )   125 - 133   2020年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：単著  

    DOI： 10.1149/09804.0125ecst

  • 半導体基板の常温直接接合技術 招待 査読

    重川直輝, 梁　剣波

    電子情報通信学会和文論文誌   J103-C ( 7 )   341 - 348   2020年07月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • Modulation of Characteristics of Si Solar Cells by Luminescence-Downshifting Zn-Based Nanoparticles with Mn doped 査読

    Y. Idutsu, J.Liang, H.Nishimura, D.G.Kim, N.Shigekawa

    Proceedings, 2020 IEEE 47th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)   234 - 237   2020年05月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：単著  

    DOI： 10.1109/PVSC45281.2020.9300637

  • Effects of post bonding annealing on GaAs//Si bonding interfaces and its application for sacrificial-layer-etching based multijunction solar cells 査読

    Naoteru Shigekawa, Ryo Kozono, Sanji Yoon, Tomoya Hara, Jianbo Liang, Akira Yasui

    Solar Energy Materials and Solar Cells   2020年03月

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    担当区分：筆頭著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1016/j.solmat.2020.110501

  • Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management 査読

    Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Yuichiro Yamashita, Yasuo Shimizu, Shinji Kanda, Naoto Kamiuchi, Seongwoo Kim, Koyama Koji, Yasuyoshi Nagai, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

    ACS Applied Nano Materials   2020年02月

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    担当区分：最終著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1021/acsanm.9b02558

  • GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 査読

    Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    Proceedings 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), Chicago, IL, USA, 2019   1018 - 1020   2020年02月

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1109/PVSC40753.2019.8980757

  • Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 査読

    Y. Idutsu, S. Tanaka, J.Liang, T.Narazaki, H.Nishimura, D.G.Kim, N.Shigekawa

    Proceedings 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), Chicago, IL, USA, 2019   1753 - 1755   2020年02月

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1109/PVSC40753.2019.8981279

  • Low Temperature Bonding for 3D Integration 招待 査読

    Shigekawa N.

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SB )   2020年02月（ ISSN:00214922 ）

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab6207

  • Fabrication of diamond/Cu direct bonding for power device applications 査読

    Shinji Kanda, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Kenji Shirasaki, Yasuyoshi Nagai, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    Japanese Journal of Applied Physics   2019年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国内誌  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab4f19

  • Low-resistance semiconductor/semiconductor junctions with intermediate metal grids for III-V-on-Si multijunction solar cells 査読

    Takashi Hishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   2019年10月

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国内誌  

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab4c8a

  • Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding 査読

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Naoto Kamiuchi, Ryotaro Aso, Seiji Takeda, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics   2019年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • Synthesis of Mn-Doped ZnSe-ZnS Alloy Quantum Dots by a Hydrothermal Method 査読

    Nishimura Hisaaki, Lin Yuxin, Hizume Masayuki, Taniguchi Taichi, Shigekawa Naoteru, Takagi Tomomi, Sobue Susumu, Kawai Shoichi, Okuno Eiichi, Kim DaeGwi

    公益社団法人 日本化学会　CHEMISTRY LETTERS   48 ( 9 )   1081 - 1083   2019年09月（ ISSN:0366-7022 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    <p>This study aims to report the hydrothermal synthesis of water-soluble Mn-doped ZnSe-ZnS alloy quantum dots (QDs), wherein manganese (Mn<sup>2+</sup>) serves as an emission center. The alloy composition was controlled by the mixing ratio of ZnSe:Mn and ZnS:Mn precursor solutions. The photoluminescence (PL) band originating from the <i>d</i>-<i>d</i> transition in Mn<sup>2+</sup> was clearly observed. With an increase in the amount of ZnS in the alloy QDs, the absorption onset energy shifted toward higher energy, demonstrating the successful preparation of alloy QDs, and Mn PL intensity increased as well.</p>

    DOI： 10.1246/cl.190365

    CiNii Article

  • Low-Loss Characteristics of Metal-Foil-Based Passive Components by Surface-Activated Bonding Technologies 査読

    Matsuura Keita, Liang Jianbo, Maezawa Koichi, Shigekawa Naoteru

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   66 ( 9 )   3946 - 3952   2019年09月（ ISSN:0018-9383 ）

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1109/TED.2019.2928620

  • Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface 査読

    Liang Jianbo, Zhou Yan, Masuya Satoshi, Gucmann Filip, Singh Manikant, Pomeroy James, Kim Seongwoo, Kuball Martin, Kasu Makoto, Shigekawa Naoteru

    DIAMOND AND RELATED MATERIALS   93   187 - 192   2019年03月（ ISSN:0925-9635 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.diamond.2019.02.015

  • Hydrothermal synthesis of ZnSe:Mn quantum dots and their optical properties 査読

    Nishimura Hisaaki, Lin Yuxin, Hizume Masayuki, Taniguchi Taichi, Shigekawa Naoteru, Takagi Tomomi, Sobue Susumu, Kawai Shoichi, Okuno Eiichi, Kim DaeGwi

    AIP ADVANCES   9 ( 2 )   2019年02月（ ISSN:2158-3226 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.5085814

  • Room-temperature direct bonding of diamond and Al 査読

    Liang Jianbo, Yamajo Shoji, Kuball Martin, Shigekawa Naoteru

    SCRIPTA MATERIALIA, Elsevier   159   58 - 61   2019年01月（ ISSN:1359-6462 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.scriptamat.2018.09.016

  • Hard X-ray photoelectron spectroscopy investigation of annealing effects on buried oxide in GaAs/Si junctions by surface-activated bonding 査読

    Yamajo Shoji, Yoon Sanji, Liang Jianbo, Sodabanlu Hassanet, Watanabe Kentaro, Sugiyama Masakazu, Yasui Akira, Ikenaga Eiji, Shigekawa Naoteru

    APPLIED SURFACE SCIENCE, Elsevier   473   627 - 632   2018年12月（ ISSN:0169-4332 ）

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    担当区分：責任著者   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1016/j.apsusc.2018.12.199

  • Stability of diamond/Si bonding interface during device fabrication process 査読

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Seongwoo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Express, Japan Society of Applied Physics   12   016501-1 - 016501-5   2018年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.7567/1882-0786/aaeedd

  • Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 査読

    重川　直輝

    ECS Trans   86 ( 5 )   137 - 142   2018年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：単著  

    DOI： 10.1149/08605.0137ecst

  • Electrical properties of GaAs//indium tin oxide/Si junctions for III V-on-Si hybrid multijunction cells 査読

    Hara Tomoya, Ogawa Tomoki, Liang Jianbo, Araki Kenji, Kamioka Takefumi, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 8 )   08RD05-1 - 08RD05-6   2018年08月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    The electrical properties of GaAs//indium tin oxide (ITO)/Si junctions fabricated by surface-activated bonding (SAB) are investigated with emphasis on their dependence on the temperature of postbonding annealing. The current–voltage (I–V) characteristics of n<sup>+</sup>-GaAs//ITO/p<sup>+</sup>-Si and n<sup>+</sup>-GaAs//ITO/n<sup>+</sup>-Si junctions without annealing are linear. Those of p<sup>+</sup>-GaAs//ITO/p<sup>+</sup>-Si and p<sup>+</sup>-GaAs//ITO/n<sup>+</sup>-Si junctions without annealing are nonlinear. Although the interface resistance of all the junctions increases with increasing annealing temperature, the resistances of the respective junctions after the annealing at 400 °C are still smaller than the series resistance of the actual SAB-based InGaP/GaAs//Si hybrid triple-junction cells (∼4 Ω cm<sup>2</sup>). The n<sup>+</sup>-GaAs//ITO/n<sup>+</sup>-Si junction reveals the lowest resistance among the investigated junctions after annealing. These results demonstrate that GaAs//ITO/Si junctions with an ITO intermediate layer could be effective for reducing series resistance in hybrid multijunction cells.

    DOI： 10.7567/JJAP.57.08RD05

    CiNii Article

  • GaAs/Indium Tin Oxide/Si Bonding Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells With Low Series Resistance 査読

    Shigekawa Naoteru, Hara Tomoya, Ogawa Tomoki, Liang Jianbo, Kamioka Takefumi, Araki Kenji, Yamaguchi Masafumi

    IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS   8 ( 3 )   879 - 886   2018年05月（ ISSN:2156-3381 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/JPHOTOV.2018.2802203

  • Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces 査読

    Shigekawa Naoteru, Shimizu Sae, Liang Jianbo, Shingo Masato, Shiojima Kenji, Arai Manabu

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE04-1 - 02BE04-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    We investigate the transport properties of minority electrons across p-Si/n-4H-SiC interfaces fabricated using surface activated bonding. The transport properties along each direction are examined by measuring the photoresponse (PR) of p-Si/n-4H-SiC heterojunctions and characterizing 4H-SiC/Si heterojunction bipolar transistors (HBTs). The photoyield obtained in PR measurements is sensitive to the concentration of acceptors in p-Si and reverse-bias voltages, which indicates that the energy of optically excited electrons in p-Si is first relaxed and then they are driven to n-SiC through the tunneling process. By the postprocess annealing of HBTs, the properties of emitter/base interfaces are improved so that the current gain is drastically increased, which means that the Si/4H-SiC interfaces are in metastable states when the device process is completed. A maximum current gain of >10 is demonstrated.

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02BE04

    CiNii Article

  • Analysis of effects of interface-state charges on the electrical characteristics in GaAs/GaN heterojunctions 査読

    Yamajo Shoji, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE02-1 - 02BE02-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    Electrical properties of p<sup>+</sup>-GaAs/n-GaN and n<sup>+</sup>-GaAs/n-GaN junctions fabricated by surface-activated bonding are investigated by measuring their capacitance–voltage (C–V) and current–voltage (I–V) characteristics. The difference between their flat-band voltages (0.17 eV), which are extracted from C–V measurements, disagrees with the ideal value (1.52 V), suggesting that the Fermi level should be pinned at the bonding interface. The C–V characteristics of the two junctions are calculated by assuming that the Fermi level is pinned at the interface. The measured C–V characteristics quantitatively agree with modeled ones obtained by assuming that the interface state density and conduction band discontinuity are 1.5 × 10<sup>14</sup>cm<sup>−2</sup>eV<sup>−1</sup>and 0.63 eV, respectively. The effective heights of barriers at interfaces, which we estimate by analyzing dependences of I–V characteristics on the ambient temperature, are ∼10–20 meV for the two junctions at room temperature. This suggests that the transport of carriers is dominated by tunneling through interface states.

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02BE02

    CiNii Article

  • Electrical conduction of Si/indium tin oxide/Si junctions fabricated by surface activated bonding 査読

    Liang Jianbo, Ogawa Tomoki, Hara Tomoya, Araki Kenji, Kamioka Takefumi, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE03-1 - 02BE03-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    The electrical properties of n<sup>+</sup>-Si//indium tin oxide (ITO)/n<sup>+</sup>-Si, n<sup>+</sup>-Si//ITO/p<sup>+</sup>-Si, and p<sup>+</sup>-Si//ITO/n<sup>+</sup>-Si junctions fabricated by surface activated bonding (SAB) were investigated. The current–voltage (I–V) characteristics of n<sup>+</sup>-Si//ITO/n<sup>+</sup>-Si, n<sup>+</sup>-Si//ITO/p<sup>+</sup>-Si, and p<sup>+</sup>-Si//ITO/n<sup>+</sup>-Si junctions showed excellent linear properties. The interface resistances of n<sup>+</sup>-Si//ITO/n<sup>+</sup>-Si, n<sup>+</sup>-Si//ITO/p<sup>+</sup>-Si, and p<sup>+</sup>-Si//ITO/n<sup>+</sup>-Si junctions were found to be 0.030, 0.025, and 0.029 Ω·cm<sup>2</sup>, respectively, which are lower than required for concentrator photovoltaics. The interface resistances of all the junctions increased with increasing annealing temperature. The degradation of the interface resistance is lower in n<sup>+</sup>-Si//ITO/n<sup>+</sup>-Si junctions than in n<sup>+</sup>-Si//ITO/p<sup>+</sup>-Si and p<sup>+</sup>-Si//ITO/n<sup>+</sup>-Si junctions, when the annealing temperature is higher than 100 °C. These results demonstrate that the ITO thin film as an intermediate layer has high potential application for the connection of subcells in the fabrication of tandem solar cells.

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02BE03

    CiNii Article

  • Electrical properties of Al foil/n-4H-SiC Schottky junctions fabricated by surface-activated bonding 査読

    Morita Sho, Liang Jianbo, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BE01-1 - 02BE01-5   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    We fabricate 17-µm-thick Al foil/n-4H-SiC Schottky junctions by surface-activated bonding. Their current–voltage and capacitance–voltage characteristics are compared with those of Schottky junctions fabricated by evaporating Al layers on n-4H-SiC epilayers. We find that the ideality factor of Al foil/SiC junctions is larger than that of conventional junctions, which is due to the irradiation of the fast atom beam (FAB) of Ar. The ideality factor of Al foil/SiC junctions is improved by annealing at 400 °C. We also find that the Schottky barrier height is increased by FAB irradiation, which is likely to be due to the negative charges formed at SiC surfaces.

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02BE01

    CiNii Article

  • Intrinsic microstructure of Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 査読

    Ohno Yutaka, Yoshida Hideto, Takeda Seiji, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 ( 2 )   02BA01-1 - 02BA01-3   2018年02月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.02BA01

  • 創エネ・省エネデバイスを目指す異種半導体材料の貼りあわせ 招待 査読

    重川 直輝

    一般社団法人 日本真空学会　Journal of the Vacuum Society of Japan   60 ( 11 )   421 - 427   2017年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：単著  

    　Research activities on surface activated bonding (SAB) of dissimilar semiconductor materials for targeting advanced energy-harvesting and energy-saving devices are reviewed. The structural and electrical properties of interfaces fabricated using the SAB technologies are examined. The change in the interface characteristics due to annealing after bonding is highlighted. The characteristics of SAB-based hybrid multi-junction solar cells, SiC/Si junctions as prototypes of wide bandgap/narrow bandgap hetero structures, and single-crystal diamond/Si junctions for integrating diamond and Si devices in the future are discussed.<br>

    DOI： 10.3131/jvsj2.60.421

    CiNii Article

  • Aluminum Foil/Si Direct Bonding as Prototypes of Ultra-Thick Metal Contacts in Devices 査読

    Liang Jianbo, Furuna Katsuya, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   6 ( 9 )   P626 - P632   2017年08月（ ISSN:2162-8769 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1149/2.0251709jss

  • Aluminum Foil/Si Direct Bonding as Prototypes of Ultra-Thick Metal Contacts in Device 査読

    Liang Jianbo, Furuna Katsuya, Matsubara Moeko, Dhamrin Marwan, Nishio Yoshitaka, Shigekawa Naoteru

    ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY   2017年08月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

  • Realization of direct bonding of single crystal diamond and Si substrates 査読

    Liang Jianbo, Masuya Satoshi, Kasu Makoto, Shigekawa Naoteru

    APPLIED PHYSICS LETTERS   110 ( 11 )   111603-1 - 111603-4   2017年03月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1063/1.4978666

  • Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate 査読

    Mitsuhara M., Watanabe N., Yokoyama H., Iga R., Shigekawa N.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   449   86 - 91   2016年09月（ ISSN:0022-0248 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.050

    J-GLOBAL

  • 表面活性化接合法によるAl箔/ワイドギャップ半導体接合の電気特性

    森田 匠, 西村 拓也, 梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

    応用物理学会学術講演会講演予稿集   2016.2 ( 0 )   2872 - 2872   2016年09月（ eISSN:24367613 ）

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  • Ultra-thick metal ohmic contact fabrication using surface activated bonding

    J. Liang, K. Furuna, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio, and N. Shigekawa

    ECS Transaction   75 ( 9 )   25 - 32   2016年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Determination of Band Structure at GaAs/4H-SiC Heterojunctions

    J. Liang, S. Shimizu, M. Arai, and N. Shigekawa

    ECS Transaction   75 ( 9 )   221 - 227   2016年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment 査読

    Liang J., Nishida S., Arai M., Shigekawa N.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 ( 3 )   7   2016年07月（ ISSN:0021-8979 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4959072

    J-GLOBAL

  • Improved electrical properties of n-n and p-n Si/SiC junctions with thermal annealing treatment

    J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa

    Journal of Applied Physics   120   034504-1-034504-7   2016年07月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structures grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) sbstrate

    M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, and N. Shigekawa

    Journal of Crystal Growth   449   86 - 91   2016年06月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding 査読

    Chai Li, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 6 )   2016年06月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    The electrical properties of GaAs/GaAs junctions fabricated by surface-activated bonding (SAB) and annealing were examined on the basis of the charge neutral level model. The potential barrier height, the density of interface states, and the charge neutral level at GaAs/GaAs interfaces were estimated from the measured dependences of the electrical conductance of n-GaAs/n-GaAs and p-GaAs/p-GaAs junctions on ambient temperature. The barrier height and the density of interface states were lowered by increasing the annealing temperature to 400 °C, which suggested that the damage introduced during the SAB process was partly reduced.

    DOI： 10.7567/JJAP.55.068002

    CiNii Article

    J-GLOBAL

  • Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions by surface-activated bonding

    Li Chai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Journal of Applied Physics   55   068002-1-068002-3   2016年05月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Low-temperature (>= 400 degrees C) growth of InN by metalorganic vapor phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst 査読

    Yamamoto Akio, Kodama Kazuki, Shigekawa Naoteru, Matsuoka Takashi, Kuzuhara Masaaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 5 )   2016年05月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.05FD04

    J-GLOBAL

  • Low-temperature (> 400 ºC) growth of InN by metalorganic vapor phase epitaxy using an NH3 decomposition catalyst

    Akio Yamamoto, Kazuki Kodama, Naoteru Shigekawa, Takashi Matsuoka, and Masaaki Kuzuhara

    Japanese Journal of Applied Physics   55   05FD04-1-05FD04-5   2016年04月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Mapping of Si/SiC p-n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy 査読

    Shingo Masato, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru, Arai Manabu, Shiojima Kenji

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55 ( 4 )   2016年04月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.55.04ER15

    J-GLOBAL

  • Mapping of Si/SiC p–n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy

    Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima

    Japanese Journal of Applied Physics   55   04ER15   2016年03月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated by Surface Activated Bonding

    Jianbo Liang, Sae Shimizu, Shota Nishida, Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

    ECS Solid State Lett.   4   Q55   2015年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • MOVPE growth of thick (similar to 1 mu m) InGaN on AIN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells 査読

    Yamamoto Akio, Kodama Kazuki, Hasan Md. Tanvir, Shigekawa Naoteru, Kuzuhara Masaaki

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 8 )   2015年08月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KA12

    J-GLOBAL

  • Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding-based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 査読

    Shigekawa Naoteru, Liang Jianbo, Onitsuka Ryusuke, Agui Takaaki, Juso Hiroyuki, Takamoto Tatsuya

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 8 )   2015年08月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We measured the current–voltage (I–V) and spectral-response characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells that were fabricated by using surface-activated bonding methods. We found by spectral response measurements that the current generated in the Si-based bottom cell was lower than those in the top and middle cells under the conditions of an air mass of 1.5G and one sun. Furthermore we observed a discrepancy between the short-circuit current, which was obtained by subtracting the estimated contribution of Si ledges surrounding InGaP/GaAs mesas to the I–V characteristics, and the results of spectral response measurements. One possible model for explaining the discrepancy was discussed on the basis of the electrical coupling scheme between subcells. The intrinsic conversion efficiency of a 5 × 5 mm<sup>2</sup>triple-junction cell was crudely estimated to be ∼26% by compensating for the shadow loss as well as subtracting the contribution of Si ledges.

    DOI： 10.7567/JJAP.54.08KE03

    CiNii Article

  • MOCVD growth of thick (~1 µm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells

    Akio Yamamoto, Kazuki. Kodama, Md. Tanvir Hasan, Naoteru Shigekawa, and Masaaki Kuzuhara

    Jpn. J. Appl. Phys.   54   08KA12   2015年07月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Current-voltage and spectral-response characteristics of surface-activated-bonding-based InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Ryusuke Onitsuka, Takaaki Agui, Hiroyuki Juso, and Tatsuya Takamoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   54   08KE03   2015年07月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (similar to 1 mu m) InxGa1-xN (x=0.2-0.4) 査読

    Yamamoto A., Hasan Tanvir Md, Kodama K., Shigekawa N., Kuzuhara M.

    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   419   64 - 68   2015年06月（ ISSN:0022-0248 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.100

    J-GLOBAL

  • Thick (similar to 1 mu m) p-type InxGa1-xN (x similar to 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (similar to 570 degrees C) 査読

    Yamamoto A., Hasan T. Md., Kodama K., Shigekawa N., Kuzuhara M.

    PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   252 ( 5 )   909 - 912   2015年05月（ ISSN:0370-1972 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssb.201451736

    J-GLOBAL

  • Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick(~1 µm) InxGa1-xN (x=0.2-0.4)

    A. Yamamoto, Tanvir Md. Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, and M. Kuzuhara

    J. Crystal Growth   419   64   2015年03月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Advances in Low-Temperature Bonding Technologies for 3D Integration 査読

    Suga Tadatomo, Shigekawa Naoteru, Higurashi Eiji, Takagi Hideki, Shimomura Kazuhiko

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.030200

    J-GLOBAL

  • Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and concentrations of acceptors in Si 査読

    Nishida Shota, Liang Jianbo, Hayashi Tomohiro, Arai Manabu, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   1 - 30210   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We fabricated p<sup>+</sup>-, p-, and p<sup>−</sup>-Si/n-4H-SiC junctions by surface activated bonding (SAB). We investigated their electrical properties by measuring their current–voltage (I–V) characteristics at raised ambient temperatures, capacitance–voltage (C–V) characteristics at various frequencies, and capacitance–frequency (C–f) characteristics at room temperature. The activation energy of their reverse-bias current and the flat-band voltage in their C–V characteristics, which were estimated to be 0.97–1.01 eV and 0.83–0.84 V, respectively, were insensitive to the concentrations of acceptors in Si substrates. The relaxation times estimated from the C–f characteristics were 0.8 and 1.5 µs for the p-Si/n-4H-SiC and p<sup>−</sup>-Si/n-4H-SiC junctions, respectively. The results are explained by a scheme wherein Fermi level pinning occurs at the Si/4H-SiC interfaces fabricated by SAB.

    DOI： 10.7567/JJAP.54.030210

    CiNii Article

    J-GLOBAL

  • Effects of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface-activated bonding 査読

    Morimoto Masashi, Liang Jianbo, Nishida Shota, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   1 - 30212   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Effects of annealing on surface-activated bonding (SAB)-based Si/Si junctions were investigated by transmission electron microscopy (TEM) observations and current–voltage (I–V) measurements. We observed an amorphous-like layer at the bonding interface, which was recrystallized by annealing. We extracted the potential barrier heights at Si/Si interfaces annealed at different temperatures from the results of I–V measurements at various ambient temperatures. For p-Si/p-Si junctions, the barrier height increased as the annealing temperature increased from 200 to 400 °C and decreased from 400 to 1000 °C. For n-Si/n-Si junctions, the barrier height increased as the annealing temperature increased from 200 to 600 °C and decreased from 600 to 1000 °C. By using the charge neutral level (CNL) model, we estimated the energy of CNL, E<inf>CNL</inf>, and the density of interface states, D<inf>it</inf>, at each annealing temperature. D<inf>it</inf>decreased as the annealing temperature increased from 400 to 1000 °C. E<inf>CNL</inf>showed values larger than the reported ones.

    DOI： 10.7567/JJAP.54.030212

    CiNii Article

    J-GLOBAL

  • Investigation on the interface resistance of Si/GaAs heterojunctions fabricated by surface-activated bonding 査読

    Liang Jianbo, Chai Li, Nishida Shota, Morimoto Masashi, Shigekawa Naoteru

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   54 ( 3 )   1 - 30211   2015年03月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    The electrical properties of p-GaAs/n<sup>+</sup>-Si, p<sup>+</sup>-Si/n-GaAs, p<sup>+</sup>-GaAs/n<sup>+</sup>-Si, p<sup>+</sup>-Si/n<sup>+</sup>-GaAs, n<sup>+</sup>-Si/n<sup>+</sup>-GaAs, and p<sup>+</sup>-Si/p<sup>+</sup>-GaAs junctions fabricated by surface-activated bonding (SAB) were investigated. An amorphous layer with a thickness of 3 nm was found across the bonding interface without annealing. The current–voltage (I–V) characteristics of p<sup>+</sup>-GaAs/n<sup>+</sup>-Si, p<sup>+</sup>-Si/n<sup>+</sup>-GaAs, n<sup>+</sup>-Si/n<sup>+</sup>-GaAs, and p<sup>+</sup>-Si/p<sup>+</sup>-GaAs junctions showed excellent linearity. The interface resistance of n<sup>+</sup>-Si/n<sup>+</sup>-GaAs junctions was found to be 0.112 Ω·cm<sup>2</sup>, which is the smallest value observed in all the samples. The resistance decreased with increasing annealing temperature and decreased to 0.074 Ω·cm<sup>2</sup>after the junction annealing at 400 °C. These results demonstrate that n<sup>+</sup>-Si/n<sup>+</sup>-GaAs junctions are suitable for the connection of subcells in the fabrication of tandem solar cells.

    DOI： 10.7567/JJAP.54.030211

    CiNii Article

    J-GLOBAL

  • Thick (~1 µm) p-type InxGa1-xN (x~0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570 ºC)

    A. Yamamoto, T. Md. Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, and M. Kuzuhara

    Physica Stat. Solidi B   42739   DOI: 10.1002/pssb.201451736   2015年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Correlation between the electrical properties of p-Si/n-4H-SiC junctions and cocentrations of acceptors in Si

    Shota Nishida, Jianbo Liang, Tomohiro Hayashi, Manabu Arai and Naoteru Shigekawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   54   30210   2015年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effects of annealing on electrical properties of Si/Si junctions by surface-activated bonding

    Masashi Morimoto, Jianbo Liang, Shota Nishida and Naoteru Shigekawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   54   30212   2015年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Investigation on the interface resistance of Si/GaAs heterojunctions fabricated by surface-activated bonding

    Jianbo Liang, Li Chai, Shota Nishida, Masashi Morimoto and Naoteru Shigekawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   54   30211   2015年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Impacts of Optical Properties of Anti-Reflection Coatings on Characteristics of InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells 査読

    重川　直輝

    2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)   2015年（ ISSN:0160-8371 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated by Surface Activated Bonding 査読

    Liang Jianbo, Shimizu Sae, Nishida Shota, Shigekawa Naoteru, Arai Manabu

    ECS SOLID STATE LETTERS   4 ( 11 )   Q55 - Q57   2015年（ ISSN:2162-8742 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1149/2.0041511ssl

    J-GLOBAL

  • MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (電子部品・材料) 査読

    児玉 和樹, Hasan Md Tanvir, 野村 裕之, 重川 直輝, 山本 〓勇, 葛原 正明

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 337 )   9 - 14   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    本論文では, AlN/Si(111),α-Al_2O_3(0001), GaN/α-Al_2O_3(0001)基板上に成長温度570〜750℃でMOVPE成長したInGaN (In組成0.2〜0.4)の相分離現象について検討した.相分離はInGaN膜厚がある臨界値を越えると生じることを見出すとともに,この臨界膜厚がInGaN膜の成長温度の低下とともに顕著に増大することを見出した.例えば,成長温度750℃では臨界膜厚が0.2μmであるのに対し,成長温度570℃では&gsim;1μmである.成長膜の断面SEM観察およびSIMS測定から,相分離は基板界面近傍ではなく膜の中央もしくは表面側から発生すること,さらにその部分にはIn/Ga原子比の変動の大きい部分が存在することを明らかにした.

    CiNii Article

  • InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

    渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 338 )   103 - 106   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関について考察した。短絡電流の井戸数依存性は、光誘起キャリアが再結合するまでに移動できる距離("特性長")により特徴づけられるキャリア輸送特性を仮定することで説明できることを前回報告したが、今回、さらにいくつかのMQW構造について特性長を調べ、そのバリア層厚および井戸層厚に対する依存性を求めた。その結果、特性長のMQW構造依存性は、バリア層厚よりも井戸層厚に対してより強く依存性を示すことを明らかにした。また、MQW構造が特性長に与える影響を考察し、さらに、MQW構造の吸収過程を考慮することで、短絡電流を最大とする最適なMQW構造を決定しうることを示した。

    CiNii Article

  • InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 (電子デバイス) 査読

    渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 336 )   103 - 106   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関について考察した。短絡電流の井戸数依存性は、光誘起キャリアが再結合するまでに移動できる距離("特性長")により特徴づけられるキャリア輸送特性を仮定することで説明できることを前回報告したが、今回、さらにいくつかのMQW構造について特性長を調べ、そのバリア層厚および井戸層厚に対する依存性を求めた。その結果、特性長のMQW構造依存性は、バリア層厚よりも井戸層厚に対してより強く依存性を示すことを明らかにした。また、MQW構造が特性長に与える影響を考察し、さらに、MQW構造の吸収過程を考慮することで、短絡電流を最大とする最適なMQW構造を決定しうることを示した。

    CiNii Article

  • InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 (電子部品・材料) 査読

    渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 337 )   103 - 106   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流とMQW構造の相関について考察した。短絡電流の井戸数依存性は、光誘起キャリアが再結合するまでに移動できる距離("特性長")により特徴づけられるキャリア輸送特性を仮定することで説明できることを前回報告したが、今回、さらにいくつかのMQW構造について特性長を調べ、そのバリア層厚および井戸層厚に対する依存性を求めた。その結果、特性長のMQW構造依存性は、バリア層厚よりも井戸層厚に対してより強く依存性を示すことを明らかにした。また、MQW構造が特性長に与える影響を考察し、さらに、MQW構造の吸収過程を考慮することで、短絡電流を最大とする最適なMQW構造を決定しうることを示した。

    CiNii Article

  • MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

    児玉 和樹, Hasan Md Tanvir, 野村 裕之, 重川 直輝, 山本 〓勇, 葛原 正明

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 338 )   9 - 14   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    本論文では, AlN/Si(111),α-Al_2O_3(0001), GaN/α-Al_2O_3(0001)基板上に成長温度570〜750℃でMOVPE成長したInGaN (In組成0.2〜0.4)の相分離現象について検討した.相分離はInGaN膜厚がある臨界値を越えると生じることを見出すとともに,この臨界膜厚がInGaN膜の成長温度の低下とともに顕著に増大することを見出した.例えば,成長温度750℃では臨界膜厚が0.2μmであるのに対し,成長温度570℃では&gsim;1μmである.成長膜の断面SEM観察およびSIMS測定から,相分離は基板界面近傍ではなく膜の中央もしくは表面側から発生すること,さらにその部分にはIn/Ga原子比の変動の大きい部分が存在することを明らかにした.

    CiNii Article

  • MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (電子デバイス) 査読

    児玉 和樹, Hasan Md Tanvir, 野村 裕之, 重川 直輝, 山本 〓勇, 葛原 正明

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   114 ( 336 )   9 - 14   2014年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    本論文では, AlN/Si(111),α-Al_2O_3(0001), GaN/α-Al_2O_3(0001)基板上に成長温度570〜750℃でMOVPE成長したInGaN (In組成0.2〜0.4)の相分離現象について検討した.相分離はInGaN膜厚がある臨界値を越えると生じることを見出すとともに,この臨界膜厚がInGaN膜の成長温度の低下とともに顕著に増大することを見出した.例えば,成長温度750℃では臨界膜厚が0.2μmであるのに対し,成長温度570℃では&gsim;1μmである.成長膜の断面SEM観察およびSIMS測定から,相分離は基板界面近傍ではなく膜の中央もしくは表面側から発生すること,さらにその部分にはIn/Ga原子比の変動の大きい部分が存在することを明らかにした.

    CiNii Article

  • Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell 査読

    Watanabe Noriyuki, Mitsuhara Manabu, Yokoyama Haruki, Liang Jianbo, Shigekawa Naoteru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 11 )   1 - 112301   2014年11月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.112301

    J-GLOBAL

  • Effects of interface state charges on the electrical properties of Si/SiC heterojunctions 査読

    Liang J., Nishida S., Hayashi T., Arai M., Shigekawa N.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   105 ( 15 )   2014年10月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4898674

    J-GLOBAL

  • Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell

    N. Watanabe, M. Mitsuhara, H. Yokoyama, J. Liang, and N. Shigekawa

    Jpn. J. Appl. Phys.   53   112301   2014年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masashi Morimoto, and Shota Nishida

    ECS Trans.   64 ( 5 )   235 - 242   2014年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effects of interface state charges on the electrical properties of Si/SiC heterojunctions

    J. Liang, S. Nishida, T. Hayashi, M. Arai, and N. Shigekawa

    Appl. Phys. Lett.   105   151607   2014年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effects of thermal annealing process on the electrical properties of p(+)-Si/n-SiC heterojunctions 査読

    Liang J., Nishida S., Arai M., Shigekawa N.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   104 ( 16 )   2014年04月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4873113

    J-GLOBAL

  • Effects of thermal annealing process on the electrical properties of p+-Si/n-SiC heterojunctions

    J. Liang, S. Nishida, M. Arai, and N. Shigekawa

    Appl. Phys. Lett.   104   161604   2014年04月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells 査読

    Shigekawa Naoteru, Morimoto Masashi, Nishida Shota, Liang Jianbo

    Institute of Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   53 ( 4 )   1 - 4   2014年04月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/JJAP.53.04ER05

    CiNii Article

    J-GLOBAL

  • Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding

    14.N. Shigekawa, J. Liang, N. Watanabe, and A. Yamamoto

    Physica Status Solidi C   11 ( 42798 )   644 - 647   2014年03月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activated Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells

    Naoteru Shigekawa, et al.

    Proc. 40th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   534 - 537   2014年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding 査読

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, and Akio Yamamoto

    Physica Status Solidi C   11 ( 3-4 )   644 - 647   2014年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201300413

    J-GLOBAL

  • Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activate Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells 査読

    Shigekawa N., Morimoto M., Chai L., Onitsuka R., Liang J., Juso H., Agui T., Takamoto T.

    2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC)   534 - 537   2014年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2014.6924976

    J-GLOBAL

  • I-V characteristics in Surface-Activated Bonding (SAB) based Si/SiC junctions at raised ambient temperatures 査読

    Shota Nishida, Jianbo Liang, Masashi Morimoto,Naoteru Shigekawa, and Manabu Arai

    Materials Science Forum   778/780 ( Pt.2 )   718 - 721   2014年（ ISSN:0255-5476 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.718

    J-GLOBAL

  • Phase separation of thick (>1 μm) InxGa1-xN (x > 0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In–Ga and GaN-rich InGaN 査読

    Akio Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, Akihiro Mihara, Norihiko Narita, Naoteru Shigekawa, and Masaki Kuzuhara

    Applied Physics Express   7 ( 3 )   1 - 35502   2014年（ ISSN:1882-0778|1882-0786 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.7.035502

    J-GLOBAL

  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells 査読

    Shigekawa Naoteru, Liang Jianbo, Morimoto Masashi, Nishida Shota

    SEMICONDUCTOR WAFER BONDING 13: SCIENCE, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS   64 ( 5 )   235 - 242   2014年（ ISSN:1938-6737|1938-5862 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1149/06405.0235ecst

    J-GLOBAL

  • I-V characteristics in surface-activated bonding (SAB) based Si/SiC junctions in raised ambient temperatures

    S. Nishida, J. Liang, M. Morimoto, and M. Arai

    Materials Science Forum   778-780   718   2014年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Surface-activated-bonding-based InGaP-on-Si double-junction cells

    M. Morimoto, S. Nishida, and J. Liang

    Japanese Journal of Applied Physics   53   04ER05   2014年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Phase separation of thick (~1 µm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si (111): Simulateneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

    A. Yamamoto, M. T. Hasan, A. Mihara, and M. Kuzuhara

    Applied Physics Express   7   35502   2014年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 (電子部品・材料) 査読

    梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 330 )   27 - 30   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて異なるドーピング濃度を有する種々の半導体材料のpn接合、n-on-p InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(111)Si 2接合太陽電池の作製及び電気特性の評価を行った。高不純物濃度の半導体接合層からなるpn接合の電流電圧特性はオーミック性を示した。界面抵抗値は不純物濃度の増加とともに減少しp^+-GaAs/n^<++>-Si接合において最も低い界面抵抗値0.13Ω・cm^2を得た。その値は太陽電池応用上十分低いと考えられる。2接合太陽電池においては、その開放電圧(V_<oc>)は各サブセルのV_<oc>の和にほぼ等しく、n-on-p InGaP/(100)Si 2接合太陽電池において各サブセルの変換効率を上回る変換効率(11.1%)を得た。これらの結果から、SAB法はシリコン基板上に高効率多接合太陽電池の作成に適している。

    CiNii Article

  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

    渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 331 )   31 - 34   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQWのペア数が多いほど、短絡電流は増大する傾向があるが、これらは短絡電流が光誘起キャリアの輸送特性が拡散長で規定される拡散過程により律速される、と仮定したモデルにより再現されることを確認した。また、本モデルに基いて最適なMQW構造に関して考察し、バリア層厚を薄くすることにより、より高い短絡電流を得られることを示した。

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  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (電子デバイス) 査読

    渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 329 )   31 - 34   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQWのペア数が多いほど、短絡電流は増大する傾向があるが、これらは短絡電流が光誘起キャリアの輸送特性が拡散長で規定される拡散過程により律速される、と仮定したモデルにより再現されることを確認した。また、本モデルに基いて最適なMQW構造に関して考察し、バリア層厚を薄くすることにより、より高い短絡電流を得られることを示した。

    CiNii Article

  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察 (電子部品・材料) 査読

    渡邉 則之, 満原 学, 横山 春喜, 梁 剣波, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 330 )   31 - 34   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQWのペア数が多いほど、短絡電流は増大する傾向があるが、これらは短絡電流が光誘起キャリアの輸送特性が拡散長で規定される拡散過程により律速される、と仮定したモデルにより再現されることを確認した。また、本モデルに基いて最適なMQW構造に関して考察し、バリア層厚を薄くすることにより、より高い短絡電流を得られることを示した。

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  • 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

    西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 331 )   21 - 25   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp^+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処理あり)の物理特性および電気特性を走査型電子顕微鏡(SEM)、電流-電圧(I-V)、容量-電圧(C-V)、およびブレークダウン特性により評価した。p^+-Si/n-4H-SiC接合の電流-電圧(I-V)特性は、室温において整流特性を示した。容量-電圧(C-V)特性より抽出したp^+-Si/n-4H-SiC接合のフラットバンド電圧は1.0V程度であり、p^+-Si/n-4H-SiC接合の伝導帯オフセットはほぼゼロ(〜0.02eV)であるという結果を得た。また、ブレークダウン特性より得られたブレークダウン電圧からp^+-Si/n-4H-SiC接合のブレークダウン電界強度(アニール処理なし:〜0.88MV/cm,アニール処理あり:〜2.11MV/cm)を推定した。この結果はSiの絶縁破壊電界強度(〜0.3MV/cm)およびSi/Si Abrupt接合におけるブレークダウン電界強度(〜0.65MV/cm)と比較して優れた値を示した。

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  • 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 (電子デバイス) 査読

    西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 329 )   21 - 25   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp^+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処理あり)の物理特性および電気特性を走査型電子顕微鏡(SEM)、電流-電圧(I-V)、容量-電圧(C-V)、およびブレークダウン特性により評価した。p^+-Si/n-4H-SiC接合の電流-電圧(I-V)特性は、室温において整流特性を示した。容量-電圧(C-V)特性より抽出したp^+-Si/n-4H-SiC接合のフラットバンド電圧は1.0V程度であり、p^+-Si/n-4H-SiC接合の伝導帯オフセットはほぼゼロ(〜0.02eV)であるという結果を得た。また、ブレークダウン特性より得られたブレークダウン電圧からp^+-Si/n-4H-SiC接合のブレークダウン電界強度(アニール処理なし:〜0.88MV/cm,アニール処理あり:〜2.11MV/cm)を推定した。この結果はSiの絶縁破壊電界強度(〜0.3MV/cm)およびSi/Si Abrupt接合におけるブレークダウン電界強度(〜0.65MV/cm)と比較して優れた値を示した。

    CiNii Article

  • 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 (電子部品・材料) 査読

    西田 将太, 梁 剣波, 森本 雅史, 重川 直輝, 新井 学

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 330 )   21 - 25   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp^+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処理あり)の物理特性および電気特性を走査型電子顕微鏡(SEM)、電流-電圧(I-V)、容量-電圧(C-V)、およびブレークダウン特性により評価した。p^+-Si/n-4H-SiC接合の電流-電圧(I-V)特性は、室温において整流特性を示した。容量-電圧(C-V)特性より抽出したp^+-Si/n-4H-SiC接合のフラットバンド電圧は1.0V程度であり、p^+-Si/n-4H-SiC接合の伝導帯オフセットはほぼゼロ(〜0.02eV)であるという結果を得た。また、ブレークダウン特性より得られたブレークダウン電圧からp^+-Si/n-4H-SiC接合のブレークダウン電界強度(アニール処理なし:〜0.88MV/cm,アニール処理あり:〜2.11MV/cm)を推定した。この結果はSiの絶縁破壊電界強度(〜0.3MV/cm)およびSi/Si Abrupt接合におけるブレークダウン電界強度(〜0.65MV/cm)と比較して優れた値を示した。

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  • 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 (レーザ・量子エレクトロニクス) 査読

    梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 331 )   27 - 30   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて異なるドーピング濃度を有する種々の半導体材料のpn接合、n-on-p InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(111)Si 2接合太陽電池の作製及び電気特性の評価を行った。高不純物濃度の半導体接合層からなるpn接合の電流電圧特性はオーミック性を示した。界面抵抗値は不純物濃度の増加とともに減少しp^+-GaAs/n^<++>-Si接合において最も低い界面抵抗値0.13Ω・cm^2を得た。その値は太陽電池応用上十分低いと考えられる。2接合太陽電池においては、その開放電圧(V_<oc>)は各サブセルのV_<oc>の和にほぼ等しく、n-on-p InGaP/(100)Si 2接合太陽電池において各サブセルの変換効率を上回る変換効率(11.1%)を得た。これらの結果から、SAB法はシリコン基板上に高効率多接合太陽電池の作成に適している。

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  • 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成 (電子デバイス) 査読

    梁 剣波, 西田 将太, 森本 雅史, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報   113 ( 329 )   27 - 30   2013年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて異なるドーピング濃度を有する種々の半導体材料のpn接合、n-on-p InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(100)Si、p-on-n InGaP/(111)Si 2接合太陽電池の作製及び電気特性の評価を行った。高不純物濃度の半導体接合層からなるpn接合の電流電圧特性はオーミック性を示した。界面抵抗値は不純物濃度の増加とともに減少しp^+-GaAs/n^<++>-Si接合において最も低い界面抵抗値0.13Ω・cm^2を得た。その値は太陽電池応用上十分低いと考えられる。2接合太陽電池においては、その開放電圧(V_<oc>)は各サブセルのV_<oc>の和にほぼ等しく、n-on-p InGaP/(100)Si 2接合太陽電池において各サブセルの変換効率を上回る変換効率(11.1%)を得た。これらの結果から、SAB法はシリコン基板上に高効率多接合太陽電池の作成に適している。

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  • Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding 査読

    Liang J., Miyazaki T., Morimoto M., Nishida S., Shigekawa N.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   114 ( 18 )   2013年11月（ ISSN:0021-8979 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4829676

    J-GLOBAL

  • Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface-activated bonding

    J. Liang, M. Morimoto, S. Nishida, and N. Shigekawa

    Phys. Status Solidi C   10   1644   2013年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x similar to 0.3) grown on GaN/alpha-Al2O3(0001) template 査読

    Yamamoto Akio, Mihara Akihiro, Shigekawa Naoteru, Narita Norihiko

    APPLIED PHYSICS LETTERS   103 ( 8 )   2013年08月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.4819075

    J-GLOBAL

  • Observation of Negative Differential Resistance in a GaN/AlGaN/GaN: Possible Tunneling Junction Using Polarization 査読

    Watanabe Noriyuki, Yokoyama Haruki, Shigekawa Naoteru

    The Japan Society of Applied Physics　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 8 )   08JN03 - 08JN03-3   2013年08月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    We report an anomalous current--voltage behavior in an n-type GaN/undoped InGaN/undoped GaN/undoped AlGaN/n-type GaN diode grown by metalorganic chemical vapor deposition. The tunneling-junction-like band profile of the undoped GaN/undoped AlGaN/n-type GaN (GAG) structure is formed by a spontaneous and piezo polarization effect. We observe negative-differential resistance (NDR) behavior in the diode with the GAG structure. The NDR behavior suggests a possible tunneling junction consisting in the GAG structure.

    DOI： 10.7567/JJAP.52.08JN03

    CiNii Article

    J-GLOBAL

  • A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate 査読

    Yamamoto Akio, Mihara Akihiro, Zheng Yangdong, Shigekawa Naoteru

    公益社団法人　応用物理学会　JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   52 ( 8 )   08JD03 - 08JD03-3   2013年08月（ ISSN:0021-4922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    本著作物の著作権は公益社団法人応用物理学会に帰属します。／©（公社）応用物理学会　2013／© 2013 The Japan Society of Applied PhysicsThe growth of InGaN with intermediate In compositions on GaN/sapphire template and AlN/Si(111) substrate has been comparatively studied. By using an metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) system with a horizontal reactor, InGaN films are grown at a temperature of 600–800 °C in the pressure of 150 Torr. By optimizing growth temperature and trimethylindium/(trimethylindium+ triethylgallium) molar ratio, single crystalline InxGa1-xN with x = 0–1 are successfully grown on both substrates. The films grown at a relatively high temperature (≥700 °C) with In compositions of 0.3 or less show phase separation when their thickness exceeds a critical value (0.25–0.4 µm), while the samples grown at 600 °C with In compositions of 0.35–0.5 show no phase separation even if the thickness is increased to 0.7 µm. To evaluate the crystalline quality of grown films, FWHM of X-ray rocking curve (XRC) for InGaN(0002), tilt, is measured. There is no marked difference in tilt data between films grown on GaN/α-Al2O3(0001) and AlN/Si(111). For the samples grown at 600 °C with In contents of 0.35–0.5, tilt data are drastically increased and widely scattered suggesting the existence of important unknown parameters that govern crystalline quality of InGaN grown at a relatively low temperature.

    DOI： 10.7567/JJAP.52.08JB19

    CiNii Article

    J-GLOBAL

  • Surface-activating-bonding-based low-resistance Si/III-V junctions 査読

    Liang J., Nishida S., Morimoto M., Shigekawa N.

    ELECTRONICS LETTERS   49 ( 13 )   830 - 831   2013年06月（ ISSN:0013-5194 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1049/el.2013.1553

    J-GLOBAL

  • Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 査読

    Liang Jianbo, Miyazaki Tatsuya, Morimoto Masashi, NISHIDA Shota, WATANABE Noriyuki, SHIGEKAWA Naoteru

    Japan Society of Applied Physics　Applied physics express   6 ( 2 )   "021801 - 1"-"021801-3"   2013年02月（ ISSN:18820778 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    CiNii Article

  • MOVPE Growth of InxGa1-xN (x~0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface

    A. Yamamoto, A. Mihara, D. Hironaga, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Shigekawa, N. Watanabe

    Physica Status Solidi (C)   10   437 - 440   2013年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding 査読

    Liang Jianbo, Miyazaki Tatsuya, Morimoto Masashi, Nishida Shota, Watanabe Noriyuki, Shigekawa Naoteru

    APPLIED PHYSICS EXPRESS   6 ( 2 )   1 - 21801   2013年02月（ ISSN:1882-0778 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.7567/APEX.6.021801

    J-GLOBAL

  • Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface Activated Bonding

    Jianbo Liang, Tatsuya Miyazaki, Masashi Morimoto, Shota Nishida, Noriyuki Watanabe, Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Express   6   021801-1-021801-3   2013年01月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface Activated Bonding

    N. Shigekawa, J. Liang, and N. Watanabe

    Proc. 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2470 - 2473   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface activated bonding 査読

    Jianbo Liang, Masashi Morimoto, Shota Nishida, and Naoteru Shigekawa

    Physica Status Solidi C   10 ( 11 )   1644 - 1647   2013年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201300235

    J-GLOBAL

  • Demonstration of Nitride-on-Phosphide Hybrid Tandem Solar Cells by Using Surface-Activated Bonding 査読

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, and Noriyuki Watanabe

    Proceedings of 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2470 - 2473   2013年（ ISSN:0160-8371 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/PVSC.2013.6744976

    J-GLOBAL

  • MOVPE growth of InxGa1-xN (x similar to 0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface 査読

    Yamamoto A., Mihara A., Hironaga D., Sugita K., Bhuiyan A. G., Hashimoto A., Shigekawa N., Watanabe N.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 3   10 ( 3 )   437 - 440   2013年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201200649

    J-GLOBAL

  • MOVPE-grown n-InxGa1-xN (x similar to 0.5)/p-Si(111) template as a novel substrate 査読

    Yamamoto A., Mihara A., Sugita K., Davydov V. Yu, Shigekawa N.

    LIGHT-EMITTING DIODES: MATERIALS, DEVICES, AND APPLICATIONS FOR SOLID STATE LIGHTING XVII   8641   2013年（ ISSN:0277-786X ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1117/12.999272

    J-GLOBAL

  • Electrical properties of Si/Si interfaces by using surface-activated bonding

    J. Liang, T. Miyazaki, M. Morimoto, S. Nishida

    Journal of Applied Physics   114   183703   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Band structures of Si/InGaP heterojunctions by using surface-activated bonding

    J. Liang, M. Morimoto, S. Nishida

    Physica Status Solidi C   10   1644   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x~0.3) grown on GaN/a-Al2O3(0001) template

    6.A. Yamamoto, A. Mihara, and N. Narita

    Applied Physics Letters   103   82113   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Surface-activating-bonding-based low-resistance Si/III-V junctions

    J. Liang, S. Nishida, M. Morimoto

    Electronics Letters   49 ( 13 )   830   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate

    A. Yamamoto, A. Mihara, Y. Zheng

    Japnese Journal of Applied Physics   52   08JB19   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Observation of Negative Differential Resistance in a GaN/AlGaN/GaN: Possible Tunneling Junction Using Polarization

    N. Watanabe, H. Yokoyama

    Japanese Journal of Applied Physics   52   08JN03   2013年

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Electrical Properties of Si-based Junctions by SAB

    N. Shigekawa, N. Watanabe, E. Higurashi

    Proc. 3rd International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration   109 - 112   2012年12月

  • 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 査読

    梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   112 ( 329 )   1 - 5   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて作製したn-Si/n-Si接合,n-Si/n-GaNヘテロ接合、p-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性を評価した。n-Si/n-Si接合とn-Si/n-GaN接合の電流電圧(I-V)特性は、室温においてオーミック特性を示した。ダイシングによって作製した複数個のn-Si/n-Si接合チップのI-V特性はほぼ一致した。温度依存性測定後のn-Si/n-GaN接合には破損等は認められなかった。p-Si/n-GaAs接合は良好な整流特性を示した。容量-電圧特性から求めたp-Si/n-GaAs接合のフラットバンド電圧は1.6V程度で、界面に電荷が存在しない状態でのp-Si/n-GaAsヘテロ接合の拡散電位とほぼ一致した。これらの結果は、SAB法は新たな機能デバイスを作製する手段として有望であることを示す。

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  • GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 査読

    渡邉 則之, 横山 春喜, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   112 ( 329 )   21 - 24   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition:MOCVD)により、GaN基板上にn-GaN/un-InGaN/un-GaN/un-AlGaN/n-GaNを成長し、n-i-n型のダイオードを作製した。un-GaN/un-AlGaN/n-GaN(GAG)構造は、自発分極およびピエゾ分極の効果によりトンネル接合に近いバンドプロファイルを示す。このダイオードの電流-電圧特性を評価したどころ、負性微分抵抗特性を得た。この負性微分特性はGAG構造によるトンネル接合の可能性を示唆するものである。

    CiNii Article

  • GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 査読

    渡邉 則之, 横山 春喜, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112 ( 327 )   21 - 24   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition:MOCVD)により、GaN基板上にn-GaN/un-InGaN/un-GaN/un-AlGaN/n-GaNを成長し、n-i-n型のダイオードを作製した。un-GaN/un-AlGaN/n-GaN(GAG)構造は、自発分極およびピエゾ分極の効果によりトンネル接合に近いバンドプロファイルを示す。このダイオードの電流-電圧特性を評価したところ、負性微分抵抗特性を得た。この負性微分特性はGAG構造によるトンネル接合の可能性を示唆するものである。

    CiNii Article

  • GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 査読

    渡邉 則之, 横山 春喜, 重川 直輝

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 ( 328 )   21 - 24   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition:MOCVD)により、GaN基板上にn-GaN/un-InGaN/un-GaN/un-AlGaN/n-GaNを成長し、n-i-n型のダイオードを作製した。un-GaN/un-AlGaN/n-GaN(GAG)構造は、自発分極およびピエゾ分極の効果によりトンネル接合に近いバンドプロファイルを示す。このダイオードの電流-電圧特性を評価したところ、負性微分抵抗特性を得た。この負性微分特性はGAG構造によるトンネル接合の可能性を示唆するものである。

    CiNii Article

  • 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 査読

    梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料   112 ( 328 )   1 - 5   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて作製したn-Si/n-Si接合,n-Si/n-GaNヘテロ接合、p-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性を評価した。n-Si/n-Si接合とn-Si/n-GaN接合の電流電圧(I-V)特性は、室温においてオーミック特性を示した。ダイシングによって作製した複数個のn-Si/n-Si接合チップのI-V特性はほぼ一致した。温度依存性測定後のn-Si/n-GaN接合には破損等は認められなかった。p-Si/n-GaAs接合は良好な整流特性を示した。容量-電圧特性から求めたp-Si/n-GaAs接合のフラットバンド電圧は1.6V程度で、界面に電荷が存在しない状態でのp-Si/n-GaAsヘテロ接合の拡散電位とほぼ一致した。これらの結果は、SAB法は新たな機能デバイスを作製する手段として有望であることを示す。

    CiNii Article

  • 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 査読

    梁 剣波, 重川 直輝, 日暮 栄治

    一般社団法人電子情報通信学会　電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112 ( 327 )   1 - 5   2012年11月（ ISSN:0913-5685 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    表面活性化ボンディング(SAB)法を用いて作製したn-Si/n-Si接合,n-Si/n-GaNヘテロ接合、p-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性を評価した。n-Si/n-Si接合とn-Si/n-GaN接合の電流電圧(I-V)特性は、室温においてオーミック特性を示した。ダイシングによって作製した複数個のn-Si/n-Si接合チップのI-V特性はほぼ一致した。温度依存性測定後のn-Si/n-GaN接合には破損等は認められなかった。p-Si/n-GaAs接合は良好な整流特性を示した。容量-電圧特性から求めたp-Si/n-GaAs接合のフラットバンド電圧は1.6V程度で、界面に電荷が存在しない状態でのp-Si/n-GaAsヘテロ接合の拡散電位とほぼ一致した。これらの結果は、SAB法は新たな機能デバイスを作製する手段として有望であることを示す。

    CiNii Article

  • Barrier Thickness Dependence of Photovoltaic Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells

    Noriyuki Watanabe, Haruki Yokoyama, Naoteru Shigekawa, Ken-ichi Sugita, Akio Yamamoto

    Japanese Jounral of Applied Physics   51 ( 10 )   10ND10-1-10ND10-5   2012年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Reduction of In Composition in Heavily Zn-Doped InAlGaAs Layers Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

    Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi, Naoteru Shigekawa, and Minoru Ida

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 2 )   025601-1-025601-4   2012年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Inverted InAlAs/InGaAs Avalanche Photodiode with Low-High-Low Electric Field Profile 査読

    Nada Masahiro, Muramoto Yoshifumi, Yokoyama Haruki, Shigekawa Naoteru, Ishibashi Tadao, Kodama Satoshi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 2,Issue 2 )   1 - 2   2012年02月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.02BG03

    J-GLOBAL

  • Reduction of In Composition in Heavily Zn-Doped InAlGaAs Layers Grown at Low Temperature by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 査読

    Yokoyama Haruki, Hoshi Takuya, Shigekawa Naoteru, Ida Minoru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   51 ( 2,Issue 1 )   1 - 25601   2012年02月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.51.025601

    J-GLOBAL

  • Inverted InAlAs/InGaAs Avalanche Photodiode with Low-High-Low Electric Field Profile

    Masahiro Nada, Yoshifumi Muramoto, Haruki Yokoyama, Naoteru Shigekawa, Tadao Ishibashi, Satoshi Kodama

    Japanese Journal of Applied Physics   51 ( 2 )   02BG03-1-02BG03-4   2012年02月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Optimization of AlGaN-based spacer layer for InAlN/GaN interfaces 査読

    Akazawa M., Gao B., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 ( 3-4 )   592 - 595   2012年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201100319

    J-GLOBAL

  • MOVPE growth of InGaN on Si(111) substrates with an intermediate range of In content 査読

    Bhuiyan Ashraful G., Mihara A., Esaki T., Sugita K., Hashimoto A., Yamamoto A., Watanabe N., Yokoyama H., Shigekawa N.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4   9 ( 3-4 )   670 - 672   2012年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201100355

    J-GLOBAL

  • Optimization of AlGaN-based spacer layer for InAlN/GaN interfaces

    M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, N. Shigekawa

    Physica Status Solidi (C)   9 ( 42798 )   592 - 595   2011年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • MOVPE growth of InGaN on Si(111) substrates with an intermediate range of In content

    Ashraful G. Bhuiyan, A. Mihara, T. Esaki, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, N. Watanabe, H. Yokoyama, N. Shigekawa

    Physica Status Solidi (C)   9 ( 42798 )   670 - 672   2011年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Al0.44Ga0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures 査読

    Akazawa M., Gao B., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   98 ( 14 )   142117   2011年04月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.3578449

    J-GLOBAL

  • Al0.44Ga0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures

    M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, and N. Shigekawa

    Applied Physics Letters   98 ( 14 )   142117-1-142117-3   2011年03月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読

    Akazawa M., Gao B., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   109 ( 1 )   13703   2011年01月（ ISSN:1089-7550|0021-8979 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.3527058

    J-GLOBAL

  • Measurement of valence-band offsets of InAlN/GaN heterostructures grown by metal-organic vapor phase epitaxy

    M. Akazawa, B. Gao, T. Hashizume, M. Hiroki, S. Yamahata, N. Shigekawa

    Journal of Applied Physics   109 ( 1 )   013703-1-013703-8   2011年01月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Investigation of polarization-induced electric field in ultrathin InAlN layers on GaN by X-ray photoelectron spectroscopy 査読

    Akazawa M., Hashizume T., Gao B., Yamahata S., Hiroki M., Shigekawa N.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 7-8   8 ( 7-8 )   2139 - 2141   2011年（ ISSN:1610-1642|1862-6351 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.201000917

    J-GLOBAL

  • Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs

    Naoteru Shigekawa, Suehiro Sugitani

    IEICE Transaction on Electronics   E93-C ( 8 )   1212 - 1217   2010年08月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs 査読

    Shigekawa Naoteru, Sugitani Suehiro

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E93C ( 8 )   1212 - 1217   2010年08月（ ISSN:0916-8524 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/transele.E93.C.1212

  • Suppression of space charge effect in MIC-PD using composite field structure 査読

    Yoshimatsu T., Muramoto Y., Kodama S., Furuta T., Shigekawa N., Yokoyama H., Ishibashi T.

    ELECTRONICS LETTERS   46 ( 13 )   941 - 943   2010年06月（ ISSN:0013-5194|1350-911X ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1049/el.2010.0964

    J-GLOBAL

  • Dependence of Electrical Properties of InAlN/GaN and InAlN/AlGaN/GaN Heterostructures FETs on the AlN Interlayer Thickness 査読

    Hiroki Masanobu, Maeda Narihiko, Shigekawa Naoteru

    IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS   E93-C ( 5 )   579 - 584   2010年05月（ ISSN:0916-8524|1745-1353 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/transele.E93.C.579

    J-GLOBAL

  • Small valence-band offset of In0.17Al0.83N/GaN heterostructure grown by metal-organic vapor phase epitaxy 査読

    Akazawa M., Matsuyama T., Hashizume T., Hiroki M., Yamahata S., Shigekawa N.

    APPLIED PHYSICS LETTERS   96 ( 13 )   132104   2010年03月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.3368689

    J-GLOBAL

  • Suppression of space charge effect in MIC-PD using composite field structure

    T. Yoshimatsu, Y. Muramoto, S. Kodama, T. Furuta, N. Shigekawa, H. Yokoyama, and T. Ishibashi

    Electronics Letters   46 ( 13 )   941 - 943   2010年01月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Compressively Strained InxAl1-xN/Al0.22Ga0.78N/GaN (x=0.245-0.325) Heterostructure Field Effect Transistors with Regrown AlGaN Contact Layers 査読

    Hiroki Masanobu, Maeda Narihiko, Shigekawa Naoteru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   49 ( 4,Issue 2 )   1 - 4   2010年（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.49.04DF13

    J-GLOBAL

  • Numerical analysis of impact of stress in passivation films on electrical properties in AlGaN/GaN heterostructures 査読

    Shigekawa Naoteru, Sugitani Suehiro

    IEICE ELECTRONICS EXPRESS   6 ( 14 )   1045 - 1050   2009年07月（ ISSN:1349-2543 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/elex.6.1045

    J-GLOBAL

  • DC variable harmonic pass band operation of AlGaN/GaN surface acoustic wave devices 査読

    Hohkawa Kohji, Koh Keishin, Nishimura Kazumi, Shigekawa Naoteru

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47 ( 9 Issue 1 )   7104 - 7107   2008年09月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.47.7104

    J-GLOBAL

  • Surface acoustic waves in reverse-biased AlGaN/GaN hetero structures 査読

    Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Yokoyama Haruki, Hohkawa Kohji

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   55 ( 7 )   1585 - 1591   2008年07月（ ISSN:1557-9646|0018-9383 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/TED.2008.923565

    J-GLOBAL

  • SAW filters composed of interdigital Schottky and Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures 査読

    Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Suemitsu Tetsuya, Yokoyama Haruki, Hohkawa Kohji

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   28 ( 2 )   90 - 92   2007年02月（ ISSN:0741-3106|1558-0563 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LED.2006.889043

    J-GLOBAL

  • Interdigital transducers with control gates on AlGaN/GaN heterostructures 査読

    Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Suemitsu Tetsuya, Yokoyama Haruki, Hohkawa Kohji

    APPLIED PHYSICS LETTERS   89 ( 3 )   2006年07月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.2221899

    J-GLOBAL

  • SAW characteristics of GaN with n(+)-GaN IDTs 査読

    Nishimura K, Shigekawa N, Yokoyama H, Hohkawa K

    ELECTRONICS LETTERS   42 ( 1 )   62 - 63   2006年01月（ ISSN:0013-5194|1350-911X ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1049/el:20063748

    J-GLOBAL

  • Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs 査読

    Shiojima K., Makimura T., Maruyama T., Suemitsu T., Shigekawa N., Hiroki M., Yokoyama H.

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6   3 ( 6 )   2360 - 2363   2006年（ ISSN:1862-6351|1610-1634 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.200565130

    J-GLOBAL

  • Dual-gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with short gate length for high-power mixers 査読

    Shiojima K, Makimura T, Maruyama T, Kosugi T, Suemitsu T, Shigekawa N, Hiroki M, Yokoyama H

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3   3 ( 3 )   469 - 472   2006年（ ISSN:1610-1634 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.200564104

    J-GLOBAL

  • Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate high-electron-mobility transistors on sapphire substrates 査読

    Shiojima K, Makimura T, Suemitsu T, Shigekawa N

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 12 )   8435 - 8440   2005年12月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.44.8435

    J-GLOBAL

  • Velocity dispersion in GaN-based surface acoustic wave filters on (0001) sapphire substrates 査読

    Shigekawa Naoteru, Nishimura Kazumi, Yokoyama Haruki, Shiojima Kenji, Hohkawa Kohji

    IEICE ELECTRONICS EXPRESS   2 ( 19 )   495 - 500   2005年10月（ ISSN:1349-2543 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/elex.2.495

    J-GLOBAL

  • SAW characteristics of GaN layers with surfaces exposed by dry etching 査読

    Nishimura Kazumi, Shigekawa Naoteru, Yokoyama Haruki, Hiroki Masanobu, Hohkawa Kohji

    IEICE ELECTRONICS EXPRESS   2 ( 19 )   501 - 505   2005年10月（ ISSN:1349-2543 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1587/elex.2.501

    J-GLOBAL

  • Side-gate effects on transfer characteristics in GaN-based transversal filters 査読

    Shigekawa N, Nishimura K, Yokoyama H, Hohkawa K

    APPLIED PHYSICS LETTERS   87 ( 8 )   1 - 84102   2005年08月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1063/1.2033140

    J-GLOBAL

  • Low frequency noise of AlGaN/GaN MODFETs: A comparative study of surface, barrier and heterointerface effects 査読

    Valizadeh P, Pavlidis D, Shiojima K, Makimura T, Shigekawa N

    SOLID-STATE ELECTRONICS   49 ( 8 )   1352 - 1360   2005年08月（ ISSN:0038-1101 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.sse.2005.05.009

    J-GLOBAL

  • Al/AlN/InP metal-insulator-semiconductor-diode characteristics with amorphous AlN films deposited by electron-cyclotron-resonance sputtering 査読

    Saito K, Ono T, Shimada M, Shigekawa N, Enoki T

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS   44 ( 1A )   334 - 342   2005年01月（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/JJAP.44.334

    J-GLOBAL

  • Temperature dependence of surface acoustic wave characteristics of GaN layers on sapphire substrates 査読

    Nishimura K, Shigekawa N, Yokoyama H, Hohkawa K

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 16-19 )   564 - 565   2005年（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/jjap.44.L564

    J-GLOBAL

  • AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistors on SiC substrates for high-power mixers 査読

    Shiojima K, Makimura T, Kosugi T, Sugitani S, Shigekawa N, Ishikawa H, Egawa T

    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS, VOL 2, NO 7   2 ( 7 )   2623 - 2626   2005年（ ISSN:1610-1634 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1002/pssc.200461347

    J-GLOBAL

  • Intrinsic transit delay and effective electron velocity of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 査読

    Suemitsu T, Shiojima K, Makimura T, Shigekawa N

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS   44 ( 1-7 )   211 - 213   2005年（ ISSN:0021-4922|1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1143/jjap.44.L211

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書籍等出版物

  • 異種材料の接着・接合技術とマルチマテリアル化

    重川　直輝（ 担当： 分担執筆 ,  範囲: 第10章「無機材料の低温、常温接合技術」第2節「常温異種材料接合技術によるパワー半導体、太陽電池の開発」）

    技術情報協会  2017年10月  （ ISBN:978-4-86104-682-7 ）

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    総ページ数：633   担当ページ：8   著書種別：学術書  

MISC（その他記事）

  • ダイヤモンド／異種材料直接接合によるパワーデバイスの作製と特性評価 招待

    梁　剣波, 重川直輝

    一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム・NEW DIAMOND   39 ( 4 )   4 - 9   2023年10月

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    担当区分：最終著者   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   国際・国内誌：国内誌  

  • 表面活性化接合による X on diamond 構造 招待

    重川直輝, 梁　剣波, 大野　裕

    GS Yuasaテクニカルレポート   19 ( 2 )   1 - 9   2022年12月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   掲載種別：記事・総説・解説・論説等（その他）   国際・国内誌：国内誌  

  • 常温におけるダイヤモンドと異種材料の直接接合 招待

    梁 剣波, 大野 裕, 重川 直輝

    まてりあ   61 ( 6 )   334 - 339   2022年06月（ ISSN:13402625 ） （ eISSN:18845843 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   共著区分：共著   国際・国内誌：国内誌  

    DOI： 10.2320/materia.61.334

  • ダイヤモンドと異種材料の直接接合による超耐熱マテリアルの開発とその応用について 招待

    梁 剣波, 重川 直輝

    月刊マテリアルステージ   3   67 - 70   2022年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（商業誌、新聞、ウェブメディア）   共著区分：共著   国際・国内誌：国内誌  

  • Nanostructural analysis of Al/ß-Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> interface fabricated using surface activated bonding 査読

    Wan Z.

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

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    担当区分：最終著者   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598385

  • High temperature stability of p<sup>+</sup>-Si/p-diamond heterojunction diodes 査読

    Uehigashi Y.

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598364

  • Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device 査読

    Kagawa R.

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

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    掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598453

  • Fabrication of Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation 査読

    Nagai H.

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

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    掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598380

  • Preface

    Shigekawa N.

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021   2021年10月（ ISBN:9781665405676 ）

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    掲載種別：会議報告等  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598376

  • 表面活性化接合法による厚膜・低損失配線の実現 招待

    重川　直輝, 梁　剣波, 前澤　宏一

    ケミカルエンジニヤリング（化学工業社）   65 ( 11 )   686 - 693   2020年11月

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • 高効率パワー素子の実現に向けたダイヤモンドと異種材料の直接接合技術の開発 招待

    梁　剣波、重川　直輝

    ケミカルエンジニヤリング（化学工業社）   65 ( 8 )   469 - 474   2020年08月

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • ダイヤモンドと異種材料の直接接合による高効率デバイスの実現 招待

    梁 剣波, 重川 直輝

    月刊JETI   68 ( 6 )   37 - 40   2020年06月

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • A polyimide film/aluminum foil junction by modified surface activated bonding 査読

    Akazawa H.

    Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.23919/LTB-3D.2019.8735220

  • Impact of Ar atom irradiation on the crystallinity of GaAs/Si interfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 査読

    Ohno Y.

    Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

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    掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）   共著区分：共著  

    DOI： 10.23919/LTB-3D.2019.8735300

  • Electrical properties of p Ga Aspatterned metal layer/n Si junctions 査読

    Hishida T.

    Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.23919/LTB-3D.2019.8735232

  • Directly bonded n InGaP/n Si junctions with a low interface resistance 査読

    Sakihara M.

    Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

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    担当区分：最終著者,　責任著者   掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.23919/LTB-3D.2019.8735389

  • Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam 査読

    Ohno Y.

    Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019   2019年05月（ ISBN:9784904743072 ）

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    掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）  

    DOI： 10.23919/LTB-3D.2019.8735379

  • 次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合 招待

    重川直輝, 梁剣波

    New Diamond   34 ( 4 )   3 - 5   2018年10月

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • Analysis of the influence of interface charges on the electrical characteristics of GaAs/GaN junctions 査読

    重川　直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   77   2017年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Electrical conduction of Si/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding 査読

    重川　直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   51   2017年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 査読

    重川　直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   68   2017年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Impacts of bonding-layer resistance of Si bottom cells on interface resistance in InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 査読

    重川　直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   52   2017年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature 査読

    重川　直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   4   2017年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells 査読

    重川　直輝

    2017 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS PACKAGING (ICEP)   229 - 231   2017年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Transport Characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces 査読

    重川　直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   26   2017年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Electrical characteristics of SAB-Based n(+)-n Ge/4H-SiC heterojunctions 査読

    重川　直輝

    2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   74 - 75   2016年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Effects of Ar beam irradiation on Si-Based Schottky contacts 査読

    重川　直輝

    2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   40 - 41   2016年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells 査読

    重川　直輝

    2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   114 - 115   2016年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method 査読

    重川　直輝

    2016 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   86 - 87   2016年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding 査読

    Yamajo S., Liang J., Morimoto M., Shigekawa N.

    2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   62 - 63   2015年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2015.7158550

    J-GLOBAL

  • Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces 査読

    Chai L., Nishida S., Liang J., Shigekawa N., Morimoto M.

    2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   44 - 45   2015年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2015.7158541

    J-GLOBAL

  • Electrical properties of n(+)-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding 査読

    Nishimura T., Shigekawa N., Liang J., Watanabe N.

    2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   46 - 47   2015年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2015.7158542

    J-GLOBAL

  • Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding 査読

    Shimizu S., Liang J., Nishida S., Shigekawa N., Morimoto M.

    2015 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   64 - 65   2015年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2015.7158551

    J-GLOBAL

  • Annealing Characteristics of p(+)-Si/n-4H-SiC Junctions by Using Surface-Activated Bonding 査読

    Nishida S., Liang J., Hayashi T., Morimoto M., Shigekawa N., Arai M.

    2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   54   2014年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D.2014.6886193

    J-GLOBAL

  • Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions 査読

    Morimoto M., Liang J., Nishida S., Li Chai., Takemura K., Shigekawa N.

    2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   52   2014年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D.2014.6886191

    J-GLOBAL

  • Effects of Annealing on GaAs/Si Bonding Interfaces for Hybrid Tandem Solar Cells 査読

    Chai L., Liang J., Nishida S., Morimoto M., Shigekawa N.

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   2014年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2014.6867079

    J-GLOBAL

  • Fabrication and Characterization of Si/similar to 10-mu m Mesa-Etched Si Junctions by Surface Activated Bonding 査読

    Takemura K., Nishida S., Morimoto M., Shigekawa N., Liang J.

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   2014年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2014.6867078

    J-GLOBAL

  • Improvement in elecrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing 査読

    Hayashi T., Nishida S., Liang J., Arai M., Shigekawa N.

    2014 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK)   2014年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/IMFEDK.2014.6867070

    J-GLOBAL

  • Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n(+)-Si/n-SiC junctions 査読

    Liang Jianbo, Nishida Shota, Hayashi Tomohiro, Morimoto Masashi, Shigekawa Naoteru, Arai Manabu

    2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)   53   2014年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D.2014.6886192

    J-GLOBAL

  • Type II band lineup in SAB-Based GaAs/Si Heterojunctions 査読

    重川　直輝

    2013 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK2013)   2013年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • 表面活性化ウェハボンディングによる半導体接合の特性評価

    重川直輝, 渡邊則之, 日暮栄治

    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)   59th   2012年

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  • 25-Gbit/s RECEIVER OPTICAL SUBASSEMBLY USING MAXIMIZED-INDUCED-CURRENT PHOTODIODE 査読

    重川　直輝

    2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年（ ISSN:1092-8669 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • A CAN-type MIC-PD ROSA operating at 40-Gbit/s 査読

    重川　直輝

    2010 36TH EUROPEAN CONFERENCE AND EXHIBITION ON OPTICAL COMMUNICATION (ECOC), VOLS 1 AND 2   2010年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • COMPOSITE-FIELD MIC-PDS FOR LOW-BIAS-VOLTAGE OPERATION 査読

    重川　直輝

    2010 22ND INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM)   2010年（ ISSN:1092-8669 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Continuous-wave Terahertz Spectroscopic Imaging at over 1 THz for Pharmaceutical Applications 査読

    重川　直輝

    35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010)   2010年

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • ULTRA-THIN InAIP/InGaAs HETEROJUNCTIONS GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY 査読

    重川　直輝

    2009 IEEE 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM)   222 - +   2009年（ ISSN:1092-8669 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

    DOI： 10.1109/ICIPRM.2009.5012488

  • Single Phase Transducer Consisting of AlGaN/GaN 査読

    HOHKAWA Kohji, OSHIYAMA Satoshi, TERAO Yuji, KOH Keishin, NISHIMURA Kazumi, SHIGEKAWA Naoteru

    2008 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-4 AND APPENDIX   2008 Vol.4   1928 - 1931   2008年（ ISSN:1051-0117 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/ULTSYM.2008.0475

    J-GLOBAL

  • Wideband Layer Mode Acoustic Devices on GaN/Sapphire Substrate 査読

    重川　直輝

    2006 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-5, PROCEEDINGS   2301 - +   2006年（ ISSN:1051-0117 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • AlGaN/GaN dual-gate HEMT mixers for 24 GHz pulse-modulation 査読

    重川　直輝

    2006 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST, VOLS 1-5   1331 - +   2006年（ ISSN:0149-645X ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

    DOI： 10.1109/MWSYM.2006.249494

  • Basic Study on SAW Device with Semiconductor Layer as IDTs and Control Means for Variable Operation 査読

    重川　直輝

    2006 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-5, PROCEEDINGS   2314 - +   2006年（ ISSN:1051-0117 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）   共著区分：単著  

  • Transfer effects of induced carriers by SAW 査読

    KANESHIRO C., KOH K., HOHKAWA K., NISHIMURA K., SHIGEKAWA N.

    2005 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM, VOLS 1-4   2005 Vol.4   1896 - 1899   2005年（ ISSN:1051-0117 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/ULTSYM.2005.1603243

    J-GLOBAL

  • Layer mode devices on epitaxially grown GaN films on Al2O3 査読

    HOHKAWA K., KANESHIRO C., KOH K., NISHIMURA K., SHIGEKAWA N.

    2005 IEEE Ultrasonics Symposium, Vols 1-4   2005 Vol.3   1600 - 1603   2005年（ ISSN:1051-0117 ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/ULTSYM.2005.1603167

    J-GLOBAL

  • Study on photo-induced acoustic charge transport effect in GaN film 査読

    HOHKAWA K, KANESHIRO C, KOH K, NISHIMURU K, SHIGEKAWA N

    2005 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM, VOLS 1-4   421 - 424   2005年（ ISSN:0149-645X ）

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    掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）  

    DOI： 10.1109/MWSYM.2005.1516618

    J-GLOBAL

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講演・口頭発表等

  • シリコン非対称粒界の形成過程とその機能 国内会議

    大野 裕, 斉藤 光, 梁 剣波, 重川 直輝, 横井 達矢, 松永 克志, 井上 耕治, 永井 康介, 波多 聰

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京  

  • 低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs構造の作製 国内会議

    富山 葉月, 浦谷 泰基, 坂井田 佳紀, 西林 良樹, 竹内 茉莉花, 重川 直輝, 梁 剣波

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京  

  • [第45回論文奨励賞受賞記念講演] 静電引力顕微鏡による半導体上での定量的静電容量測定 招待 国内会議

    福澤 亮太, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：東京  

  • Si太陽電池に対する高光学密度ZnSe/ZnS:Mn/ZnS ナノ粒子薄膜の堆積効果 国内会議

    住本 雄基, 井筒 由紀, 粟井 啓伍, 梁 剣波, 金 大貴, 重川 直輝

    2024年第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京  

  • ダイヤモンド基板上低熱抵抗窒化物トランジスタの作製 招待 国内会議

    重川直輝, 梁剣波

    日本学術振興会第R032委員会　第15回研究会  2024年01月  日本学術振興会第R032委員会

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：四日市及びオンライン  

  • 常温接合技術による新機能界面・デバイスの創成 招待 国内会議

    重川 直輝, 梁 剣波, 大野 裕, 井上 耕治, 永井 康介

    ワイドギャップ半導体学会第14回研究会  2023年12月  ワイドギャップ半導体学会

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    開催地：沖縄県糸満市  

  • Low-Temperature Direct Bonding of Diamond—Approach for Fabricating Low-Thermal-Resistance Widegap Devices 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Ryo Kagawa, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai,

    2023 MRS Fall Meeting  2023年11月  Materials Research Society

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Boston, USA  

  • Fabrication of nitride/3C-SiC/polycrystalline diamond heterostructures for efficient thermal management of power devices 国際会議

    Chiharu Moriyama, Keisuke Kawamura, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Yutaka Ohno, Koji Inoue, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)  2023年11月  The Japan Association for Crystal Growth

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Fukuoka, Japan  

  • Fabrication and Electrical Characterization of GaAs/GaN Junctions 国際会議

    S. Ishimi, M. Hirose, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

    244th ECS Meeting  2023年10月  Electrochemical Society

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    開催地：Gothenburg, Sweden  

  • 高放熱パワーデバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-polycrystalline diamond HEMTs構造の作製 国内会議

    森山 千春, 川村 啓介, 大内 澄人, 浦谷 泰基, 大野 裕, 井上 耕治, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

    2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本  

  • 表面活性化接合法で作製したGaN/GaN界面近傍のケルビン・プローブ・フォース顕微鏡による断面計測 国内会議

    文 思翰, 澤井 一樹, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

    2023年 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会  2023年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本  

  • Integration of 3C-SiC and polycrystalline diamond for large-scale high-performance GaN device production 国際会議

    Jianbo Liang, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida, Sumito Ouchi, Hiroki Uratani, Chiharu Moriyama, Hazuki Tomiyama, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Mallorca, Spain  

  • Integration of Si and polycrystalline diamond by a surface-activated bonding method 国際会議

    Jianbo Liang, Yoshiki Nishibayashi, Minori Teramoto, Marika Takeuchi, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    33rd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM 2023)  2023年09月  Elsevier

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：Mallorca, Spain  

  • ダイヤモンド直接接合による半導体素子の熱抵抗低減 招待 国内会議

    重川直輝

    応用物理学会先進パワー半導体分科会　第２５回研究会  2023年09月  応用物理学会 先進パワー半導体分科会

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：東京  

  • ダイヤモンド//異種材料接合の高機能化合物半導体素子応用 国内会議

    重川　直輝, 香川　諒, 梁　剣波, 清水　康雄, 大野　裕, 永井　康介

    電気学会　2023 年　電子・情報・システム部門大会  2023年08月  電気学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：北海道  

  • 半導体デバイスプロセスに革新をもたらす異種材料直接接合 招待 国内会議

    重川直輝

    日本真空工業会関西支部第37回定時総会並びに講演会  2023年06月  日本真空工業会関西支部

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    会議種別：口頭発表（基調）  

    開催地：大阪  

  • GaN HEMT on-diamond構造の作製及び特性評価 国内会議

    早川 譲稀, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京  

  • α-Ga2O3/4H-SiC直接接合の作製と界面構造の評価 国内会議

    山本 誠志郎, 大島 祐一, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京  

  • High Performance GaN-on-Diamond Devices Fabrication using Diamond Wafer Bonding Technology 招待 国際会議

    Jianbo Liang, Yutaka Ohno and Naoteru Shigekawa

    Hasselt Diamond Workshop 2023 - SBDD XXVII  2023年03月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Hasselt, Belgium  

  • 転位発生源となるシリコン非対称傾角粒界の形成過程 国内会議

    大野 裕, 斉藤 光, 梁 剣波, 横井 達矢, 松永 克志, 重川 直輝, 井上 耕治, 永井 康介, 波多 聰

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京  

  • Characterization of GaN/GaN interfaces fabricated by surface-activated bonding 国際会議

    Kazuki Sawai, Jianbo liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanoparticles (ISPlasma2023)  2023年03月  Japan Society of Applied Physics

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Gifu, Japan  

  • Direct wafer bonding of nitride and its application for advanced devices 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Yutaka Ohno

    15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanoparticles (ISPlasma2023)  2023年03月  Japan Society of Applied Physics

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Gifu, Japan  

  • Effects of thick luminescent down-shifting layers with ZnSe/ZnS:Mn/ZnS nanoparticles on Si solar cells 国際会議

    Yuki Idutsu, Keigo Awai, Jianbo Liang, Hisaaki Nishimura, DaeGwi Kim, Yong-Gu Shim, Naoteru Shigekawa

    33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月  The Japan Photovoltaic Society (J-PVS)

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：Nagoya, Japan  

  • n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価 国内会議

    第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：橿原市  

  • ボンディングファーストによるX-on-diamond 構造及び素子応用 招待 国内会議

    第41回電子材料シンポジウム  2022年10月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：橿原市  

  • Fabrication of High-Thermal-Stability GaN/Diamond Junctions via Intermediate Layers 国際会議

    Jianbo Liang, Yutaka Ohno, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    Conference on Wafer Bonding for Microsystems, 3D- and Wafer Level Integration (WaferBond '22)  2022年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：Schmalkalden, Germany  

  • n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価 国内会議

    上東 洋太, 大曲 新矢, 梅沢 仁, 山田 英明, 梁 剣波, 重川 直輝

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：仙台  

  • 表面活性化接合法によるGaN/GaN接合界面の評価 国内会議

    澤井 一樹, 梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：仙台  

  • 高出力デバイス応用に向けたGaN/3C-SiC on-diamond HEMT構造の作製 国内会議

    香川 諒, 重川 直輝, 梁 剣波, 川村 啓介, 坂井田 佳紀, 大内 澄人, 浦谷 泰基, 清水 康夫, 大野 裕, 長井 康介

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：仙台  

  • Si太陽電池に対する高光学密度半導体ナノ粒子膜の堆積効果 国内会議

    粟井 啓伍, 井筒 由紀, 梁 剣波, 西村 悠陽, 金 大貴, 沈 用球, 重川 直輝

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：仙台  

  • 表面活性化接合法で作製したn-Si/n-Siおよびp-Si/p-Si接合の二重バイアス変調静電引力顕微鏡による評価 国内会議

    小林 大地, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：仙台  

  • パワー素子の放熱向上に向けたGa2O3/3C-SiC直接接合の特性評価 国内会議

    長井 啓, 川村 啓介, 浦谷 泰基, 坂井田 佳紀, 重川 直輝, 梁 剣波

    2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：仙台  

  • Dual Bias Modulation Electrostatic Force Microscopy on n-type Si/Si Junctions Fabricated by Surface-activated Bonding 国際会議

    Daichi Kobayashi, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Takuji Takahashi

    The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)  2022年09月  The Japan Society of Vacuum and Surface Science

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Sapporo, Japan  

  • Electrical properties in wafer-bonding-based GaAs/GaN junctions on free-standing substrates 国際会議

    M. Hirose, S. Ishimi, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, J. Liang, N. Shigekawa

    14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)  2022年08月  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：Hiroshima, Japan  

  • Nano-structural and electro-thermal analyses of AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs prepared by bonding-first process 国際会議

    R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida，S. Ouchi，H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

    14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022)  2022年08月  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：Hiroshima, Japan  

  • Thermal Annealing Effect on the Structure of GaN/Diamond Bonding Interface 国際会議

    Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2022 (NDNC 2022)  2022年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kanazawa  

  • Fabrication and electrical characterization of n+-Si/p-diamond heterojunction diodes 国際会議

    Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    15th International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2022 (NDNC 2022)  2022年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Kanazawa, Japan  

  • 周波数変調型静電引力顕微鏡法によるキャリア密度の定量測定 国内会議

    福澤 亮太, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • n+-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの作製と電気特性評価 国内会議

    上東 洋太, 大曲 新矢, 梅沢 仁, 山田 英明, 梁 剣波, 重川 直輝

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ウェハ直接接合による自立基板上n-GaNエピ層/p-GaAs接合の光電流測定 国内会議

    石見 翔太, 廣瀬 淳, 梁 剣波, 重川 直輝

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価 国内会議

    梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝

    2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Direct bonding of diamond for fabricating advanced electron devices 招待 国内会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    第1回ダイヤモンドデバイス国際ワークショップ  2022年02月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発 招待 国内会議

    重川　直輝

    NEDO先導研究プログラム報告会～社会実装への展開とマネジメントの秘訣～  2022年02月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 表面活性化接合によるIII-V/Si界面創成及びその多接合太陽電池応用 招待 国内会議

    重川直輝, 梁　剣波

    日本太陽光発電学会次世代太陽電池セル・モジュール分科会2021年度第2回研究会  2022年01月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Fabrication and Characterization of GaN/Diamond bonding interface 国際会議

    A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S. W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598383

  • Ga2O3/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation 国際会議

    H. Nagai, K. Kawamura, Y. Sakaida, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598380

  • Coplanar waveguides fabricated by directly bonding metal foils to high-resistivity Si substrates 国際会議

    Kenya Yonekura, Tasuku Kawamoto, Jianbo Liang, Eiji Shikoh, Koichi Maezawa, Naoteru Shigekawa

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598401

  • Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding 国際会議

    Kazuki Sawai, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598452

  • Fabrication of beta-Ga2O3/Si direct bonding interface for high power device applications 国際会議

    Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Yasuo Shimizu, Masataka Higashiwaki, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598435

  • Nanostructural Analysis of Al/beta-Ga2O3 Interface Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

    Zexin Wan, Jianbo Liang, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598385

  • Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power devices 国際会議

    Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki Sakaida，Sumito Ouchi，Hiroki Uratani, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598453

  • Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature 国際会議

    Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598382

  • High temperature stability of p+-Si/p-diamond heterojunction diodes 国際会議

    Yota Uehigashi, Shinya Ohmagari, Hitoshi Umezawa, Hideaki Yamada, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2021年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    DOI： 10.1109/LTB-3D53950.2021.9598364

  • 半導体異種材料接合の研究 招待 国内会議

    重川　直輝

    文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム令和３年度利用成果発表会  2021年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Ga2O3/Si ヘテロ構造の作製及び構造評価 国内会議

    高月 大輝, 東脇 正高, 清水 康雄, 大野 裕, 永井 康介, 重川 直輝, 梁 剣波

    2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si/ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価 国内会議

    上東 洋太, 大曲 新矢, 梅沢 仁, 山田 英明, 梁 剣波, 重川 直輝

    2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ジュール熱の外部変調を利用した非接触型抵抗原子間力顕微鏡法 国内会議

    福澤 亮太, 梁 剣波, 重川 直輝, 高橋 琢二

    2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 高光学密度な半導体ナノ粒子膜の堆積による太陽電池特性制御 国内会議

    粟井啓伍, 井筒由紀, 梁剣波, 西村悠陽, 金大貴, 沈用球, 重川直輝

    2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Direct bonding of diamond to semiconductors and metals for low thermal resistance modules 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    International Conference on Diamond and Carbon Materials 2021  2021年09月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Si上化合物半導体ハイブリッドタンデム太陽電池 招待 国内会議

    重川　直輝

    応用電子物性分科会研究例会「タンデム太陽電池の最近の動向」  2021年06月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Low-temperature direct wafer bonding innovating CS device technologies 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology  2021年05月 

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    会議種別：口頭発表（基調）  

  • 表面活性化接合法によるダイヤモンド/Si ヘテロ接合ダイオードの作製 国内会議

    上東 洋太、大曲 新矢、梅沢 仁、山田 英明、梁 剣波、重川 直輝

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ラマン分光法によるGaN/ダイヤモンド接合界面の残留応力評価 国内会議

    小林 礼佳、清水 康雄、大野 裕、金 聖祐、小山 浩司、嘉数 誠、重川 直輝、梁 剣波

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 波長変換ナノ粒子ZnSe/ZnS:Mn/ZnSの付加による太陽電池特性の向上 II 国内会議

    西村 悠陽、前川 貴哉、高木 知己、祖父江 進、川井 正一、重川 直輝、金 大貴

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 二重バイアス変調静電引力顕微鏡による直接貼り合わせp-n接合の断面解析 国内会議

    福澤 亮太、梁 剣波、重川 直輝、高橋 琢二

    2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 表面活性化法による異種半導体直接接合界面の電気特性と太陽電池応用 招待 国内会議

    重川　直輝

    第5回 3次元積層半導体量子イメージセンサ研究会（TIA連携プログラム探索推進事業「かけはし」：「究極の広帯域量子イメージセンサ実現を目指して」グループ）  2021年02月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Microscopic Picture of Direct Bonding Via Surface Activation for Low-Resistance Si/Wide-Gap Semiconductor Heterointerface 国際会議

    Y. Ohno, J. Liang, N. Shigekawa, H. Yoshida, R. Miyagawa, Y. Shimizu, Y. Nagai

    ECS PRiME 2020  2020年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Direct Bonding of GaAs and Diamond for High Power Device Applications 国際会議

    J. Liang, Y. Nakamura, Y. Ohno, Y. Shimizu, T. Zhan, T. Watanabe, N. Kamiuchi, Y. Nagai, N. Shigekawa

    ECS PRiME 2020  2020年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • III-V Thin-Film Solar Cells Bonded to Si Substrates via Metal Grids 国際会議

    T. Hishida, J. Liang, N. Shigekawa

    ECS PRiME 2020  2020年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Nanostructural Investigation on GaAs//Indium Tin Oxide/Si Junctions for III-V-on-Si Hybrid Multijunction Cells 国際会議

    T. Hara, J. Liang, K. Araki, T. Kamioka, H. Sodabanlu, K. Watanabe, M. Sugiyama, N. Shigekawa

    ECS PRiME 2020  2020年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 低温FIB-断面STEM法によるSi/Diamond表面活性化接合界面の構造評価 国内会議

    大野 裕、梁 剣波、吉田 秀人、清水 康雄、永井 康介、重川 直輝

    2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ラマン分光法によるGa2O3ショットキーバリアダイオードの自己発熱評価 国内会議

    6. 万 澤欣、高月 大輝、林 家弘、梁 剣波、東脇 正高、重川 直輝

    2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Modulation of Characteristics of Si Solar Cells by Luminescence-Downshifting Zn-Based Nanoparticles with Mn doped 国際会議

    Y.Idutsu, J.Liang, H.Nishimura, D.G.Kim, N.Shigekawa

    ECS PRiME 2020  2020年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Ga2O3/3C-SiC接合界面の作製及び特性評価 国内会議

    梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 重川 直輝

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • GaN/多結晶ダイヤモンド直接接合の作製及び特性評価 国内会議

    小林 礼佳, 清水 康雄, 大野 裕, 金 聖祐, 小山 浩司, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 自立基板上GaNエピ層/GaAs直接接合界面のナノ構造評価 国内会議

    廣瀬 淳, 清水 康雄, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si太陽電池に対するZnSe/ZnS:Mn/ZnS core/shellナノ粒子の堆積効果 国内会議

    井筒 由紀, 梁 剣波, 西村 悠陽, 金 大貴, 重川 直輝

    2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • GaAs//Si Hybrid Double Junction Cells Fabricated by Direct Bonding of Epitaxially Lifted-Off GaAs Subcell Layers on PET Films 国際会議

    Ryo Kozono, Jianbo Liang, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Naoteru Shigekawa

    29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2019年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si太陽電池に対するMnドープ半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

    井筒 由紀, 田中 駿, 梁 剣波, 楢崎 友城, 西村 悠陽, 金 大貴, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価 国内会議

    大野 裕, 清水 康雄, 永井 康介, 麻生 亮太郎, 神内 真人, 吉田 秀人, 梁 剣波, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 直接接合された表面実装型LEDパッケージにおける素子温度評価 国内会議

    小丸 啓吾, 梁 剣波, 西尾 佳高, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ELO法及びSAB法によるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製 国内会議

    小園 亮, 梁 剣波, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価 国内会議

    清水 康雄, 海老澤 直樹, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 永井 康介

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • GaAs/Diamond直接接合の界面評価 国内会議

    中村 祐志, 清水 康雄, 大野 裕, 詹 天卓, 山下 雄一郎, 白崎 謙次, 永井 康介, 渡邊 孝信, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 高出力パワーデバイス応用に向けたGaN/Diamond直接接合の作製 国内会議

    梁 剣波, 清水 康雄, 大野 裕, 白崎 謙次, 永井 康介, 嘉数 誠, 金 聖祐, Kuball Martin, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • InGaP/ITO 界面における熱処理効果 国内会議

    崎原 盛偉, 梁 剣波, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications 国際会議

    J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, S. Kim, M. Kasu, M. Kuball, and N. Shigekawa

    13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications 国際会議

    Y. Nakamura, Y. Shimizu, Y. Ohno, K. Shirasaki, Y. Nagai, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang

    13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates 国際会議

    Shoji Yamajo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019  2019年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature 国際会議

    Jianbo Liang, Makoto Kasu, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

    13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019  2019年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Effects of Layered Cadmium-Based Nanoparticles on Si Solar Cells 国際会議

    Y. Idutsu, S. Tanaka, J.Liang, T.Narazaki, H.Nishimura, D.G.Kim, and N.Shigekawa

    46TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE  2019年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • GaAs/Si Double-Junction Cells Fabricated by Sacrificial Layer Etching of Directly-Bonded III-V/Si Junctions 国際会議

    Ryo Kozono, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    46TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE  2019年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical properties of p+-GaAs//patterned metal layer/n+-Si junctions 国際会議

    T. Hishida, J. Liang, and N. Shigekawa

    2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Bonding strength evaluation of Al foil/AlN junctions by surface activated bonding 国際会議

    S. Horikawa, S. Morita, J. Liang, Y. Kaneko, Y. Nishio, M. Matsubara, H. Asahi, and N. Shigekawa

    2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Directly bonded n+-InGaP/n+-Si junctions with a low interface resistance 国際会議

    M. Sakihara, J. Liang, and N. Shigekawa

    2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of Diamond/Cu Direct Bonding for Power Device Application 国際会議

    S. Kanda, S. Masuya, M. Kasu, N. Shigekawa, and J. Liang

    2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure 国際会議

    J. Liang, Y. Zhou, S. Masuya ; F. Gucmann, M. Singh, J. Pomeroy, S. Kim, M. Kuball, M. Kasu, N. Shigekawa

    2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Analysis of SiC/Si Bonding Interface with Thermal Annealing Treatment by XPS 国際会議

    Z. Wan, J. Liang, and N. Shigekawa

    2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Direct bonding of diamond and Cu at room temperature for power device application 国際会議

    Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, et al.

    13th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2019)  2019年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • パワーデバイス応⽤に向けたダイヤモンド/Cu直接接合の形成 国内会議

    梁 剣波, 神⽥ 進司, 桝⾕ 聡⼠, 嘉数 誠, 重川 直輝

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 表⾯活性化接合によるGaAs/GaAs界⾯における元素分布評価 国内会議

    清⽔ 康雄, 海⽼澤 直樹, ⼤野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 井上 耕治, 永井 康介

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ⾼出⼒デバイス応⽤に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製 国内会議

    中村 祐志, 桝⾕ 聡⼠, 嘉数 誠, 重川 直輝, 梁 剣波

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • XPSによるSiC/Si接合界⾯の熱処理効果の評価 国内会議

    万 澤欣, 梁 剣波, 重川 直輝

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Ⅲ-Ⅴ族/Si太陽電池の界面特性改善に向けたパターニング金属中間層の導入(2) 国内会議

    菱⽥ 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 表面活性化接合法によるAl箔/AlN接合の接合強度評価 国内会議

    堀川昇太朗, 森田匠, 梁剣波, 兼子佳久, 西尾佳高, 松原萌子, 旭洋, 重川直輝

    2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates 招待 国内会議

    K. Matsuura, J. Liang, K. Maezawa, and N. Shigekawa

    第18回 関西コロキアム電子デバイスワークショップ  2019年01月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • TEM characterization of GaAs/GaN heterointerface fabricated by surface activated bonding 国際会議

    Shoji Yamajo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)  2018年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • p+-Si/AlGaN/GaN HEMTs with Si/nitride bonding interfaces for high thermal tolerance 国際会議

    Shunichi Kono, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)  2018年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical Characteristics of Solder-Free SiC Die/Metal Foil/AlN Plate Junctions Fabricated Using Surface Activated Bonding 国際会議

    S. Morita, J. Liang, N. Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AIMES2018)  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Investigation of Residual Strain in 4H-SiC/Si Heterostructures Fabricated by Surface Activated Bonding 国際会議

    J. Liang, Y. Zhou, S. Yamajo, M. Arai, M. Kuball, N. Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AIMES2018)  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Atomistic Structure of Low-Resistance Si/GaAs Heterointerfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

    Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa

    Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (AIMES2018)  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果(2)-層数依存性 国内会議

    田中 駿, 楢崎 友城, 梁 剣波, 金 大貴, 重川 直輝

    2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Siと接合したダイヤモンド基板上のFETの作製 国内会議

    神田 進司, 山條 翔二, Martin Kuball, 重川 直輝, 梁 剣波

    2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線電子分光評価 国内会議

    原 智也, 梁 剣波, 荒木 健次, 神岡 武文, ソダーバンル ハッサネット, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

    2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 表面活性化接合及び犠牲層エッチングによるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製 国内会議

    小園 亮, 尹 翔至, 梁 剣波, 重川 直輝

    2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • III-V族/Si太陽電池の界面特性改善に向けた パターニング金属中間層の導入 国内会議

    菱田 貴史, 梁 剣波, 重川 直輝

    2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Ar 高速原子ビームのスパッタリング効果を用いたpolyimide/Al 接合の実現 国内会議

    赤澤 秀征, 梁 剣波, 松原 萌子, ダムリン マルワン, 西尾 佳高, 重川 直輝

    2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si基板に対するArビーム照射効果の基板温度依存性 国内会議

    松本 祐二, 梁 剣波, 重川 直輝

    2018年第79回応⽤物理学会秋季学術講演会  2018年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 金属箔直接接合による低損失インダクタのRF特性評価 国内会議

    松浦圭汰, 梁　剣波, 前澤宏一, 重川直輝

    2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会  2018年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Fabrication of Si//patterned metal layer/Si junctions for hybrid multijunction solar cells with improved bonding interface properties 国際会議

    T. Hishida, J. Liang, N. Shigekawa

    2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2018)  2018年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Dependence of characteristics of directly-bonded SiC/Si junctions on bonding temperature 国際会議

    K. Shimozato, J. Liang, M. Arai, N. Shigekawa

    2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2018)  2018年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Penetration depth of effects of irradiation of Ar fast atom beams in n-Si surfaces 国際会議

    Y. Matsumoto, S. Hisamoto, J. Liang, N. Shigekawa

    2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2018)  2018年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Room-Temperature Direct Bonding of Diamond to Aluminum 国際会議

    Jianbo Liang, Shoji Yamajo, Martin Kuball, Naoteru Shigekawa

    New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018)  2018年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Hybrid heterostructures and heterostructure devices fabricated by surface activated bonding technologies 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa

    The 42nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2018)  2018年05月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Interfacial strength and fracture toughness in integrated semiconductor materials 国際会議

    Dong Liu, Jianbo Liang, Stephen Fabes, Naoteru Shigekawa, Martin Kuball

    2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technologies  2018年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si(100)基板上に転送したGaNエピタキシャル層の残留応力評価 国内会議

    梁 剣波, Zhou Yan, Singh Manikant, Gucmann Filip, Pomeroy James, Kuball Martin, 重川 直輝

    第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • p+-Siをゲート電極とする高耐熱AlGaN/GaN HEMTの作製 国内会議

    鴻野 駿一, 梁 剣波, 重川 直輝

    第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • p<sup>+</sup>-Siをゲート電極とする高耐熱AlGaN/GaN HEMTの作製 国内会議

    鴻野 駿一, 梁 剣波, 重川 直輝

    第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 直接接合によるSiC/Si 界面特性の熱処理温度依存性 国内会議

    下里 和史, 梁 剣波, 新井 学, 重川 直輝

    第65回応用物理学会 春季学術講演会  2018年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Application of surface-activated bonding technologies for III-V-on-Si hybrid multijunction cells 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa

    EMN Singapore Meeting 2018  2018年01月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • 表面活性化接合法によるＩＩＩ－Ｖ－ｏｎ－Ｓｉタンデム太陽電池 招待 国内会議

    重川直輝

    学振第175 委員会 次世代シリコン太陽電池分科会 超高効率太陽電池分科会  2017年12月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • 表面活性化による異種半導体接合技術とその応用 招待 国内会議

    重川直輝

    日本学術振興会　第１３１委員会  2017年12月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Annealing effects on GaAs/ITO/Si junctions fabricated by surface-activated bonding 国際会議

    Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2017年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • GaAs single junction cells on Si substrates fabricated by surface activated bonding and etching of sacrificial layers 国際会議

    Sanji Yoon, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2017年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates 国際会議

    K. Matsuura, J. Liang, K. Maezawa, N. Shigekawa

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Impacts of annealing on interfaces of Al foil/Si junctions by using surface activated bonding 国際会議

    K. Furuna, J. Liang, M. Matsubara, D. Marwan, Y. Nishio, N. Shigekawa

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials  2017年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si基板と接合した単結晶ダイヤモンドの残留応力評価 国内会議

    梁　剣波, 重川　直輝, 他

    第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • GaAs/GaN接合を用いたnpn構造の光電流測定 国内会議

    山條　翔二, 梁　剣波, ソダーバンル　ハッサネット, 渡辺　健太郎, 杉山　正和, 重川　直輝

    第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ITOを中間層とするInGaP/GaAs/ITO/Si３接合太陽電池の特性評価 国内会議

    原　智也, 小川　智輝, 梁　剣波, 荒木　健次, 神岡　武文, 山口　真史, 重川　直輝

    第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 室温表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の熱処理による構造変化 国内会議

    大野　裕, 吉田　秀人, 竹田　精治, 梁　剣波, 重川　直輝

    第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Si太陽電池特性に対する半導体ナノ粒子の堆積効果 国内会議

    田中　駿, 浅川　良介, 小川　智輝, 楢崎　友城, 梁　剣波, 金　大貴, 重川　直輝

    第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 犠牲層エッチングによるIII-V族薄層/Si接合の形成 国内会議

    尹　翔至, 梁　剣波, 重川　直輝

    第７８回応用物理学会秋季学術講演会  2017年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI 国際会議

    Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa,他

    12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2017年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Formation of contacts with high thermal tolerance by using Si/GaN junctions 国際会議

    Jianbo Liang, Takuya Nishimura, Moeko Matsubara, Marwan Dhamrin, Yoshitaka Nishio, Naoteru Shigekawa

    12th International Conference on Nitride Semiconductors  2017年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Measurements of Potentials at Tap Contacts and Estimation of Resistance across Bonding Interfaces in InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2017年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • InGaP/GaAs/ITO/Si Hybrid Triple-Junction Cells with GaAs/ITO Bonding Interfaces 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Tomoya Hara, Tomoki Ogawa, Jianbo Liang, Takafumi Kamioka, Kenji Araki, Masafumi Yamaguchi

    2017 IEEE Photovoltaic Specialists Conference  2017年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Analysis of the Influence of Interface Charges on the Electrical Characteristics of GaAs/GaN Junctions 国際会議

    7.S. Yamajo, J. Liang, N. Shigekawa

    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Transport Characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons Across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, Manabu Arai

    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Electrical Conduction of Si/ITO/Si Junctions Fabricated by Surface Activated Bonding 国際会議

    Jianbo Liang, Tomoki Ogawa, Kenji Araki, Takefumi Kamioka, Naoteru Shigekawa

    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Impacts of Bonding-Layer Resistance of Si Bottom Cells on Interface Resistance In InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding 国際会議

    S. Morita, J. Liang, M. Matsubara, M. Dhamrin, Y. Nishio, N. Shigekawa

    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Plane-View Transmission Electron Microscopy of Si/GaAs Interfaces Fabricated by Surface-Activated Bonding at Room Temperature 国際会議

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Seiji Takeda, Liang Jianbo, Naoteru Shigekawa

    2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration  2017年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Surface-activated Bonding of III-V Compound Semiconductors and Si for Fabricating Hybrid Tandem Solar Cells 招待 国際会議

    Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang

    2018 International Conference on Electronics Packaging  2017年04月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Electrical Characterisation of Coupling Properties in InGaP/GaAs/Si Triple-Junction Cells 国際会議

    -

    26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2016年10月 

  • Effects of Ar beam irradiation on Si-based Schottky contacts 国内会議

    -

    IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • Effects of layered CdTe nano particles on Si solar cells 国内会議

    -

    IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • Electrical characteristics of Al foil/Si junctions by surface activated bonding method 国内会議

    -

    IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • Electrical characteristics of SAB-Based n+-n Ge/4H-SiC heterojunctions 国内会議

    -

    IEEE 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2016年06月 

  • GaN 基板上InGaN/GaN MQW 太陽電池における井戸層厚と太陽電池特性 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • Si 基板上GaAs/GaN ヘテロ接合の縦方向電気特性評価 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • GaN/Ga2O3 基板およびGaN 基板に成長したInGaN/GaN MQW 太陽電池特性 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • “NH3分解触媒援用MOVPE成長InxGa1-xN(x~0.35)のMgドーピング挙動 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • 表面活性化ボンディング法によるAl箔/Si接合の電気特性評価 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • 熱処理による4H-SiC/Si HBTの電気特性の改善 国内会議

    -

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • III-V-on-Si hybrid tandem cells by room-temperature surface-activated bonding 国際会議

    -

    EMN Meeting on Photovoltaic 2016  2016年01月 

  • Low-resistivity InxGa1-xN (x=0~0.35) grown by low-temperature (≲ 600˚C) MOVPE using NH3 decomposition catalysts 国内会議

    -

    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides  2015年11月 

  • 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

  • GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2015年11月 

  • NH3 decomposition catalyst-assisted MOVPE growth of In0.3Ga0.7N for solar cell application 国際会議

    -

    PVSEC-25  2015年11月 

  • Migration-enhanced, low-temperature (~400˚C) MOVPE growth of InN using NH3 decomposition catalysts 国内会議

    -

    6th International Symposium on Growth of III-Nitrides  2015年11月 

  • 常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • 界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • GaAs/GaAs接合界面の電気特性に対するアニール効果の抽出の試み 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • 表面活性化接合によるp-Si/n-GaN接合の電気特性評価 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • 多接合太陽電池のボトムセル応用のためのSi逆ピラミッド構造の検討 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅱ): InxGa1-xN(x~0.3)の成長 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(～400℃)成長(Ⅰ): InN成長 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC Junctions by Surface Activated Bonding 国内会議

    -

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

  • Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy 国内会議

    -

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

  • Transport Characteristics of Minority Carriers in 4H-SiC/Si Heterojunction Bipolar Transistor Structures Fabricated by Surface Activated Bonding 国内会議

    -

    2015 International Conference on Solid State Devices and Materials  2015年09月 

  • GaN/Ga2O3テンプレート基板上に成長したInGaN/GaN MQW太陽電池構造 国内会議

    -

    2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

  • Electrical Properties of Room Temperature Bonded Si/GaN Heterojunctions without Buffer Layers 国際会議

    -

    11th International Conference on Nitride Semiconductors  2015年09月 

  • MOVPE Growth and Device Fabrication of Thick N+-P InGaN with in Composition of 0.3 and No Phase Separation at 600 ºC 国際会議

    -

    11th International Conference on Nitride Semiconductors  2015年09月 

  • Fabrication and characterization of GaAs/4H-SiC junctions by using SAB 国内会議

    -

    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

  • Band lineups in GaAs/GaN junctions using surfaceactivated bonding 国内会議

    -

    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

  • Impacts of annealing in N2/H2 ambient on electrical properties of Si/GaN junctions 国内会議

    -

    11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics  2015年08月 

  • Surface-activated bonding of n+-Si to n-GaN: A possible process for fabricating ohmic contacts to nitrides with smooth surface 国際会議

    -

    39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits  2015年06月 

  • Impacts of optical properties of anti-reflection coatings on characteristics of InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells 国際会議

    -

    42nd IEEE International Photovoltaic Specialists Conference  2015年06月 

  • Fabrication and characterization of Si-based bipolar transistor structures using low-temperature bonding 国内会議

    -

    The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • Interface characteristics of Si/Si junctions by using surface-activated bonding 国内会議

    -

    The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • Electrical properties of n+-Si/n-GaN junctions by room temperature bonding 国内会議

    -

    The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • Electrical characterization of GaAs/GaAs bonding interfaces 国内会議

    -

    The 2015 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2015年06月 

  • SAB 法による4H-SiC/Si　HBT構造における少数キャリア注入特性 国内会議

    -

    2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • MOVPE 法によるn+-p 構造InxGa1-xN (x~0.3)光起電力素子の作製 国内会議

    -

    第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • タンデム太陽電池応用のためのSi/InGaP ヘテロ接合の電気伝導特性 国内会議

    -

    2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • AR 膜によるInGaP/GaAs/Si 3 接合セル中サブセル特性の制御 国内会議

    -

    2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • 表面活性化接合によるn+-Si/n-GaN コンタクトの検討 国内会議

    -

    2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • SAB 法によるSi/Si 接合の界面特性の評価 国内会議

    -

    2015 年第62 回応用物理学会春季学術講演会  2015年03月 

  • MOVPE 成長InGaN 厚膜における相分離の臨界膜厚 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2014年11月 

  • InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造が短絡電流に与える影響 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会  2014年11月 

  • InGaP/GaAs/Si Hybrid Triple-Junction Cells by Surface-Activated Bonding of Invertedly-Grown III-V Heterostructures to Si- Based Bottom Cells 国内会議

    -

    The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion  2014年11月 

  • MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL 国内会議

    -

    6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6)  2014年11月 

  • GaAs 傾斜基板上に成長したInGaP/InGaP 多重量子細線構造 国内会議

    -

    第44 回結晶成長国内会議  2014年11月 

  • Type-II Band Profile of GaAs/Si Hetero Junctions by Surface Activated Bonding for Hybrid Tandem Cells 国際会議

    -

    226th Meeting of The Electrochemical Society  2014年10月 

  • RTA of MOVPEgrown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation 国内会議

    -

    第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

  • SiC 基板上Si 薄膜のウェット酸化と界面構造の安定 国内会議

    -

    第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

  • GaAs 傾斜基板上に多重積層させた自己形成InGaP/InGaP 量子細線状構造 国内会議

    -

    第75 回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

  • 異種材料直接接合によるInGaP/GaAs/Siタンデムセル 国内会議

    -

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

  • p-type InxGa1-xN (x~0.3) grown by MOVPE at a low temperature (~570ºC) 国際会議

    -

    2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)  2014年08月 

  • Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 μm) InxGa1-xN (x = 0.2~0.4) 国際会議

    -

    2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)  2014年08月 

  • III-V系半導体セルとイオン注入Siセルの貼り合せによるハイブリッド3接合セル 国内会議

    -

    第11回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2014年07月 

  • Annealing characteristics of p+-Si/n-4H-SiC junctions by using surface-activated bonding 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

  • Investigation on the effects of annealing process on the electrical properties of n+-Si/n-SiC junctions 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

  • Annealing temperature dependence of SAB based Si/Si junctions 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

  • Effects of annealing on GaAs/Si bonding interfaces for hybrid tandem solar cells 国内会議

    -

    2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D)  2014年07月 

  • Fabrication and characterization of Si/~10-μm mesa-etched Si junctions by surface activated bonding 国内会議

    -

    2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)  2014年06月 

  • Improvement in electrical properties in SAB-based n+-Si/n-4H-SiC junctions by annealing 国内会議

    -

    2014 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)  2014年06月 

  • Hybrid Triple-Junction Solar Cells by Surface Activate Bonding of III-V Double-Junction-Cell Heterostructures to Ion-Implantation-Based Si Cells 国際会議

    -

    40th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE  2014年06月 

  • Observation of phase separation for thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si substrate 国際会議

    -

    5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)  2014年05月 

  • 高効率発電を目指すIII-N系太陽電池技術 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)専門委員会特別ワークショップ「電子デバイスから見たエネルギーハーベストの最新技術と展開」  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるメサエッチングSi基板の接合特性評価 国内会議

    -

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるn-Si/n-4H-SiCヘテロ接合の作製及び評価 国内会議

    -

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi/InGaPヘテロ接合のバンド構造評価 国内会議

    -

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi/GaAsヘテロ接合のバンド構造評価 国内会議

    -

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディングによる低抵抗Si/III-V接合 国内会議

    -

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • 表面活性化ボンディング法によるSi/4H-SiC 接合のC-V 特性評価 国内会議

    -

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月 

  • タンデム型太陽電池実現を目指す表面活性化異種半導体接合形成 国内会議

    -

    応用物理学会関西支部セミナー「光物性とその光機能　太陽光エネルギーハーベスティングのための新しい光機能」  2013年01月 

  • 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価 国内会議

    -

    電子情報通信学会電子デバイス研究会（ED）  2012年11月 

  • 表面活性化ボンディングによるp-Si/n+-Si貼り合わせ構造の輸送特性評価 国内会議

    -

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月 

  • 表面活性化ウェハボンディングによるp-Si/n-GaAs貼り合せ構造の特性評価 国内会議

    -

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月 

  • InGaN/GaN MQWにおけるキャリア寿命特性の井戸層厚依存性 国内会議

    -

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月 

  • MOMBE成長によるGaAs基板上SnドープInGaPのn型ドーピング制御 国内会議

    -

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月 

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産業財産権等

  • 窒化物半導体積層構造体前駆体、窒化物半導体積層構造体、半導体装置、窒化物半導体積層構造体前駆体の製造方法、窒化物半導体積層構造体の製造方法

    重川直輝, 梁剣波, 大野裕

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    産業財産権の種類：特許権 

    出願番号：特願2023-167748 

  • 電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法

    重川 直輝, 梁 剣波

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    産業財産権の種類：特許権 

    出願番号：特願2015-145514 

    公開番号：特開2017-028115 

    J-GLOBAL

  • 半導体装置、及びその半導体装置の製造方法

    重川 直輝, 梁 剣波

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    産業財産権の種類：特許権 

    出願番号：特願2014-026134 

    公開番号：特開2015-153893 

    J-GLOBAL

  • 電界効果型トランジスタ

    杉山 弘樹, 重川 直輝

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    産業財産権の種類：特許権 

    出願番号：特願2011-116681 

    公開番号：特開2012-248563 

    J-GLOBAL

  • 電気回路

    吉松 俊英, 村本 好史, 古田 知史, 重川 直輝, 石橋 忠夫

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    産業財産権の種類：特許権 

    出願番号：特願2009-216583 

    公開番号：特開2011-066268 

    J-GLOBAL

  • 赤外光源

    重川 直輝, 塩島 謙次, 鈴木 恭一

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    産業財産権の種類：特許権 

    出願番号：特願2002-214019 

    公開番号：特開2004-055983 

    特許番号/登録番号：特許第3980432号 

    J-GLOBAL

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科研費獲得実績

  • 接合法による低温・低圧でのアモルファスカーボン～ダイヤモンドへの構造相移転の解明

    基盤研究(B)  2026年

  • 接合法による低温・低圧でのアモルファスカーボン～ダイヤモンドへの構造相移転の解明

    基盤研究(B)  2025年

  • 接合法による低温・低圧でのアモルファスカーボン～ダイヤモンドへの構造相移転の解明

    基盤研究(B)  2024年

  • Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

    基盤研究(B)  2024年

  • 窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

    基盤研究(A)  2024年

  • Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

    基盤研究(B)  2023年

  • 縦型デバイス応用に向けた導電性ダイヤモンドとGaN、Ga2O3ヘテロ接合の形成

    基盤研究(C)  2022年

  • Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

    基盤研究(B)  2022年

  • Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

    基盤研究(B)  2021年04月

  • 縦型デバイス応用に向けた導電性ダイヤモンドとGaN、Ga2O3ヘテロ接合の形成

    基盤研究(C)  2020年04月

  • パワーデバイス応用に向けた酸化ガリウム／IV族半導体直接接合界面形成

    基盤研究(B)  2019年04月

  • 高効率素子に向けたワイドギャップ半導体／ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明

    挑戦的研究(萌芽)  2018年06月

  • 半導体ナノ粒子の波長変換機能によるアドオン型の太陽電池特性制御

    基盤研究(B)  2017年04月

  • パワー素子に向けたダイヤモンド/シリコン常温接合とその結晶工学的機構の解明

    挑戦的研究(開拓・萌芽)  2016年04月

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受託研究

  • RFデバイス用低熱抵抗4インチGaN-on-多結晶ダイヤモンド基板の研究開発

    国立研究開発法人 科学技術振興機構  研究成果展開事業／研究成果最適展開支援プログラム 産学共同（本格型）（A-STEP）  2023年

  • RFデバイス用低熱抵抗4インチGaN-on-多結晶ダイヤモンド基板の研究開発

    科学技術振興機構  研究成果最適展開支援プログラム　産学共同（本格型）  2022年10月

  • RFデバイス用低熱抵抗4インチGaN-on-多結晶ダイヤモンド基板の研究開発

    国立研究開発法人 科学技術振興機構  研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）産学共同（本格型）  2022年

  • ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発

    2019年07月

  • 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム）／表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ／Ｓｉ多接合セル

    2019年04月

  • 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム）／表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ／Ｓｉ多接合セル

    2018年04月

  • 金属箔の表面活性化接合による金属厚膜の形成

    2016年06月

  • 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム）／表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ／Ｓｉ多接合セル

    2015年06月

  • シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発

    2010年10月

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担当教育概要

  • 学部教育：　アナログ電子回路の基礎的事項及びパワーエレクトロニクスの基礎的事項を講義（電子回路学基礎、パワーエレクトロニクス） 大学院教育：　パワー半導体デバイスの材料及びデバイス動作原理、パワーエレクトロニクス回路構成を講義（パワーエレクトロニクス技術特論）

担当授業科目

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2024年度   週間授業   大学院

  • 電子物理系特別研究第1（電子材料）

    2024年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別演習第1（電子材料）

    2024年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別演習（電子材料）

    2024年度   集中講義   大学院

  • 電子・物理工学関係外書講読

    2024年度   集中講義   大学

  • 電子・物理工学概論

    2024年度   集中講義   大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2023年度   週間授業   大学院

  • 電子物理系特別研究第1（電子材料）

    2023年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別演習第1（電子材料）

    2023年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別演習（電子材料）

    2023年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別研究（電子材料）

    2023年度   集中講義   大学院

  • 卒業研究

    2023年度   集中講義   大学

  • 電子・物理工学関係外書講読

    2023年度   集中講義   大学

  • 電子・物理工学概論

    2023年度   集中講義   大学

  • 光計測学特論

    2023年度   集中講義   大学院

  • 特別演習（電子材料2）

    2023年度   週間授業   大学院

  • 電子物理系特別研究第2（電子材料）

    2023年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別演習第2（電子材料）

    2023年度   集中講義   大学院

  • アナログ電子回路学

    2023年度   週間授業   大学

  • 電子物理工学概論2

    2023年度   週間授業   大学

  • 後期特別研究

    2023年度   集中講義   大学院

  • ゼミナール

    2023年度   集中講義   大学院

  • 卒業研究

    2023年度   集中講義   大学

  • パワーエレクトロニクス

    2023年度   週間授業   大学

  • 電子物理系特別演習（電子材料）

    2022年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別演習第1（電子材料）

    2022年度   集中講義   大学院

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2022年度   週間授業   大学院

  • 光計測学特論 （杉本）

    2022年度   集中講義   大学院

  • 特別演習（電子材料2）

    2022年度   週間授業   大学院

  • 電子物理系特別演習第2（電子材料） （杉本）

    2022年度   集中講義   大学院

  • ゼミナール

    2022年度   集中講義   大学院

  • 後期特別研究

    2022年度   集中講義   大学院

  • 特別演習 (パワーエレクトロニクスⅠ)

    2022年度   集中講義   大学院

  • 電子・物理工学関係外書講読

    2022年度   集中講義   大学

  • 電子物理工学概論2

    2022年度   週間授業   大学

  • 電子物理系特別研究（電子材料）

    2022年度   集中講義   大学院

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス)

    2022年度   集中講義   大学院

  • 光計測学特論

    2022年度   集中講義   大学院

  • 前期特別研究(電子情報系)

    2022年度   集中講義   大学院

  • 後期特別研究(電子情報系)

    2022年度   集中講義   大学院

  • ゼミナール(電子情報系)

    2022年度   集中講義   大学院

  • 卒業研究(電子/物理工学科)

    2022年度   集中講義   大学

  • アナログ電子回路学

    2022年度   週間授業   大学

  • パワーエレクトロニクス

    2022年度   週間授業   大学

  • 技術と環境/杉本［全］S

    2022年度   週間授業   大学院

  • アナログ電子回路学

    2021年度     大学

  • パワーエレクトロニクス

    2021年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2021年度     大学院

  • パワーエレクトロニクス

    2020年度     大学

  • アナログ電子回路学

    2020年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2020年度     大学院

  • アナログ電子回路学

    2019年度     大学

  • パワーエレクトロニクス

    2019年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2019年度     大学院

  • パワーエレクトロニクス

    2018年度     大学

  • アナログ電子回路学

    2018年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2018年度     大学院

  • 電子回路学基礎

    2017年度     大学

  • パワーエレクトロニクス

    2017年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2017年度     大学院

  • 電子回路学基礎

    2016年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2016年度     大学院

  • パワーエレクトロニクス

    2016年度     大学

  • 電子回路学基礎

    2015年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2015年度     大学院

  • パワーエレクトロニクス

    2015年度     大学

  • 電子回路学基礎

    2014年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2014年度     大学院

  • パワーエレクトロニクス

    2014年度     大学

  • 電子回路学基礎

    2013年度     大学

  • パワーエレクトロニクス

    2013年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2013年度    

  • 技術と生命

    2013年度     大学

  • 電子物理工学実務技術論

    2013年度     大学

  • パワーエレクトロニクス

    2012年度     大学

  • 電子回路学I

    2012年度     大学

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    2012年度    

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所属院生等の論文発表集計

  • 2023年度

    所属大学院生発表数：8件

  • 2022年度

    所属大学院生発表数：19件

独自項目・特記事項（教育活動）

  • 2021年度

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    独自項目：博士課程教育リーディングプログラム担当教員として、当研究室に所属し、同プログラムを履修する後期博士課程学生（留学生）1名を指導教員として指導した。
    次世代研究者挑戦的研究プログラム「リゾーム型研究人材育成プログラム」に参加する後期博士課程学生1名を指導教員として指導した。

  • 2020年度

    　 詳細を見る

    独自項目：博士課程教育リーディングプログラム担当教員として、リーディングプログラム実務委員会に参加するとともに、当研究室に所属し、同プログラムを履修する後期博士課程院生（留学生）1名を指導教員として指導した。

  • 2019年度

    　 詳細を見る

    独自項目：博士課程教育リーディングプログラム担当教員として、リーディングプログラム実務委員会に参加するとともに、当研究室に所属し、同プログラムを履修する前期博士課程院生（留学生）1名を指導教員として指導した。あわせて研究室ローテーションにおいて、他研究室学生1名を受け入れた。

  • 2018年度

    　 詳細を見る

    独自項目：博士課程教育リーディングプログラム担当教員として、リーディングプログラム実務委員会に参加するとともに、当研究室に所属し、同プログラムを履修する前期博士課程院生（留学生）1名を指導教員として指導した。

  • 2017年度

    　 詳細を見る

    独自項目：博士課程教育リーディングプログラム担当教員として、リーディングプログラム実務委員会に参加するとともに、研究室で指導する研究生（留学生）1名を出願・合格させた。

社会貢献活動　⇒ 社会貢献実績一覧へ

  • 報道発表「汎用品より放熱性が2倍向上！ 高放熱性 窒化ガリウムトランジスタを実現」

    役割：取材協力,　情報提供

    種別：新聞・雑誌

    大阪公立大学  大阪公立大学ホームページ  2023年12月 - 継続中

    　詳細を見る

    SDGs：

    対象： 研究者,　企業,　メディア

    米国・イリノイ大学、同・ジョージア工科大学、エア・ウォーター株式会社、東北大学金属材料研究所との共同研究により、半導体材料3C-SiCが理論値に相当する高い熱伝導率を示すことを、熱伝導率の評価と原子レベルの解析から初めて実証した。

  • 報道発表「日本の解析技術と結晶成長技術の結晶！半導体材料3C-SiCが高い熱伝導率を示すことを初めて実証」

    役割：取材協力,　情報提供

    種別：新聞・雑誌

    大阪公立大学  大阪公立大学ホームページ  2022年12月 - 継続中

    　詳細を見る

    SDGs：

    対象： 研究者,　企業,　メディア

    米国・イリノイ大学、同・ジョージア工科大学、エア・ウォーター株式会社、東北大学金属材料研究所との共同研究により、半導体材料3C-SiCが理論値に相当する高い熱伝導率を示すことを、熱伝導率の評価と原子レベルの解析から初めて実証した。

  • 報道発表「ダイヤモンドに接合された窒化ガリウムを熱加工し、トランジスタを作製することに成功」

    役割：取材協力,　情報提供

    種別：新聞・雑誌

    大阪市立大学  大阪市立大学ホームページ  2022年03月 - 継続中

    　詳細を見る

    SDGs：

    対象： 研究者,　企業,　メディア

    東北大学金属材料研究所、国立研究開発法人物質・材料研究機構（研究当時）、エア・ウォーター株式会社に所属する研究者とともに、ダイヤモンドに接合された窒化ガリウムを熱加工し、トランジスタの作製に成功するとともに放熱性の向上を実証した。本報道発表は日本経済新聞電子版において紹介された。

  • 報道発表「LED照明などで広く活用されている窒化ガリウムとダイヤモンドの直接接合に世界で初めて成功」

    役割：取材協力,　情報提供

    種別：新聞・雑誌

    大阪市立大学  大阪市立大学ホームページ  2021年09月 - 継続中

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　企業,　メディア

    地球上で最も熱伝導率が高く、最も効率的に熱を逃すことができるダイヤモンドと窒化ガリウムとの常温での直接接合に成功し、直接接合が1,000℃の熱処理にも耐えることを実証した。更に、接合に際してダイヤモンドの結晶構造が壊れるものの、熱処理することで再結晶化することを明らかにした。本報道発表は電子デバイス産業新聞、日経産業新聞、日刊産業新聞において紹介された。

  • イノベーション・ジャパン2020～大学見本市～

    役割：出演

    種別：セミナー・ワークショップ

    JST  イノベーション・ジャパン2020～大学見本市～  オンライン  2020年09月 - 2020年11月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　企業,　行政機関

    イノベーション・ジャパン2020～大学見本市～において「イノベーション・ジャパン2020～大学見本市～」と題してオンラインにてシーズ展示を行った。

  • NEDOフェスタin関西2019

    役割：出演

    種別：セミナー・ワークショップ

    NEDO  NEDOフェスタin関西2019  Grand Front Osaka  2019年12月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　企業,　行政機関

    NEDOフェスタ2019in関西において「低熱抵抗モジュール実現を目指すダイヤモンド異種材料直接接合」と題して展示を行った。

  • NEDOフェスタin関西2019

    役割：出演

    種別：セミナー・ワークショップ

    NEDO  NEDOフェスタin関西2019  Grand Front Osaka  2019年12月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　企業,　行政機関

    NEDOフェスタ2019in関西において「低熱抵抗モジュール実現を目指すダイヤモンド異種材料直接接合」と題して展示を行った。

  • オープン・ラボラトリ―

    役割：講師,　企画

    種別：講演会

    大阪市立大学  オープンラボラトリー  大阪・産創館  2019年04月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　社会人・一般,　企業

    機能創成科学教育研究センターとして、第78回オープン・ラボラトリー「高効率エネルギー変換を目指して－化学からの挑戦」を企画・開催した。

  • オープン・ラボラトリ―

    役割：講師,　企画

    種別：講演会

    大阪市立大学  オープンラボラトリー  大阪・産創館  2019年01月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　社会人・一般,　企業

    機能創成科学教育研究センターとして、第77回オープン・ラボラトリー「創エネ・省エネ材料－ナノ構造、ナノ材料からの発信」を企画・開催した。

  • イノベーションジャパン2018

    役割：出演

    種別：セミナー・ワークショップ

    NEDO, JST  イノベーションジャパン2018  東京ビッグサイト  2018年08月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　企業,　行政機関

    イノベーションジャパン2018への大阪市立大学の大学組織展示（テーマ：未来の低炭素社会につながるエネルギー研究）の一環として出展した。

  • イノベーションジャパン2018

    役割：出演

    種別：セミナー・ワークショップ

    NEDO, JST  イノベーションジャパン2018  東京ビッグサイト  2018年08月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　企業,　行政機関

    イノベーションジャパン2018への大阪市立大学の大学組織展示（テーマ：未来の低炭素社会につながるエネルギー研究）の一環として出展した。

  • ＪＳＴ、関西3公立大学／スマートテクノロジー　新技術説明会

    役割：講師

    種別：講演会

    科学技術振興機構、大阪府立大学、大阪市立大学、兵庫県立大学  スマートテクノロジー　新技術説明会  JST東京本部別館1Fホール（東京・市ケ谷）  2017年11月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　学術団体,　企業

    参加者数：1（人）

    特許出願の内容に基づき、表面活性化接合技術の様々な産業応用の可能性を紹介する講演を行った。

  • ＪＳＴ、関西3公立大学／スマートテクノロジー 新技術説明会

    役割：講師

    種別：講演会

    科学技術振興機構、大阪府立大学、大阪市立大学、兵庫県立大学  スマートテクノロジー 新技術説明会  JST東京本部別館1Fホール（東京・市ケ谷）  2017年11月

    　詳細を見る

    対象： 研究者,　学術団体,　企業

    特許出願の内容に基づき、表面活性化接合技術の様々な産業応用の可能性を紹介する講演を行った。

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学術貢献活動

  • 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics プログラム委員

    役割：企画立案・運営等,　査読

    電子情報通信学会　電子デバイス研究会  2022年04月 - 2022年09月

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  • Conference Chair, 2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2021)

    役割：企画立案・運営等,　パネル司会・セッションチェア等,　監修

    2021年

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  • 電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査専門委員会

    役割：企画立案・運営等,　学術調査立案・実施

    電気学会  2019年10月 - 継続中

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  • 電子情報通信学会電子デバイス研究会　調査専門委員

    役割：企画立案・運営等,　学術調査立案・実施

    電子情報通信学会  2012年04月 - 継続中

    　詳細を見る

    種別：学会・研究会等 

  • Japanese Journal of Applied Physics編集委員

    役割：審査・評価,　査読

    応用物理学会  2012年04月 - 2023年03月

    　詳細を見る

    種別：査読等 

外国人受入実績

  • 2023年度

    研究者受入数 :0名

    留学生受入数 :1名

  • 2022年度

    研究者受入数 :0名

    留学生受入数 :1名

  • 2021年度

    研究者受入数 :0名

    留学生受入数 :1名

  • 2020年度

    研究者受入数 :0名

    留学生受入数 :1名

  • 2019年度

    研究者受入数 :0名

    留学生受入数 :1名

  • 2018年度

    留学生受入数 :1名

  • 2017年度

    留学生受入数 :1名

  • 2015年度

    留学生受入数 :1名

  • 2014年度

    留学生受入数 :1名

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国際交流活動

  • イギリス・ブリストル大学と部局間協定締結し、異種材料接合界面評価に関する共同研究を実施した。共著での論文発表、学会発表を行った。

    活動区分 :研究

    活動国 :United Kingdom   2018年01月 - 継続中

役職

  • 部局内役職

    工学部 電子物理工学科 

    副分野長  2022年04月 - 継続中

  • 全学管理職

    複合先端研究機構

    副機構長・教授  2016年04月 - 2020年03月