企画委員   日本表面科学会  

2013年04月 - 2015年03月 

組織委員   電子物質国際会議 2012 光支援合成とプロセスシンポジウム  

2012年 

平成23年度戦力的技術支援事業　事後評価委員   近畿経済産業局  

2011年11月 - 2012年03月 

科学研究費委員会専門委員（書面審査委員）   日本学術振興会  

2009年10月 - 2011年02月 

委員   日本表面科学会関西支部  

2009年04月 - 2017年03月 

実行委員会副委員長   真空・表面科学会合同学術講演会　  

2009年04月 - 2010年03月 

幹事   応用物理学会ナノプロセス研究会  

2008年04月 - 2020年03月 

実行委員   電子遷移誘起脱離に関する国際ワークショップ  

2004年 

組織委員   電子励起による原子分子操作に関する国際シンポジウム  

2002年 

実行委員   第7回絶縁体における照射効果に関する国際会議  

1993年 

大阪大学   産業科学研究所   准教授

2009年04月 - 2019年03月

東京大学物性研究所   ナノスケール物性研究部門   客員准教授

2015年04月 - 2015年09月

名古屋大学大学院   工学研究科応用物理学専攻   非常勤講師

2005年04月 - 2006年03月

Ultrafast relaxation dynamics of highly excited hot electrons in silicon 査読 国際共著

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast

Physical Review B   100 ( 3 )   035201-1 - 035201-13   2019年07月

Energy relaxation mechanism of hot-electron ensembles in GaAs: Theoretical and experimental study of its temperature dependence 査読 国際共著

J. Sjakste, N. Vast, G. Barbarino, M. Calandra, F. Mauri, J. Kanasaki, H. Tanimura, and K. Tanimura

Physical Review B   97 ( 6 )   064302-1 - 064302-9   2018年02月

Ultrafast dynamics in photoexcited valence-band states of Si studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy of bulk direct transitions 査読 国際共著

J. Kanasaki, H. Tanimura, K. Tanimura, P. Ries, W. Heckel, K. Biedermann, T. Fauster

Physical Review B   97 ( 3 )   035201-1 - 035201-6   2018年01月

Electronic structure of surface unoccupied band of Ge(001)-c(4x2): Direct imaging of surface electron relaxation pathways 査読

J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, and S. Fukatsu

Physical Review B   96 ( 11 )   115301-1 - 115301-7   2017年11月

Comparison of electronic-excitation-induced structural modification of carbon-based nanomaterials with that of semiconductor surfaces 査読

N. Itoh, C. Itoh, J. Kanasaki

NANO   11 ( 6 )   1630001-1 - 1630001-17   2016年06月

Formation of hot-electron ensembles quasi-equilibrated in momentum space by ultrafast momentum scattering of highly excited hot electrons photoinjected into Г-valley of GaAs 査読

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast, M. Calandra, F. Mauri

Physical Review B   93 ( 16 )   161203(R)-1 - 161203(R)-5   2016年04月

Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura

Physical Review B   91 ( 4 )   045201-1 - 045201-16   2015年01月

フェムト秒時間分解光電子分光法を用いた半導体における励起電子超高速緩和ダイナミクスの研究 査読

金﨑順一,谷村洋,谷村克己

固体物理   50 ( 10 )   519 - 530   2015年

Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

H. Tanimura, J. Kanasaki and K. Tanimura

Physical Review B   91 ( 4 )   045201-1 - 16   2015年

Imaging energy- and momentum-, and time-resolved distributions of photoinjected hot electrons in GaAs 査読

J. Kanasaki, H. Tanimura, K. Tanimura

Physical Review Letters   113 ( 23 )   237401-1 - 237401-4   2014年12月

State-resolved ultrafast dynamics of impact ionization in InSb 査読

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura

Scientific Reports   4   6849-1 - 6849-4   2014年11月

Crucial Roles of Holes in Electronic Bond Rupture on Semiconductor Surfaces 査読

J. Tsuruta, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

Surface Science   626   49 - 52   2014年08月

The role of applied bias and tip electronic structure in the scanning tunneling microscopy imaging of highly oriented pyrolytic graphite 査読

G. Teobaldi, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura, A. L. Shluger,

Physical Review B   85 ( 8 )   085423-1 - 085423-15   2012年04月

Ultrafast relaxation of highly excited hot electrons in Si: Roles of the L-X intervalley scattering 査読

T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, and K. Tanimura, T. Fauster

Physical Review B   84 ( 23 )   235210-1 - 235210-11   2011年12月

Scanning tunneling microscopic studies of laser-induced modifications of Si(001)-(2x1) surface 査読

Yasui Kosuke, Kanasaki Jun'ichi

Journal of Applied Physics   110 ( 10 )   2011年11月（ ISSN:0021-8979 ）

Intact-sheet double-layer ablation induced by femtosecond-laser excitation of graphite 査読

H. Ohnishi, E. Inami, J. Kanasaki

Surface Science   605 ( 15-16 )   1497 - 1502   2011年05月

Ultrafast relaxation of highly excited hot electrons in Si: Roles of the L-X intervalley scattering 査読 国際共著

T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, and K. Tanimura, T. Fauster

Physical Review B   84 ( 23 )   235210-1 - 11   2011年

Formation of sp3-bonded carbon nanostructures by femtosecond laser excitation of graphite 査読

J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura, H. Onishi, K. Nasu

Physical Review Letters   102 ( 8 )   087402-1 - 087402-4   2009年02月

Excitation-induced atomic desorption and structural instability of III-V compound semiconductor surfaces 査読

K. Tanimura and J. Kanasaki

Surface Science   602 ( 20 )   3162 - 3171   2008年10月

Scanning tunneling microscopy study on hydrogen removal from Si(001)-2x1:H surface excited with low-energy electron beams 査読

J. Kanasaki, K. Ichihashi, K. Tanimura

Surface Science   602 ( 7 )   1322 - 1327   2008年04月

Fermi-level dependent morphology in photo-induced bond breaking on (110) surfaces of III-V semiconductors 査読

J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura

Surface Science   601 ( 11 )   2367 - 2372   2007年06月

Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors 査読

K. Tanimura, E. Inami, J. Kanasaki, W. Hess

Physical Review B   74 ( 3 )   035337-1 - 035337-8   2006年07月

Excitation-induced structural instability of semiconductor surfaces 査読

K. Tanimura and J. Kanasaki

Journal of Physics: Condensed Matter   18 ( 30 )   1479 - 1516   2006年07月

Laser-induced desorption from semiconductor surfaces and its electronic mechanism 招待 査読

J. Kanasaki, K. Tanimura

Journal of the Vacuum Society of Japan   49   581 - 587   2006年

Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces 査読

J. Kanasaki

Physica B   376-377   834 - 840   2006年

Excitation-induced structural instability of semiconductor surfaces 査読

K. Tanimura, J. Kanasaki

Journal of Physics: Condensed Matter   18 ( 30 )   1479 - 1516   2006年

Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors 査読 国際共著

K. Tanimura, E. Inami, J. Kanasaki, W. Hess

Physical Review B   74 ( 3 )   035337-1 - 8   2006年

Structural instability of Si(111)-(7x7) induced by low energy electron irradiation 査読

Y. Sugita, H. Horiike, J. Kanasaki, K. Tanimura

Surface Science   593 ( 1-3 )   168 - 172   2005年11月

レーザー励起による半導体表面構造の不安定性 招待 査読

金﨑順一, 谷村克己

表面科学   26   675 - 680   2005年

レーザービームによる半導体表面原子結合の局所的切断 招待 査読

金﨑順一, 谷村克己

応用物理   73   485 - 489   2004年

Photoinduced structural instability of the InP(110)-(1x1) surface 査読

T. Gotoh, S. Kotake, K. Ishikawa, J. Kanasaki, K. Tanimura

Physical Review Letters   93 ( 11 )   117401-1 - 4   2004年

Electronic bond rupture of Si-dimers on the Si(001)-(2x1) 査読

J. Kanasaki, K. Katoh, Y. Imanishi

Applied Physics A   6   865 - 868   2004年

Electronic bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2x1) induced by 1-eV photon excitation 査読

E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

Surface Science   528 ( 1-3 )   115 - 120   2003年

Laser-induced electronic bond breaking and desorption on Si(001) surface 査読

J. Kanasaki, K. Tanimura

Surface Science   528 ( 1-3 )   127 - 131   2003年

Laser-induced electronic bond breaking on semiconductor surfaces

J. Kanasaki

Proceedings of International Symposium on Manipulation of Atoms and Molecules by Electronic Excitation (ISMAMEE)   30 - 33   2002年

Primary processes of laser-induced selective dimer-layer removal on Si(001)-(2x1) 査読

J. Kanasaki, K. Ishikawa, M. Nakamura, K. Tanimura

Physical Review Letters   89 ( 25 )   257601-1 - 4   2002年

Laser-induced new phase formation and desorption of Si atoms from

J. Kanasaki, K. Tanimura

SPIE   4636   48 - 58   2002年

Laser-induced electronic instability on semiconductor surfaces of Si (111)-(7x7) and InP (110)-(1x1) 査読

K. Tanimura, J. Kanasaki, K. Ishikawa

Springer Proceedings in Physic   87   325 - 326   2001年

Laser-induced electronic desorption from InP(110) surfaces studied by the femtosecond non-resonant ionization spectroscopy 査読

J. Kanasaki, N. Mikasa, K. Tanimura

Physical Review B   64 ( 3 )   035414-1 - 10   2001年

Laser-induced electronic bond breaking and structural changes on semiconductor surfaces 査読

K. Tanimura, J. Kanasaki

SPIE   3618   26 - 36   1999年

Laser-induced desorption from STM-selected semiconductor sites 査読 国際共著

N. Itoh, J. Kanasaki, J. Xu

Progress in Surface Science   61 ( 1 )   1 - 19   1999年

Translational energy distribution of Si atoms desorbed by laser-induced electronic bond breaking of adatoms on Si(111)-(7x7) 査読

J. Kanasaki, K. Iwata, K. Tanimura

Physical Review Letters   82 ( 3 )   644 - 647   1999年

Laser-induced bond breaking and structural changes on Si(111)7x7 surfaces 査読

K. Tanimura, J. Kanasaki

Applied Surface Science   127-129   33 - 39   1998年

Laser-induced electronic bond breaking and desorption of Si adatoms from the Si(111)-7x7 surface 査読

J. Kanasaki, T. Ishida, K. Ishikawa, K. Tanimura

Physical Review Letters   80 ( 18 )   4080 - 4083   1998年

Laser-induced emission of atoms and electrons from deposited Si atoms on the Si(100)2x1 surface 査読 国際共著

In-Keun Yu, J. Kanasaki, Y. Nakai, N. Itoh, K-Y. Kang

Journal of Korean Physical Society   33 ( 1 )   91 - 94   1998年

Low energy laser photoelectron study of defect states on cleaved Si(111)2x1 surface 査読 国際共著

M. Yamada, J. Kanasaki, N. Itoh, R. T. Williams

Surface Science   349 ( 1 )   L107 - L110   1996年

レーザービームと非金属固体表面との相互作用 査読

伊藤憲昭，金崎順一，岡野晃子，中井靖男

応用物理   64   536 - 546   1995年

The DIET from semiconductor surfaces 査読

J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   101 ( 1-2 )   93 - 102   1995年

Site-selective manipulation of semiconductor surfaces by laser beams 査読

N. Itoh, A. Okano, J. Kanasaki, Y. Nakai

Optoelectronics -Devices and Technologies   10 ( 2 )   247 - 258   1995年

Laser beam interaction with defects on semiconductor surfaces: an approach to production of defect-free surfaces 招待 査読

N. Itoh, J. Kanasaki, A. Okano, Y. Nakai

Annual Review of Material Science   25   92 - 127   1995年

Energies for atomic emissions from defect sites on the Si surfaces: the effects of halogen adsorbates 査読 国際共著

G. S. Khoo, C. K. Ong, N. Itoh, J. Kanasaki

Journal of Applied Physics   75 ( 1 )   255 - 258   1994年

Defect excitation processes involved in laser-induced atomic emission and laser ablation of non-metallic solids 査読 国際共著

J. Singh, N. Itoh, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano

Physical Review B   50 ( 16 )   11730 - 11737   1994年

Defect-initiated atomic emissions from semiconductor surfaces induced by laser irradiation: electronic cleaning of defects on surfaces 査読

J. Kanasaki, A. Okano, Y. Nakai, N. Itoh,

Applied Surface Science   81   100 - 103   1994年

Enhancement of emissions of Si atoms from the Si(100) surface by low-rate Br exposure: a new model of dry etching based on defect-adsorbate interaction 査読

J. Kanasaki, I. K. Yu, Y. Nakai, and N. Itoh

Japanese Journal of Applies Physics   33 ( 4B )   2255 - 2257   1994年

Electronic processes in laser-induced Gao emission and laser ablation of the GaP(110) and GaAs(110) surfaces 査読

A. Okano, J. Kanasaki, Y. Nakai, N. Itoh

Journal of Physics: Condensed Matter   6 ( 14 )   2697 - 2712   1994年

Emission of Na atoms from undamaged and slightly damaged NaCl(100) surfaces by electronic excitation 査読

T. Kubo, A. Okano, J. Kanasaki, K. Ishikawa, Y. Nakai, and N. Itoh

Physical Review B   49 ( 7 )   4931 - 4937   1994年

Laser-induced electronic processes on semiconductor surfaces 招待 査読

N. Itoh, Y. Nakai, K. Hattori, A. Okano, J. Kanasaki

Desorption Induced by Electronic Transitions DIET V   223 - 235   1993年

Defect-initiated emission of Ga atoms from the GaAs(110) surface induced by pulsed laser irradiation 査読

J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh

Journal of Physics: Condensed Matter   5 ( 36 )   6497 - 6506   1993年

acancy-initiated laser sputtering from semiconductor surfaces 査読

N. Itoh, A. Okano, K. Hattori, J. Kanasaki, Y. Nakai

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   82 ( 2 )   310 - 316   1993年

Enhancement of laser-induced defect-initiated Gao emission from GaAs(110) surfaces by Br adsorption 査読 国際共著

J. Kanasaki, A. Y. Matsuura, Y. Nakai, N. Itoh, R. F. Haglund, Jr.

Applied Physics Letters   62 ( 26 )   3493 - 3495   1993年

Laser-induced electronic emissions of Si atoms from Si(100) surfaces 査読

J. Kanasaki, I. K. Yu, Y. Nakai, N. Itoh

Japanese Journal of Applies Physics   32 ( 6B )   L859 - L862   1993年

Dynamical interaction of surface electron-hole pairs with surface defects: surface spectroscopy monitored by particle emission 査読

J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh

Physical Review Letters   70 ( 16 )   2495 - 2498   1993年

Defect-initiated particle emission from semiconductor surfaces by laser irradiation 査読

Y. Nakai, K. Hattori, A. Okano, T. Taguchi, J. Kanasaki, N. Itoh

Surface Science   283 ( 1-3 )   169 - 176   1993年

Theoretical studies of defect-initiated particle emission from GaP(110) surfaces: basis for a new technique of generating perfect surfaces 査読 国際共著

N. Itoh, K. Hattori, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano, C. K. Ong, G. S. Khoo

Applied Physics Letters   60 ( 26 )   3271 - 3273   1992年

Laser-induced particle emission from surfaces of non-metallic solids: a search for primary processes of laser ablation 査読 国際共著

N. Itoh, K. Hattori, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano, R. F. Haglund, Jr.

Laser Ablation, Mechanisms and Applications   213 - 223   1991年

Effects of oxygen adsorption on laser-induced sputtering from GaP(110) surfaces 査読 国際共著

J. Kanasaki, H. Yamashita, A. Okano, K. Hattori, Y. Nakai, N. Itoh, R. F. Haglund, Jr.

Surface Science   257 ( 1-3 )   L642 - L646   1991年

High-resolution analysis of protons scattered from solid surfaces 査読

N. Matsunami, K. Kitoh, J. Kanasaki, N. Itoh

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   45 ( 1-4 )   412 - 415   1990年

表面解析用高分解能陽子エネルギー損失分光装置 招待 査読

伊藤憲昭, 金﨑順一, 松波紀明, 松田耕自, 青木正彦

加速器科学   2 ( 4 )   73 - 83   1988年

Surface analysis by means of high resolution energy loss spectroscopy of 180゜elastic scattered protons in the 100 keV regime 査読

J. Kanasaki, N. Matsunami, N. Itoh, T. Oku, K. Kitoh, M. Aoki, K. Matsuda

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   33 ( 1-4 )   619 - 621   1988年

Analysis of initial stage of Pd-Si(111) and Au-Si(111) interface reactions by means of high resolution proton energy loss spectroscopy 査読

J. Kanasaki, N. Itoh, N. Matsunami

Applied Physics Letters   51 ( 14 )   1072 - 1075   1987年

Proton energy loss spectroscopy for surface layer analysis in the monolayer regime 査読

T. Oku, J. Kanasaki, N. Matsunami, N. Itoh, M. Aoki, K. Matsuda

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   15 ( 1-6 )   142 - 145   1986年

Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Optoelectronic Semiconductors 招待 国際会議

J. Kanasaki

The 2017 EMN Meeting on Optoelectronics 2017  2017年04月 

Momentum Space View of Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Semiconductors 招待 国際会議

J. Kanasaki

The 3rd Annual World Congress of Smart Materials 2017  2017年03月 

Direct Imaging of Surface Electron Relaxation and Surface Conduction Band Structures of Ge(001) and (111) Surfaces 国際会議

J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

Symposium on Surface Science & Nanotechnology 2017  2017年01月 

Band Structure and Electronic Dynamics at Ge(001) and (111) Surfaces 国際会議

J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

The 20th SANKEN International, The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium  2016年12月 

Electronic Structure of Surface Conduction Band of Ge(001)-c(4x2) and Ge(111)-c(2x8) Surfaces Studied by Two-photon Photoelectron Spectroscopy 国際会議

J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma

Atomically-Controlled Surfaces, Interfaces & Nanotechnology (ACSIN) 2016  2016年10月 

19pBH-4 GaAsにおける超高速無輻射電子・正孔再結合 : 時間分解光電子分光による観測

谷村 克己, 金崎 順一, 谷村 洋

日本物理学会講演概要集  2016年  一般社団法人日本物理学会

State-resolved ultrafast dynamics of impact ionization in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 国際会議

H. Tanimura, J. Kanasaki, and K. Tanimura

9th International Symposium on Ultrafast Surface Dynamics (USD-9)  2015年05月 

24aAS-11 半導体における光励起キャリアのバルク-表面散乱過程 : Ge(111)-c(2x8)

金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

Ge(111)-c(2x8)における光励起電子系の超高速緩和動力学

金崎 順一

表面科学学術講演会要旨集  2015年  公益社団法人 日本表面科学会

24aCP-12 半導体励起電子系の超高速運動量緩和とエネルギー緩和 II

谷村 克己, 谷村 洋, 金崎 順一, Sjakste J., Vast N.

日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

24aCP-11 狭ギャップ半導体中におけるimpact ionizationの時間分解光電子分光

谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

7aAJ-2 ゲルマニウムにおける光生成非平衝キャリアの超高速動力学(7aAJ 超高速現象(磁性体・磁性半導体),領域5(光物性))

金崎 順一, 谷村 洋, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2014年08月  一般社団法人日本物理学会

7pAJ-6 時間分解二光子光電子分光によるInSb結晶中のimpact ionization(7pAJ 超高速現象,領域5(光物性))

谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2014年08月  一般社団法人日本物理学会

Ultrafast electron dynamics in photo-excited semiconductors studied by time- and angle-resolved two-photon photoelectron spectroscopy 招待 国際会議

J. Kanasaki

The 24th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-2014)  2014年06月 

27pCK-4 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程II(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2014年03月  一般社団法人日本物理学会

27pCK-6 GaAsにおける励起電子の超高速intervalley scattering(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

谷村 克己, 谷村 洋, 金崎 順一

日本物理学会講演概要集  2014年03月  一般社団法人日本物理学会

27pCK-5 半導体における光生成非平衡キャリアの超高速動力学 : エネルギー緩和速度の励起強度依存性(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2014年03月  一般社団法人日本物理学会

Ultrafast electron dynamics in photo-excited GaAs studied by time- and angle-resolved two photon photoelectron spectroscopy 国際会議

J. Kanasaki and K. Tanimura

2013 JSAP & Material Research Society (MRS) Joint Symposium  2013年09月 

27pDB-9 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程(超高速現象,領域5(光物性))

谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2013年08月  一般社団法人日本物理学会

Imaging energy- and momentum-resolved distributions of photoinjected hot electrons in GaAs 国際会議

J. Kanasaki and K. Tanimura

8th Conference on Ultrafast Surface Dynamics  2013年05月 

Ultrafast Relaxation of Highly Excited Hot Electrons in Semiconductors 国際会議

H. Tanimura, J. Kanasaki, and K. Tanimura

8th Conference on Ultrafast Surface Dynamics  2013年05月 

Scanning tunneling microscopy study of photoinduced structural phase transition of graphoite 国際会議

E. Inami, J. Kanasaki, and K. Tanimura

20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20)   2012年12月 

Laser-Induced Bond Rupture and Structural Modifications of Si(001)-(2x1) Surface 国際会議

J. Kanasaki and K. Yasui

International Union of Material Research Society & International Conference on Electronic Materials  2012年09月 

The Surface Bond Rupture on InP(110)-(1x1) Induced by Hole Injection from the STM Tips 国際会議

J. Kanasaki, J. Tsuruta, E. Inami, K. Tanimura

International Union of Material Research Society & International Conference on Electronic Materials  2012年09月 

Photo-induced structural instability driven by intrinsic carrier localization on covalent semiconductor surfaces 招待 国際会議

J. Kanasaki

13th International Workshop on Desorption and Dynamics Induced by Electronic Transitions (DIET XIII)  2012年04月 

Fs-Laser Induced Exfoliation of Intact Graphene Double-Layers from Graphite 国際会議

J. Kanasaki, H. Onishi, and E. Inami

International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation-  2011年12月 

Angle-Resolved Low-Energy Photoemission Study of Electronic Structure of Si(111)7x7 国際会議

J. Kanasaki, K. Tanimura, and T. Fauster

International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation-  2011年12月 

Formation and Growth of Interlayer sp3-Bonded Carbon Nano-Domains Induced by Femtosecond Laser Excitation of Graphite 国際会議

E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation-  2011年12月 

21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))

金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2011年08月  一般社団法人日本物理学会

23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同 光誘起相転移,領域5(光物性))

稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2011年08月  一般社団法人日本物理学会

25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))

稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2011年03月  一般社団法人日本物理学会

28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))

金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2011年03月  一般社団法人日本物理学会

23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))

稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2010年08月  一般社団法人日本物理学会

23aWX-3 Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

谷村 克己, 金崎 純一

日本物理学会講演概要集  2010年08月  一般社団法人日本物理学会

23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

金崎 順一, 谷村 克己

日本物理学会講演概要集  2010年08月  一般社団法人日本物理学会

フェムト秒時間分解光電子分光法による半導体価電子正孔系の超高速動力学

基盤研究（Ｃ）  2011年04月

光誘起構造相転移動力学の研究

特別推進研究  2007年04月

可視光励起によるグラファイト・ダイヤモンド構造相転移に関する研究

挑戦的研究（開拓・萌芽）  2007年

半導体表面二次元凝縮相における励起物性の研究

基盤研究（Ａ）  2005年04月

低エネルギー電子線励起による半導体表面構造の不安定性

基盤研究（Ｃ）  2005年04月

シリコン(001)表面における光誘起結合切断と新表面構造相の創製

基盤研究（Ｂ）  2003年04月

レーザー光による表面原子操作

特定領域研究  1999年04月

化合物半導体表面における光誘起構造変化

基盤研究（Ｃ）  1999年04月

電子勃起を用いた原子分子操作

特定領域研究  1999年04月

フェムト秒分光法による半導体再構成表面の光誘起原子過程の研究

基盤研究（Ｂ）  1997年04月

半導体表面における光誘起構造変化

基盤研究（Ｃ）  1996年04月

半導体表面における光化学エッチングの初期過程の研究

奨励研究  1993年04月

レーザー誘起原子放出を用いた表面微量欠陥の定量法の確立

一般研究B  1993年04月

レーザー誘起原子放出によるシリコン表面欠陥制御

奨励研究  1992年04月

固体における電子励起誘起原子過程の研究

特別推進研究  1987年04月

機械工学基礎

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2022年度   週間授業   大学

量子物性工学特論

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