The Optical Society of America (OSA)

  国外

Institute of Physics (IOP)

2021年08月 - 継続中   国外

三菱電機株式会社   -

2002年04月 - 2008年02月

三菱電機株式会社   高周波光デバイス製作所

2002年04月 - 2008年02月

大阪工業大学   非常勤講師

1999年04月 - 2002年03月

大阪工業大学   工学部一般教育科   非常勤講師

1999年04月 - 2002年03月

ローム株式会社   -

1997年04月 - 1999年03月

ローム株式会社   LSI生産本部 Mixed Signal LSI製造部

1997年04月 - 1999年03月

Screening effects of photogenerated carriers on terahertz radiation from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n)-oriented GaAs/In<inf>0.1</inf>Al<inf>0.9</inf>As strained multiple quantum wells 査読

Takeuchi H, Asai S, Nakayama M.

Journal of Physics: Conference Series (IOP Publishing)   906 ( 1 )   2017年

Longitudinal Optical Phonon-Plasmon Coupled Mode in Undoped GaAs/n-Type GaAs Epitaxial Structures Observed by Raman Scattering and Terahertz Time-Domain Spectroscopic Measurements: Difference in Observed Modes and Initial Polarization Effects 査読

Takeuchi H, Sumioka T, Nakayama M.

IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology (IEEE)   7 ( 2 )   124 - 130   2017年（ ISSN:2156-342X ）

Effects of photogenerated carrier scattering on the decay process of coherent longitudinal optical phonons in an undoped GaAs/ n -type GaAs epitaxial structure investigated by terahertz time-domain spectroscopy 査読

Takeuchi H, Sumioka T, Nakayama M.

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films (AVS)   35 ( 4 )   04D104   2017年（ ISSN:0734-2101 ）

Raman scattering and terahertz spectroscopic characteristics of longitudinal optical phonons in i-GaAs/n-GaAs epitaxial structures 査読

Takeuchi H, Asai S, Tsuruta S, Sumioka T, Nakayama M.

IRMMW-THz 2015 - 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IEEE)   2015年

Unique properties of photoluminescence excitation spectra in a Eu-doped GaN epitaxial film 査読

Nakayama M, Nakamura S, Takeuchi H, Koizumi A, Fujiwara Y.

Applied Physics Letters (AIP Publishing)   106 ( 1 )   2015年（ ISSN:0003-6951 ）

Intermediate range order in Ge-(Sb)-Te amorphous films prepared by vacuum thermal evaporation and electrochemical metallization memory prepared by RF magnetron sputtering

Toshihiro Nakaoka, Hiroki Satoh, Yukiomi Nishiyama, Shimon Kida, and Yusuke Imanishi, Saori Honjo, and Hideo Takeuchi

Proceedings of The 27th Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS 2015) pp.26-29.   2015年

Dynamical properties of terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonon-plasmon coupled modes in an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structure 査読

Sumioka T, Takeuchi H, Nakayama M.

IRMMW-THz 2015 - 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IEEE)   2015年

Detection sensitivities of photoluminescence spectroscopy and polariscopy to residual strains in a (110)-oriented ZnTe single crystal: Explore of strain-sensitivity inspection techniques 査読

Takeuchi H.

Physics Procedia (Elsevier)   76   4 - 10   2015年

Photoreflectance spectroscopy of franz-keldysh oscillations from semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic devices and components

Takeuchi H.

Optical Spectroscopy: Technology, Properties and Performance   63 - 96   2014年

Polariscopy: Its high sensitivity to internal/residual strains of semiconductor single crystal wafers

Takeuchi H.

Optical Spectroscopy: Technology, Properties and Performance   173 - 198   2014年

Polariton characteristics of photoluminescence dynamics of exciton-exciton scattering in GaAs/AlAs multiple quantum wells 査読

Furukawa Y, Takeuchi H, Nakayama M.

Journal of the Physical Society of Japan (The Physical Society of Japan)   83 ( 5 )   54709 - 1-6   2014年（ ISSN:0031-9015 ）

Comparison in internal strain sensitivity between polariscopy and Raman scattering spectroscopy in a (110)-oriented ZnTe single crystal 査読

Takeuchi H.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   11 ( 7-8 )   1194 - 1197   2014年

Enhancement effects on excitonic photoluminescence intensity originating from misaligned crystal blocks and polycrystalline grains in a ZnO wafer 査読

Takeuchi H.

European Physical Journal B (EDP Science and Springer)   86 ( 2 )   2013年

Enhancement mechanism of terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonons in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures 査読

Tsuruta S, Takeuchi H, Yamada H, Hata M, Nakayama M.

Journal of Applied Physics (AIP Publishing)   113 ( 14 )   2013年（ ISSN:0021-8979 ）

Surface damage of 6H-SiC originating from argon plasma irradiation 査読

Kawakami R, Niibe M, Takeuchi H, Konishi M, Mori Y, Shirahama T, Yamada T, Tominaga K.

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms (Elsevier)   315   213 - 217   2013年

Terahertz radiation from the coherent longitudinal optical phonon-plasmon coupled mode in an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure 査読

Tsuruta S, Takeuchi H, Nakayama M.

Journal of Physics: Conference Series (IOP Publishing)   417 ( 1 )   2013年

Voltage-controllable terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonons in a p-i-n diode structure of GaAs 査読

Nakayama M, Asai S, Takeuchi H, Ichikawa O, Hata M.

Applied Physics Letters (AIP Publishing)   103 ( 14 )   2013年（ ISSN:0003-6951 ）

Characteristics of ultrafast optical responses originating from non-equilibrium carrier transport in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures 査読

Hasegawa T, Takagi Y, Takeuchi H, Yamada H, Hata M, Nakayama M.

Journal of Applied Physics (AIP Publishing)   113 ( 20 )   2013年（ ISSN:0021-8979 ）

Characteristics of TiO<inf>2</inf> surfaces etched by capacitively coupled radio frequency N<inf>2</inf> and He plasmas 査読

Kawakami R, Niibe M, Nakano Y, Konishi M, Mori Y, Takeuchi H, Shirahama T, Yamada T, Tominaga K.

Journal of Physics: Conference Series (IOP Publishing)   441 ( 1 )   2013年

First-sharp diffraction peaks in amorphous GeTe and Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>5</inf>films prepared by vacuum-thermal deposition 査読

Nakaoka T, Satoh H, Honjo S, Takeuchi H.

AIP Advances (AIP Publishing)   2 ( 4 )   2012年

Intense monochromatic terahertz electromagnetic waves from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n)-oriented GaAs/In 0.1Al 0.9As strained multiple quantum wells 査読

Takeuchi H, Asai S, Tsuruta S, Nakayama M.

Applied Physics Letters (AIP Publishing)   100 ( 24 )   2012年（ ISSN:0003-6951 ）

Photogenerated-carrier-induced band bending effects on generation of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer 査読

Takeuchi H, Tsuruta S, Nakayama M.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   9 ( 12 )   2610 - 2613   2012年

Ultrafast optical response originating from carrier-transport processes in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structures 査読

Hasegawa T, Takagi Y, Takeuchi H, Yamada H, Hata M, Nakayama M.

Applied Physics Letters (AIP Publishing)   100 ( 21 )   2012年（ ISSN:0003-6951 ）

Dynamical characteristics of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer investigated with use of terahertz spectroscopy 査読

Takeuchi H, Tsuruta S, Nakayama M.

AIP Conference Proceedings (AIP Publishing)   1506 ( 1 )   73 - 78   2012年

Time evolution of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures clarified with use of a time-partitioning Fourier transform method 査読

Hideo Takeuchi, Shuichi Tsuruta, Hisashi Yamada, Masahiko Hata, and Masaaki Nakayama.

Physic Procedia (Elsevier)   29   30 - 35   2012年

Circular polariscopic analysis of a ZnO wafer for highly sensitive and speedy evaluation of residual strains: Its relation with X-ray diffraction pattern and topography 査読

Takeuchi H.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   9 ( 8-9 )   1817 - 1820   2012年

Circular polariscopic measurement of a semi-insulating SiC wafer for evaluating strains and its relation with Raman spectra: Superiority to monochromatic Lang X-ray topography 査読

Takeuchi H.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   9 ( 2 )   266 - 269   2012年

Enhancement of exciton photoluminescence intensity caused by the distortion of the crystal plane originating from the internal strain in a ZnO wafer 査読

Takeuchi H.

AIP Advances (AIP Publishing)   1 ( 4 )   2011年

Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Tsuruta S, Yamada H, Hata M, Nakayama M.

Journal of Luminescence (Elsevier)   131 ( 3 )   531 - 534   2011年（ ISSN:0022-2313 ）

Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n -type GaAs epitaxial layer structures 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Tsuruta S, Yamada H, Hata M, Nakayama M.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   8 ( 2 )   343 - 345   2011年

Terahertz spectroscopy of dynamics of coupling between the coherent longitudinal optical phonon and plasmon in the surge current of instantaneously photogenerated carriers flowing through the i-GaAs layer of an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure 査読

Takeuchi H, Tsuruta S, Nakayama M.

Journal of Applied Physics (AIP Publishing)   110 ( 1 )   2011年（ ISSN:0021-8979 ）

Emission of the terahertz electromagnetic wave from coherent longitudinal optical phonons in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer 査読

Takeuchi H, Tsuruta S, Nakayama M.

Applied Physics Letters (AIP Publishing)   98 ( 15 )   2011年（ ISSN:0003-6951 ）

Circular polariscopic analysis of strains in a semi-insulating SiC wafer: Its high potential to complement the information obtained from monochromatic x-ray topography 査読

Takeuchi H.

Review of Scientific Instruments (AIP Publishing)   82 ( 3 )   2011年

Detection of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer using terahertz spectroscopy 査読

Takeuchi H, Tsuruta S, Nakayama M.

AIP Conference Proceedings (AIP Publishing)   1416   84 - 87   2011年

Frequency shift of terahertz electromagnetic waves originating from sub-picosecond-range carrier transport in undoped GaAs/n-Type GaAs epitaxial layer structures 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Tsuruta S, Yamada H, Hata M, Nakayama M.

Japanese Journal of Applied Physics (The Japan Society of Applied Physics)   49 ( 8 PART 1 )   82001 - 082001-5   2010年（ ISSN:0021-4922 ）

Observation and quantification of the direction reversal of the surface band bending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Hashimoto J, Nakayama M.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   7 ( 7-8 )   1844 - 1846   2010年

Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Nakayama M.

Physics Procedia (Elsevier)   3 ( 2 )   1109 - 1113   2010年

Intense emission of terahertz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Hasegawa T, Nakayama M.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   6 ( 6 )   1513 - 1516   2009年

Effects of nitrogen incorporation on a direction of a surface band bending investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves in GaAs<inf>1-x</inf>N<inf>x</inf>epitaxial layers 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Hashimoto J, Nakayama M.

Journal of Applied Physics (AIP Publishing)   105 ( 9 )   2009年（ ISSN:0021-8979 ）

Enhancement of terahertz electromagnetic wave emission from an undoped GaAsn -type GaAs epitaxial layer structure 査読

Takeuchi H, Yanagisawa J, Hasegawa T, Nakayama M.

Applied Physics Letters (AIP Publishing)   93 ( 8 )   2008年（ ISSN:0003-6951 ）

High sensitivity of photoluminescenceexcitation spectroscopy for probing effects of plasma-induced surface damages on carrier transport in Al <inf>x</inf>Ga<inf>1-x</inf>N/GaN heterostructures 査読

Takeuchi H, Shirahama T, Yamamoto Y, Kamo Y, Kunii T, Oku T, Tanaka H, Nakayama M.

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (Wiley)   5 ( 6 )   1525 - 1528   2008年

High sensitivity of Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra for probing morphology in AlxGa1-xN/GaN heterostructures 査読

Takeuchi H, Yamamoto Y, Kamo Y, Kunii T, Oku T, Wakaiki S, Nakayama M.

EPJ Applied Physics (EDP Science and Springer)   37 ( 2 )   119 - 122   2007年（ ISSN:1286-0042 ）

Photoluminescence-excitation spectroscopy as a highly sensitive probe for carrier transport processes affected by surface damages in Alx Ga1-x N/GaN heterostructures 査読

Takeuchi H, Yamamoto Y, Kamo Y, Kunii T, Oku T, Shirahama T, Tanaka H, Nakayama M.

Journal of Applied Physics (AIP Publishing)   102 ( 4 )   2007年（ ISSN:0021-8979 ）

Effects of a cap layer on built-in electric fields of AlxGa 1-xN/GaN heterostructures non-destructively probed by Franz-Keldysh oscillations 査読

Takeuchi H, Yamamoto Y, Kamo Y, Oku T, Nakayama M.

European Physical Journal B (EDP Science and Springer)   52 ( 3 )   311 - 314   2006年（ ISSN:1434-6028 ）

Photovoltaic effects on Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra: Application to determination of surface Fermi level and surface recombination velocity in undoped GaAsn -type GaAs epitaxial layer structures 査読

Takeuchi H, Kamo Y, Yamamoto Y, Oku T, Totsuka M, Nakayama M.

Journal of Applied Physics (AIP Publishing)   97 ( 6 )   2005年（ ISSN:0021-8979 ）

A C-band AlGaN/GaN HEMT with cat-CVD SiN passivation developed for an over 100 W operation 査読

Kamo Y, Kunii T, Takeuchi H, Yamamoto Y, Totsuka M, Shiga T, Minami H, Kitano T, Miyakuni S, Oku T, Inoue A, Nanjo T, Chiba H, Suita M, Oishi T, Abe Y, Tsuyama Y, Shirahana R, Ohtsuka H, Iyomasa K, Yamanaka K, Hieda M, Nakayama M, Ishikawa T, Takagi T, Marumoto K, Matsuda Y.

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (IEEE)   2005   495 - 498   2005年

Line-shape analysis of Franz-Keldysh oscillations from a base-emitter junction in an InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor structure 査読

Takeuchi H, Yamamoto Y, Hattori R, Ishikawa T, Nakayama M.

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures (Elsevier)   21 ( 2-4 )   693 - 697   2004年（ ISSN:1386-9477 ）

Nondestructive determination of layers producing Franz-Keldysh oscillations appearing in photoreflectance spectra of heterojunction bipolar transistor structures based on their line-shape analysis 査読

Takeuchi H, Yamamoto Y, Nakayama M.

Journal of Applied Physics (AIP Publishing)   96 ( 4 )   1967 - 1974   2004年（ ISSN:0021-8979 ）

Determination of subband energy levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering 査読

Susaki W, Ukawa S, Yokota S, Ohno N, Takeuchi H, Yamamoto Y, Hattori R, Shima A, Mihashi Y.

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures (Elsevier)   21 ( 2-4 )   793 - 797   2004年

A high reliability GaN HEMT with SiN passivation by Cat-CVD 査読

Kunii T, Totsuka M, Kamo Y, Yamamoto Y, Takeuchi H, Shimada Y, Shiga T, Minami H, Kitano T, Miyakuni S, Nakatsuka S, Inoue A, Oku T, Nanjo T, Oishi T, Ishikawa T, Matsuda Y.

Technical Digest - IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSIC (IEEE)   197 - 200   2004年

Interference Effect on the Phase of Franz-Keldysh Oscillations in GaAs/AlGaAs Heterostructures 査読

Takeuchi H, Yamamoto Y, Hattori R, Ishikawa T, Nakayama M.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers (The Japan Society of Applied Physics)   42 ( 11 )   6772 - 6778   2003年

Determination of subband energy levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering 査読

Susaki W, Ukawa S, Ohno N, Takeuchi H, Yamamoto Y, Hattori R, Shima A, Mihashi Y.

IEEE International Symposium on Compound Semiconductors, Proceedings (IEEE)   2003   157 - 158   2003年

Analysis of a Phase Factor of Franz-Keldysh Oscillations in GaAs/AlGaAs Heterostructures 査読

Takeuchi H, Yamamoto Y, Hattori R, Ishikawa T, Nakayama M.

IEICE Transactions on Electronics   E86-C ( 10 )   2015 - 2021   2003年

Finite-size effects on coherent folded acoustic phonons in GaAs/AlAs superlattices 査読

Mizoguchi K, Takeuchi H, Hino T, Nakayama M.

Journal of Physics Condensed Matter (IOP Publishing)   14 ( 4 )   2002年

Photoluminescence from high Γ-electron subbands and intersubband electroluminescence using x-Γ carrier injection in a simple GaAs/AlAs superlattice 査読

Domoto C, Nishimura T, Ohtani N, Kuroyanagi K, Vaccaro P.O, Aida T, Takeuchi H, Nakayama M.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers (The Japan Society of Applied Physics)   41 ( 8 )   5073 - 5077   2002年

Effects of a miniband structure on coherent LO phonon-plasmon coupled modes in an (InAs)1/(GaAs)30 strained-layer superlattice 査読

Takeuchi H, Mizoguchi K, Aida T, Nakayama M.

Physica B: Condensed Matter (Elsevier)   314 ( 1-4 )   422 - 426   2002年

Coherent folded acoustic phonons in GaAs/AlAs superlattices with limited periodicity 査読

Takeuchi H, Mizoguchi K, Hino T, Nakayama M.

Physica B: Condensed Matter (Elsevier)   316-317   308 - 310   2002年

Dynamical properties of coherent plasmons coupled with LO phonons in AN InAs/GaAs strained superlattice 査読

Mizoguchi K, Takeuchi H, Nakayama M.

Phase Transitions (Taylor & Sons)   75 ( 7-8 )   895 - 902   2002年（ ISSN:0141-1594 ）

Phase difference between coherent GaSb-like and AlSb-like LO phonons in GaSb/AlSb superlattices 査読

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, M. Nakayama, K. Kuroyanagi, and T. Aida.

Springer Proceedings in Physics (Springer)   87   451 - 452   2001年08月

Simultaneous observation of coherent GaSb-like and AlSb-like longitudinal optical phonons in GaSb/AlSb superlattices 査読

Takeuchi H, Mizoguchi K, Nakayama M, Kuroyanagi K, Aida T, Nakajima M, Harima H.

Journal of the Physical Society of Japan (The Physical Society of Japan)   70 ( 9 )   2598 - 2602   2001年

Coherent phonon-plasmon coupled modes in (InAs)1/(GaAs)m strained-layer superlattices 査読

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, and M. Nakayama.

IPAP Conference Series(The Japan Society of Applied Physics)   2 ( CS2 )   207 - 209   2001年

Intersubband electroluminescence using X-Gamma carrier injection in a GaAs/AlAs double-quantum-well superlattice

C Domoto, N Ohtani, K Kuroyanagi, PO Vaccaro, T Nishimura, H Takeuchi, M Nakayama

Springer Proceedings in Physics (Springer)   87   729 - 730   2001年（ ISSN:0930-8989 ）

"Mid-infrared electroluminescence from the G2-G1 intersubband transition using G-X electron injection in a GaAs/AlAs 査読

C. Domoto, T. Nishimura, N. Ohtani, K. Kuroyanagi, P.O. Vaccaro, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

IPAP Conference Series (The Japan Society of Applied Physics)   2 ( CS2 )   134 - 136   2001年

Intersubband electroluminescence using X-G carrier injection in a GaAs/AlAs double-quantum-well superlattice 査読

C. Domoto, N. Ohtani, K. Kuroyanagi, P. O. Vaccaro, T. Nishimura, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

Springer Proceedings in Physics (Springer)   87   729 - 730   2000年08月

Coherent longitudinal optical phonons in GaSb/AlSb superlattices 査読

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, M. Nakayama, H. Nishimura, K. Kuroyanagi, and T. Aida.

Special Issue, Memoirs of The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University   57   292 - 293   2000年03月

Intersubband electroluminescence using X-Γ carrier injection in a GaAs/AlAs superlattice 査読

Domoto C, Ohtani N, Kuroyanagi K, Vaccaro P.O, Takeuchi H, Nakayama M, Nishimura T.

Applied Physics Letters (AIP Publishing)   77 ( 6 )   848 - 850   2000年

Photoluminescence and carrier transport properties via the intersubband scattering in a GaAs/AlAs superlattice under applied electric field 査読

Ando M, Nakayama M, Takeuchi H, Nishimura H, Ohtani N, Egami N, Hosoda M, Mimura H.

Journal of Luminescence (Elsevier)   87   411 - 414   2000年

Light-hole Stark-ladder photoluminescence induced by heavy-hole-light-hole resonance in a GaAs/InAlAs superlattice 査読

Kuroyanagi K, Ohtani N, Egami N, Tominaga K, Hosoda M, Takeuchi H, Nakayama M.

Physica B: Condensed Matter (Elsevier)   272 ( 1-4 )   198 - 201   1999年

Light-hole Stark-ladder photoluminescence induced by hole injection from a remote heavy-hole state in a GaAs/InAlAs superlattice 査読

K. Kuroyanagi, N. Ohtani, N. Egami, K. Tomonaga, M. Hosoda, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

Institute of Physics Conference Series (IOP Publishing)   166   139 - 142   1999年

Reversible mesoscopic structural transformations in vacuum evaporated amorphous Ge30Se70 film studied by Raman scattering 査読

Takeuchi H, Matsuda O, Murase K.

Journal of Non-Crystalline Solids (Elsevier)   238 ( 1-2 )   91 - 97   1998年

Structural changes during photo-induced and thermal crystallization processes in evaporated amorphous GeSe2 films by Raman scattering 査読

Matsuda O, Takeuchi H, Wang Y, Inoue K, Murase K.

Journal of Non-Crystalline Solids (Elsevier)   232-234   554 - 559   1998年

Hot excitons in CuCl and CuBr crystalline thin films grown by vacuum deposition 査読

Nakayama M, Soumura A, Hamasaki K, Takeuchi H, Nishimura H.

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics (APS)   55 ( 15 )   10099 - 10104   1997年

(11n)面方位GaAs/In_0.1Al_0.9As歪多重量子井戸におけるコヒーレントGaAs型縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波放射に対する光生成キャリアのスクリーニング効果 査読

竹内日出雄, 浅井聡太, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   73 ( 1 )   2018年（ ISSN:2189-079X ）

Feドープβ-Ga₂O₃単結晶における自己束縛励起子の特性 査読

三国祐亮, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 2 )   2017年（ ISSN:2189-079X ）

アンドープGaAs/n型GaAsエピ構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードの時間領域テラヘルツ分光とラマン散乱分光 査読

竹内日出雄, 住岡隆弘, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 1 )   2017年（ ISSN:2189-079X ）

アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波減衰過程に対する光生成キャリアの影響 査読

竹内日出雄, 住岡隆弘, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 2 )   2017年（ ISSN:2189-079X ）

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射の減衰過程 査読

住岡隆裕, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   72 ( 1 )   2017年（ ISSN:2189-079X ）

i-GaAs/n-GaAsとi-GaAs/p-GaAsエピタキシャル構造におけるテラヘルツ電磁波放射特性の対比 査読

住岡隆裕, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   71 ( 2 )   2016年（ ISSN:2189-079X ）

励起光エネルギーチューニングによるGaAs多層膜中の電子輸送過程の遷移 査読

長谷川尊之, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   71 ( 1 )   2016年（ ISSN:2189-079X ）

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクス II 査読

住岡隆裕, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   71 ( 1 )   2016年（ ISSN:2189-079X ）

Eu添加GaNエピタキシャル薄膜における発光励起スペクトルの特異性 査読

中村聡志, 竹内日出雄, 小泉淳, 藤原康文, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   70 ( 1 )   2015年（ ISSN:2189-079X ）

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生ダイナミクス 査読

住岡隆裕, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集(CD-ROM)   70 ( 2 )   2015年（ ISSN:2189-079X ）

10aPS-112 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造における非平衡キャリア輸送のポンプ・プローブ分光(10aPS 領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形光学,フォトニック結晶),領域5(光物性)) 査読

長谷川 尊之, 竹内 日出雄, 山田 永, 秦 雅彦, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   553 - 553   2014年08月（ ISSN:1342-8349 ）

10aPS-93 GaN:Eu結晶薄膜におけるEu^<3+>発光に対する励起子解離効果(10aPS 領域5ポスターセッション(放射光,光電子分光,発光,非線形光学,フォトニック結晶),領域5(光物性)) 査読

中村 聡志, 竹内 日出雄, 小泉 淳, 藤原 康文, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   548 - 548   2014年08月（ ISSN:1342-8349 ）

27aAU-10 GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱発光ダイナミクスのポラリトン特性(27aAU 量子細線・量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) 査読

古川 喜彬, 竹内 日出雄, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   689 - 689   2014年03月（ ISSN:1342-8349 ）

アンドープGaAs/n-type GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンのラマン散乱分光とテラヘルツ電磁波発生 査読

竹内日出雄, 浅井聡太, 鶴田修一, 中山正昭

日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   755 - 755   2014年03月（ ISSN:1342-8349 ）

GaAsダイオード構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生の電圧制御 査読

中山正昭, 浅井聡太, 竹内日出雄, 市川磨, 秦雅彦

日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   755 - 755   2014年03月（ ISSN:1342-8349 ）

27pCK-8 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造における光励起キャリアの輸送機構(27pCK 超高速現象,領域5(光物性)) 査読

長谷川 尊之, 竹内 日出雄, 山田 永, 秦 雅魔, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   69 ( 1 )   739 - 739   2014年03月（ ISSN:1342-8349 ）

GaN:Eu結晶薄膜におけるEu³⁺発光に対する励起子解離効果 査読

中村聡志, 竹内日出雄, 小泉淳, 藤原康文, 中山正昭

日本物理学会講演概要集   69 ( 2 )   2014年（ ISSN:1342-8349 ）

GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱の発光ダイナミクス 査読

古川喜彬, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   600 - 600   2013年08月（ ISSN:1342-8349 ）

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における光励起キャリアの非平衡輸送と超高速光応答 査読

長谷川尊之, 竹内日出雄, 山田永, 秦雅彦, 中山正昭

日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   692 - 692   2013年08月（ ISSN:1342-8349 ）

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強機構 査読

中森一平, 竹内日出雄, 中山正昭

日本物理学会講演概要集   68 ( 2 )   687 - 687   2013年08月（ ISSN:1342-8349 ）

26aXQ-8 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答II(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) 査読

長谷川 尊之, 高木 芳弘, 竹内 日出雄, 山田 永, 秦 雅彦, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   743 - 743   2013年03月（ ISSN:1342-8349 ）

29aEH-5 (11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからの高強度THz電磁波発生II(29aEH 超高速現象(コヒーレントフォノン・テラヘルツ),領域5(光物性)) 査読

浅井 聡太, 竹内 日出雄, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   68 ( 1 )   852 - 852   2013年03月（ ISSN:1342-8349 ）

18aFB-2 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答(18aFB 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) 査読

長谷川 尊之, 高木 芳弘, 竹内 日出雄, 山田 永, 秦 雅彦, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   613 - 613   2012年08月（ ISSN:1342-8349 ）

19aHB-7 GaSb/GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレント縦光学フォノン緩和過程のテラヘルツ分光(19aHB 超高速現象,領域5(光物性)) 査読

竹内 日出雄, 鶴田 修一, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   67 ( 2 )   688 - 688   2012年08月（ ISSN:1342-8349 ）

26pBL-6 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノン・プラズモン結合モードによるテラヘルツ電磁波(26pBL 超高速現象,領域5(光物性)) 査読

竹内 日出雄, 鶴田 修一, 中山 正昭

日本物理学会講演概要集   67 ( 1 )   812 - 812   2012年03月（ ISSN:1342-8349 ）

Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT 査読

國井 徹郎, 戸塚 正裕, 加茂 宣卓, 山本 佳嗣, 竹内 日出雄, 島田 好治, 志賀 俊彦, 巳浪 裕之, 北野 俊明, 宮国 晋一, 中塚 茂典, 井上 晃, 奥 友希, 南條 拓真, 大石 敏之, 石川 高英, 松田 吉雄

電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波   104 ( 552 )   25 - 30   2005年01月（ ISSN:0913-5685 ）

6pSA-1 GaAs/AlAs多重量子井戸構造におけるサブバンド間遷移エレクトロルミネッセンス(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4) 査読

中山 正昭, 竹内 日出雄, 堂本 千秋, 西村 剛太, 大谷 直毅, Vaccaro P.O., 會田 田人

日本物理学会講演概要集   57 ( 2 )   556 - 556   2002年08月（ ISSN:1342-8349 ）

27aYE-4 長周期超格子中の折り返し音響フォノンの伝播ダイナミクス(27aYE 超高速現象,領域5(光物性分野)) 査読

日野 貴, 竹内 日出雄, 溝口 幸司, 中山 正昭, 中島 信一, Bartels A., Dekorsy T., Kurz H.

日本物理学会講演概要集   57 ( 1 )   712 - 712   2002年03月（ ISSN:1342-8349 ）

27p-Z-10 真空蒸着銅ハライド薄膜における自由励起子発光 査読

宗村 敦司, 濱崎 賢太, 竹内 日出雄, 中山 正昭, 西村 仁

日本物理学会講演概要集. 秋の分科会   1995 ( 2 )   250 - 250   1995年09月

Can longitudinal optical phonons obtain longer decay time by introducing defects with the use of surface treatments? A terahertz time-domain spectroscopic study on GaAs epilayers 国際会議

Hideo Takeuchi, Yuto Omuku, Ryota Onoda Toshihiro Nakaoka, Jun Utsumi, Shigeo Kawasaki, and Masatoshi Koyama

The 35th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2022)  2022年06月  ICPS2022

Terahertz time-domain spectroscopy of GaAs epitaxial layers treated with the use of fast atom bombardment 国際会議

Hideo Takeuchi, Yuto Omuku, Ryota Onoda Toshihiro Nakaoka, Jun Utsumi, Shigeo Kawasaki, and Masatoshi Koyama

The 31st International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS31)  2021年06月  ICDS31

時間領域テラヘルツ分光を用いたInSb単結晶におけるドーピングキャリア濃度によるフォトデンバー効果への影響の探査 国内会議

竹内日出雄，住岡俊裕，中山正昭

日本物理学会 第75年次大会(2020年)  2020年03月 

高速原子ボンバードメント処理されたGaAsエピタキシャル層の時間領域テラヘルツ分光 国内会議

大椋祐斗,竹内日出雄,中山正昭,小野田稜太,中岡俊裕,内海淳,川崎繁男,小山政俊

第30回光物性研究会  2019年12月 

時間領域テラヘルツ分光を用いた高速原子ボンバードメント処理によるGaAsエピタキシャル層表面の評価 国内会議

大椋祐斗,竹内日出雄,中山正昭,小野田稜太,中岡俊裕,内海淳 ,川崎繁男，小山政俊

日本物理学会2019年秋季大会  2019年09月 

Terahertz emission from coherent longitudinal optical (LO) phonons and LO-phonon-plasmon coupled modes in a low-temperature-grown GaAs epitaxial layer 国際会議

Hideo Takeuchi, Takuya Nishimura, Masaaki Nakayama, Andra Chen, Richard L. Field, III, and Rachel S. Goldman

The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON21)  2019年07月 

低温成長GaAsエピ層におけるコヒーレント縦光学フォノンおよび縦光学フォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ放射 国内会議

竹内日出雄，西村拓也，中山正昭，A. Chen, R. L. Field, III， R. S. GoldmanB

日本物理学会 第74 回年次大会（2019 年）  2019年03月 

(001)面方位および(110)面方位半絶縁性GaAs単結晶におけるコヒーレント縦光学(LO)フォノンおよびLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波発生 国内会議

西村拓也, 竹内日出雄, 中山正昭

第29回光物性研究会  2018年12月 

(110)面方位半絶縁性GaAs単結晶におけるコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生 国内会議

西村拓也，竹内日出雄，中山正昭

日本物理学会第73回年次大会 (2018年)  2018年09月 

(11n)面方位GaAs/In0.1Al0.9As歪多重量子井戸におけるコヒーレントGaAs型縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波放射に対する光生成キャリアのスクリーニング効果 国内会議

竹内日出雄，浅井聡太，中山正昭

日本物理学会 第 73 回年次大会（2018 年）  2018年09月 

p-i-n GaAs構造におけるコヒーレント縦光学フォノンからのテラヘルツ電磁波発生のバイアス電圧制御 国内会議

西村拓也，竹内日出雄，中山正昭

第27回⽇本⾚外線学会研究発表会  2017年10月 

Reliability Evaluation of a Passivation Thin Film Deposited on a GaAs Epilayer with Use of Photoreflectance Spectroscopy 国際会議

Hideo Takeuchi

29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), July 31 – Aug.4, 2017, Matsue-Kunibiki messe, Matsue, Japan.  2017年08月 

Screening effects of photogenerated carriers on terahertz radiation from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n)-oriented GaAs/In0.1Al0.9As strained multiple quantum we 国際会議

Hideo Takeuchi, Souta Asai, and Masaaki Nakayama.

The 20th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON20), Hyatt Regency Hotel, Buffalo, NY USA (July 17-21, 2017).  2017年07月 

Appearance of coherent LO phonons during the decay of LO-phonon‒plasmon coupled mode in an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structure 国際会議

Takahiro Sumioka, Hideo Takeuchi, Masaaki Nakayama.

The 19th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC' 16), July 17-22, 2016, Chimie ParisTech, Paris, France.  2016年 

Effects of photogenerated carrier scattering on the decay process of coherent longitudinal optical phonons in an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structure investigated by terahertz time-domain spectroscopy 国際会議

Hideo Takeuchi, Takahiro Sumioka, and Masaaki Nakayama.

The Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2016), December 11-15, 2016, The Big Island of Hawaii, USA.   2016年 

Dynamical properties of terahertz radiation from coherent longitudinal optical phonon-plasmon coupled modes in an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial structure 国際会議

Takahiro Sumioka, Hideo Takeuchi, and Masaaki Nakayama.

The 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz) 2015, August 23-28, 2015, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong.   2015年 

Raman scattering and terahertz spectroscopic characteristics of longitudinal optical phonons in i-GaAs/n-GaAs epitaxial structures 国際会議

Hideo Takeuchi, Souta Asai, Shuichi Tsuruta, Takahiro Sumioka, and Masaaki Nakayama.

The 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz) 2015, August 23-28, 2015, The Chinese University of Hong Kong, Hong Kong.   2015年 

Intermediate range order in Ge-(Sb)-Te amorphous films prepared by vacuum thermal evaporation and electrochemical metallization memory prepared by RF magnetron sputtering 国際会議

Toshihiro Nakaoka, Hiroki Satoh, Yukiomi Nishiyama, Shimon Kida, and Yusuke Imanishi, Saori Honjo, and Hideo Takeuchi.

The 27th Symposium on Phase Change Oriented Science (PCOS 2015), November 26-27, Atami New Fujiya Hotel, Atami, Japan.  2015年 

アンドープGaAs/n-type GaAsエピタキシャル構造における縦光学フォノンのラマン散乱分光とテラヘルツ電磁波発生 国内会議

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日本物理学会第69回年次大会  2014年03月 

GaAsダイオード構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生の電圧制御 国内会議

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日本物理学会第69回年次大会  2014年03月 

アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造における光励起キャリアの輸送機構 国内会議

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日本物理学会第69回年次大会  2014年03月 

Comparison of Detection Ability for Residual Strains in a (110)-oriented ZeTe Single Crystal between Photoluminescence Spectroscopy and Polariscopic Analysis: Explore of Strain-Sensitive Optical Characterizations 国際会議

Hideo Takeuchi

The International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter 2014, July 13-18, 2014, University of Wrocław, Wrocław, Poland.   2014年 

光変調反射分光法によるGaAsエピ膜上成長絶縁膜の表面保護特性評価 国内会議

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第24回光物性研究会  2013年12月 

i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強機構 国内会議

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第24回光物性研究会  2013年12月 

Comparison in Internal Strain Sensitivity between Polariscopy and Raman Scattering Spectroscopy in a ZnTe Single Crystal 国際会議

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The International Conference on II-VI Compounds and Related Materials  2013年09月 

HeプラズマによるSiCエッチングダメージ 国内会議

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平成25年度電気関係学会 四国支部連合大会  2013年09月 

ZnTe結晶内に存在する内部歪に対する光学的敏感性: Raman散乱分光と偏光解析との比較 国内会議

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日本物理学会2013年秋季大会  2013年09月 

i-GaAs/n-GaAs エピタキシャル構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強機構 国内会議

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日本物理学会2013年秋季大会  2013年09月 

アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造における　キャリア輸送過程に起因した超高速光応答II 国内会議

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日本物理学会2013年秋季大会  2013年09月 

Photgenerated carrier effects on terahertz electromagnetic waves from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n) oriented GaAs/In0.1Al0.9As strained multiple quantum wells 国際会議

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The International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical Materials  2013年07月 

Comparison in Internal Strain Sensitivity between Polariscopy and Raman Scattering Spectroscopy in a ZnTe Single Crystal 国際会議

Hideo Takeuchi

The International Conference on II-VI Compounds and Related Materials, September 9-13, 2013, Nagahama Royal Hotel, Nagahama, Japan.   2013年 

Photgenerated carrier effects on terahertz electromagnetic waves from coherent GaAs-like longitudinal optical phonons in (11n) oriented GaAs/In0.1Al0.9As strained multiple quantum wells 国際会議

H. Takeuchi, Souta Asai, and Masaaki Nakayama.

The International Workshop on Advanced Spectroscopy and Optical Materials, July 14-19, 2013, Gdansk, Poland.   2013年 

Characteristics of TiO2 Surfaces Etched by Capacitively Coupled Radio Frequency N2 and He Plasmas 国際会議

Retsuo Kawakami, Masahito Niibe, Yoshitaka Nakano, Masashi Konishi, Yuta Mori, Hideo Takeuchi, Tatsuo Shirahama, Tetsuya Yamada, and Kikuo Tominaga.

11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 25th SPSM (Symposium on Plasma Science for Materials), October 2-5 Kyoto University ROHM Plaza, Kyoto Japan.   2012年 

Photogenerated-carrier-induced band bending effects on generation of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer 国際会議

Hideo Takeuchi, Syuichi Tsuruta, and Masaaki Nakayama.

The 5th International Conference on Optical, Optelectronic, and Photonic Materials and Application (ICOOPMA) June 3-7, 2012, Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan.  2012年 

Good stoichiometry achieved by simple vacuum-thermal deposition of GeTe and Ge2Sb2Te5 thin films 国際会議

Hiroki Satoh, Toshihiro Nakaoka, and Hideo Takeuchi.

The 5th International Conference on Optical, Optelectronic, and Photonic Materials and Application (ICOOPMA) June 3-7, 2012, Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan.   2012年 

Effects of crystal-plane distortion on enhancement of excitonic photoluminescence intensity in a ZnO wafer 国際会議

Hideo Takeuchi

The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials, July 1-6 2012, De Oosterpoort, Groningen, The Netherlands.   2012年 

Dynamical characteristics of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer investigated with use of terahertz spectroscopy 国際会議

Hideo Takeuchi, Syuichi Tsuruta, and Masaaki Nakayama.

The 14th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter (PHONONS2012), July 8-12, 2012, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan, USA.   2012年 

Circular polariscopic measurement of a semi-insulating SiC wafer for evaluating strains and its relation with Raman spectra: Superiority to x-ray topography 国際会議

Hideo Takeuchi

The 38th International Symposium on Compound Semiconductors, May 22-26, 2011, Maritim proArte Hotel, Berlin, Germany  2012年 

"Detection of a coherent longitudinal optical phonon in a GaAs buffer layer optically covered with a GaSb top epitaxial layer using terahertz electromagnetic wave spectroscopy 国際会議

Hideo Takeuchi, Syuichi Tsuruta, and Masaaki Nakayama.

15th International Conference on Narrow Gap Systems (NGS15) August 1-5, 2011, Virginia Polytechnic Institute & State Universiherety, Virginia, USA.  2011年 

Time evolution of terahertz electromagnetic waves from undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures clarified with use of a time-partitioning Fourier transform method 国際会議

H. Takeuchi, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama.

The International Conference on Luminescence & Optical Spectroscopy of Condensed Matter 2011, June 26-July 1 2011, Central Campus of the University of Michigan, Ann Arbor, Michigan, USA.  2011年 

Terahertz radiation from the coherent longitudinal optical phonon-plasmon coupled mode in an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure 国際会議

Shuichi Tsuruta, Hideo Takeuchi, and Masaaki Nakayama.

15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), November 8-11, 2011, Kyoto Terrsa, Kyoto, Japan.   2011年 

Intense emission of terahertz electromagnetic wave originating from a surface surge current in an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure 国際会議

Takayuki Hasegawa, Hideo Takeuchi, and Masaaki Nakayama.

20th Anniversary Joint-Symposium of School of Science, University of Hyogo, International Symposium on Bioimaging and Surface Science, February 26-27, 2011, University of Hyogo, Hyogo, Japan  2011年 

Circular polariscopic analysis of a ZnO wafer for highly sensitive and speedy evaluation of residual strains: Its relation with x-ray diffraction pattern and topography 国際会議

Hideo Takeuchi

15th International Conference on II-VI Compounds (II-VI 2011), August 21-26 2011, Ocean Coral & Turquesa, Riviera Maya, Mexico.  2011年 

Frequency-tunable terahertz electromagnetic wave emitters based on undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures utilizing sub-picosecond-range carrier-transport processes 国際会議

Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama.

The 17th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids (DPC'10), June 20-25, 2010, APS Conference Center, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois, USA  2010年 

Simple strategy for enhancing terahertz emission from coherent longitudinal optical phonons using undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structures 国際会議

Hideo Takeuchi , J. Yanagisawa, S. Tsuruta, H. Yamada, M. Hata, and M. Nakayama.

The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2010) May 31-June 4, 2010, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan.  2010年 

Direction reversal of the surface band bending in GaAs-based dilute nitride epitaxial layers investigated by polarity of terahertz electromagnetic waves 国際会議

Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, and Masaaki Nakayama.

The 14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems (NGSS-14) July 13-17, 2009, Sendai, Japan.  2009年 

Observation and quantification of the direction reversal of the surface band herebending in GaAs1-xNx using terahertz electromagnetic wave and photoreflectance measurements 国際会議

Hideo Takeuchi, Junichi Yanagisawa, Jun Hashimoto, and Masaaki Nakayama.

The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8) Oct. 18-23, 2009, Jeju-island, Korea.  2009年 

Intense emission of THz electromagnetic wave from an undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure 国際会議

Hideo Takeuchi, J. Yanagisawa, T. Hasegawa, and M. Nakayama.

The 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC2008) September 21-24, 2008, Europa-Park, Rust, Germany.  2008年 

Photoluminescence-excitation spectroscopy for probing effects of plasma-induced surface damage on carrier transports in AlxGa1-xGaN heterostructures 国際会議

Hideo Takeuchi, Y. Yamamoto, Y. Kamo, T. Kunii, T. Oku, T. Shirahama, H. Tanaka and M. Nakayama.

The 7th International Conference on Nitride Semiconductors, September 16-21, 2007, MGM Hotel, Las Vegas, Nevada, U.S.A.  2007年 

Determination of subband energy levels of double quantum well AlGaAs lasers by photoreflectance and self-excited electron Raman scattering 国際会議

W. Susaki, S. Ukawa, S. Yokota, N. Ohno, H. Takeuchi, Y. Yamamoto, R. Hattori, A. Shima, and Y. Mihashi.

The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), July 14 - 18, 2003, Nara New Public Hall, Nara, Japan.  2003年 

Line-shape analysis of Franz-Keldysh oscillations from a base-emitter junction in an InGaP/GaAs hetero- junction bipolar transistor structure 国際会議

Hideo Takeuchi, Y. Yamamoto, R. Hattori, T. Ishikawa, and M. Nakayama.

The 11th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS11), July 14 - 18, 2003, Nara New Public Hall, Nara, Japan.  2003年 

Analysis of a phase factor of Franz-Keldysh oscillations in GaAs/AlGaAs heterostructures 国際会議

H. Takeuchi, Y. Yamamoto, R. Hattori, T. Ishikawa, and M. Nakayama.

The 5th Topical Workshop of Heterostructure Microelectronics (TWHM 2003), January 21-24, 2003, Nago, Okinawa, Japan.  2002年 

SiC surface damage originating from synergy effect of Ar plasma ion and plasma-induced ultraviolet light irradiations 国際会議

R. Kawakami , M. Niibe, H. Takeuchi, M. Konishi, Y. Mori, T. Shirahama, T. Yamada, and K. Tominaga.

25th International Conference on Atomic Collisions in Solids, October 21-25, 2012, Kyoto, Japan.   2002年 

Coherent phonon-plasmon coupled modes in (InAs)1/(GaAs)m strained-layer superlattices 国際会議

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, and M. Nakayama.

The 10th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Applications , May 27-31, 2001, Ishikawa, Japan.  2001年 

The 10th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Physics and Applications , May 27-31, 2001, Ishikawa, Japan. 国際会議

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, T. Hino, and M. Nakayama

The 10th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter (Phonon 2001), August 12-17, 2001, New Hampshire, U.S.A.  2001年 

Mid-infrared electroluminescence from the G2-G1 intersubband transition using G-X electron injection in a GaAs/AlAs double-quantum-well superlattice 国際会議

C. Domoto, T. Nishimura, N. Ohtani, K. Kuroyanagi, P.O. Vaccaro, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

The 10th International. Conference on Narrow Gap Semiconductors and Related Small Energy Phenomena, Ishikawa, Japan, 2001.   2001年 

Effects of a miniband structure on coherent LO phonon-plasmon coupled modes in an (InAs)1/(GaAs)30 strained-layer superlattice 国際会議

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, T. Aida, and M. Nakayama.

The 12th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (HCIS 12), August 27-31, Sante Fe, New Mexico, U.S.A.  2001年 

Dynamical properties of coherent plasmon coupled with LO phonon in InAs/GaAs strained superlattices 国際会議

K. Mizoguchi, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

International Conference on Photoinduced Phase Transitions, their Dynamics and Precursor, November 14-16, 2001, Tsukuba, Ibaragi, Japan.   2001年 

Coherent longitudinal optical phonons in GaSb/AlSb superlattices 国際会議

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, M. Nakayama, H. Nishimura, K. Kuroyanagi, and T. Aida.

The Third SANKEN International Symposium, "Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials, and Computing", March 15, 2000, SANKEN, Osaka University, Osaka, Japan.  2000年 

Intersubband electroluminescence using X-G carrier injection in a GaAs/AlAs double-quantum-well superlattice 国際会議

C. Domoto, N. Ohtani, K. Kuroyanagi, P. O. Vaccaro, T. Nishimura, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

The 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka, Japan, 2000.  2000年 

Initial phase difference between coherent GaSb-like and AlSb-like LO phonons in GaSb/AlSb superlattices 国際会議

H. Takeuchi, K. Mizoguchi, M. Nakayama, K. Kuroyanagi, and T. Aida.

The 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, September 18, 2000, Osaka International Convention Center, Osaka, Japan  2000年 

Light-hole Stark-ladder photoluminescence induced by heavy-hole-light-hole resonance in a GaAs/InAlAs superlattice 国際会議

K. Kuroyanagi, N. Ohtani, N. Egami, K. Tomonaga, M. Hosoda, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

The 11th Int. Conf. on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors, Kyoto, Japan, 1999.   1999年 

Photoluminescence and carrier transport properties via the intersubband scattering in a GaAs/AlAs superlattice under applied electric field 国際会議

M. Ando, M. Nakayama, H. Takeuchi, H. Nishimura, N. Ohtani, N. Egami, M. Hosoda, and H. Mimura.

The 1999 Int. Conf. on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter, Osaka, Japan, 1999.   1999年 

Light-hole Stark-ladder photoluminescence induced by hole injection from a remote heavy-hole state in a GaAs/InAlAs superlattice 国際会議

K. Kuroyanagi, N. Ohtani, N. Egami, K. Tomonaga, M. Hosoda, H. Takeuchi, and M. Nakayama.

The 26th Int. Symp. on Compound Semiconductors, Berlin, Germany, 1999.   1999年 

Structural changes during photo-induced and thermal crystallization processes in evaporated amorphous GeSe2 films by Raman scattering 国際会議

Osamu Matsuda, Hideo Takeuchi, Yong Wang, Kohici Inoue, and KazuoF Murase.

The 7th Int. Conf. on the Structure of Non-Crystalline Materials, Chia Laguna, Sardenga, Italy,1997.  1997年 

窒化物半導体の評価方法及び評価装置

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

窒化物半導体の評価方法及び評価装置

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

Method and apparatus for measuring surface carrier recombination velocity and surface Fermi level

Hideo Takeuchi and Yoshitsugu Yamamoto

Method and apparatus for measuring surface carrier recombination velocity and surface Fermi level

Hideo Takeuchi, Yoshitsugu Yamamoto

半導体層の検査方法および装置

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

半導体層の検査方法および装置

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

表面キャリア再結合速度の測定方法

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

窒化物半導体装置およびその製造方法

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

窒化物半導体装置およびその製造方法

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

Method for evaluating piezoelectric fields

Hideo Takeuchi Yoshitsugu Yamamoto, and Takahide Ishikawa

Optical measuring method for semiconductor multiple layer structures and apparatus therefor

Hideo Takeuchi and Yoshitsugu Yamamoto

半導体装置

山本 佳嗣, 鈴木 敏, 竹内 日出雄

ピエゾ電場の評価方法

竹内 日出雄, 山本 佳嗣, 石川 高英

半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

半導体多層膜の分光計測方法および分光計測装置

竹内 日出雄, 山本 佳嗣

半導体装置

竹内 日出雄、山本 佳嗣

卒業研究

2023年度   集中講義   大学

半導体工学Ⅰ

2023年度   週間授業   大学

電子・物理工学実験Ⅰ

2023年度   週間授業   大学

電子・物理工学関係外書講読

2023年度   集中講義   大学

電子・物理工学概論

2023年度   集中講義   大学

電子物理工学概論2

2023年度   週間授業   大学

工業数学Ⅲ演習

2023年度   集中講義   大学

電子・物理工学実験Ⅱ

2023年度   週間授業   大学

特別演習（電子材料2）

2023年度   週間授業   大学院

電子物理系特別研究第2（電子材料）

2023年度   集中講義   大学院

電子物理系特別演習第2（電子材料）

2023年度   集中講義   大学院

光物性工学特論

2022年度   週間授業   大学院

技術と環境/杉本［全］S

2022年度   週間授業   大学院

前期特別研究(電子情報系)

2022年度   集中講義   大学院

特別演習（光物性工学）

2022年度   集中講義   大学院

後期特別研究(電子情報系)

2022年度   集中講義   大学院

ゼミナール(電子情報系)

2022年度   集中講義   大学院

卒業研究(電子/物理工学科)

2022年度   集中講義   大学

半導体工学I

2021年度   週間授業   大学

特別演習(電子・物理工学I)

2020年度     大学院

電子・物理工学概論

2020年度     大学

卒業研究

2020年度     大学

特別演習（光物性工学I)

2020年度     大学院

外書講読

2020年度     大学

電子・物理工学実験II

2020年度     大学

量子エレクトロニクス

2020年度     大学

工業数学III演習

2020年度     大学

特別演習（光物性工学II)

2020年度     大学院

工業数学III演習

2019年度     大学

量子エレクトロニクス

2019年度     大学

電子・物理工学実験II

2019年度     大学

外書講読

2019年度     大学

卒業研究

2019年度     大学

電子・物理工学概論

2019年度     大学

技術と環境

2019年度     大学

特別演習(電子・物理工学I)

2019年度     大学院

光物性工学特論

2019年度     大学院

特別演習（光物性工学I)

2019年度     大学院

特別演習（光物性工学II)

2019年度     大学院

特別演習(電子・物理工学I)

2018年度     大学院

特別演習 (光物性工学Ⅱ)

2018年度     大学院

特別演習（光物性工学I)

2018年度     大学院

光物性工学特論

2018年度     大学院

量子エレクトロニクス

2018年度     大学

電子・物理工学実験II

2018年度     大学

外書購読

2018年度     大学

卒業研究

2018年度     大学

電子・物理工学概論

2018年度     大学

工業数学III演習

2018年度     大学

工業数学III演習

2017年度     大学

量子エレクトロニクス

2017年度     大学

電子・物理工学実験II

2017年度     大学

外書講読

2017年度     大学

卒業研究

2017年度     大学

電子・物理工学概論

2017年度     大学

光物性工学特論

2017年度     大学院

特別演習（光物性工学II)

2017年度     大学院

特別演習（光物性工学I)

2017年度     大学院

技術と環境

2016年度     大学

電子システム工学実験IV

機関名：滋賀県立大学

電子システム工学演習III

機関名：滋賀県立大学

半導体デバイス工学

機関名：滋賀県立大学

電子システム工学実験II

機関名：滋賀県立大学

電子システム工学実験I

機関名：滋賀県立大学

物性デバイス基礎論

機関名：滋賀県立大学

科学技術英語

機関名：滋賀県立大学

物理学実験

機関名：滋賀県立大学

人間探求学

機関名：滋賀県立大学

卒業研究

機関名：滋賀県立大学

半導体デバイス工学

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

光物性特論

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

光物性工学特論

機関名：大阪市立大学大学院 工学研究科 電子情報系専攻

光エレクトロニクス

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

人間探求学

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

電子物理工学概論

機関名：大阪市立大学 工学部 電子・物理工学科

電子・物理工学実験II

機関名：大阪市立大学 工学部 電子・物理工学科

電子システム工学特論

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

電子システム工学特別演習

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

電子システム工学演習III

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

電子システム工学実験IV

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

電子システム工学実験II

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

電子システム工学実験I

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

量子エレクトロニクス

機関名：大阪市立大学 工学部 電子・物理工学科

科学技術英語

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

特別演習 (光物性工学Ⅱ)

機関名：大阪市立大学大学院 工学研究科 電子情報系専攻

物理学実験

機関名：大阪工業大学

物理学実験

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

物性デバイス基礎論

機関名：滋賀県立大学 電子システム工学科

技術と環境

機関名：大阪市立大学

工業数学III演習

機関名：大阪市立大学 工学部 電子・物理工学科

大学院特別演習(電子・物理工学I)

機関名：大阪市立大学大学院 工学研究科 電子情報系専攻

外書購読

機関名：大阪市立大学 工学部 電子・物理工学科

新課程(高等学校学習指導要領改訂)に関する講演会  2022年度

「大学院生のためのキャリアパス支援説明会」（兼リーディングプログラム説明会）  2021年度

第30回FDワークショップ「ヤングケアラー・若者ケアラー問題を考える ―家族・親族の介護・看護を担う学生への支援―」  2021年度

第29回教育改革シンポジウム・第19回FD研究会  2021年度

FD活動への貢献  2018年度

FD活動への貢献  2018年度

2018年度

2018年度

2018年度

2018年度

2017年度