2024/02/09 更新

写真a

カナサキ ジュンイチ
金崎 順一
KANASAKI Junichi
担当
大学院工学研究科 機械系専攻 教授
工学部 機械工学科
職名
教授
所属
工学研究院

担当・職階

  • 大学院工学研究科 機械系専攻 

    教授  2022年04月 - 継続中

  • 工学部 機械工学科 

    教授  2022年04月 - 継続中

取得学位

  • 博士(理学) ( 名古屋大学 )

研究分野

  • 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

  • ナノテク・材料 / ナノ構造物理

研究キーワード

  • 固体励起物性

  • 光誘起構造変化

  • 超高速緩和動力学

研究概要

  • 固体における電子・正孔・格子系の非平衡励起状態およびその超高速緩和過程に関する詳細な知見を得ると共に、電子励起状態を介した原子過程を制御・組織化して新規の高次機能構造を創製する事を目的としている

研究歴

  • 共有結合性擬2次元系における光誘起構造変化・相転移の機構解明

    光誘起構造変化・相転移 

    1987 - 継続中 

  • 光励起キャリアの超高速動力学

    2009 - 継続中 

  • 光による原子分子操作 -超微細加工と新物質創成ー

    光超精密加工  国内共同研究

    2018 - 継続中 

  • 光による極限時空間分光技術の開発

    2016 - 継続中 

  • 表面解析用イオン散乱分光装置の開発

    機関内共同研究

    1984 - 1990 

所属学協会

  • 日本物理学会

      国内

  • 応用物理学会

      国内

  • 日本表面真空学会

      国内

委員歴(学外)

  • 特別研究員等審査会専門委員、卓越研究員候補者選考委員会書面審査員及び国際事業委員会書面審査会・書面評価員   独立行政法人日本学術振興会  

    2022年07月 - 2023年06月 

  • 科学研究費専門委員会 科研費書面審査員   日本学術振興会  

    2018年11月 - 2021年10月 

  • 組織委員、プログラム委員長   表面科学&ナノテクノロジーに関する国際シンポジウム  

    2017年 

  • 副会長   応用物理学会 励起ナノプロセス研究会  

    2016年04月 - 2020年03月 

  • 実行委員   第9回超高速表面動力学に関する国際シンポジウム  

    2015年 

  • 企画委員   日本表面科学会  

    2013年04月 - 2015年03月 

  • 組織委員   電子物質国際会議 2012 光支援合成とプロセスシンポジウム  

    2012年 

  • 平成23年度戦力的技術支援事業 事後評価委員   近畿経済産業局  

    2011年11月 - 2012年03月 

  • 科学研究費委員会専門委員(書面審査委員)   日本学術振興会  

    2009年10月 - 2011年02月 

  • 委員   日本表面科学会関西支部  

    2009年04月 - 2017年03月 

  • 実行委員会副委員長   真空・表面科学会合同学術講演会   

    2009年04月 - 2010年03月 

  • 幹事   応用物理学会ナノプロセス研究会  

    2008年04月 - 2020年03月 

  • 実行委員   電子遷移誘起脱離に関する国際ワークショップ  

    2004年 

  • 組織委員   電子励起による原子分子操作に関する国際シンポジウム  

    2002年 

  • 実行委員   第7回絶縁体における照射効果に関する国際会議  

    1993年 

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職務経歴(学外)

  • 名古屋大学   理学部物理学科   助手

    1988年08月 - 1999年09月

  • 名古屋大学大学院   理学研究科物質理学専攻   助手

  • 大阪大学産業科学ナノテクノロジーセンター   客員助教授

    2004年04月 - 2004年06月

  • 大阪大学   産業科学研究所附属ナノテクノロジーセンター   助教授

    2004年09月 - 2007年03月

  • 大阪大学   産業科学研究所附属ナノテクノロジーセンター   准教授

    2007年04月 - 2009年03月

  • 大阪大学   産業科学研究所   准教授

    2009年04月 - 2019年03月

  • 東京大学物性研究所   ナノスケール物性研究部門   客員准教授

    2015年04月 - 2015年09月

  • 名古屋大学大学院   工学研究科応用物理学専攻   非常勤講師

    2005年04月 - 2006年03月

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学歴

  • 名古屋大学   理学研究科   物理学専攻   博士課程   中退

    1987年04月 - 1988年07月

  • 名古屋大学   工学研究科   結晶工学専攻   修士課程   卒業・修了

    1985年04月 - 1987年03月

  • 名古屋大学   工学部   原子核工学科     卒業・修了

    1981年04月 - 1985年03月

論文

  • Atomic-scale view of the photoinduced structural transition to form sp3-like bonded order phase in graphite 査読

    E. Inami, K. Nishioka, J. Kanasaki

    Nature Publishing・Scientific Reports   13   21439-1 - 9   2023年12月

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    担当区分:最終著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-023-47389-x

  • Optical film-thinning of graphene epitaxially grown on 4H-SiC(0001) : Robustness of monolayer-graphene against the photoexcitation 査読

    R. Horie, R. Hirosue, J. Kanasaki, K. Kisoda, I. Yamamoto, J. Azuma, K. Takahashi

    Institute of Physics・Journal of Physics: Condensed Matter   35 ( 19 )   195401-1 - 7   2023年03月

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    担当区分:責任著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: https://doi.org/10.1088/1361-648X/acbffc

  • Surface exciton formation on InP(110)-(1x1) studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

    H. Tanimura, K. Tanimura, J. Kanasaki

    American Physical Society・Physical Review B   107   075304-1 - 10   2023年02月

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    担当区分:最終著者   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.075304

    リポジトリURL: http://hdl.handle.net/10466/0002000052

  • Ultrafast relaxation of photoinjected nonthermal electrons at the nonthermal regime in the intra-G-valley relaxation in InP studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

    K. Tanimura, H. Tanimura, J. Kanasaki

    American Physical Society・Physical Review B   106 ( 12 )   125204-1 - 16   2022年09月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.106.125204

    リポジトリURL: http://hdl.handle.net/10466/0002000051

  • Ultrafast relaxation of photoinjected nonthermal electrons in the G valley of GaAs studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

    H. Tanimura, K. Tanimura, J. Kanasaki

    Physical Review B   104 ( 24 )   245201-1 - 245201-16   2021年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.104.245201

  • Ultrafast relaxation dynamics of highly excited hot electrons in silicon 査読 国際共著

    H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast

    Physical Review B   100 ( 3 )   035201-1 - 035201-13   2019年07月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Energy relaxation mechanism of hot-electron ensembles in GaAs: Theoretical and experimental study of its temperature dependence 査読 国際共著

    J. Sjakste, N. Vast, G. Barbarino, M. Calandra, F. Mauri, J. Kanasaki, H. Tanimura, and K. Tanimura

    Physical Review B   97 ( 6 )   064302-1 - 064302-9   2018年02月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

  • Ultrafast dynamics in photoexcited valence-band states of Si studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy of bulk direct transitions 査読 国際共著

    J. Kanasaki, H. Tanimura, K. Tanimura, P. Ries, W. Heckel, K. Biedermann, T. Fauster

    Physical Review B   97 ( 3 )   035201-1 - 035201-6   2018年01月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   国際・国内誌:国際誌  

    DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.035201

  • Electronic structure of surface unoccupied band of Ge(001)-c(4x2): Direct imaging of surface electron relaxation pathways 査読

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, and S. Fukatsu

    Physical Review B   96 ( 11 )   115301-1 - 115301-7   2017年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.96.115301

  • Comparison of electronic-excitation-induced structural modification of carbon-based nanomaterials with that of semiconductor surfaces 査読

    N. Itoh, C. Itoh, J. Kanasaki

    NANO   11 ( 6 )   1630001-1 - 1630001-17   2016年06月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1142/S1793292016300012

  • Formation of hot-electron ensembles quasi-equilibrated in momentum space by ultrafast momentum scattering of highly excited hot electrons photoinjected into Г-valley of GaAs 査読

    H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast, M. Calandra, F. Mauri

    Physical Review B   93 ( 16 )   161203(R)-1 - 161203(R)-5   2016年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.93.161203

  • Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

    H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura

    Physical Review B   91 ( 4 )   045201-1 - 045201-16   2015年01月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.91.045201

  • フェムト秒時間分解光電子分光法を用いた半導体における励起電子超高速緩和ダイナミクスの研究 査読

    金﨑順一,谷村洋,谷村克己

    固体物理   50 ( 10 )   519 - 530   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読

    H. Tanimura, J. Kanasaki and K. Tanimura

    Physical Review B   91 ( 4 )   045201-1 - 16   2015年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Imaging energy- and momentum-, and time-resolved distributions of photoinjected hot electrons in GaAs 査読

    J. Kanasaki, H. Tanimura, K. Tanimura

    Physical Review Letters   113 ( 23 )   237401-1 - 237401-4   2014年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.113.237401

  • State-resolved ultrafast dynamics of impact ionization in InSb 査読

    H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura

    Scientific Reports   4   6849-1 - 6849-4   2014年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1038/srep06849

  • Crucial Roles of Holes in Electronic Bond Rupture on Semiconductor Surfaces 査読

    J. Tsuruta, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

    Surface Science   626   49 - 52   2014年08月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2014.04.003

  • The role of applied bias and tip electronic structure in the scanning tunneling microscopy imaging of highly oriented pyrolytic graphite 査読

    G. Teobaldi, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura, A. L. Shluger,

    Physical Review B   85 ( 8 )   085423-1 - 085423-15   2012年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.85.085433

  • Ultrafast relaxation of highly excited hot electrons in Si: Roles of the L-X intervalley scattering 査読

    T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, and K. Tanimura, T. Fauster

    Physical Review B   84 ( 23 )   235210-1 - 235210-11   2011年12月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.84.235210

  • Scanning tunneling microscopic studies of laser-induced modifications of Si(001)-(2x1) surface 査読

    Yasui Kosuke, Kanasaki Jun'ichi

    Journal of Applied Physics   110 ( 10 )   2011年11月( ISSN:0021-8979

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/1.3662120

  • Intact-sheet double-layer ablation induced by femtosecond-laser excitation of graphite 査読

    H. Ohnishi, E. Inami, J. Kanasaki

    Surface Science   605 ( 15-16 )   1497 - 1502   2011年05月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2011.05.020

  • Ultrafast relaxation of highly excited hot electrons in Si: Roles of the L-X intervalley scattering 査読 国際共著

    T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, and K. Tanimura, T. Fauster

    Physical Review B   84 ( 23 )   235210-1 - 11   2011年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Formation of sp3-bonded carbon nanostructures by femtosecond laser excitation of graphite 査読

    J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura, H. Onishi, K. Nasu

    Physical Review Letters   102 ( 8 )   087402-1 - 087402-4   2009年02月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevLett.102.087402

  • Excitation-induced atomic desorption and structural instability of III-V compound semiconductor surfaces 査読

    K. Tanimura and J. Kanasaki

    Surface Science   602 ( 20 )   3162 - 3171   2008年10月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:単著  

    DOI: 10.1016/j.susc.2007.11.032

  • Scanning tunneling microscopy study on hydrogen removal from Si(001)-2x1:H surface excited with low-energy electron beams 査読

    J. Kanasaki, K. Ichihashi, K. Tanimura

    Surface Science   602 ( 7 )   1322 - 1327   2008年04月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2007.12.046

  • Fermi-level dependent morphology in photo-induced bond breaking on (110) surfaces of III-V semiconductors 査読

    J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura

    Surface Science   601 ( 11 )   2367 - 2372   2007年06月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2007.04.042

  • Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors 査読

    K. Tanimura, E. Inami, J. Kanasaki, W. Hess

    Physical Review B   74 ( 3 )   035337-1 - 035337-8   2006年07月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1103/PhysRevB.74.035337

  • Excitation-induced structural instability of semiconductor surfaces 査読

    K. Tanimura and J. Kanasaki

    Journal of Physics: Condensed Matter   18 ( 30 )   1479 - 1516   2006年07月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:単著  

    DOI: 10.1088/0953-8984/18/30/S07

  • Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces 査読

    J. Kanasaki

    Physica B   376-377   834 - 840   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:単著  

    DOI: 10.1016/j.physb.2005.12.212

  • Excitation-induced structural instability of semiconductor surfaces 査読

    K. Tanimura, J. Kanasaki

    Journal of Physics: Condensed Matter   18 ( 30 )   1479 - 1516   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors 査読 国際共著

    K. Tanimura, E. Inami, J. Kanasaki, W. Hess

    Physical Review B   74 ( 3 )   035337-1 - 8   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced desorption from semiconductor surfaces and its electronic mechanism 招待 査読

    J. Kanasaki, K. Tanimura

    Journal of the Vacuum Society of Japan   49   581 - 587   2006年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Structural instability of Si(111)-(7x7) induced by low energy electron irradiation 査読

    Y. Sugita, H. Horiike, J. Kanasaki, K. Tanimura

    Surface Science   593 ( 1-3 )   168 - 172   2005年11月

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.susc.2005.06.089

  • レーザー励起による半導体表面構造の不安定性 招待 査読

    金﨑順一, 谷村克己

    表面科学   26   675 - 680   2005年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Photoinduced structural instability of the InP(110)-(1x1) surface 査読

    T. Gotoh, S. Kotake, K. Ishikawa, J. Kanasaki, K. Tanimura

    Physical Review Letters   93 ( 11 )   117401-1 - 4   2004年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Electronic bond rupture of Si-dimers on the Si(001)-(2x1) 査読

    J. Kanasaki, K. Katoh, Y. Imanishi

    Applied Physics A   6   865 - 868   2004年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • レーザービームによる半導体表面原子結合の局所的切断 招待 査読

    金﨑順一, 谷村克己

    応用物理   73   485 - 489   2004年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Electronic bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2x1) induced by 1-eV photon excitation 査読

    E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

    Surface Science   528 ( 1-3 )   115 - 120   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic bond breaking and desorption on Si(001) surface 査読

    J. Kanasaki, K. Tanimura

    Surface Science   528 ( 1-3 )   127 - 131   2003年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic bond breaking on semiconductor surfaces

    J. Kanasaki

    Proceedings of International Symposium on Manipulation of Atoms and Molecules by Electronic Excitation (ISMAMEE)   30 - 33   2002年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:単著  

  • Primary processes of laser-induced selective dimer-layer removal on Si(001)-(2x1) 査読

    J. Kanasaki, K. Ishikawa, M. Nakamura, K. Tanimura

    Physical Review Letters   89 ( 25 )   257601-1 - 4   2002年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced new phase formation and desorption of Si atoms from

    J. Kanasaki, K. Tanimura

    SPIE   4636   48 - 58   2002年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic instability on semiconductor surfaces of Si (111)-(7x7) and InP (110)-(1x1) 査読

    K. Tanimura, J. Kanasaki, K. Ishikawa

    Springer Proceedings in Physic   87   325 - 326   2001年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic desorption from InP(110) surfaces studied by the femtosecond non-resonant ionization spectroscopy 査読

    J. Kanasaki, N. Mikasa, K. Tanimura

    Physical Review B   64 ( 3 )   035414-1 - 10   2001年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic bond breaking and structural changes on semiconductor surfaces 査読

    K. Tanimura, J. Kanasaki

    SPIE   3618   26 - 36   1999年

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    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:単著  

  • Laser-induced desorption from STM-selected semiconductor sites 査読 国際共著

    N. Itoh, J. Kanasaki, J. Xu

    Progress in Surface Science   61 ( 1 )   1 - 19   1999年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Translational energy distribution of Si atoms desorbed by laser-induced electronic bond breaking of adatoms on Si(111)-(7x7) 査読

    J. Kanasaki, K. Iwata, K. Tanimura

    Physical Review Letters   82 ( 3 )   644 - 647   1999年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced bond breaking and structural changes on Si(111)7x7 surfaces 査読

    K. Tanimura, J. Kanasaki

    Applied Surface Science   127-129   33 - 39   1998年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic bond breaking and desorption of Si adatoms from the Si(111)-7x7 surface 査読

    J. Kanasaki, T. Ishida, K. Ishikawa, K. Tanimura

    Physical Review Letters   80 ( 18 )   4080 - 4083   1998年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:単著  

  • Laser-induced emission of atoms and electrons from deposited Si atoms on the Si(100)2x1 surface 査読 国際共著

    In-Keun Yu, J. Kanasaki, Y. Nakai, N. Itoh, K-Y. Kang

    Journal of Korean Physical Society   33 ( 1 )   91 - 94   1998年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Low energy laser photoelectron study of defect states on cleaved Si(111)2x1 surface 査読 国際共著

    M. Yamada, J. Kanasaki, N. Itoh, R. T. Williams

    Surface Science   349 ( 1 )   L107 - L110   1996年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • レーザービームと非金属固体表面との相互作用 査読

    伊藤憲昭,金崎順一,岡野晃子,中井靖男

    応用物理   64   536 - 546   1995年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • The DIET from semiconductor surfaces 査読

    J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   101 ( 1-2 )   93 - 102   1995年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Site-selective manipulation of semiconductor surfaces by laser beams 査読

    N. Itoh, A. Okano, J. Kanasaki, Y. Nakai

    Optoelectronics -Devices and Technologies   10 ( 2 )   247 - 258   1995年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser beam interaction with defects on semiconductor surfaces: an approach to production of defect-free surfaces 招待 査読

    N. Itoh, J. Kanasaki, A. Okano, Y. Nakai

    Annual Review of Material Science   25   92 - 127   1995年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Energies for atomic emissions from defect sites on the Si surfaces: the effects of halogen adsorbates 査読 国際共著

    G. S. Khoo, C. K. Ong, N. Itoh, J. Kanasaki

    Journal of Applied Physics   75 ( 1 )   255 - 258   1994年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Defect excitation processes involved in laser-induced atomic emission and laser ablation of non-metallic solids 査読 国際共著

    J. Singh, N. Itoh, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano

    Physical Review B   50 ( 16 )   11730 - 11737   1994年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Defect-initiated atomic emissions from semiconductor surfaces induced by laser irradiation: electronic cleaning of defects on surfaces 査読

    J. Kanasaki, A. Okano, Y. Nakai, N. Itoh,

    Applied Surface Science   81   100 - 103   1994年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Enhancement of emissions of Si atoms from the Si(100) surface by low-rate Br exposure: a new model of dry etching based on defect-adsorbate interaction 査読

    J. Kanasaki, I. K. Yu, Y. Nakai, and N. Itoh

    Japanese Journal of Applies Physics   33 ( 4B )   2255 - 2257   1994年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   共著区分:共著  

  • Electronic processes in laser-induced Gao emission and laser ablation of the GaP(110) and GaAs(110) surfaces 査読

    A. Okano, J. Kanasaki, Y. Nakai, N. Itoh

    Journal of Physics: Condensed Matter   6 ( 14 )   2697 - 2712   1994年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Emission of Na atoms from undamaged and slightly damaged NaCl(100) surfaces by electronic excitation 査読

    T. Kubo, A. Okano, J. Kanasaki, K. Ishikawa, Y. Nakai, and N. Itoh

    Physical Review B   49 ( 7 )   4931 - 4937   1994年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic processes on semiconductor surfaces 招待 査読

    N. Itoh, Y. Nakai, K. Hattori, A. Okano, J. Kanasaki

    Desorption Induced by Electronic Transitions DIET V   223 - 235   1993年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Defect-initiated emission of Ga atoms from the GaAs(110) surface induced by pulsed laser irradiation 査読

    J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh

    Journal of Physics: Condensed Matter   5 ( 36 )   6497 - 6506   1993年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:単著  

  • acancy-initiated laser sputtering from semiconductor surfaces 査読

    N. Itoh, A. Okano, K. Hattori, J. Kanasaki, Y. Nakai

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   82 ( 2 )   310 - 316   1993年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Enhancement of laser-induced defect-initiated Gao emission from GaAs(110) surfaces by Br adsorption 査読 国際共著

    J. Kanasaki, A. Y. Matsuura, Y. Nakai, N. Itoh, R. F. Haglund, Jr.

    Applied Physics Letters   62 ( 26 )   3493 - 3495   1993年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced electronic emissions of Si atoms from Si(100) surfaces 査読

    J. Kanasaki, I. K. Yu, Y. Nakai, N. Itoh

    Japanese Journal of Applies Physics   32 ( 6B )   L859 - L862   1993年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Dynamical interaction of surface electron-hole pairs with surface defects: surface spectroscopy monitored by particle emission 査読

    J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh

    Physical Review Letters   70 ( 16 )   2495 - 2498   1993年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Defect-initiated particle emission from semiconductor surfaces by laser irradiation 査読

    Y. Nakai, K. Hattori, A. Okano, T. Taguchi, J. Kanasaki, N. Itoh

    Surface Science   283 ( 1-3 )   169 - 176   1993年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Theoretical studies of defect-initiated particle emission from GaP(110) surfaces: basis for a new technique of generating perfect surfaces 査読 国際共著

    N. Itoh, K. Hattori, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano, C. K. Ong, G. S. Khoo

    Applied Physics Letters   60 ( 26 )   3271 - 3273   1992年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Laser-induced particle emission from surfaces of non-metallic solids: a search for primary processes of laser ablation 査読 国際共著

    N. Itoh, K. Hattori, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano, R. F. Haglund, Jr.

    Laser Ablation, Mechanisms and Applications   213 - 223   1991年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Effects of oxygen adsorption on laser-induced sputtering from GaP(110) surfaces 査読 国際共著

    J. Kanasaki, H. Yamashita, A. Okano, K. Hattori, Y. Nakai, N. Itoh, R. F. Haglund, Jr.

    Surface Science   257 ( 1-3 )   L642 - L646   1991年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • High-resolution analysis of protons scattered from solid surfaces 査読

    N. Matsunami, K. Kitoh, J. Kanasaki, N. Itoh

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   45 ( 1-4 )   412 - 415   1990年

     詳細を見る

    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • 表面解析用高分解能陽子エネルギー損失分光装置 招待 査読

    伊藤憲昭, 金﨑順一, 松波紀明, 松田耕自, 青木正彦

    加速器科学   2 ( 4 )   73 - 83   1988年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Surface analysis by means of high resolution energy loss spectroscopy of 180゜elastic scattered protons in the 100 keV regime 査読

    J. Kanasaki, N. Matsunami, N. Itoh, T. Oku, K. Kitoh, M. Aoki, K. Matsuda

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   33 ( 1-4 )   619 - 621   1988年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Analysis of initial stage of Pd-Si(111) and Au-Si(111) interface reactions by means of high resolution proton energy loss spectroscopy 査読

    J. Kanasaki, N. Itoh, N. Matsunami

    Applied Physics Letters   51 ( 14 )   1072 - 1075   1987年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

  • Proton energy loss spectroscopy for surface layer analysis in the monolayer regime 査読

    T. Oku, J. Kanasaki, N. Matsunami, N. Itoh, M. Aoki, K. Matsuda

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   15 ( 1-6 )   142 - 145   1986年

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    掲載種別:研究論文(学術雑誌)   共著区分:共著  

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MISC(その他記事)

  • Photoinduced Structural Modifications of Few-Layer Graphene Epitaxially Grown on 4H-SiC(0001)

    R. Horie, R. Hirosue, J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, K. Takahashi

    Synchrotron Light Application Center, Saga University・Activity Report   68-69   2022年03月( ISSN:1883-1370

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    担当区分:責任著者   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   国際・国内誌:国内誌  

  • Ultrafast Dynamics of Photoinjected Holes in the Valence Band of Silicon Studied by Two-Photon Photoelectron Differential Spectroscopy

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma

    Synchrotron Light Application Center, Saga University/ Activity Report   48 - 49   2022年03月( ISSN:1883-1370

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    担当区分:筆頭著者   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)   国際・国内誌:国内誌  

  • 光学的に捕えたGe中の非平衡電子の超高速緩和過程とそれにともなう特異な物性 招待

    安武裕輔、金﨑順一、深津晋

    電子情報通信学会・技術研究報告   122 ( 8 )   27 - 32   2022年04月( ISSN:2432-6380

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    掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等   国際・国内誌:国内誌  

  • Ultrafast Dynamics of Photoinjected Holes in the Valence Bands of Silicon Studied by Two-Photon Photoelectron Differential Spectroscopy

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma

    Active Report, Synchrotron Light Application Center   2020年03月

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    担当区分:筆頭著者   掲載種別:機関テクニカルレポート,技術報告書,プレプリント等  

  • Momentum Space View of Ultrafast Dynamics of Highly Energetic Electrons in Photo-Excited Germanium

    J. Kanasaki

    2018年03月 ( ISSN:1883-1370

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者   掲載種別:記事・総説・解説・論説等(大学・研究所紀要)  

講演・口頭発表等

  • Precursor Processes of Photoinduced Graphite to Diaphite Phase Transition by Femtosecond Laser Excitation 国際会議

    E. Inami, K. Nishioka, J. Kanasaki

    The 31th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy ICSPM31  2023年12月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo Institute of Technology, Tokyo  

  • Spectroscopic studies of laser-induced structural modifications of graphene layers epitaxially-grown on SiC(0001) 国際会議

    R. Horie, R. Hirosue, J. Kanasaki, K. Kisoda, I. Yamamoto, J. Azuma, K. Takahashi

    The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)   2022年09月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan  

  • Raman spectroscopic studies of laser-induced structural change of epitaxial graphene layers on SiC(0001) 国際会議

    R. Horie, T. Yamana, J. Kanasaki, K. Kisoda, C. Itoh, K. Takahashi

    The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)  2021年11月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Relevance of hidden Valleys in the Dequenching of Room-temperature-emitting Ge layers 国際会議

    T. Sakamoto, Y. Ysutake, J. Kanasaki, S. Fukatsu

    American Vacuum Society (AVS) 66th International Symposium & Exhibition  2019年10月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Optical Control of Structural Transformation to Form Nano-scaled Order Phases Including sp3-like Interlayer Bonds in Graphite 国際会議

    E. Inami, K. Nishioka, J. Kanasaki and K. Tanimura

    The 15th International Conference on Laser Ablation  2019年09月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Optoelectronic Semiconductors 招待 国際会議

    J. Kanasaki

    The 2017 EMN Meeting on Optoelectronics 2017  2017年04月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  • Momentum Space View of Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Semiconductors 招待 国際会議

    J. Kanasaki

    The 3rd Annual World Congress of Smart Materials 2017  2017年03月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  • Direct Imaging of Surface Electron Relaxation and Surface Conduction Band Structures of Ge(001) and (111) Surfaces 国際会議

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

    Symposium on Surface Science & Nanotechnology 2017  2017年01月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Band Structure and Electronic Dynamics at Ge(001) and (111) Surfaces 国際会議

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

    The 20th SANKEN International, The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium  2016年12月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Electronic Structure of Surface Conduction Band of Ge(001)-c(4x2) and Ge(111)-c(2x8) Surfaces Studied by Two-photon Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma

    Atomically-Controlled Surfaces, Interfaces & Nanotechnology (ACSIN) 2016  2016年10月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • 19pBH-4 GaAsにおける超高速無輻射電子・正孔再結合 : 時間分解光電子分光による観測

    谷村 克己, 金崎 順一, 谷村 洋

    日本物理学会講演概要集  2016年  一般社団法人日本物理学会

  • State-resolved ultrafast dynamics of impact ionization in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 国際会議

    H. Tanimura, J. Kanasaki, and K. Tanimura

    9th International Symposium on Ultrafast Surface Dynamics (USD-9)  2015年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 24aAS-11 半導体における光励起キャリアのバルク-表面散乱過程 : Ge(111)-c(2x8)

    金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

  • Ge(111)-c(2x8)における光励起電子系の超高速緩和動力学

    金崎 順一

    表面科学学術講演会要旨集  2015年  公益社団法人 日本表面科学会

     詳細を見る

    光触媒や表面構造変化・相転移等、半導体表面における光誘起現象を解明するには、表面近傍におけるキャリアの動的知見が極めて重要となる。本研究では、時間・角度分解2光子光電子分光法を用い、励起電子系の密度分布をエネルギー・波数の多次元空間においてイメージ化し、その時間発展をフェムト秒時間スケールで追跡した。講演では、Ge(111)-c(2x8)表面近傍における励起電子系の超高速緩和動力学について研究した成果を報告する。

  • 24aCP-12 半導体励起電子系の超高速運動量緩和とエネルギー緩和 II

    谷村 克己, 谷村 洋, 金崎 順一, Sjakste J., Vast N.

    日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

  • 24aCP-11 狭ギャップ半導体中におけるimpact ionizationの時間分解光電子分光

    谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2015年  一般社団法人日本物理学会

  • 7aAJ-2 ゲルマニウムにおける光生成非平衝キャリアの超高速動力学(7aAJ 超高速現象(磁性体・磁性半導体),領域5(光物性))

    金崎 順一, 谷村 洋, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2014年08月  一般社団法人日本物理学会

  • 7pAJ-6 時間分解二光子光電子分光によるInSb結晶中のimpact ionization(7pAJ 超高速現象,領域5(光物性))

    谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2014年08月  一般社団法人日本物理学会

  • Ultrafast electron dynamics in photo-excited semiconductors studied by time- and angle-resolved two-photon photoelectron spectroscopy 招待 国際会議

    J. Kanasaki

    The 24th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-2014)  2014年06月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  • 27pCK-4 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程II(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

    谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2014年03月  一般社団法人日本物理学会

  • 27pCK-6 GaAsにおける励起電子の超高速intervalley scattering(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

    谷村 克己, 谷村 洋, 金崎 順一

    日本物理学会講演概要集  2014年03月  一般社団法人日本物理学会

  • 27pCK-5 半導体における光生成非平衡キャリアの超高速動力学 : エネルギー緩和速度の励起強度依存性(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

    金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2014年03月  一般社団法人日本物理学会

  • Ultrafast electron dynamics in photo-excited GaAs studied by time- and angle-resolved two photon photoelectron spectroscopy 国際会議

    J. Kanasaki and K. Tanimura

    2013 JSAP & Material Research Society (MRS) Joint Symposium  2013年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • 27pDB-9 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程(超高速現象,領域5(光物性))

    谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2013年08月  一般社団法人日本物理学会

  • Imaging energy- and momentum-resolved distributions of photoinjected hot electrons in GaAs 国際会議

    J. Kanasaki and K. Tanimura

    8th Conference on Ultrafast Surface Dynamics  2013年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Ultrafast Relaxation of Highly Excited Hot Electrons in Semiconductors 国際会議

    H. Tanimura, J. Kanasaki, and K. Tanimura

    8th Conference on Ultrafast Surface Dynamics  2013年05月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Scanning tunneling microscopy study of photoinduced structural phase transition of graphoite 国際会議

    E. Inami, J. Kanasaki, and K. Tanimura

    20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20)   2012年12月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Laser-Induced Bond Rupture and Structural Modifications of Si(001)-(2x1) Surface 国際会議

    J. Kanasaki and K. Yasui

    International Union of Material Research Society & International Conference on Electronic Materials  2012年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  • The Surface Bond Rupture on InP(110)-(1x1) Induced by Hole Injection from the STM Tips 国際会議

    J. Kanasaki, J. Tsuruta, E. Inami, K. Tanimura

    International Union of Material Research Society & International Conference on Electronic Materials  2012年09月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(一般)  

  • Photo-induced structural instability driven by intrinsic carrier localization on covalent semiconductor surfaces 招待 国際会議

    J. Kanasaki

    13th International Workshop on Desorption and Dynamics Induced by Electronic Transitions (DIET XIII)  2012年04月 

     詳細を見る

    会議種別:口頭発表(招待・特別)  

  • Formation and Growth of Interlayer sp3-Bonded Carbon Nano-Domains Induced by Femtosecond Laser Excitation of Graphite 国際会議

    E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

    International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation-  2011年12月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Fs-Laser Induced Exfoliation of Intact Graphene Double-Layers from Graphite 国際会議

    J. Kanasaki, H. Onishi, and E. Inami

    International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation-  2011年12月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • Angle-Resolved Low-Energy Photoemission Study of Electronic Structure of Si(111)7x7 国際会議

    J. Kanasaki, K. Tanimura, and T. Fauster

    International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation-  2011年12月 

     詳細を見る

    会議種別:ポスター発表  

  • 21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))

    金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2011年08月  一般社団法人日本物理学会

  • 23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同 光誘起相転移,領域5(光物性))

    稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2011年08月  一般社団法人日本物理学会

  • 25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))

    稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2011年03月  一般社団法人日本物理学会

  • 28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))

    金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2011年03月  一般社団法人日本物理学会

  • 23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))

    稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2010年08月  一般社団法人日本物理学会

  • 23aWX-3 Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    谷村 克己, 金崎 純一

    日本物理学会講演概要集  2010年08月  一般社団法人日本物理学会

  • 23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

    金崎 順一, 谷村 克己

    日本物理学会講演概要集  2010年08月  一般社団法人日本物理学会

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産業財産権等

  • 原子付着による空孔除去及びレーザーを用いた半導体膜の不完全性除去による完全無欠陥膜生成の為のCVD法

    伊藤憲昭,中井靖男,服部賢,金﨑順一,岡野晃子

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    産業財産権の種類:特許権 

    出願番号:US082370 

    公開番号:US5367980-A 

    公表番号:US5367980-A 

  • 電子励起原子移動による表面ナノスケール構造の製造方法及び装置

    谷村克己,吉田博,金﨑順一

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    産業財産権の種類:特許権 

    出願番号:2002-072174 

    公開番号:2003-266398 

    公表番号:2003-266398 

    特許番号/登録番号:3910474 

  • 完全無欠陥表面を作成する方法

    伊藤憲昭,中井靖男,服部賢,金﨑順一,岡野晃子

     詳細を見る

    産業財産権の種類:特許権 

    出願番号:4-267470 

    公開番号:6-120138 

    公表番号:6-120138 

    特許番号/登録番号:7-1053402062384 

科研費

  • 光励起法によるグラフェン薄膜の原子層精密制御法の確立

    基盤研究(C)  2023年04月

  • 時間・角度分解光電子差分分光による正孔動力学多次元イメージ法の開発

    基盤研究(B)  2019年04月

  • 極限時空間分光法の開発と光誘起構造相転移研究への応用

    挑戦的研究(開拓・萌芽)  2016年04月

  • 物質構造科学の新展開 : フェムト秒時間分解原子イメージング

    特別推進研究  2012年04月

  • フェムト秒時間分解光電子分光法による半導体価電子正孔系の超高速動力学

    基盤研究(C)  2011年04月

  • 光誘起構造相転移動力学の研究

    特別推進研究  2007年04月

  • 可視光励起によるグラファイト・ダイヤモンド構造相転移に関する研究

    挑戦的研究(開拓・萌芽)  2007年

  • 半導体表面二次元凝縮相における励起物性の研究

    基盤研究(A)  2005年04月

  • 低エネルギー電子線励起による半導体表面構造の不安定性

    基盤研究(C)  2005年04月

  • シリコン(001)表面における光誘起結合切断と新表面構造相の創製

    基盤研究(B)  2003年04月

  • レーザー光による表面原子操作

    特定領域研究  1999年04月

  • 化合物半導体表面における光誘起構造変化

    基盤研究(C)  1999年04月

  • 電子勃起を用いた原子分子操作

    特定領域研究  1999年04月

  • フェムト秒分光法による半導体再構成表面の光誘起原子過程の研究

    基盤研究(B)  1997年04月

  • 半導体表面における光誘起構造変化

    基盤研究(C)  1996年04月

  • 半導体表面における光化学エッチングの初期過程の研究

    奨励研究  1993年04月

  • レーザー誘起原子放出を用いた表面微量欠陥の定量法の確立

    一般研究B  1993年04月

  • レーザー誘起原子放出によるシリコン表面欠陥制御

    奨励研究  1992年04月

  • 固体における電子励起誘起原子過程の研究

    特別推進研究  1987年04月

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奨励寄附金・助成金

  • 光励起法による炭素系2次元原子層物質の超精密構造制御

    池谷科学技術振興財団  単年度研究助成  2023年07月

  • 光励起プロセスによる半導体表面構造のナノ制御

    池谷科学技術振興財団  2007年04月

  • 半導体表面欠陥のキャラクタライゼイションおよびレーザー誘起原子放

    池谷科学技術振興財団  1995年04月

その他補助金等

  • 国際交流等助成金

    池谷科学技術振興財団  2014年06月

  • 吉田科学技術振興財団国際研究集会派遣助成

    吉田科学技術振興財団  1989年06月

担当授業科目

  • 固体分析学

    2021年度     大学

  • 材料科学

    2021年度     大学

  • 量子物性工学特論

    2021年度     大学院

  • 機械工学概論

    2022年度     大学

  • 機械工学基礎

    2022年度     大学

  • 初年次ゼミ

    2022年度   週間授業   大学

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論文・研究指導集計

  • 2023年度

    卒業論文指導数:3名  卒業論文審査数:3件

    修士論文審査数(主査):3件  修士論文審査数(副査):7件

    博士論文審査数(副査):1件

  • 2022年度

    卒業論文指導数:2名  卒業論文審査数:2件

    修士論文審査数(主査):3件  修士論文審査数(副査):5件

その他

  • 職務経歴

    1999年10月 - 2002年03月

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    大阪市立大学 工学部 助教授

  • 職務経歴

    2002年04月 - 2004年08月

      詳細を見る

    大阪市立大学大学院 工学研究科 助教授