工学部 機械工学科

2025/03/19 更新
大学院工学研究科 機械系専攻
教授 2022年04月 - 継続中
工学部 機械工学科
教授 2022年04月 - 継続中
博士(理学) ( 名古屋大学 )
自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理
ナノテク・材料 / ナノ構造物理
固体励起物性
光誘起構造変化
超高速緩和動力学
光ナノ加工
固体における電子・正孔・格子系の非平衡励起状態およびその超高速緩和過程に関する詳細な知見を得ると共に、電子励起状態を介した原子過程を制御・組織化して新規の高次機能構造を創製する事を目的としている
共有結合性擬2次元系における光誘起構造変化・相転移の機構解明
光誘起構造変化・相転移
1987 - 継続中
光励起キャリアの超高速動力学
2009 - 継続中
光による原子分子操作 -超微細加工と新物質創成ー
光超精密加工 国内共同研究
2018 - 継続中
光による極限時空間分光技術の開発
2016 - 継続中
表面解析用イオン散乱分光装置の開発
機関内共同研究
1984 - 1990
日本物理学会
国内
応用物理学会
国内
日本表面真空学会
国内
特別研究員等審査会専門委員、卓越研究員候補者選考委員会書面審査員及び国際事業委員会書面審査会・書面評価員 独立行政法人日本学術振興会
2022年07月 - 2023年06月
科学研究費専門委員会 科研費書面審査員 日本学術振興会
2018年11月 - 2021年10月
組織委員、プログラム委員長 表面科学&ナノテクノロジーに関する国際シンポジウム
2017年
副会長 応用物理学会 励起ナノプロセス研究会
2016年04月 - 2020年03月
実行委員 第9回超高速表面動力学に関する国際シンポジウム
2015年
企画委員 日本表面科学会
2013年04月 - 2015年03月
組織委員 電子物質国際会議 2012 光支援合成とプロセスシンポジウム
2012年
平成23年度戦力的技術支援事業 事後評価委員 近畿経済産業局
2011年11月 - 2012年03月
科学研究費委員会専門委員(書面審査委員) 日本学術振興会
2009年10月 - 2011年02月
委員 日本表面科学会関西支部
2009年04月 - 2017年03月
実行委員会副委員長 真空・表面科学会合同学術講演会
2009年04月 - 2010年03月
幹事 応用物理学会ナノプロセス研究会
2008年04月 - 2020年03月
実行委員 電子遷移誘起脱離に関する国際ワークショップ
2004年
組織委員 電子励起による原子分子操作に関する国際シンポジウム
2002年
実行委員 第7回絶縁体における照射効果に関する国際会議
1993年
名古屋大学 理学部物理学科 助手
1988年08月 - 1999年09月
名古屋大学大学院 理学研究科物質理学専攻 助手
大阪大学産業科学ナノテクノロジーセンター 客員助教授
2004年04月 - 2004年06月
大阪大学 産業科学研究所附属ナノテクノロジーセンター 助教授
2004年09月 - 2007年03月
大阪大学 産業科学研究所附属ナノテクノロジーセンター 准教授
2007年04月 - 2009年03月
大阪大学 産業科学研究所 准教授
2009年04月 - 2019年03月
東京大学物性研究所 ナノスケール物性研究部門 客員准教授
2015年04月 - 2015年09月
名古屋大学大学院 工学研究科応用物理学専攻 非常勤講師
2005年04月 - 2006年03月
名古屋大学 理学研究科 物理学専攻 博士課程 中退
1987年04月 - 1988年07月
名古屋大学 工学研究科 結晶工学専攻 修士課程 卒業・修了
1985年04月 - 1987年03月
名古屋大学 工学部 原子核工学科 卒業・修了
1981年04月 - 1985年03月
Ultrafast dynamics of hot carriers: theoretical approaches based on real-time propagation of carrier distributions
Jelena Sjakste, Raja Sen, Nathalie Vast, Jerome Saint-Martin, Mohammad Ghanem, Philippe Dollfus, Felipe Murphy-Armando, Junichi Kanasaki
J. Chem. Phys. 162 ( 6 ) 061002-1 2025年02月
Atomic-scale view of the photoinduced structural transition to form sp3-like bonded order phase in graphite 査読 OA
E. Inami, K. Nishioka, J. Kanasaki
Nature Publishing・Scientific Reports 13 21439-1 - 9 2023年12月
Optical film-thinning of graphene epitaxially grown on 4H-SiC(0001) : Robustness of monolayer-graphene against the photoexcitation 査読
R. Horie, R. Hirosue, J. Kanasaki, K. Kisoda, I. Yamamoto, J. Azuma, K. Takahashi
Institute of Physics・Journal of Physics: Condensed Matter 35 ( 19 ) 195401-1 - 7 2023年03月
Surface exciton formation on InP(110)-(1x1) studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読 OA
H. Tanimura, K. Tanimura, J. Kanasaki
American Physical Society・Physical Review B 107 075304-1 - 10 2023年02月
Ultrafast relaxation of photoinjected nonthermal electrons at the nonthermal regime in the intra-G-valley relaxation in InP studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読 OA
K. Tanimura, H. Tanimura, J. Kanasaki
American Physical Society・Physical Review B 106 ( 12 ) 125204-1 - 16 2022年09月
Sjakste J.
Journal of Chemical Physics 162 ( 6 ) 2025年02月( ISSN:00219606 )
Ultrafast relaxation of photoinjected nonthermal electrons in the G valley of GaAs studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読
H. Tanimura, K. Tanimura, J. Kanasaki
Physical Review B 104 ( 24 ) 245201-1 - 245201-16 2021年12月
Ultrafast relaxation dynamics of highly excited hot electrons in silicon 査読 国際共著
H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast
Physical Review B 100 ( 3 ) 035201-1 - 035201-13 2019年07月
Energy relaxation mechanism of hot-electron ensembles in GaAs: Theoretical and experimental study of its temperature dependence 査読 国際共著
J. Sjakste, N. Vast, G. Barbarino, M. Calandra, F. Mauri, J. Kanasaki, H. Tanimura, and K. Tanimura
Physical Review B 97 ( 6 ) 064302-1 - 064302-9 2018年02月
Ultrafast dynamics in photoexcited valence-band states of Si studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy of bulk direct transitions 査読 国際共著
J. Kanasaki, H. Tanimura, K. Tanimura, P. Ries, W. Heckel, K. Biedermann, T. Fauster
Physical Review B 97 ( 3 ) 035201-1 - 035201-6 2018年01月
Electronic structure of surface unoccupied band of Ge(001)-c(4x2): Direct imaging of surface electron relaxation pathways 査読
J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, and S. Fukatsu
Physical Review B 96 ( 11 ) 115301-1 - 115301-7 2017年11月
Comparison of electronic-excitation-induced structural modification of carbon-based nanomaterials with that of semiconductor surfaces 査読
N. Itoh, C. Itoh, J. Kanasaki
NANO 11 ( 6 ) 1630001-1 - 1630001-17 2016年06月
Formation of hot-electron ensembles quasi-equilibrated in momentum space by ultrafast momentum scattering of highly excited hot electrons photoinjected into Г-valley of GaAs 査読
H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast, M. Calandra, F. Mauri
Physical Review B 93 ( 16 ) 161203(R)-1 - 161203(R)-5 2016年04月
Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読
H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura
Physical Review B 91 ( 4 ) 045201-1 - 045201-16 2015年01月
フェムト秒時間分解光電子分光法を用いた半導体における励起電子超高速緩和ダイナミクスの研究 査読
金﨑順一,谷村洋,谷村克己
固体物理 50 ( 10 ) 519 - 530 2015年
Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 査読
H. Tanimura, J. Kanasaki and K. Tanimura
Physical Review B 91 ( 4 ) 045201-1 - 16 2015年
Imaging energy- and momentum-, and time-resolved distributions of photoinjected hot electrons in GaAs 査読
J. Kanasaki, H. Tanimura, K. Tanimura
Physical Review Letters 113 ( 23 ) 237401-1 - 237401-4 2014年12月
State-resolved ultrafast dynamics of impact ionization in InSb 査読
H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura
Scientific Reports 4 6849-1 - 6849-4 2014年11月
Crucial Roles of Holes in Electronic Bond Rupture on Semiconductor Surfaces 査読
J. Tsuruta, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura
Surface Science 626 49 - 52 2014年08月
The role of applied bias and tip electronic structure in the scanning tunneling microscopy imaging of highly oriented pyrolytic graphite 査読
G. Teobaldi, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura, A. L. Shluger,
Physical Review B 85 ( 8 ) 085423-1 - 085423-15 2012年04月
Ultrafast relaxation of highly excited hot electrons in Si: Roles of the L-X intervalley scattering 査読
T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, and K. Tanimura, T. Fauster
Physical Review B 84 ( 23 ) 235210-1 - 235210-11 2011年12月
Scanning tunneling microscopic studies of laser-induced modifications of Si(001)-(2x1) surface 査読
Yasui Kosuke, Kanasaki Jun'ichi
Journal of Applied Physics 110 ( 10 ) 2011年11月( ISSN:0021-8979 )
Intact-sheet double-layer ablation induced by femtosecond-laser excitation of graphite 査読
H. Ohnishi, E. Inami, J. Kanasaki
Surface Science 605 ( 15-16 ) 1497 - 1502 2011年05月
Ultrafast relaxation of highly excited hot electrons in Si: Roles of the L-X intervalley scattering 査読 国際共著
T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, and K. Tanimura, T. Fauster
Physical Review B 84 ( 23 ) 235210-1 - 11 2011年
Formation of sp3-bonded carbon nanostructures by femtosecond laser excitation of graphite 査読
J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura, H. Onishi, K. Nasu
Physical Review Letters 102 ( 8 ) 087402-1 - 087402-4 2009年02月
Excitation-induced atomic desorption and structural instability of III-V compound semiconductor surfaces 査読
K. Tanimura and J. Kanasaki
Surface Science 602 ( 20 ) 3162 - 3171 2008年10月
Scanning tunneling microscopy study on hydrogen removal from Si(001)-2x1:H surface excited with low-energy electron beams 査読
J. Kanasaki, K. Ichihashi, K. Tanimura
Surface Science 602 ( 7 ) 1322 - 1327 2008年04月
Fermi-level dependent morphology in photo-induced bond breaking on (110) surfaces of III-V semiconductors 査読
J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura
Surface Science 601 ( 11 ) 2367 - 2372 2007年06月
Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors 査読
K. Tanimura, E. Inami, J. Kanasaki, W. Hess
Physical Review B 74 ( 3 ) 035337-1 - 035337-8 2006年07月
Excitation-induced structural instability of semiconductor surfaces 査読
K. Tanimura and J. Kanasaki
Journal of Physics: Condensed Matter 18 ( 30 ) 1479 - 1516 2006年07月
Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces 査読
J. Kanasaki
Physica B 376-377 834 - 840 2006年
Excitation-induced structural instability of semiconductor surfaces 査読
K. Tanimura, J. Kanasaki
Journal of Physics: Condensed Matter 18 ( 30 ) 1479 - 1516 2006年
Two-hole localization mechanism for electronic bond rupture of surface atoms by laser-induced valence excitation of semiconductors 査読 国際共著
K. Tanimura, E. Inami, J. Kanasaki, W. Hess
Physical Review B 74 ( 3 ) 035337-1 - 8 2006年
Laser-induced desorption from semiconductor surfaces and its electronic mechanism 招待 査読
J. Kanasaki, K. Tanimura
Journal of the Vacuum Society of Japan 49 581 - 587 2006年
Structural instability of Si(111)-(7x7) induced by low energy electron irradiation 査読
Y. Sugita, H. Horiike, J. Kanasaki, K. Tanimura
Surface Science 593 ( 1-3 ) 168 - 172 2005年11月
レーザー励起による半導体表面構造の不安定性 招待 査読
金﨑順一, 谷村克己
表面科学 26 675 - 680 2005年
Photoinduced structural instability of the InP(110)-(1x1) surface 査読
T. Gotoh, S. Kotake, K. Ishikawa, J. Kanasaki, K. Tanimura
Physical Review Letters 93 ( 11 ) 117401-1 - 4 2004年
Electronic bond rupture of Si-dimers on the Si(001)-(2x1) 査読
J. Kanasaki, K. Katoh, Y. Imanishi
Applied Physics A 6 865 - 868 2004年
レーザービームによる半導体表面原子結合の局所的切断 招待 査読
金﨑順一, 谷村克己
応用物理 73 485 - 489 2004年
Electronic bond rupture of Si atoms on Si(111)-(2x1) induced by 1-eV photon excitation 査読
E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura
Surface Science 528 ( 1-3 ) 115 - 120 2003年
Laser-induced electronic bond breaking and desorption on Si(001) surface 査読
J. Kanasaki, K. Tanimura
Surface Science 528 ( 1-3 ) 127 - 131 2003年
Primary processes of laser-induced selective dimer-layer removal on Si(001)-(2x1) 査読
J. Kanasaki, K. Ishikawa, M. Nakamura, K. Tanimura
Physical Review Letters 89 ( 25 ) 257601-1 - 4 2002年
Laser-induced new phase formation and desorption of Si atoms from
J. Kanasaki, K. Tanimura
SPIE 4636 48 - 58 2002年
Laser-induced electronic bond breaking on semiconductor surfaces
J. Kanasaki
Proceedings of International Symposium on Manipulation of Atoms and Molecules by Electronic Excitation (ISMAMEE) 30 - 33 2002年
Laser-induced electronic desorption from InP(110) surfaces studied by the femtosecond non-resonant ionization spectroscopy 査読
J. Kanasaki, N. Mikasa, K. Tanimura
Physical Review B 64 ( 3 ) 035414-1 - 10 2001年
Laser-induced electronic instability on semiconductor surfaces of Si (111)-(7x7) and InP (110)-(1x1) 査読
K. Tanimura, J. Kanasaki, K. Ishikawa
Springer Proceedings in Physic 87 325 - 326 2001年
Laser-induced electronic bond breaking and structural changes on semiconductor surfaces 査読
K. Tanimura, J. Kanasaki
SPIE 3618 26 - 36 1999年
Laser-induced desorption from STM-selected semiconductor sites 査読 国際共著
N. Itoh, J. Kanasaki, J. Xu
Progress in Surface Science 61 ( 1 ) 1 - 19 1999年
Translational energy distribution of Si atoms desorbed by laser-induced electronic bond breaking of adatoms on Si(111)-(7x7) 査読
J. Kanasaki, K. Iwata, K. Tanimura
Physical Review Letters 82 ( 3 ) 644 - 647 1999年
Laser-induced bond breaking and structural changes on Si(111)7x7 surfaces 査読
K. Tanimura, J. Kanasaki
Applied Surface Science 127-129 33 - 39 1998年
Laser-induced electronic bond breaking and desorption of Si adatoms from the Si(111)-7x7 surface 査読
J. Kanasaki, T. Ishida, K. Ishikawa, K. Tanimura
Physical Review Letters 80 ( 18 ) 4080 - 4083 1998年
Laser-induced emission of atoms and electrons from deposited Si atoms on the Si(100)2x1 surface 査読 国際共著
In-Keun Yu, J. Kanasaki, Y. Nakai, N. Itoh, K-Y. Kang
Journal of Korean Physical Society 33 ( 1 ) 91 - 94 1998年
Low energy laser photoelectron study of defect states on cleaved Si(111)2x1 surface 査読 国際共著
M. Yamada, J. Kanasaki, N. Itoh, R. T. Williams
Surface Science 349 ( 1 ) L107 - L110 1996年
レーザービームと非金属固体表面との相互作用 査読
伊藤憲昭,金崎順一,岡野晃子,中井靖男
応用物理 64 536 - 546 1995年
The DIET from semiconductor surfaces 査読
J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 101 ( 1-2 ) 93 - 102 1995年
Site-selective manipulation of semiconductor surfaces by laser beams 査読
N. Itoh, A. Okano, J. Kanasaki, Y. Nakai
Optoelectronics -Devices and Technologies 10 ( 2 ) 247 - 258 1995年
Laser beam interaction with defects on semiconductor surfaces: an approach to production of defect-free surfaces 招待 査読
N. Itoh, J. Kanasaki, A. Okano, Y. Nakai
Annual Review of Material Science 25 92 - 127 1995年
Energies for atomic emissions from defect sites on the Si surfaces: the effects of halogen adsorbates 査読 国際共著
G. S. Khoo, C. K. Ong, N. Itoh, J. Kanasaki
Journal of Applied Physics 75 ( 1 ) 255 - 258 1994年
Defect excitation processes involved in laser-induced atomic emission and laser ablation of non-metallic solids 査読 国際共著
J. Singh, N. Itoh, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano
Physical Review B 50 ( 16 ) 11730 - 11737 1994年
Defect-initiated atomic emissions from semiconductor surfaces induced by laser irradiation: electronic cleaning of defects on surfaces 査読
J. Kanasaki, A. Okano, Y. Nakai, N. Itoh,
Applied Surface Science 81 100 - 103 1994年
Enhancement of emissions of Si atoms from the Si(100) surface by low-rate Br exposure: a new model of dry etching based on defect-adsorbate interaction 査読
J. Kanasaki, I. K. Yu, Y. Nakai, and N. Itoh
Japanese Journal of Applies Physics 33 ( 4B ) 2255 - 2257 1994年
Electronic processes in laser-induced Gao emission and laser ablation of the GaP(110) and GaAs(110) surfaces 査読
A. Okano, J. Kanasaki, Y. Nakai, N. Itoh
Journal of Physics: Condensed Matter 6 ( 14 ) 2697 - 2712 1994年
Emission of Na atoms from undamaged and slightly damaged NaCl(100) surfaces by electronic excitation 査読
T. Kubo, A. Okano, J. Kanasaki, K. Ishikawa, Y. Nakai, and N. Itoh
Physical Review B 49 ( 7 ) 4931 - 4937 1994年
Laser-induced electronic processes on semiconductor surfaces 招待 査読
N. Itoh, Y. Nakai, K. Hattori, A. Okano, J. Kanasaki
Desorption Induced by Electronic Transitions DIET V 223 - 235 1993年
Defect-initiated emission of Ga atoms from the GaAs(110) surface induced by pulsed laser irradiation 査読
J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh
Journal of Physics: Condensed Matter 5 ( 36 ) 6497 - 6506 1993年
acancy-initiated laser sputtering from semiconductor surfaces 査読
N. Itoh, A. Okano, K. Hattori, J. Kanasaki, Y. Nakai
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 82 ( 2 ) 310 - 316 1993年
Enhancement of laser-induced defect-initiated Gao emission from GaAs(110) surfaces by Br adsorption 査読 国際共著
J. Kanasaki, A. Y. Matsuura, Y. Nakai, N. Itoh, R. F. Haglund, Jr.
Applied Physics Letters 62 ( 26 ) 3493 - 3495 1993年
Laser-induced electronic emissions of Si atoms from Si(100) surfaces 査読
J. Kanasaki, I. K. Yu, Y. Nakai, N. Itoh
Japanese Journal of Applies Physics 32 ( 6B ) L859 - L862 1993年
Dynamical interaction of surface electron-hole pairs with surface defects: surface spectroscopy monitored by particle emission 査読
J. Kanasaki, A. Okano, K. Ishikawa, Y. Nakai, N. Itoh
Physical Review Letters 70 ( 16 ) 2495 - 2498 1993年
Defect-initiated particle emission from semiconductor surfaces by laser irradiation 査読
Y. Nakai, K. Hattori, A. Okano, T. Taguchi, J. Kanasaki, N. Itoh
Surface Science 283 ( 1-3 ) 169 - 176 1993年
Theoretical studies of defect-initiated particle emission from GaP(110) surfaces: basis for a new technique of generating perfect surfaces 査読 国際共著
N. Itoh, K. Hattori, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano, C. K. Ong, G. S. Khoo
Applied Physics Letters 60 ( 26 ) 3271 - 3273 1992年
Laser-induced particle emission from surfaces of non-metallic solids: a search for primary processes of laser ablation 査読 国際共著
N. Itoh, K. Hattori, Y. Nakai, J. Kanasaki, A. Okano, R. F. Haglund, Jr.
Laser Ablation, Mechanisms and Applications 213 - 223 1991年
Effects of oxygen adsorption on laser-induced sputtering from GaP(110) surfaces 査読 国際共著
J. Kanasaki, H. Yamashita, A. Okano, K. Hattori, Y. Nakai, N. Itoh, R. F. Haglund, Jr.
Surface Science 257 ( 1-3 ) L642 - L646 1991年
High-resolution analysis of protons scattered from solid surfaces 査読
N. Matsunami, K. Kitoh, J. Kanasaki, N. Itoh
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 45 ( 1-4 ) 412 - 415 1990年
表面解析用高分解能陽子エネルギー損失分光装置 招待 査読
伊藤憲昭, 金﨑順一, 松波紀明, 松田耕自, 青木正彦
加速器科学 2 ( 4 ) 73 - 83 1988年
Surface analysis by means of high resolution energy loss spectroscopy of 180゜elastic scattered protons in the 100 keV regime 査読
J. Kanasaki, N. Matsunami, N. Itoh, T. Oku, K. Kitoh, M. Aoki, K. Matsuda
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 33 ( 1-4 ) 619 - 621 1988年
Analysis of initial stage of Pd-Si(111) and Au-Si(111) interface reactions by means of high resolution proton energy loss spectroscopy 査読
J. Kanasaki, N. Itoh, N. Matsunami
Applied Physics Letters 51 ( 14 ) 1072 - 1075 1987年
Proton energy loss spectroscopy for surface layer analysis in the monolayer regime 査読
T. Oku, J. Kanasaki, N. Matsunami, N. Itoh, M. Aoki, K. Matsuda
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 15 ( 1-6 ) 142 - 145 1986年
Photo-induced Structural Modifications of Graphene Films
Ryosuke Horie, Ryuichi Hirosue, Jun’ichi Kanasaki, Isamu Yamamoto, Junpei Azuma, K. Takahashi
Synchrotron Light Application Center, Saga University, Active Report 68 - 69 2024年03月( ISSN:1883-1370 )
Photoexcitation Effects of Graphene Films by Means of Photoelectron Spectroscopy
Ryuichi Hirosue, Jun’ichi Kanasaki, Isamu Yamamoto, Junpei Azuma, K. Takahashi
Synchrotron Light Application Center, Saga University, Active Report 70 - 71 2024年03月( ISSN:1883-1370 )
光学的に捕えたGe中の非平衡電子の超高速緩和過程とそれにともなう特異な物性 招待
安武裕輔、金﨑順一、深津晋
電子情報通信学会・技術研究報告 122 ( 8 ) 27 - 32 2022年04月( ISSN:2432-6380 )
Photoinduced Structural Modifications of Few-Layer Graphene Epitaxially Grown on 4H-SiC(0001)
R. Horie, R. Hirosue, J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, K. Takahashi
Synchrotron Light Application Center, Saga University・Activity Report 68-69 2022年03月( ISSN:1883-1370 )
Ultrafast Dynamics of Photoinjected Holes in the Valence Band of Silicon Studied by Two-Photon Photoelectron Differential Spectroscopy
J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma
Synchrotron Light Application Center, Saga University/ Activity Report 48 - 49 2022年03月( ISSN:1883-1370 )
Ultrafast Dynamics of Photoinjected Holes in the Valence Bands of Silicon Studied by Two-Photon Photoelectron Differential Spectroscopy
J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma
Active Report, Synchrotron Light Application Center 2020年03月
Momentum Space View of Ultrafast Dynamics of Highly Energetic Electrons in Photo-Excited Germanium
J. Kanasaki
2018年03月 ( ISSN:1883-1370 )
Atomic Level Characterization of Photoinduced Graphite to Diaphite Phase Transition by Femtosecond Laser Excitation 国際会議
E. Inami, K. Nishioka, and J. Kanasaki
7th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024) 2024年11月 The Japan Society of Applied Physics
光誘起結合変換による擬2次元物質系における構造変化 ー光励起によるグラフェン薄膜化技術の基盤形成に向けてー 招待
金崎順一
表面分析セミナー 2024年11月 日本表面真空学会関西支部
Electron dynamics on Ge(111) and (001) surfaces: bulk-to-surface scattering and surface relaxation of photo excited electrons 国際会議
Tomoki Nakagawa, Akihiro Fujimoto, Jun’ichi Kanasaki, Isamu Yamamoto, Junpei Azuma, Susumu Fukatsu
The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10) 2024年10月 The Japan Society of Vacuum and Surface Science
Photo-stimulated thinning of few-layer graphene films grown on 4H-SiC(0001) surface 国際会議
Ryuichi Hirosue, Koki Nabeshima, Kazuhiro Fujiyama, Jun’ichi Kanasaki, Kenji Kisoda, Isamu Yamamoto, Junpei Azuma
The 10th International Symposium on Surface Science (ISSS-10) 2024年10月 The Japan Society of Vacuum and Surface Science
Precursor Processes of Photoinduced Graphite to Diaphite Phase Transition by Femtosecond Laser Excitation 国際会議
E. Inami, K. Nishioka, J. Kanasaki
The 31th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy ICSPM31 2023年12月
Spectroscopic studies of laser-induced structural modifications of graphene layers epitaxially-grown on SiC(0001) 国際会議
R. Horie, R. Hirosue, J. Kanasaki, K. Kisoda, I. Yamamoto, J. Azuma, K. Takahashi
The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22) 2022年09月
Raman spectroscopic studies of laser-induced structural change of epitaxial graphene layers on SiC(0001) 国際会議
R. Horie, T. Yamana, J. Kanasaki, K. Kisoda, C. Itoh, K. Takahashi
The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9) 2021年11月
Relevance of hidden Valleys in the Dequenching of Room-temperature-emitting Ge layers 国際会議
T. Sakamoto, Y. Ysutake, J. Kanasaki, S. Fukatsu
American Vacuum Society (AVS) 66th International Symposium & Exhibition 2019年10月
Optical Control of Structural Transformation to Form Nano-scaled Order Phases Including sp3-like Interlayer Bonds in Graphite 国際会議
E. Inami, K. Nishioka, J. Kanasaki and K. Tanimura
The 15th International Conference on Laser Ablation 2019年09月
Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Optoelectronic Semiconductors 招待 国際会議
J. Kanasaki
The 2017 EMN Meeting on Optoelectronics 2017 2017年04月
Momentum Space View of Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Semiconductors 招待 国際会議
J. Kanasaki
The 3rd Annual World Congress of Smart Materials 2017 2017年03月
Direct Imaging of Surface Electron Relaxation and Surface Conduction Band Structures of Ge(001) and (111) Surfaces 国際会議
J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu
Symposium on Surface Science & Nanotechnology 2017 2017年01月
Band Structure and Electronic Dynamics at Ge(001) and (111) Surfaces 国際会議
J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu
The 20th SANKEN International, The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium 2016年12月
Electronic Structure of Surface Conduction Band of Ge(001)-c(4x2) and Ge(111)-c(2x8) Surfaces Studied by Two-photon Photoelectron Spectroscopy 国際会議
J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma
Atomically-Controlled Surfaces, Interfaces & Nanotechnology (ACSIN) 2016 2016年10月
19pBH-4 GaAsにおける超高速無輻射電子・正孔再結合 : 時間分解光電子分光による観測
谷村 克己, 金崎 順一, 谷村 洋
日本物理学会講演概要集 2016年 一般社団法人日本物理学会
State-resolved ultrafast dynamics of impact ionization in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy 国際会議
H. Tanimura, J. Kanasaki, and K. Tanimura
9th International Symposium on Ultrafast Surface Dynamics (USD-9) 2015年05月
24aAS-11 半導体における光励起キャリアのバルク-表面散乱過程 : Ge(111)-c(2x8)
金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2015年 一般社団法人日本物理学会
Ge(111)-c(2x8)における光励起電子系の超高速緩和動力学
金崎 順一
表面科学学術講演会要旨集 2015年 公益社団法人 日本表面科学会
24aCP-12 半導体励起電子系の超高速運動量緩和とエネルギー緩和 II
谷村 克己, 谷村 洋, 金崎 順一, Sjakste J., Vast N.
日本物理学会講演概要集 2015年 一般社団法人日本物理学会
24aCP-11 狭ギャップ半導体中におけるimpact ionizationの時間分解光電子分光
谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2015年 一般社団法人日本物理学会
7aAJ-2 ゲルマニウムにおける光生成非平衝キャリアの超高速動力学(7aAJ 超高速現象(磁性体・磁性半導体),領域5(光物性))
金崎 順一, 谷村 洋, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2014年08月 一般社団法人日本物理学会
7pAJ-6 時間分解二光子光電子分光によるInSb結晶中のimpact ionization(7pAJ 超高速現象,領域5(光物性))
谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2014年08月 一般社団法人日本物理学会
Ultrafast electron dynamics in photo-excited semiconductors studied by time- and angle-resolved two-photon photoelectron spectroscopy 招待 国際会議
J. Kanasaki
The 24th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-2014) 2014年06月
27pCK-4 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程II(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))
谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2014年03月 一般社団法人日本物理学会
27pCK-6 GaAsにおける励起電子の超高速intervalley scattering(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))
谷村 克己, 谷村 洋, 金崎 順一
日本物理学会講演概要集 2014年03月 一般社団法人日本物理学会
27pCK-5 半導体における光生成非平衡キャリアの超高速動力学 : エネルギー緩和速度の励起強度依存性(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))
金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2014年03月 一般社団法人日本物理学会
Ultrafast electron dynamics in photo-excited GaAs studied by time- and angle-resolved two photon photoelectron spectroscopy 国際会議
J. Kanasaki and K. Tanimura
2013 JSAP & Material Research Society (MRS) Joint Symposium 2013年09月
27pDB-9 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程(超高速現象,領域5(光物性))
谷村 洋, 金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2013年08月 一般社団法人日本物理学会
Imaging energy- and momentum-resolved distributions of photoinjected hot electrons in GaAs 国際会議
J. Kanasaki and K. Tanimura
8th Conference on Ultrafast Surface Dynamics 2013年05月
Ultrafast Relaxation of Highly Excited Hot Electrons in Semiconductors 国際会議
H. Tanimura, J. Kanasaki, and K. Tanimura
8th Conference on Ultrafast Surface Dynamics 2013年05月
Scanning tunneling microscopy study of photoinduced structural phase transition of graphoite 国際会議
E. Inami, J. Kanasaki, and K. Tanimura
20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM20) 2012年12月
Laser-Induced Bond Rupture and Structural Modifications of Si(001)-(2x1) Surface 国際会議
J. Kanasaki and K. Yasui
International Union of Material Research Society & International Conference on Electronic Materials 2012年09月
The Surface Bond Rupture on InP(110)-(1x1) Induced by Hole Injection from the STM Tips 国際会議
J. Kanasaki, J. Tsuruta, E. Inami, K. Tanimura
International Union of Material Research Society & International Conference on Electronic Materials 2012年09月
Photo-induced structural instability driven by intrinsic carrier localization on covalent semiconductor surfaces 招待 国際会議
J. Kanasaki
13th International Workshop on Desorption and Dynamics Induced by Electronic Transitions (DIET XIII) 2012年04月
Fs-Laser Induced Exfoliation of Intact Graphene Double-Layers from Graphite 国際会議
J. Kanasaki, H. Onishi, and E. Inami
International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation- 2011年12月
Angle-Resolved Low-Energy Photoemission Study of Electronic Structure of Si(111)7x7 国際会議
J. Kanasaki, K. Tanimura, and T. Fauster
International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation- 2011年12月
Formation and Growth of Interlayer sp3-Bonded Carbon Nano-Domains Induced by Femtosecond Laser Excitation of Graphite 国際会議
E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura
International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Innovation- 2011年12月
21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2011年08月 一般社団法人日本物理学会
23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同 光誘起相転移,領域5(光物性))
稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2011年08月 一般社団法人日本物理学会
25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))
稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2011年03月 一般社団法人日本物理学会
28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2011年03月 一般社団法人日本物理学会
23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))
稲見 栄一, 金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2010年08月 一般社団法人日本物理学会
23aWX-3 Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
谷村 克己, 金崎 純一
日本物理学会講演概要集 2010年08月 一般社団法人日本物理学会
23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
金崎 順一, 谷村 克己
日本物理学会講演概要集 2010年08月 一般社団法人日本物理学会
原子付着による空孔除去及びレーザーを用いた半導体膜の不完全性除去による完全無欠陥膜生成の為のCVD法
伊藤憲昭,中井靖男,服部賢,金﨑順一,岡野晃子
電子励起原子移動による表面ナノスケール構造の製造方法及び装置
谷村克己,吉田博,金﨑順一
完全無欠陥表面を作成する方法
伊藤憲昭,中井靖男,服部賢,金﨑順一,岡野晃子
光励起法によるグラフェン薄膜の原子層精密制御法の確立
基盤研究(C) 2023年04月
光励起法によるグラフェン薄膜の原子層数精密制御法の確立
基盤研究(C) 2025年
光励起法によるグラフェン薄膜の原子層数精密制御法の確立
基盤研究(C) 2024年
マルチ軸機械歪を印加した超高歪ウルトラ薄膜化ゲルマニウムによる室温電流注入光利得
基盤研究(B) 2022年
時間・角度分解光電子差分分光による正孔動力学多次元イメージ法の開発
基盤研究(B) 2019年04月
極限時空間分光法の開発と光誘起構造相転移研究への応用
挑戦的研究(開拓・萌芽) 2016年04月
物質構造科学の新展開 : フェムト秒時間分解原子イメージング
特別推進研究 2012年04月
フェムト秒時間分解光電子分光法による半導体価電子正孔系の超高速動力学
基盤研究(C) 2011年04月
光誘起構造相転移動力学の研究
特別推進研究 2007年04月
可視光励起によるグラファイト・ダイヤモンド構造相転移に関する研究
挑戦的研究(開拓・萌芽) 2007年
低エネルギー電子線励起による半導体表面構造の不安定性
基盤研究(C) 2005年04月
半導体表面二次元凝縮相における励起物性の研究
基盤研究(A) 2005年04月
シリコン(001)表面における光誘起結合切断と新表面構造相の創製
基盤研究(B) 2003年04月
化合物半導体表面における光誘起構造変化
基盤研究(C) 1999年04月
電子勃起を用いた原子分子操作
特定領域研究 1999年04月
レーザー光による表面原子操作
特定領域研究 1999年04月
フェムト秒分光法による半導体再構成表面の光誘起原子過程の研究
基盤研究(B) 1997年04月
半導体表面における光誘起構造変化
基盤研究(C) 1996年04月
半導体表面における光化学エッチングの初期過程の研究
奨励研究 1993年04月
レーザー誘起原子放出を用いた表面微量欠陥の定量法の確立
一般研究B 1993年04月
レーザー誘起原子放出によるシリコン表面欠陥制御
奨励研究 1992年04月
固体における電子励起誘起原子過程の研究
特別推進研究 1987年04月
光励起法による炭素系2次元原子層物質の超精密構造制御
池谷科学技術振興財団 単年度研究助成 2023年07月
光励起プロセスによる半導体表面構造のナノ制御
池谷科学技術振興財団 2007年04月
半導体表面欠陥のキャラクタライゼイションおよびレーザー誘起原子放
池谷科学技術振興財団 1995年04月
国際交流等助成金
池谷科学技術振興財団 2014年06月
吉田科学技術振興財団国際研究集会派遣助成
吉田科学技術振興財団 1989年06月
材料物理学
2024年度 週間授業 大学
機械マテリアル演習
2024年度 週間授業 大学
機械材料学2
2024年度 週間授業 大学
機械システム演習
2024年度 週間授業 大学
エネルギー機械演習
2024年度 週間授業 大学
機械基礎実験
2024年度 週間授業 大学
機械設計演習
2024年度 週間授業 大学
機械工学概論
2024年度 週間授業 大学
量子物性工学特論
2024年度 週間授業 大学院
機械系特別研究第1
2024年度 集中講義 大学院
機械系特別演習第1
2024年度 集中講義 大学院
機械系特別演習
2024年度 集中講義 大学院
設計製作実習
2024年度 集中講義 大学
設計製作実習
2024年度 集中講義 大学
固体分析学
2024年度 週間授業 大学
機械加工学2
2024年度 週間授業 大学
機械製作実習
2024年度 週間授業 大学
機械製図演習
2024年度 週間授業 大学
機械製図演習
2024年度 週間授業 大学
機械工作実習
2024年度 週間授業 大学
機械工作実習
2024年度 週間授業 大学
機械工学基礎
2024年度 週間授業 大学
機械系特別研究第2
2024年度 集中講義 大学院
機械系特別演習第2
2024年度 集中講義 大学院
機械系特別研究
2024年度 集中講義 大学院
卒業研究
2024年度 集中講義 大学
設計製作実習
2024年度 集中講義 大学
設計製作実習
2024年度 集中講義 大学
量子物性工学特論
2023年度 大学院
機械工学概論
2022年度 大学
機械工学基礎
2022年度 大学
初年次ゼミ
2022年度 週間授業 大学
量子物性工学特論
2022年度
材料科学
2021年度 大学
量子物性工学特論
2021年度 大学院
固体分析学
2021年度 大学
2023年度
学部・学域生発表数:1件 所属大学院生発表数:1件
2024年度
卒業論文指導数:3名 卒業論文審査数:3件
修士論文審査数(主査):5件 修士論文審査数(副査):6件
博士論文審査数(副査):1件
2023年度
卒業論文指導数:3名 卒業論文審査数:3件
修士論文審査数(主査):3件 修士論文審査数(副査):7件
博士論文審査数(副査):1件
2022年度
卒業論文指導数:2名 卒業論文審査数:2件
修士論文審査数(主査):3件 修士論文審査数(副査):5件
光誘起結合変換による擬2次元物質系における構造変化 ―光励起によるグラフェン薄膜化技術の基盤形成に向けて―
役割:講師
種別:セミナー・ワークショップ
日本表面真空学会関西支部 表面分析セミナー 2024年11月
職務経歴
1999年10月 - 2002年03月
大阪市立大学 工学部 助教授
職務経歴
2002年04月 - 2004年08月
大阪市立大学大学院 工学研究科 助教授