研究者詳細 - 藤村　紀文

写真a

フジムラ　ノリフミ

藤村　紀文

FUJIMURA Norihumi

担当

大学院工学研究科電子物理系専攻教授
工学部電子物理工学科

所属

工学研究院

連絡先

ホームページ

http://www.pe.osakafu-u.ac.jp/device7/

所属キャンパス

中百舌鳥キャンパス

担当・職階

大学院工学研究科電子物理系専攻

教授 2022年04月 - 継続中
工学部電子物理工学科

教授 2022年04月 - 継続中

取得学位

博士（工学）（大阪府立大学）

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 機能デバイス物性
ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

研究キーワード

磁性半導体
極性半導体
強誘電体物性
強誘電体デバイス
強相関系強誘電体
ZnO
multiferroic devices

研究概要

磁性半導体と磁性強誘電体を用いた不揮発性論理演算素子の開発
分極を用いて高機能化したMOSFETの開発
磁性半導体の作成とその物性
マルチフェロイック
大気圧プラズマを用いた新機能物質の作成
強誘電体と圧電体を用いたトランジスタの開発
強誘電体と磁性半導体を用いたトランジスタの開発
磁性半導体の物性
磁性強誘電体の作製とその物性
強誘電体ゲートトランジスタの開発
強誘電体ゲートトランジスタの物性

研究歴

　

自発分極、強誘電体、電界効果、トランジスタ
　

マルチフェロイック、磁性半導体、磁性強誘電体
　

大気圧プラズマ、酸化物、窒化物、MOSFET
　

強誘電体、圧電体、トランジスタ
　

強誘電体、磁性半導体、不揮発性メモリ、論理演算素子
　

半導体、磁性、磁性半導体
　

強誘電体、磁性
　

強誘電体、トランジスタ
　

強誘電体、トランジスタ

所属学協会

日本セラミックス協会

1995年04月 - 継続中
Materials Research Soc.

1994年04月 - 継続中
日本金属学会

1984年04月 - 継続中
応用物理学会

1984年04月 - 継続中

委員歴（学外）

Board Member Journal of Advanced Dielectrics (JAD)

2021年04月 - 2022年03月
上級エリアコーディネーター関西イノベーションイニシアティブ

2021年04月 - 2022年03月
座長堺市　NAKAMOZU イノベーションコア創出コンソーシアム

2021年04月 - 2022年03月
Board Member Journal of Advanced Dielectrics (JAD)

2020年04月 - 2021年03月
上級エリアコーディネーター関西イノベーションイニシアティブ

2020年04月 - 2021年03月
座長堺市　NAKAMOZU イノベーションコア創出コンソーシアム

2020年04月 - 2021年03月
理事・副会長日本誘電体学会(The Dielectric Society of Japan, DESJ)

2019年04月 - 2020年03月
Chair of organizing committee 11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics

2019年04月 - 2020年03月
Program committee Compound Semiconductor Week 2019

2019年04月 - 2020年03月
学外審査委員兵庫県立大学

2019年04月 - 2020年03月

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受賞歴

日本セラミックス協会第78回(2023年度)学術賞

藤村紀文

2023年11月日本セラミックス協会機能性セラミックス薄膜プロセッシングと物性制御に関する研究
岡崎清賞

2021年06月フルラス・岡崎記念会

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受賞国：日本国
平成30年度日本材料学会論文賞

2019年05月日本材料学会

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受賞国：日本国
第10回集積化MEMSシンポジウム　優秀論文賞

2019年03月応用物理学会

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受賞国：日本国
ＪＪＡＰ編集貢献賞

2005年04月応用物理学会
日本金属学会奨励賞

1993年12月日本金属学会

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論文

Composition Control of YbFe2O4 Electronic Ferroelectric Thin Films with PLD Growth Process Monitoring 査読

K. Shimamoto, T. Hayama, T. Yoshimura and N. Fujimura

APL Materials 13 ( 3 ) 031109 - 031109 2025年03月

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共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1063/5.0259898
Neuromorphic alternating current sensing using piezoelectric resonators and physical reservoir computing 査読

Nishimura K.

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 63 ( 9 ) 09SP23 - 09SP23 2024年09月（ ISSN:00214922 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国内誌

DOI： 10.35848/1347-4065/ad73e1
Enhancement of the piezoelectric properties of (100) BiFeO3 films on Si by all-sputtered epitaxial growth 査読

S. Aphayvong, K. Takaki, N. Fujimura, T. Yoshimura

Japanese Journal of Applied Physics (Special Issues) 63 ( 9 ) 09SP06 - 09SP06 2024年09月（ ISSN:00214922 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国内誌

DOI： 10.35848/1347-4065/ad6d74
Dielectric properties of low-temperature-grown homoepitaxial (-201) β-Ga2O3 thin film by atmospheric pressure plasma-assisted CVD 査読

Md. Earul Islam, Kento Shimamoto, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

14 ( 4 ) 2024年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1063/5.0189793
Selective Isolation of Mono- to Quadlayered 2D Materials via Sonication-Assisted Micromechanical Exfoliation

Nakamoto T.

ACS Nano 18 ( 3 ) 2455 - 2463 2024年01月（ ISSN:19360851 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1021/acsnano.3c11099

PubMed
Low-temperature homoepitaxial growth of β-Ga2O3 thin films by atmospheric pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition technique 査読

Md. Earul Islam, Kento Shimamoto, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

AIP Advances 13 ( 11 ) 115224 - 115224 2023年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1063/5.0178100
Spontaneous crystal fluctuation in hydrocarbon polymer–coated monolayer MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 with strong photoluminescence enhancement 査読

T. Nakahara†, T. Kobayashi†, T. Dohi, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya († Equal contribution)

10 ( 10 ) 3605 - 3611 2023年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.26434/chemrxiv-2023-gxzqw

DOI： 10.1021/acsphotonics.3c00670
The ferroelectric orthorhombic phase formation of Hf0.5Zr0.5O2 thin films on (-201) β–Ga2O3 substrate by atomic layer deposition 査読

K. Naito, K. Yamaguchi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics (Special Issues) 62 ( SM ) SM1018-1 - SM1018-5 2023年08月（ ISSN:00214922 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国内誌

DOI： 10.35848/1347-4065/ace917
Piezoelectric MEMS-based physical reservoir computing system without time-delayed feedback 査読

Yoshimura T.

Japanese Journal of Applied Physics 62 ( SM ) SM1013-1 - SM1013-5 2023年08月（ ISSN:0021-4922 ）（ eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ace6ab

その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ace6ab/pdf
Unusual Selective Monitoring of N,N-Dimethylformamide in a Two-Dimensional Material Field-Effect Transistor

Fukui A.

ACS Nano 17 ( 15 ) 14981 - 14989 2023年07月（ ISSN:1936-0851 ）（ eISSN:1936-086X ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsnano.3c03915

PubMed
Efficient reservoir computing by nonlinearly coupled piezoelectric MEMS resonators 査読

T. Yoshimura, T. Haga, N. Fujimura, K. Kanda, I. Kanno

IEEE Transducers 2023 457 2023年06月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Spontaneous crystal fluctuation in hydrocarbon polymer–coated monolayer MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 with strong photoluminescence enhancement

T Nakahara, T Kobayashi, T Dohi, T Yoshimura, N Fujimura, D Kiriya

ChemRxiv, 2023 2023年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.26434/chemrxiv-2023-gxzqw
Unusual selective monitoring of N,N-dimethylformamide in a two-dimensional layered field-effect transistor

A. Fukui, K. Matsuyama, H. Onoe, S. Itai, H. Ikeno, S. Hiraoka, K. Hiura, Y. Hijikata, J. Pirillo, T. Nagata, K. Takei, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya

ChemRxiv 2023年01月

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共著区分：共著

DOI： 10.26434/chemrxiv-2023-l8440
Selective isolation of mono to quad layered 2D materials via sonication-based solution engineering

T. Nakamoto, K. Matsuyama, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya

ChemRxiv 2022年12月

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共著区分：共著

DOI： 10.26434/chemrxiv-2022-lgp8l
Enhanced Performance on Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester by Dynamic Magnifier under Impulsive Force 査読

Sengsavang Aphayvong, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda, Norifumi Fujimura and Takeshi Yoshimura

Applied Physics Letters 121 ( 17 ) 172902 - 172902 2022年10月（ ISSN:0003-6951 ）（ eISSN:1077-3118 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.1063/5.0116838
Strong photoluminescence enhancement in molybdenum disulfide in aqueous media 査読

Kimura Daisuke, Yotsuya Shotaro, Yoshimura Takeshi, Fujimura Norifumi, Kiriya Daisuke

Langmuir 38 ( 43 ) 13048 - 13054 2022年10月（ ISSN:0743-7463 ）（ eISSN:1520-5827 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.1021/acs.langmuir.2c01601

PubMed
Metallic Transport in Monolayer and Multilayer Molybdenum Disulfides by Molecular Surface Charge Transfer Doping 査読

Keigo Matsuyama, Ryuya Aoki, Kohei Miura, Akito Fukui, Yoshihiko Togawa, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

ACS Applied Materials and Interfaces 14 ( 6 ) 8163 - 8170 2022年02月（ ISSN:1944-8244 ）（ eISSN:1944-8252 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Carrier modulation in transition-metal dichalcogenides (TMDCs) is of importance for applying electronic devices to tune their transport properties and controlling phases, including metallic to superconductivity. Although the surface charge transfer doping method has shown a strong modulation ability of the electronic structures in TMDCs and a degenerately doped state has been proposed, the details of the electronic states have not been elucidated, and this transport behavior should show a considerable thickness dependence in TMDCs. In this study, we characterize the metallic transport behavior in the monolayer and multilayer MoS2 under surface charge transfer doping with a strong electron dopant, benzyl viologen (BV) molecules. The metallic behavior transforms to an insulative state under a negative gate voltage. Consequently, metal-insulator transition (MIT) was observed in both monolayer and multilayer MoS2 correlating with the critical conductivity of order e2/h. In the multilayer case, the BV molecules strongly modulated the topmost surface layer in the bulk MoS2; the transfer characteristics suggested a crossover from a heterogeneously doped state with a doped topmost layer to doping in the deep layers caused by the variation in the gate voltage. The findings of this work will be useful for understanding the device characteristics of thin-layered materials and for applying them to the controlling phases via carrier modulation.

DOI： 10.1021/acsami.1c22156

PubMed
Single-layered assembly of vanadium pentoxide nanowires on graphene for nanowire-based lithography technique. 査読

A. Fukui†, Y. Aoki†, K. Matsuyama, H. Ichimiya, R. Nouchi, K. Takei, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya († Equal contribution)

Nanotechnology 33 ( 7 ) 075602 - 075602 2021年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国際誌

Graphene nanoribbon (GNR)-based materials are a promising device material because of their potential high carrier mobility and atomically thin structure. Various approaches have been reported for preparing the GNR-based materials, from bottom-up chemical synthetic procedures to top-down fabrication techniques using lithography of graphene. However, it is still difficult to prepare a large-scale GNR-based material. Here, we develop a procedure to prepare a large-scale GNR network using networked single-layer inorganic nanowires. Vanadium pentoxide (V2O5) nanowires were assembled on graphene with an interfacial layer of a cationic polymer via the electrostatic interaction. A large-scale nanowire network can be prepared on graphene and is stable enough for applying an oxygen plasma. Using plasma etching, a networked graphene structure can be generated. Removing the nanowires results in a networked flat structure whose both surface morphology and Raman spectrum indicate a GNR networked structure. The field-effect device indicates the semiconducting character of the GNR networked structure. This work would be useful for fabricating a large-scale GNR-based material as a platform for GNR junctions for physics and electronic circuits.

DOI： 10.1088/1361-6528/ac3615

PubMed
原子層半導体と分子性化合物の融合機能化

桐谷乃輔, 藤村紀文

材料雑誌日本材料学会 70 ( 10 ) 721 - 726 2021年10月

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共著区分：共著
Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> film through the direct piezoelectric response

Kenshi Takada, Mikio Murase, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

Applied Physics Letters 119 ( 3 ) 2021年07月（ ISSN:0003-6951 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Ferroelectric HfO2-based thin films, which have been attracting a great deal attention because of their potential use in various applications, are known for their unique properties, such as a large time-dependent imprint and wake-up effect, which differentiate them from conventional ferroelectric materials. In this study, direct piezoelectric measurement was employed to investigate the state of polarization during the retention and wake-up process without applying an electric field. The polarization-electric field hysteresis loop of a sputtered Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) film with a thickness of 10 nm showed a time-dependent imprint at room temperature during polarization retention, and the internal electric field that generated the imprint gradually increased from 0.05 to 0.6 MV/cm. While a space charge density of more than 1 μC/cm2 is required to form such an internal electric field, it was found that the magnitude of the direct piezoelectric response did not change at all during polarization retention. On the other hand, both the remanent polarization and direct piezoelectric response increased during the wake-up process. Based on the difference in the variation over time of these two characteristics, we concluded that the non-ferroelectric layer exists at the interface between the HZO film and TaN electrode and gradually transitions to ferroelectric phases through the electric field cycle.

DOI： 10.1063/5.0047104
Correlation between photoluminescence and antiferromagnetic spin order in strongly correlated YMnO<inf>3</inf> ferroelectric epitaxial thin film

K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura

AIP Advances 11 ( 7 ) 2021年07月（ eISSN:2158-3226 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

The electron excitation mechanism and the spin accompanied by electron transition in a multiferroic YMnO3 epitaxial thin film were studied using photoluminescence (PL) spectroscopy. The thin film exhibits an intra-atomic transition of Mn3+ and the A1 optical coherent phonon. This study particularly focuses on the correlation between the electron transition corresponding to the on-site Coulomb energy and antiferromagnetic spin order. To clarify the complex excitation mechanism, the excitation energy and temperature dependences of the PL were analyzed. The key finding was that the intensities of the PL band at 1.43 eV increase as the excitation energy approaches the absorption peak energy corresponding to the on-site Coulomb energy and as the temperature decreases below 80 K, corresponding to the Néel temperature. These results suggest that the PL band is mediated by the spin-flip and relaxation processes.

DOI： 10.1063/5.0055052
Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf_0.5Zr_0.5O₂ film through the direct piezoelectric response 査読

K Takada, M Murase, S Migita, Y Morita, H Ota, N Fujimura, T Yoshimura

Applied Physics Letters 雑誌米国物理学協会 119 ( 3 ) 2021年07月

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共著区分：共著
Correlation between photoluminescence and antiferromagnetic spin order in strongly correlated YMnO₃ ferroelectric epitaxial thin film 査読

K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, and N. Fujimura

AIP Advances 雑誌 American Institute of Physics 11 2021年07月

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共著区分：共著
Ultralarge Photoluminescence Enhancement of Monolayer Molybdenum Disulfide by Spontaneous Superacid Nanolayer Formation

Yuki Yamada, Yan Zhang, Hidekazu Ikeno, Keisuke Shinokita, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Kazunari Matsuda, Daisuke Kiriya

ACS Applied Materials & Interfaces 13 ( 21 ) 25280 - 25289 2021年06月（ ISSN:1944-8244 ）（ eISSN:1944-8252 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsami.1c04980
Time-Dependent Imprint in Hf_0.5Zr_0.5O₂ Ferroelectric Thin Films 査読

Kenshi Takada, Shuya Takarae, Kento Shimamoto, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

7 ( 8 ) 2100151 - 2100151 2021年06月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

The discovery of the HfO2-based ferroelectric films has opened new opportunities for using this silicon-compatible ferroelectric material to realize low-power logic circuits and high-density non-volatile memories. The functional performances of ferroelectrics are intimately related to their dynamic response to external stimuli, such as electric fields at finite temperatures. In the case of HfO2-based films, the time-dependent imprint and wake-up effect, which distinguish them from conventional ferroelectrics, play important roles in understanding the remaining reliability issues, such as insufficient endurance. In this study, the time-dependent imprint process is carefully investigated using Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) films with different ferroelectric properties and defect density. The amount of redistributed charge, which causes imprint during polarization retention, is affected by the remanent polarization of the ferroelectric layer, suggesting that the depolarization field corresponding to the remanent polarization generates and works as a driving force of charge redistribution. The time-dependent measurement of the imprint distinguishes the origins of charge redistribution processes, which have different time constants. In addition, the correlation between the amount of redistributed charge and the dielectric relaxation of the HZO films is discussed. Correlations are identified between the redistributed charge and the dielectric relaxation, indicating that the mobile charge contributes to the time-dependent imprint.

DOI： 10.1002/aelm.202100151
Ultralarge Photoluminescence Enhancement of Monolayer Molybdenum Disulfide by Spontaneous Superacid Nanolayer Formation 査読

Y. Yamada, Y. Zhang, H. Ikeno, K. Shinokita, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Matsuda, and D. Kiriya

ACS Applied Materials & Interfaces 雑誌 American Chemical Society 13 ( 21 ) 2021年05月

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共著区分：共著
Strong Photoluminescence Enhancement from Bilayer Molybdenum Disulfide via the Combination of UV-irradiation and Superacid Molecular Treatment 査読

Yuki Yamada, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

Applied Sciences 11 ( 8 ) 3530 - 3530 2021年04月（ eISSN:2076-3417 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）国際・国内誌：国際誌

A direct band gap nature in semiconducting materials makes them useful for optical devices due to the strong absorption of photons and their luminescence properties. Monolayer transition metal dichalcogenides (TMDCs) have received significant attention as direct band gap semiconductors and a platform for optical applications and physics. However, bilayer or thicker layered samples exhibit an indirect band gap. Here, we propose a method that converts the indirect band gap nature of bilayer MoS2, one of the representative TMDCs, to a direct band gap nature and enhances the photoluminescence (PL) intensity of bilayer MoS2 dramatically. The procedure combines UV irradiation with superacid molecular treatment on bilayer MoS2. UV irradiation induces the conversion of the PL property with an indirect band gap to a direct band gap situation in bilayer MoS2 when the interaction between the top and bottom layers is weakened by a sort of misalignment between them. Furthermore, the additional post-superacid treatment dramatically enhances the PL intensity of bilayer MoS2 by a factor of 700×. However, this procedure is not effective for a conventional bilayer sample, which shows no PL enhancement. From these results, the separated top layer would show a strong PL from the superacid treatment. The monolayer-like top layer is physically separated from the substrate by the intermediate bottom MoS2 layer, and this situation would be preferable for achieving a strong PL intensity. This finding will be useful for controlling the optoelectronic properties of thick TMDCs and the demonstration of high-performance optoelectronic devices.

DOI： 10.3390/app11083530
Combinatorial study of the phase development of sputtered Pb(Zr,Ti)O3 films 査読

M. Murase, T. Yoshimura, N. Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SP ) SPPC05 - SPPC05 2020年09月（ ISSN:0021-4922 ）（ eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

For a comprehensive study of the growth mechanisms of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), we employed a combinatorial sputtering method that enabled us to fabricate films with composition and substrate temperature gradients in-plane. The gradient of the amount of Pb supply was created using PZT ceramic and Pb3O4 powder targets. The substrate temperature gradient was generated in an orthogonal direction by inserting a shadow mask between the heater and substrate. The PZT film was deposited on uniformly deposited (001)LaNiO3/Si in a substrate temperature range of 490 °C-570 °C. It was determined that although the growth condition of PZT films has a relatively large process window, the orientation is easily changed by the temperature and the amount of Pb supply. In addition, the range of the growth temperature, where the films show ferroelectricity decreases with decreasing the amount of Pb supply.

DOI： 10.35848/1347-4065/abb4c0

その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abb4c0/pdf
Investigation of efficient piezoelectric energy harvesting from impulsive force 査読

S. Aphayvong, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Kanda, N. Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SP ) SPPD04 - SPPD04 2020年08月（ ISSN:0021-4922 ）（ eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

© 2020 The Japan Society of Applied Physics. This study investigated the electromechanical properties of MEMS piezoelectric vibration energy harvesters (MEMs-pVEHs) under various impulsive forces to discuss effective harvesting energy from random vibrations. MEMS-pVEHs with different resonance frequencies with an energy conversion efficiency close to the theoretical maximum were used. The output waveforms for various impulsive force could be fitted well with the dynamic model of pVEHs. The output energy density reached 34 nJ g-1 for an impulsive force with an acceleration of 8 m s-2. To obtain high energy conversion efficiency, pVEHs should have a response time longer than the duration of the impulsive force; efficiency higher than 50% was obtained by an impulsive force with a short duration. Furthermore, the study investigated the pVEH requirements for impulsive force based on the results of numerical simulation.

DOI： 10.35848/1347-4065/abad16

その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abad16/pdf
Change in the defect structure of composition controlled single-phase YbFe₂O₄ epitaxial thin films 査読

K. Shimamoto, J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SP ) SPPB07 - SPPB07 2020年08月（ ISSN:0021-4922 ）（ eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

© 2020 The Japan Society of Applied Physics. A new type of ferroelectricity, originating from charge order and coupled to magnetism, occurs in YbFe2O4 containing triangular Fe/O double layers, which has recently generated great interest in this material. YbFe2O4 tolerates more than 10% iron deficiency even in bulk single crystals with space group R3m. Even though a large number of Fe deficiencies are introduced in the thin film form due to vaporization of Fe ions during deposition at high temperatures, the crystal structure with the space group of R3m in the films never changes within the Fe/Yb composition ratio from 1.3 to 2.2. In the previous research, the effects of the Fe/Yb composition ratio - especially in the large Fe deficient area (1.31-1.86) - on the lattice distortion and chemical bonding state of non-stoichiometric (0001)-oriented YbFe2O4 epitaxial thin films on (111) YSZ and (0001) sapphire substrates were examined. The variation of the lattice constant, Raman spectra, and optical absorption coefficient indicated that the existence of the stacking fault and the antisite Yb play an important role in the significant iron deficiency without changing the crystal structure of non-stoichiometric YbFe2O4 thin films.

DOI： 10.35848/1347-4065/aba9b2

その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/aba9b2/pdf
Photoactivation of Strong Photoluminescence in Superacid-Treated Monolayer Molybdenum Disulfide 査読

Yuki Yamada, Keisuke Shinokita, Yasuo Okajima, Sakura N. Takeda, Yuji Matsushita, Kuniharu Takei, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Kazunari Matsuda, Daisuke Kiriya

ACS Applied Materials & Interfaces 12 ( 32 ) 36496 - 36504 2020年07月（ ISSN:1944-8244 ）（ eISSN:1944-8252 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

© 2020 American Chemical Society. To advance the development of atomically thin optoelectronics using two-dimensional (2D) materials, engineering strong luminescence with a physicochemical basis is crucial. Semiconducting monolayer transition-metal dichalcogenides (TMDCs) are candidates for this, but their quantum yield (QY) is known to be poor. Recently, a molecular superacid treatment of bis(trifluoromethane)sulfonimide (TFSI) generated unambiguously bright monolayer TMDCs and a high QY. However, this method is highly dependent on the processing conditions and therefore has not been generalized. Here, we shed light on environmental factors to activate the photoluminescence (PL) intensity of the TFSI-treated monolayer MoS2, with a factor of more than 2 orders of magnitude greater than the original by photoactivation. The method is useful for both mechanically exfoliated and chemically deposited samples. The existence of photoirradiation larger than the band gap demonstrates enhancement of the PL of MoS2; on the other hand, activation by thermal annealing, as demonstrated in the previous report, is less effective for enhancing the PL intensity. The photoactivated monolayer MoS2 shows a long lifetime of ∼1.35 ns, more than a 30-fold improvement over the original as exfoliated. The consistent realization of the bright monolayer MoS2 reveals that air exposure is an essential factor in the process. TFSI treatment in a N2 environment was not effective for achieving a strong PL, even after the photoactivation. These findings can serve as a basis for engineering the bright atomically thin materials for 2D optoelectronics.

DOI： 10.1021/acsami.0c09084

PubMed
Investigation of the electrocaloric effect in ferroelectric polymer film through direct measurement under alternating electric field 査読

Yuji Matsushita, Takeshi Yoshimura, Daisuke Kiriya, Norifumi Fujimura

Applied Physics Express 13 ( 4 ) 041007 - 041007 2020年04月（ ISSN:1882-0778 ）（ eISSN:1882-0786 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

© 2020 The Japan Society of Applied Physics. The electrocaloric (EC) effect of ferroelectric polymer film was investigated at a high frequency. The analysis used the finite element method and revealed that the extractive heat density per unit of time increases and the thermal diffusion length decreases with an increase in the frequency of the driving electric field. Given the small thermal diffusion coefficient of ferroelectric polymers, the high-frequency drive of the EC effect for ferroelectric polymer film is promising for cooling devices. To discuss the EC effect under an alternating current (AC) electric field, the EC temperature change of the vinylidene fluoride-trifluoroethylene copolymer 75/25 P(VDF-TrFE) film with a thickness of 2 μm was characterized through direct measurement using a thin-film thermocouple. The EC temperature change increases with an increase in the electric field and frequency and reached up to 0.23 °C at 1.5 MV cm-1 and 10 kHz. The extractive heat density was estimated to be as high as 0.69 W cm-2

DOI： 10.35848/1882-0786/ab8053

その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ab8053/pdf
Valence states and the magnetism of Eu ions in Eu-doped GaN 査読

Takumi Nunokawa, Yasufumi Fujiwara, Yusuke Miyata, Norifumi Fujimura, Takahiro Sakurai, Hitoshi Ohta, Akira Masago, Hikari Shinya, Tetsuya Fukushima, Kazunori Sato, Hiroshi Katayama-Yoshida

Journal of Applied Physics 127 ( 8 ) 083901 - 083901 2020年02月（ ISSN:0021-8979 ）（ eISSN:1089-7550 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1063/1.5135743
Output Power of Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvesters under Random Oscillation

S. Murakami, T. Yoshimura, M. Aramaki, Y. Kanaoka, K. Tsuda, K. Satoh, K. Kanda, N. Fujimura

Journal of Physics: Conference Series 1407 ( 1 ) 2019年12月（ ISSN:1742-6588 ）（ eISSN:1742-6596 ）

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

© Published under licence by IOP Publishing Ltd. The output characteristics of MEMS piezoelectric vibration energy harvesters (PVEHs) under random oscillations are analysed. We fabricated cantilever-type MEMS-PVEHs using Pb(Zr,Ti)O3 films. The autocorrelation function of the transient displacement of the cantilever tip under random oscillations features a narrow-band random vibration. From the power spectral density (PSD) of the output voltage of the PVEHs, the resonance frequency decreases and the full-width at half-maximum increases with increasing vibration acceleration. By comparing output properties under various sinusoidal oscillations, nonlinear effects including the soft-spring effect and nonlinear damping effect clearly influence the output characteristics under random oscillations. The power generation is proportional to the square of the vibration acceleration even in the acceleration region where nonlinear effects become conspicuous.

DOI： 10.1088/1742-6596/1407/1/012082
Quantitative analysis of the direct piezoelectric response of bismuth ferrite films by scanning probe microscopy 査読

Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Katsuya Ujimoto, Norifumi Fujimura

Scientific Reports 9 ( 1 ) 19727 - 19727 2019年12月（ eISSN:2045-2322 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

© 2019, The Author(s). Polarisation domain structure is a microstructure specific to ferroelectrics and plays a role in their various fascinating characteristics. The piezoelectric properties of ferroelectrics are influenced by the domain wall contribution. This study provides a direct observation of the contribution of domain walls to the direct piezoelectric response of bismuth ferrite (BiFeO3) films, which have been widely studied as lead-free piezoelectrics. To achieve this purpose, we developed a scanning probe microscopy-based measurement technique, termed direct piezoelectric response microscopy (DPRM), to observe the domain structure of BiFeO3 films via the direct piezoelectric response. Quantitative analysis of the direct piezoelectric response obtained by DPRM, detailed analysis of the domain structure by conventional piezoelectric force microscopy, and microscopic characterisation of the direct piezoelectric properties of BiFeO3 films with different domain structures revealed that their direct piezoelectric response is enhanced by the walls between the domains of spontaneous polarisation in the same out-of-plane direction.

DOI： 10.1038/s41598-019-56261-w

PubMed

その他URL： http://www.nature.com/articles/s41598-019-56261-w.pdf
The effects of small amounts of oxygen during deposition on structural changes in sputtered HfO2-based films 査読

Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SL ) SLLB03 - SLLB03 2019年11月（ ISSN:0021-4922 ）（ eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 The Japan Society of Applied Physics. To investigate the effects of small amounts of oxygen on the crystal growth process and structural changes in HfO2-based films, film was deposited on a Si substrate using HfO2 and ZrO2 targets via RF magnetron co-sputtering with small amounts of added O2. Even when the deposition was carried out without heating, the most stable monoclinic phase mainly formed at O2 partial pressures above 1 mPa, where the sputtering maintained the oxide mode in the as-deposited state. With decreasing O2 partial pressure, the amorphous component increased. During the annealing process, the metastable tetragonal or orthorhombic phase crystallized when the amorphous film was deposited at a lower O2 partial pressure of 1 mPa. The volume fraction of the metastable phase decreased abruptly at an O2 partial pressure at which the sputtering mode changed from metal mode to oxide mode. These results indicate that the O2 partial pressure during deposition have an effect on the crystal growth process and causes structural changes in the film even after the annealing process.

DOI： 10.7567/1347-4065/ab37cb

その他URL： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab37cb/pdf
Piezoelectric energy harvesting from AC current-carrying wire 査読

Takeshi Yoshimura, Kyohei Izumi, Yuya Ueno, Toshio Minami, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SL ) SLLD10 - SLLD10 2019年11月（ ISSN:0021-4922 ）（ eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 The Japan Society of Applied Physics. The magnetic field surrounding an AC current-carrying wire is a promising source for energy harvesting. In this study, an AC magnetic field energy harvester is developed based on the piezoelectric vibration energy harvester. A permanent magnet placed near the AC current-carrying wire vibrates by coupling with the AC magnetic field. The kinetic energy of the vibration can be converted by the piezoelectric effect. Theoretical analysis indicates that the harvester composed of a piezoelectric cantilever with a permanent magnet at the free end should be placed so that the magnet and the wire do not collide. Then, the harvester was fabricated using a piezoelectric bimorph cantilever with a mechanical quality factor of 66 and a generalized electromechanical coupling factor (K 2) of 3.1% and a neodymium magnet with a mass of 3.1 g. At an AC current of 5 Arms with a frequency of 50 Hz, an output of 1.3 mW was obtained.

DOI： 10.7567/1347-4065/ab3e57

その他URL： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab3e57/pdf
Perspectives of Novel Applications of Ferroelectric/Piezoelectric Thin Films for Smart Systems 査読

Norifumi Fujimura and Takeshi Yoshimura

Materials Research Meeting 2019 2019年10月

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共著区分：共著
Fabrication of chemical composition controlled YbFe₂O₄ epitaxial thin films 査読

J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. 58 ( SL ) SLLB11 - SLLB11 2019年08月（ ISSN:0021-4922 ）（ eISSN:1347-4065 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

© 2019 The Japan Society of Applied Physics. The crystal growth of YbFe2O4 requires oxidant-poor conditions, thus YbFe2O4 usually contains a large number of iron deficiencies even in the bulk single crystal. The use of an ArF laser for laser ablation is effective to reduce the amount of active oxygen species and a wide process window to form the YbFe2O4 epitaxial films becomes available. By using the widened process window and an iron-rich target, the chemical composition of the YbFe2O4 epitaxial thin films is successfully controlled. The effect of the iron composition on the charge ordering transition can be discussed using the nonlinear I-V behavior. The threshold electric field changes depending on the iron composition owing to the broadening of the 3-dimensional (3D) charge order region, which affects the robustness of the 3D charge order against an electric field in YbFe2O4 thin films.

DOI： 10.7567/1347-4065/ab3959
Convection‐Flow‐Assisted Preparation of a Strong Electron Dopant, Benzyl Viologen, for Surface‐Charge Transfer Doping of Molybdenum Disulfide 査読

Keigo Matsuyama, Akito Fukui, Kohei Miura, Hisashi Ichimiya, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

ChemistryOpen 8 ( 7 ) 908 - 914 2019年07月（ ISSN:2191-1363 ）（ eISSN:2191-1363 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 The Authors. Published by Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. Transition metal dichalcogenides (TMDCs) have received attention as atomically thin post-silicon semiconducting materials. Tuning the carrier concentrations of the TMDCs is important, but their thin structure requires a non-destructive modulation method. Recently, a surface-charge transfer doping method was developed based on contacting molecules on TMDCs, and the method succeeded in achieving a large modulation of the electronic structures. The successful dopant is a neutral benzyl viologen (BV0); however, the problem remains of how to effectively prepare the BV0 molecules. A reduction process with NaBH4 in water has been proposed as a preparation method, but the NaBH4 simultaneously reacts vigorously with the water. Here, a simple method is developed, in which the reaction vial is placed on a hotplate and a fragment of air-stable metal is used instead of NaBH4 to prepare the BV0 dopant molecules. The prepared BV0 molecules show a strong doping ability in terms of achieving a degenerate situation of a TMDC, MoS2. A key finding in this preparation method is that a convection flow in the vial effectively transports the produced BV0 to a collection solvent. This method is simple and safe and facilitates the tuning of the optoelectronic properties of nanomaterials by the easily-handled dopant molecules.

DOI： 10.1002/open.201900169

その他URL： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/open.201900169
Demonstration of high-performance piezoelectric MEMS vibration energy harvester using BiFeO3 film with improved electromechanical coupling factor 査読

Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kazuo Satoh, Norifumi Fujimura

Sensors and Actuators A: Physical 291 167 - 173 2019年06月（ ISSN:0924-4247 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 Elsevier B.V. The present study reports the improvement of piezoelectric properties of sputtered BiFeO 3 films, and application to piezoelectric MEMS vibration energy harvesters (MEME-pVEHs). (100)-oriented BiFeO 3 films were obtained on (100)-oriented LaNiO 3 bottom electrodes grown on (100) Si substrates at deposition temperatures ranging from 450 °C to 550 °C. While all the films showed well-defined ferroelectric hysteresis loops at room temperature, the highest e 31,f coefficient of −3.6 C/m 2 was obtained at 500 °C. The increase of the e 31,f coefficient with increasing of the Rayleigh constant indicates the domain wall substantially contributes to the piezoelectric properties of the BiFeO 3 films. MEMS-pVEHs measuring 1 × 6 mm 2 and Si proof mass of 3.0 mg were fabricated using the BiFeO 3 film. The resonance frequency, electromechanical coupling factor, and mechanical quality factor were determined as 151.2 Hz, 0.1%, and 850, respectively. The maximum output power was 2.4 μW at 0.3 G, which is comparable with that of the best-performing MEMS-pVEHs using Pb(Zr,Ti)O 3 films.

DOI： 10.1016/j.sna.2019.03.050
Solvent engineering for strong photoluminescence enhancement of monolayer molybdenum disulfide in redox-active molecular treatment 査読

Hisashi Ichimiya, Akito Fukui, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

Applied Physics Express 12 ( 5 ) 051014 - 051014 2019年05月（ ISSN:1882-0778 ）（ eISSN:1882-0786 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 The Japan Society of Applied Physics. Monolayer molybdenum disulfide's (MoS2) direct band gap nature makes it a good platform for realizing atomically thin optoelectronic devices. However, an issue is its low luminescence brightness. In this research, we demonstrate a strategy to achieve strong photoluminescence (PL) of monolayer MoS2, by treatment with a redox-active molecule, fluoranil. An important finding is that the factor of PL enhancement depends strongly on the solvent used and the PL changes by more than one order of magnitude. This work is useful for harnessing the strong optical properties of MoS2 by the combination of oxidizing molecules and engineering the solvent used.

DOI： 10.7567/1882-0786/ab1544

その他URL： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab1544/pdf
Electronic Structure Mosaicity of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides by Spontaneous Pattern Formation of Donor Molecules 査読

Hisashi Ichimiya, Masahiro Takinoue, Akito Fukui, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

ACS Applied Materials & Interfaces 11 ( 17 ) 15922 - 15926 2019年05月（ ISSN:1944-8244 ）（ eISSN:1944-8252 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 American Chemical Society. Modulating the electronic structure of semiconducting materials is critical to developing high-performance electronic and optical devices. Transition metal dichalcogenides (TMDCs) are atomically thin semiconducting materials. However, before they can be used successfully in electronic and optical devices, modulation of their carrier concentration at the nanometer scale must be achieved. Molecular doping has been successful in modulating the carrier concentration; however, the scientific approach for selective and local carrier doping at the nanometer scale is still missing. Here, we demonstrate a proof-of-concept of modulating the carrier concentration of TMDCs laterally on a scale of around 100 nm using spontaneous pattern formation of an ultrathin film consisting of molecular electron dopants. When the water made contact with the molecular film (∼10 nm), a spontaneous pattern formation was observed on both the monolayer and bulk TMDCs. We revealed that the pattern-formation dynamics and nanoscopic flow rate of the molecules were highly dependent on the thickness of the TMDCs, since the band gap varies based on the number of layers. Analyses of topographic images of the molecular patterns and photoluminescence spectra of the TMDCs indicated that the spontaneously patterned molecular films induced a local carrier doping. Our results demonstrate a spontaneous formation of a mosaic electronic structure. This work is useful for making tiny-scale electronic junctions on TMDCs and semiconducting materials to make numerous p/n junctions simultaneously for optoelectronic devices.

DOI： 10.1021/acsami.9b03367

PubMed
Time-Resolved Simulation of the Negative Capacitance Stage Emerging at the Ferroelectric/Semiconductor Hetero-Junction 査読

Norifumi Fujimura Kenshi Takada Takeshi Yoshimura

2019 MRS Spring Meeting 2019年04月

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共著区分：共著
Electromechanical characteristics of piezoelectric vibration energy harvester with 2-degree-of-freedom system 査読

Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda, Norifumi Fujimura

Applied Physics Letters 114 ( 13 ) 133902 - 133902 2019年04月（ ISSN:0003-6951 ）（ eISSN:1077-3118 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 Author(s). Enhancing the output power at small input acceleration is a major concern for enabling practical application of vibration energy harvesters. In this study, a two-degree of freedom system (2-DOF) was employed to solve this issue. The numerical calculations using the lumped parameter model of the piezoelectric vibration energy harvesters (pVEHs) with 2-DOF indicate that the harvesters show two resonance peak and an increase in the output power of several ten times compared with the harvester with a single degree of freedom. Based on calculations, the prototype of pVEH with 2-DOF was fabricated using a micro-machined pVEH and a metal cantilever. The output power of the harvester is 3.4 μW at 0.1 Grms, which is 17 times higher than that of the micro-electro-mechanical system-pVEH. Moreover, the resonance frequency on the pVEH with 2-DOF is easily adjusted because of the coupled vibration of the two masses.

DOI： 10.1063/1.5093956
Fabrication and Characterization of (Ba,La)SnO3 Semiconducting Epitaxial Films on (111) and (001) SrTiO3 Substrates 査読

Kohei Miura, Daisuke Kiriya, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura

physica status solidi (a) 216 ( 5 ) 1700800 - 1700800 2019年03月（ ISSN:1862-6300 ）（ eISSN:1862-6319 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Recently, BaSnO 3 has attracted great attention as a promising transparent oxide semiconductor with a large bandgap (3.3 eV) and high mobility (320 cm 2 V −1 s −1 ), and many reports have discussed the origin of its high mobility. Specifically, its effective mass m* has been investigated with both calculations and experiments. First-principles calculations have suggested that m* is small near the Γ point and that this m* assists the high mobility. Therefore, it is quite important to study the anisotropy in the mobility of this material. However, except for (001) BaSnO 3 , there are almost no reports on the electrical transport properties of the films with other orientations. In this paper, the authors fabricate (111) and (001) (Ba,La)SnO 3 films by using pulsed laser deposition to evaluate the structural differences including the epitaxial strain and the orientation distribution generated from the differences in the growth mode that is originated in the ionic arrangement of each surface. The effects of the structural differences for the conductivities of (001) and (111) films and how do the authors achieve the epitaxial films with high mobility are discussed.

DOI： 10.1002/pssa.201700800
Saturated and Pinched Ferroelectric Hysteresis Loops in BiFeO3 Ceramics 査読

Jin Hong Choi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Chae Il Cheon

Journal of the Korean Physical Society 74 ( 3 ) 269 - 273 2019年02月（ ISSN:0374-4884 ）（ eISSN:1976-8524 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019, The Korean Physical Society. BiFeO 3 (BFO) ceramics were prepared by conventional solid-state reaction method without quenching. The effect of the sintering condition on the phase evolution and the ferroelectric properties of these BFO ceramics were investigated. A pinched polarization - electric field (P-E) hysteresis loop was observed in the sample sintered at high temperature for a short period (820 °C for 1 hour) because the domain wall motion is restricted by a large number of ionic defects such as oxygen vacancies. The BFO sample sintered at low temperature for a long period (760 °C for 6 hours) displayed a well-saturated P-E hysteresis loop due to its low ionic defect density.

DOI： 10.3938/jkps.74.269

その他URL： http://link.springer.com/content/pdf/10.3938/jkps.74.269.pdf
Time-resolved simulation of the negative capacitance stage emerging at the ferroelectric/semiconductor hetero-junction 査読

K. Takada, T. Yoshimura, N. Fujimura

AIP Advances 9 ( 2 ) 025037 - 025037 2019年02月（ eISSN:2158-3226 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

© 2019 Author(s). Recently, a number of papers have demonstrated sub-60 mV/decade switching by using the negative capacitance (NC) effect in ferroelectric-gate FETs. However, the physical picture is not yet understood. In this paper, an alternative physical picture for emerging NC is proposed and the development of the NC stage at the ferroelectric/semiconductor hetero-junction is described. Proposed physical picture is based on two factors, 1. "decrease in an additional voltage originated from the depolarization field by surface potential of semiconductor" and 2. "Change in the distribution ratio of gate voltage (V G ) to voltage applied to the ferroelectric layer (V F ) and surface potential of the semiconductor (ψ S ) due to the capacitance change of semiconductor." With considering these two essential phenomena, time-resolved simulations of the NC stage emerging at the ferroelectric/semiconductor hetero-junction were carried out. This NC phenomena expressed by the negative differential of the D F for the V F , i.e. (D F /V F <0), emerging in the MFS (metal/ferroelectric/semiconductor) capacitor without inserting dielectric layer, are dynamically simulated to discuss the proposed NC process. The simulation results clearly reveal that the NC stage is originated from the existence of additional voltage caused by the depolarization field by surface potential of semiconductor originated from the existence of remanent polarization of ferroelectric layer, and change in the capacitance of the semiconductor during polarization switching. The different physical picture from steady-state NC and transient NC can be clearly shown.

DOI： 10.1063/1.5075516
Relationship between Spontaneous Pattern Formation of Donor Molecules and Surface States on 2 Dimensional Semiconducting Materials 査読

H. Ichimiya, M. Takinoue, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

Chemistry and Micro-Nano Systems,18,1,2019, 雑誌 2019年

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共著区分：共著
Convection-Flow-Assisted Preparation of a Strong Electron Dopant, Benzyl Viologen, for Surface-Charge Transfer Doping of Molybdenum Disulfide 査読

Keigo Matsuyama, Akito Fukui, Kohei Miura, Hisashi Ichimiya, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, and Daisuke Kiriya

ChemistryOpen 雑誌 2019年

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共著区分：共著
The effects of the chemical composition on the charge/spin ordering transition in YbFe2O4 epitaxial films 査読

J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

JJAP FMA特集号雑誌 2019年

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共著区分：共著
Piezoelectric energy harvesting from AC current-carrying wire 査読

Takeshi Yoshimura, Kyohei Izumi, Yuya Ueno, Toshio Minami, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

JJAP FMA特集号雑誌 2019年

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共著区分：共著
The Effect of Small Amount of Oxygen During Deposition for the Structural Change of Sputtered HfO2-based Films 査読

Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, and Norifumi Fujimura

JJAP 雑誌 2019年

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共著区分：共著
Electronic Structure Mosaicity of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides by Spontaneous Pattern Formation of Donor Molecules 査読

H. Ichimiya, M. Takinoue, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

ACS Appl. Mater. Interfaces, 11 (17), pp 15922–15926 (2019) 雑誌 2019年

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共著区分：共著
Solvent engineering for strong photoluminescence enhancement of monolayer molybdenum disulfide in redox-active molecular treatment 査読

Hisashi Ichimiya, Akito Fukui, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura and Daisuke Kiriya

Applied Physics Express, Volume 12, Number 5,051014,1-5 (2019) 雑誌 2019年

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共著区分：共著
Electromechanical characteristics of piezoelectric vibration energy harvester with 2-degree-of-freedom system 査読

Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kazuo Satoh, Norifumi Fujimura

Appl. Phys. Lett. 114, 133902,1-4 (2019) 雑誌 2019年

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共著区分：共著
Demonstration of high-performance piezoelectric MEMS vibration energy harvester using BiFeO3 film with improved electromechanical coupling factor 査読

Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kazuo Satoh, Norifumi Fujimura

Sensors and Actuators A: Physical, Volume 291, 167-173,(2019) 雑誌 2019年

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共著区分：共著
Investigation of mechanical nonlinear effect in piezoelectric MEMS vibration energy harvesters 査読

M. Aramaki, K. Izumi, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Satoh, K. Kanda, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. 57 ( 11S ) 11UD03,1 - 11UD03,4 2018年09月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.7567/JJAP.57.11UD03
Investigation of piezoelectric energy harvesting from human walking 査読

R. Kakihara, K. Kariya, Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of Physics: Conference Series 1052 ( 1 ) 2018年07月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1088/1742-6596/1052/1/012113
Direct piezoelectric properties of BiFeO₃ epitaxial films grown by combinatorial sputtering 査読

T. Yoshimura, K. Kariya, N. Okamoto, M. Aramaki, N. Fujimura

Journal of Physics: Conference Series 1052 ( 1 ) 2018年07月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1088/1742-6596/1052/1/012020
Systematic Study of Photoluminescence Enhancement in Monolayer Molybdenum Disulfide by Acid Treatment 査読

D. Kiriya, Y. Hijikata, J. Pirillo, R. Kitaura, A. Murai, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Langmuir, 34, 10234-10249(2018). 雑誌 2018年

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共著区分：共著
Time-resolved Simulation of the Negative Capacitance Stage Emerging at the Ferroelectric/Semiconductor Hetero-Junction 査読

K. Takada, T. Yoshimura, N. Fujimura

AIP Advances 9, 025037,1-5 (2019). 雑誌 2018年

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共著区分：共著
Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters 査読

S. Murakami, T. Yoshimura, Y. Kanaoka, K. Tsuda, K. Satoh, K. Kanda, N. Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 57, 11UD10 (2018), 雑誌 2018年

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共著区分：共著
(001) Si 基板直上への Y doped HfO2薄膜のエピタキシャル成長査読

鎌田大輝, 高田賢志, 吉村武, 藤村紀文

材料,Vol. 67,No. 9, pp. 844-848(2018). 雑誌 2018年

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共著区分：共著
Tuning Transition-Metal Dichalcogenide Field-EffectTransistor by Spontaneous Pattern Formation of an Ultrathin Molecular Dopant Film 査読

H. Ichimiya, M. Takinoue, A. Fukui, K. Miura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

ACS Nano, 12, 10, 10123-10129(2018), 雑誌 2018年

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共著区分：共著
The effect of crystal distortion and domain structure on piezoelectric properties of BiFeO3 thin films 査読

N. Okamoto, K. Kariya, T. Yoshimura, N. Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics Volume 57, 11S,11UF07,1-4 (2018), 雑誌 2018年

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共著区分：共著
Direct piezoelectric response in vinylidene fluoride – trifluoroethylene copolymer films 査読

Y. Matsushita, I. Kanagawa, T. Yoshimura, N. Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics, Volume 57, Number 11S ,11UG01,1-4(2018), 雑誌 2018年

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共著区分：共著
Reaction of N,N'-dimethylformamide and divalent viologen molecule to generate an organic dopant for molybdenum disulfide 査読

A. Fukui, K. Miura, H. Ichimiya, A. Tsurusaki, K. Kariya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

AIP Advances 8, 055313,1-7 (2018), 雑誌 2018年

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共著区分：共著
Fabrication and characterization of (Ba,La)SnO3 semiconducting epitaxial films on (111) and (001) SrTiO3 substrates 査読

K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Physica Status Solidi A,216,1700800,1-7(2018). 雑誌 2018年

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共著区分：共著
Cerium ion doping into self-assembled Ge using three-dimensional dot structure 査読

Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Journal of Crystal Growth 468 ( 15 ) 696 - 700 2017年06月

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共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.055
Fabrication and electrical properties of a (Pb, La)(Zr, Ti) O₃ capacitor with pulsed laser deposited Sn-doped In₂O₃ bottom electrode on Al₂O₃ (0001) 査読

Yoko Takada, Rika Tamano, Naoki Okamoto, Takeyasu Saito, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Koji Higuchi, Akira Kitajima

Jpn. J. Appl. Phys. 56 ( 7S2 ) 07KC02 - 07KC02 2017年06月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.7567/JJAP.56.07KC02
High efficiency piezoelectric MEMS vibrational energy harvsters using (100) oriented BIFEO3 films 査読

M. Aramaki, K. Izumi, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

2017 IEEE 30th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS) 829 - 832 2017年01月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1109/MEMSYS.2017.7863536
Growth and ferroelectric properties of La and Al codoped BiFeO3 epitaxial films 査読

Hirokazu Izumi,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura

Journal of Applied Physics 121(2017), 174102 雑誌 2017年

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共著区分：共著
Ultrafast dynamics of coherent optical phonon correlated with the antiferromagnetic transition in a hexagonal YMnO3 epitaxial film 査読

Takayuki Hasegawa, Norifumi Fujimura, and Masaaki Nakayama

Appl. Phys. Lett. 111, 192901 (2017) 雑誌 2017年

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共著区分：共著
Development of piezoelectric bistable energy harvester based on buckled beam with axially constrained end condition for human motion 査読

Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, N. Fujimura, M. R. Ebied, and M. G. S. Ali

Japanese Journal of Applied Physics, Volume 56, Number 10S (2017). 雑誌 2017年

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共著区分：共著
Crystallographic Polarity Effect of ZnO on Thin Film Growth of Pentacene 査読

Tatsuru Nakamura, Takahiro Nagata, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba,Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, and　Yutaka Wakayama

Japanese Journal of Applied Physics, Volume 56, Number 4S (2017) 雑誌 2017年

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共著区分：共著
Photoelectron spectroscopic study on monolayer pentacene thin film/ polar ZnO single crystal hybrid interface 査読

Takahiro Nagata, Tatsuru Nakamura, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba, Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, and Yutaka Wakayama

Applied Physics Express, 10(2017), 025702 1-4 雑誌 2017年

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共著区分：共著
Strain Dependent Electronic Structure and Band Offset Tuning at Heterointerfaces of ASnO3 (A=Ca, Sr, and Ba) and SrTiO3 査読

John D. Baniecki, Takashi Yamazaki, Dan Ricinschi, Quentin Van Overmeere, Hiroyuki Aso, Yusuke Miyata, Hiroaki Yamada, Norifumi Fujimura, Ronald Maran, Toshihisa Anazawa, Nagarajan Valanoor, and Yoshihiko Imanaka

Scientific Reports, 7 (2017), 41725 1-12, 雑誌 2017年

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共著区分：共著
Origin of the photoinduced current of strongly correlated YMnO3 ferroelectric epitaxial films 査読

Kohei Miura, Lejun Zhang, Daisuke Kiriya, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura and Norifumi Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics, 56(2017), Number 10S 雑誌 2017年

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共著区分：共著
Low temperature formation of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N₂/O₂ plasma generated near atmospheric pressure 査読

Yukinori Nose, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Tsuyoshi Uehara, Norifumi Fujimura

Thin Solid Films 616 415 - 418 2016年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1016/j.tsf.2016.09.009
Novel chemical vapor deposition process of ZnO films using nonequilibrium N2 plasma generated near atmospheric pressure with small amount of O2 below 査読

Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

J. Appl. Phys. 119 (2016), 175302 1-6 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Low-voltage operation of Si-based ferroelectric field effect transistors using organic ferroelectrics, ply(vinylidene fluoride-trifluoroethylene), as a gate dielectric 査読

Yusuke Miyata, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, and Norifumi Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 55(2016), 04EE04 1-4 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Reliability of the properties of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors with non–noble metal oxide electrodes stored in an H2 atmosphere 査読

Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, and R. Shishido

MRS Advances 1(2016) 369−374 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Al: ZnO top electrodes deposited with various oxygen pressures for ferroelectric (Pb, La)(Zr,Ti)O3 capacitors 査読

Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi and A. Kitajima

Electronics Letters 52(2016), 230−232 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Comparative Study of Hydrogen - and Deuterium - induced Degradation of Ferroelectric (Pb,La)(Zr,Ti)O3 Capacitors Using Time of Flight Secondary Ion Measurement 査読

Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, and R. Shishido

IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, 63(2016), 1668-1673 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Comparative Study of Ferroelectric (K,Na)NbO3 Thin Films Pulsed Laser Deposition on Platinum Substrates with Different Orientation 査読

R. Tamano, Y. Takada, N. Okamoto. T. Saito, K. Higuchi, A. Kitajima, T. Yoshimura, and N. Fujimura

Proc. 2016 IEEE ISAF/ECAPD/PFM(2016), 1−4 雑誌 2016年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌
Evaluatioion of Deuterium ion Profile in (Pb,La)(Zr,Ti)O3 Capacitors Structures with Conductive Oxide Top Electrode by Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry 査読

Y. Takada, R. Tamano, N. Okamoto, T. Saito, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima and R. Shishido

Proc. 2016 IEEE ISAF/ECAPD/PFM(2016), 1−4 雑誌 2016年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌
Fabrication of Doped Pb(Zr,Ti)O3 Capacitors on Pt Substrates with Different Orientations 査読

R. Tamano, T. Amano, Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi and A. Kitajima

Electronics Letters, 52(2016), 1399-1401 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Ferroelectric properties of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors employing Al-doped ZnO top electrodes prepared by pulsed laser deposition under different oxygen pressures 査読

Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi and A. Kitajima

Japanese Journal of Applied Physics (2016), 55, 06JB04. 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Control of native acceptor density in epitaxial Cu2O thin films grown by electrochemical deposition 査読

Atsushi Ashida, Shunsuke Sato, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura,

Journal of Crystal Growth(2016) 雑誌 2016年

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共著区分：共著
High efficiency piezoelectric MEMS vibration energy harvesters using (100) oriented BiFeO3 Films 査読

M. Aramaki, K. Izumi, T. Yoshimura, S. Murakami, and N. Fujimura

Proc. of the 30th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (2016), 829-832 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Direct measurements of electrocaloric effect in ferroelectrics using thin-film thermocouples 査読

Yuji Matsushita, Atsushi Nochida, Takeshi Yoshimura, and Norifumi Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. 55(2016), 10TB04 1-4 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Effects of (Bi1/2,Na1/2)TiO3 on the electrical properties of BiFeO3-based thin films 査読

Jin Hong Choi, Takeshi Yoshimura, and Norifumi Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. 55(2016), 10TA17 1-4 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Thickness dependence of piezoelectric properties of BiFeO3 films fabricated using rf magnetron sputtering system 査読

Masaaki Aramaki, Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, and Norifumi Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. 55(2016), 10TA16 1-5 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Large enhancement of positive magnetoresistance by Ce doping in Si epitaxial thin films 査読

Y. Miyata, K. Ueno, Y. Togawa, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura

Appl. Phys. Lett. 109 (2016), 112101 1-4 雑誌 2016年

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共著区分：共著
(111)SrTiO3基板上への(Ba,La)SnO3薄膜の結晶成長査読

三浦光平, 樫本涼,吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

材料 65 (2016), 638-641 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Lowering the growth temperature of strongly-correlated YbFe2O4 thin films prepared by pulsed laser deposition 査読

Yukinori Nose, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Tsuyoshi Uehara and Norifumi Fujimura

Thin Solid Films 614(2016), 44-46 雑誌 2016年

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共著区分：共著
Direct measurement of the electrocaloric effect in ferroelectrics using thin film thermocouple 査読

Y. Matsushita, T. Yoshimura, and N. Fujimura

Proc. of the 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic 雑誌 2015年11月

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共著区分：共著
Enhancement of piezoelectric properties of BiFeO3 films for vibration energy harvesting 査読

T. Yoshimura, K. Kariya, N. Fujimura, and S. Murakami

Proc. of the Seventeenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 雑誌 2015年11月

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共著区分：共著
Direct measurement of electrocaloric effect in barium titanate thin films 査読

T. Yoshimura, K. Kariya, N. Fujimura, and S. Murakami

Proc. of The Seventeenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 雑誌 2015年11月

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共著区分：共著
Piezoelectric MEMS vibrational energy harvester using BiFeO3 films 査読

T. Yoshimura, S. Murakami, K. Kariya, and N. Fujimura

Proc. of the 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic 雑誌 2015年11月

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共著区分：共著
Theoretical analysis of linear and nonlinear piezoelectric vibrational energy harvesters for human walking 査読

Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, N. Fujimura, Nour Z. Elsayed, Mohamed R. Ebied and Mohamed G. S. Ali

Japanese Journal of Applied Physics 雑誌応用物理学会 54 2015年09月

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共著区分：共著
Growth and characterization of (1 − x)BiFeO3–x(Bi0.5,K0.5)TiO3 thin films 査読

Jin Hong Choi, Takeshi Yoshimura and Norifumi Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 雑誌 54 2015年09月

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共著区分：共著
Evaluation of the electronic states in highly Ce doped Si films grown by low temperature molecular beam epitaxy system 査読

Yusuke Miyata, Yukinori Nose, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura

J. Crystal Growth 雑誌 Elsevier 425 158 - 161 2015年09月

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共著区分：共著
Effects of polarization of polar semiconductor on electrical properties of poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)/ZnO heterostructures 査読

H. Yamada, T. Yoshimura and N. Fujimura

Journal of Applied Physics 雑誌 117 2015年06月

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共著区分：共著
Interface energetics and atomic structure of epitaxial La_1-xSr_xCoO₃ on Nb:SrTiO₃ 査読

Quentin Van Overmeere,John D. Baniecki,Takashi Yamazaki,Dan Ricinschi,Hiroyuki Aso,Yusuke Miyata,Hiroaki Yamada,Norifumi Fujimura,Yuji Kataoka,Yoshihiko Imanaka

Appl. Phys. Lett. 106 241602 - 241602 2015年06月

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共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1063/1.4922880
The orientation controlled (Pb,La)(Zr,Ti)O3capacitor for improved reliabilities 査読

T. Saito, T. Amano, Y. Takada, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima

2015 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectric (ISAF), International Symposium on ISIF/PFM 226 - 229 2015年05月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1109/ISAF.2015.7172712
Effect of Al-doped ZnO or Sn-doped In2O3 electrode on ferroelectric properties of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors 査読

Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima and H. Iwai

Japanese Journal of Applied Physics 54 05ED03,1 - 05ED03,6 2015年04月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.7567/JJAP.54.05ED03
Effect of excess Pb on ferroelectric characteristics of conductive Al-doped ZnO and Sn-doped In2O3 top slscrtodes in PbLaZrTiOx capacitors 査読

Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

International Journal Material Reserch 雑誌 106 83 - 87 2015年04月

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共著区分：共著
The effect of H2 distribution in (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors with conductive oxide electrodes on the degradation of ferroelectric properties 査読

Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

Material Research Soc. Simp. Proseedings 雑誌 1729 93 - 98 2015年04月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1557/opl.2015.263
Direct measurement of the electrocaloric effect in ferroelectrics using thin film thermocouple 査読

Y. Matsushita, T. Yoshimura, and N. Fujimura

Proc. of the 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic 雑誌 2015年

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共著区分：共著
Hydrogen profile measurement of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitor with conductive electrode after hydrogen annealing 査読

Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, H. Iwai, and R. Shishido

Proc. 2015 IEEE ISAF/ISIF/PFM 163 - 166 2015年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1109/ISAF.2015.7172695
The output power of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters under random oscillations

K Kariya, T Yoshimura, S Murakami and N Fujimura

Journal of Physics: Conference Series 雑誌 557 2014年11月

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共著区分：共著
Enhancement of piezoelectric properties of (100)-orientated BiFeO3 films on (100)LaNiO3/Si 査読

Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami and Norifumi Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 雑誌 The Japan Society of Applied Physics 53 ( 9ｓ ) 2014年09月

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共著区分：共著
Piezoelectric properties of (100) orientated BiFeO3 thin films on LaNiO3 査読

Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami and Norifumi Fujimura

Japanese Journal of Applied Physics 雑誌 The Japan Society of Applied Physics 53 ( 8S3 ) 2014年08月

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共著区分：共著
Improved reliability properties of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 ferroelectric capacitors by thin aluminium-doped zinc oxide buffer layer 査読

Y.Takada, T.Tsuji, N.Okamoto, T.Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima

Electronics Letters IEEE 50 ( 11 ) 799 - 801 2014年05月
Near-surface structure of polar ZnO surfaces prepared by pulsed laser deposition 査読

T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Thin Solid Films Elsevier 559 88 - 91 2014年05月

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共著区分：共著
Aluminum-doped zinc oxide electrode for robust (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors: effect of oxide insulator encapsulation and oxide buffer layer 査読

Yoko Takada,Toru Tsuji,Naoki Okamoto,Takeyasu Saito,Kazuo Kondo,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Koji Higuchi,Akira Kitajima,Akihiro Oshima

Materials in Electronics Journal of Materials Science 925 ( 5 ) 2155 - 2161 2014年05月

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共著区分：共著
Correlation between the intra-atomic Mn3+ photoluminescence and antiferromagnetic transition in an YMnO3 epitaxial film 査読

Masaaki Nakayama, Yoshiaki Furukawa, Kazuhiro Maeda, Takeshi Yoshimura, Hiroshi Uga, Norifumi Fujimura

Applied Physics Express The Japan Society of Applied Physics 7 2014年02月

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共著区分：共著
Crystal structure and local piezoelectric properties of strain-controlled (001) BiFeO3 epitaxial thin films 査読

K. Ujimoto, T. Yoshimura, K. Wakazono,A. Ashida,N. Fujimura

Thin Solid Films Elsevier 550 738 - 741 2014年01月

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共著区分：共著
Development of piezoelectric MEMS vibration energy harvester using (100) oriented BiFeO3 ferroelectric film 査読

S Murakami, T Yoshimura, K Satoh, K Wakazono, K Kariya and N Fujimura

Journal of Physics:Conference Series Elsevier 476 2013年12月

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共著区分：共著
Enhancement of Direct Piezoelectric Properties of Domain-Engineered(100)BiFeO3 Films 査読

Takeshi Yshimura,Katsuya Ujimoto,Yusaku Kawahara,keisuke Wakazono,Kento Kariya,Norifumi Fujimura,Syuichi Murakami

Japanese Journal of Applied Physics The Japan Society of Applied Physics 52 2013年09月

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共著区分：共著
Comparative study of electrical properties of PbLaZrTiOx capacitors with Al-doped ZnO and ITO top electrodes 査読

Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

2013 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric and Workshop on Piezoresponse Force Microscopy, ISAF/PFM 2013 IEEE 6748710 360 - 362 2013年07月

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共著区分：共著
Electrical properties of PbLaZrTiOx capacitors with conductive oxide buffer layer on Pt electrodes 査読

T. Saito, Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

2013 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric and Workshop on Piezoresponse Force Microscopy, ISAF/PFM 2013 IEEE 6748734 205 - 207 2013年07月

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共著区分：共著
ナノチャネルを有する強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製とその電気特性評価査読

野村侑平，吉村武，藤村紀文

Journal of the Vacuum Society of Japan 日本真空学会 56 ( 5 ) 172 - 175 2013年05月

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共著区分：共著
Piezoelectric vibrational energy harvester using lead-free ferroelectric BiFeO3 films 査読

T. Yoshimura, S. Murakami, K. Wakazono, K. Kariya, N. Fujimura

Appl. Phys. Express The Japan Society of Applied Physics 6 ( 5 ) 051501 1 - 4 2013年05月

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共著区分：共著
Effects of La substitution for BiFeO3 epitaxial thin films 査読

K. Wakazono, Y. Kawahara, K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc. 62 ( 7 ) 1069 - 1072 2013年04月

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共著区分：共著
Effect of the annealing temperature of P(VDF/TrFE) thin films on their ferroelectric properties 査読

Y. Yachi, T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc. 62 ( 7 ) 1065 - 1068 2013年04月

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共著区分：共著
有機強誘電体を用いた磁性半導体Si:Ce薄膜の電界効果査読

宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，吉村武，藤村紀文

Journal of the Vacuum Society of Japan 日本真空学会 ( 56 ) 136 - 138 2013年04月

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共著区分：共著
Effect of target surface microstructure on morphological and electrical properties of pulsed-laser-deposited BiFeO3 epitaxial thin films 査読

K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 52 ( 4 ) 045803 1 - 5 2013年04月

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共著区分：共著
Electrical properties of sol-gel derived PbLaZrTiOx capacitors with nonnoble metal oxide top electrodes 査読

Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

Electrochemical Society Transactions The Electrochemical Society 50 ( 34 ) 43 - 48 2013年03月

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共著区分：共著
Orientation control of ZnO films deposited using nonequilibrium atmospheric pressure N2/O2 plasma 査読

Y. Nose, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. Special Issue The Japan Society of Applied Physics 52 ( 1 ) 01AC03 1 - 3 2013年01月

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共著区分：共著
Investigation of gas sensing characteristics of TiO2 nanotube channel field-effect transistor 査読

M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 51 ( 11 ) 11PE10 1 - 3 2012年11月

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共著区分：共著
Effect of ferroelectric polarization on carrier transport in controlled polarization type ferroelectric gate field-effect transistors with P(VDF-TeFE)/ZnO heterostructure 査読

H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 51 ( 11 ) 11PB01 1 - 4 2012年11月

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共著区分：共著
Control of crystal structure of BiFeO3 epitaxial thin films by the growth condition and piezoelectric properties 査読

Y. Kawahara, K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys.（Ferroelectric Materials Their Applications） The Japan Society of Applied Physics 51 ( 9 ) 09LB04 1 - 5 2012年09月

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共著区分：共著
誘電泳動により作製したTiO2ナノチューブ電界効果トランジスタの電気伝導査読

石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

材料 61 ( 9 ) 766 - 770 2012年09月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.2472/jsms.61.766
大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO薄膜の低温形成とその成長形態査読

野瀬幸則, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

材料 61 ( 9 ) 756 - 759 2012年09月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.2472/jsms.61.756
Growth temperature and thickness dependences of crystal and micro domain structures of BiFeO3 epitaxial films 査読

Katsuya Ujimoto, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

Proceedings of ISAF-ECAPD-PFM 2012 1 - 3 2012年07月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌
Electronic transport in organic ferroelectric gate field-effect transistors with ZnO channel 査読

H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

2012 MRS Spring Meeting Proceedings MRS 2012年04月

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共著区分：共著
Electronic Transport in Organic Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors with ZnO Channel 査読

H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

MRS Online Proceedings Library 1430 19 - 24 2012年04月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌
Direct piezoelectric properties of (100) and (111) BiFeO3 epitaxial thin films 査読

K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics 100 102901 1 - 3 2012年03月

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共著区分：共著
Local pH control by electrolysis for ZnO epitaxial deposition on a Pt cathode 査読

S. Yagi, Y. Kondo, Y. Satake, A. Ashida, N. Fujimura

Electrochimica Acta Elsevier 62 2012年02月

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共著区分：共著
酸化亜鉛単結晶基板の極性面の違いによる表面処理方法とエピタキシャル成長過程の相違査読

中村立,　藤村紀文

材料 60 ( 11 ) 983 - 987 2011年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.2472/jsms.60.983
Direct piezoelectricity of PZT films and application to vibration energy harvesting 査読

H. Miyabuchi, T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc. 59 ( 3 ) 2524 - 2527 2011年09月

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共著区分：共著
Characterization of field effect transistor with TiO2 nanotube channel fabricated by dielectrophoresis 査読

M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N.Fujimura

IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP 18 082019 1 - 4 2011年09月

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共著区分：共著
Characterization of direct piezoelectric properties for vibration energy harvesting 査読

T. Yoshimura, H. Miyabuchi, S. Murakami, A. Ashida, N. Fujimura

IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP 18 092026 1 - 4 2011年09月

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共著区分：共著
ZnO crystal growth on microelectrode by electrochemical deposition method 査読

Y. Kondo, A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP 18 092043 1 - 4 2011年09月

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共著区分：共著
Effect of lattice misfit strain on crystal system and ferroelectric property of BiFeO3 epitaxial thin films 査読

K. Ujimoto, H. Izumi, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP 18 092064 1 - 4 2011年09月

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共著区分：共著
Characterization of direct piezoelectric effect in 31 and 33 modes for application to vibration energy harvester 査読

H. Miyabuchi, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 50 ( 9 ) 2011年09月

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共著区分：共著
Effect of ferroelectric polarization domain structure on electronic transport property of ferroelectric ZnO heterostructure 査読

H. Yamada, T. Fukushima, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 50 ( 9 ) 2011年09月

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共著区分：共著
Structural analysis and electrical properties of pure Ge3N4 dielectric layers formed by an atmospheric-pressure nitrogen plasma 査読

R. Hayakawa, M. Yoshida, K. Ide, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, S. Kunugi, T. Uehara, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 110 2011年09月

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共著区分：共著
Ce-induced reconstruction of Si(001) surface structures 査読

D. Shindo, S. Sakurai, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 50 ( 6 ) 065701 1 - 4 2011年06月

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共著区分：共著
Initial growth process in electrochemical deposition of ZnO 査読

A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 50 ( 5 ) 05FB12 1 - 3 2011年05月

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共著区分：共著
Fabrication of robust PbLa(Zr,Ti)O3 capacitor structures using insulating oxide encapsulation layers for FeRAM integration 査読

T. Saito, T.Tsuji, K. Izumi, Y. Hirota, N. Okamoto, K.Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Kitajima, A. Oshima

Electronics Letters ＩＥＴ 47 ( 8 ) 486 - 487 2011年04月

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共著区分：共著
Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate thin film transistor using resistor-capacitor lumped constant circuit 査読

T. Fukushima, K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 50 ( 4 ) 04DD16 1 - 4 2011年04月

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共著区分：共著
Electronic transport property of a YbMnO3/ZnO heterostructure 査読

H. Yamada, T. Fukushima, T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc. 58 ( 4 ) 792 - 796 2011年04月

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共著区分：共著
Surface preparation of ZnO single-crystal substrate for the epitaxial growth of ZnO thin films 査読

T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

J. Crystal Growth Elsevier 318 516 - 518 2011年03月

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共著区分：共著
酸化亜鉛の最先端技術と将来査読

藤村紀文

酸化亜鉛の最先端技術と将来シーエムシー出版 2011年01月

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共著区分：単著
Fabrication and magneto-transport properties of Zn0.88-xMgxMn0.12O/ZnO heterostructures grown on ZnO single-crystal substrates 査読

K. Masuko, T. Nakamura, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Advances in Science and Technology Trans Tech Publications Inc. 75 2010年10月

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共著区分：共著
Local piezoelectric and conduction properties of BiFeO3 epitaxial thin films 査読

K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys., Ferroelectric Materials Their Applications The Japan Society of Applied Physics 49 ( 9 ) 2010年09月

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共著区分：共著
定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製査読

芦田淳, 藤村紀文

材料 59 ( 9 ) 681 - 685 2010年09月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著

DOI： 10.2472/jsms.59.681
Ferroelectric properties of magnetoferroelectric YMnO3 epitaxial films at around the neel temperature 査読

T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

Key Engineering Materials Trans Tech Publications Inc. 445 144 - 147 2010年07月

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共著区分：共著
Dielectric behavior of YMnO3 epitaxial thin film at around magnetic phase transition temperature 査読

K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Advances in Science and Technology Trans Tech Publications Inc. 67 176 - 181 2010年06月

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共著区分：共著
The effects of aluminum doping for the magnetotransport property of Si:Ce thin films 査読

D. Shindo, K. Fujii, T. Terao, S. Sakurai, S. Mori, K. Kurushima, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 107 ( 9 ) 09C308 1 - 3 2010年05月

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共著区分：共著
Direct piezoelectric properties of Mn-doped ZnO epitaxial films 査読

T. Yoshimura, H. Sakiyama, T. Oshio, A. Ashida, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 49 ( 2 ) 021501 1 - 3 2010年03月

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共著区分：共著
Control of carrier concentration of p-type transparent conducting CuScO2(0001) epitaxial films 査読

Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Thin Solid Films Springer 518 ( 11 ) 3097 - 3100 2010年03月

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共著区分：共著
Growth process observation of homoepitaxial ZnO thin films using optical emission spectra during pulsed laser deposition 査読

T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Thin Solid Films Springer 518 ( 11 ) 2971 - 2974 2010年03月

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共著区分：共著
Control of cathodic potential for deposition of ZnO by constant-current electrochemical method 査読

N. Nouzu, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Thin Solid Films Springer 518 ( 11 ) 2957 - 2960 2010年03月

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共著区分：共著
Analysis of carrier modulation in channel of　ferroelectric-gate transistors having polar semiconductor 査読

T. Fukushima, T. Yoshimura, K. Masuko, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

Thin Solid Films Springer 518 ( 11 ) 3026 - 3029 2010年03月

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共著区分：共著
Effects of Mg doping on structural, optical, and electrical properties of CuScO2(0001) epitaxial films 査読

Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Vacuum Surface Engineering, Surface Instrumentation & Vacuum Technology Elsevier 84 ( 5 ) 618 - 621 2009年12月

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共著区分：共著
Amorphous Carbon Film Deposition for Hydrogen Barrier in FeRAM Integration by Radio Frequency Plasma Chemical Vapor Deposition Method 査読

Takeyasu Saito, Kaname Izumi, Yuichiro Hirota, Naoki Okamoro, Kazuo Kondo, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

Electrochemical Society Transactions 25 ( 8 ) 693 - 698 2009年10月（ eISSN:1938-6737 ）

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1149/1.3207657

その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.3207657/pdf
Contribution of s-d exchange interaction to magnetoresistance of ZnO-based heterostructures with a magnetic barrier 査読

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Physical Review B the American Physical Society 80 ( 12 ) 2009年09月

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共著区分：共著
Polarization switching behavior of YMnO3 thin film at around magnetic phase transition temperature 査読

K. Maeda, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 48 ( 9 ) 2009年09月

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共著区分：共著
Electron transport properties of Zn0.88Mn0.12O/ZnO modulation-doped heterostructures 査読

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of Vacuum Science & Technology B AIP Publishing LLC 27 ( 3 ) 1760 - 1764 2009年05月

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共著区分：共著
Magnetic properties of uniformly Ce-doped Si thin films with n-type conduction 査読

T. Terao, K. Fujii, D. Shindo, T. Yoshimura, N.Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 48 ( 3 ) 033003 1 - 5 2009年03月

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共著区分：共著
Spin-phonon coupling in multiferroic YbMnO3 studied by Raman scattering 査読

H. Fukumura, N. Hasuike, H. Harima, K. Kisoda, K. Fukae, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jounal of Physics-Condensed Matter Elsevier 21 ( 6 ) 2009年02月

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共著区分：共著
Optical and electrical properties of CuScO2 epitaxial films prepared by combining two-step deposition and post-annealing techniques 査読

Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yotsuya, K. Masuko, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

J. Crystal Growth Elsevier 311 ( 4 ) 1117 - 1122 2009年02月

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共著区分：共著
Electrical characteristics of controlled-polarization-type ferroelectric-gate field-effect transistor 査読

T. Fukushima, T. Yoshimura, K. Masuko, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 47 ( 12 ) 8874 - 8879 2008年12月

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共著区分：共著
Effects of oxygen annealing on dielectric properties of LuFeCuO4 査読

Y. Matsuo, M. Suzuki, Y. Noguchi, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Yoshi, N. Ikeda, S. Mori

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 47 ( 11 ) 8464 - 8467 2008年11月

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共著区分：共著
Effect of electrically degenerated layer on the carrier transport property of ZnO epitaxial thin films 査読

S. Sakamoto, T. Oshio, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Applied Surface Science Elsevier 254 ( 19 ) 6248 - 6251 2008年07月

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共著区分：共著
Electrical and optical properties of excess oxygen intercalated CuScO2(0001) epitaxial films prepared by oxygen radical annealing 査読

Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yotsuya, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Thin Solid Films Elsevier 516 ( 17 ) 5785 - 5789 2008年07月

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共著区分：共著
Dielectric properties of ferroelectric/DMS heterointerface using YMnO3 and Ce doped Si 査読

D. Shindo, T. Yoshimura, N. Fujimura

Applied Surface Science Elsevier 254 ( 19 ) 6218 - 6221 2008年07月

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共著区分：共著
Electro-optic property of ZnO:Mn epitaxial films 査読

T. Oshio, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Physica Status Solidi (c) John Wiley & Sons, Inc. 5 3110 - 3112 2008年05月

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共著区分：共著
Effect of Mn doping on the electric and dielectric properties of ZnO epitaxial films 査読

T. Oshio, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 103 ( 9 ) 2008年05月

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共著区分：共著
Magnetic and dielectric properties of Yb(Mn1-xAlx)O3 thin films 査読

K. Fukae, T. Takahashi, T. Yoshimura, N. Fujimura

IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control IEEE 55 ( 5 ) 1056 - 1060 2008年05月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著

DOI： 10.1109/TUFFC.2008.756
Effects of spontaneous and piezoelectric polarizations on carrier confinement at the Zn0.88Mn0.12O/ZnO interface 査読

K. Masuko, H. Sakiyama, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

Physica Status Solidi (c） John Wiley & Sons, Inc. 5 3107 - 3109 2008年05月

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共著区分：共著
Spin-dependent transport in a ZnMnO/ZnO heterostructure 査読

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 103 ( 7 ) 2008年04月

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共著区分：共著
Influence of antiferromagnetic exchange interaction on magnetic properties of ZnMnO thin films grown pseudomorphically on ZnO (000(1)over-bar) single-crystal substrates(2008) 査読

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 103 ( 4 ) 2008年02月

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共著区分：共著
Multiferroic behaviors of hexagonal YMnO3 and YbMnO3 epitaxial films 査読

N. Fujimura, K. Maeda,　K. Fukae, T. Yoshimura

Material Research Soc. Fall Meeting MRS 2007年12月

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共著区分：共著
Influence of Antiferromagnetic Ordering on Ferroelectric Polarization Switching of YMnO₃ Epitaxial Thin Films 査読

55 ( 12 ) 2641 - 2644 2007年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌
Effect of Bi substitution on the magnetic and dielectric properties of epitaxially-grown BaFe0.3Zr0.7O3-δ thin films on SrTiO3 substrates 査読

T. Matsui, S. Daido, N. Fujimura, T. Yoshimura, H. Tsuda, K. Morii

Journal of Physics ａｎｄ Chemistry of Solids Elsevier 68 ( 8 ) 1515 - 1521 2007年09月

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共著区分：共著
Raman scattering studies on multiferroic YMnO3 査読

H. Fukumura, S. Matsui, H. Harima, K. Kisoda, T. Takahashi, T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of Physics: Condens Matter Elsevier 19 ( 36 ) 2007年09月

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共著区分：共著
Low temperature growth of Si:Ce thin films with high crystallinity and uniform distribution of Ce grown by solid-source molecular beam epitaxy 査読

T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo, N. Fujimura

J. Crystal Growth 307 ( 1 ) 30 - 34 2007年09月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.06.009
Spin-coupled phonons in multiferroic YbMnO3 epitaxial films by raman scattering 査読

H. Fukumura, N. Hasuike, H. Harima, K. Kisoda, K. Fukae, T. Takahashi, T.Yoshimura, N. Fujimura

PHONONS 2007 Journal of Physics: Conference Series Elsevier 92 2007年08月

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共著区分：共著
Magnetic frustration behavior of ferroelectric ferromagnet YbMnO3 epitaxial films 査読

N. Fujimura, T. Takahashi T. Yoshimura, A. Ashida

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 101 ( 9 ) 2007年05月

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共著区分：共著
Preparation and the magnetic property of ZnMnO thin films on (000-1) ZnO single crystal substrate 査読

K. Masuko, A. Ashida,T. Yoshimura, N. Fujimura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials Elsevier 310 e711 - e713 2007年03月

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共著区分：共著
Magnetic properties of low temperature grown Si:Ce thin films on (001) Si substrate 査読

T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo, A. Ashida, N. Fujimura

Journal of Magnetism and Magnetic Materials Elsevier 310 e726 - e728 2007年03月

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共著区分：共著
The comparison of the growth models of silicon nitride ultra-thin films fabricated using atmospheric pressure plasma and radio frequency plasma 査読

M. Nakae, R. Hayakawa, T.Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, T. Uehara

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 101 ( 2 ) 2007年01月

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共著区分：共著
Multiferroic behaviors of YMnO3 and YbMnO3 epitaxial films (invided paper) 査読

N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Takahashi, A. Ashida, T. Yoshimura

Philosophical Magazine Letters Taylor&Francis 87 ( 41702 ) 193 - 201 2007年01月

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共著区分：共著
Effect of additional oxygen for the formation of silicon oxynitride using nitrogen plasma generated near atmospheric pressure 査読

R. Hayakawa, M. Nakae, T.Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, T. Uehara

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 45 ( 12 ) 9025 - 9028 2006年12月

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共著区分：共著
Magnetic properties of Er,O-codoped GaAs at low temperature 査読

S. Takemoto, T. Terao, Y. Terai, M. Yoshida, A. Koizumi, H. Ohta, Y. Takeda, N. Fujimura, Y. Fujiwara

physica status solidi c 3 ( 12 ) 4082 - 4085 2006年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌

DOI： 10.1002/pssc.200672878
Detailed structural analysis and dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure 査読

R. Hayakawa, M. Nakae, T.Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, T. Uehara, M. Tagawa, Y. Teraoka

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 100 ( 7 ) 2006年10月

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共著区分：共著
Single-wall carbon nanotube field efect transistors with non-volatile memory operation 査読

T. Sakurai, T. Yoshimura, S. Akita, N. Fujimura, Y. Nakayama

Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, Letters & express letters The Japan Society of Applied Physics 45 ( 37-41 ) L1036 - L1038 2006年10月

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共著区分：共著
Growth and ferromagnetic properties of ferroelectric YbMnO3 thin films 査読

T. Takahashi, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 45 ( 9B ) 7329 - 7331 2006年09月

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共著区分：共著
Photoluminescence properties peculiar to the Mn-related transition in a lightly alloyed ZnMnO thin film grown by pulsed laser deposition 査読

M. Nakayama, H. Tanaka, K. Masuko, T. Fukushima, A. Ashida, N. Fujimura

Applied Phys. Letters American Institute of Physics 88 ( 24 ) 2006年06月

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共著区分：共著
Reaction of Si with excited nitrogen species in pure nitrogen plasma near atmospheric pressure 査読

R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura

Thin Solid Films Elsevier 506-507 423 - 426 2006年04月

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共著区分：共著
Electro-optical effect in ZnO:Mn thin films prepared by Xe sputtering 査読

A. Ashida, T. Nagata, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 99 ( 1 ) 2006年01月

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共著区分：共著
Ferromagnetic and dielectric behavior of Mn-doped BaCoO3 査読

T. Inoue, T. Matsui, N. Fujimura , H. Tsuda, K. Morii

IEEE Transactions on Magnetics IEEE 41 ( 10 ) 3496 - 3498 2005年10月

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共著区分：共著
Preferred Orientation and Elastic Strain of Epitaxial and Non-Epitaxial ZnOx Thin Films. 査読

N.Fujimura, T.Nishihara and T.Ito

Symposium Proc. of Materials Research Society (1990) 244 2005年10月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）共著区分：共著国際・国内誌：国際誌
Low-temperature growth and characterization of epitaxial YMnO3/Y2O3/Si MFIS capacitors with thinner insulator layer 査読

K. Haratake, N. Shigemitsu, M.Nishijima, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 44 ( 9B ) 6977 - 6980 2005年09月

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共著区分：共著
Enhancement of ferromagnetic ordering in dielectric BaFe1-xZrxO3 (x=0.5-0.8) single crystalline films by pulsed laser-beam deposition 査読

T. Matsui, E.. Taketani, N. Fujimura, H. Tsuda, K. Morii

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 97 ( 10 ) 2005年05月

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共著区分：共著
Epitaxial growth of CuScO2 thin films on sapphire a-plane substrates by pulsed laser deposition 査読

Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yotsuya, S. Nakao, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 97 ( 8 ) 2005年04月

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共著区分：共著
Improvement of magnetization and leakage current properties of magnetoelectric BaFeO3 thin films by Zr substitution 査読

T. Matsui, E..Taketani, H. Tuda, N. Fujimura, K. Morii

Appl. Phys. Lett.. American Institute of Physics 86 ( 8 ) 2005年02月

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共著区分：共著
Analysis of nitrogen plasma generated by a pulsed plasma sysytem near atmospheric pressure 査読

R. Hayakawa, T. Yoshimura, A. Ashida, H. Kitahata, M. Yuasa, N. Fujimura

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 96 ( 11 ) 6094 - 6096 2004年12月

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共著区分：共著
Interface characteristics of (Zn,Mn)O/ZnO grown on ZnO substrate 査読

A. Ashida, K. Masuko, T. Edahiro, T. Oshio, N. Fujimura

J. Crystal Growth Elsevier 275 2004年12月

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共著区分：共著
Formation of silicon oxynitride films with low leakage current using N2/O2 plasma near atomospheric pressure 査読

R. Hayakawa, T. Yoshimura, A. Ashida, H. Kitahata, M. Yuasa, N. Fujimura

Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 43 ( 11B ) 7853 - 7856 2004年11月

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共著区分：共著
Synthesis of Bi(FexAl1-x)O3 thin films by pulsed laser deposition and its structural characterization 査読

M. Okada, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 43 ( 9B ) 6609 - 6612 2004年09月

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共著区分：共著
Pulsed-laser-deposited YMnO3 epitaxial films with square polarization-electric field hysteresis loop and low-temperature growth 査読

N. Shigemitsu, H. Sakata, D. Ito, T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 43 ( 9B ) 6613 - 6616 2004年09月

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共著区分：共著
Effect of oxygen deficiencies on magnetic properties of epitaxial grown BaFeO3 thin films on (100)SrTiO3 substrates 査読

E. Taketani, T. Matsui, N. Fujimura, K. Morii

IEEE Transactions on Magnetics Part 2 IEEE 40 ( 4 ) 2736 - 2738 2004年07月

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共著区分：共著
Electro-optic effect in ZnO:Mn thin films 査読

T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

Journal of Alloys and Compounds Elsevier 371 157 - 159 2004年05月

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共著区分：共著
The effects of Xe on an rf plasma and growth of ZnO films by rf sputtering 査読

T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 95 ( 8 ) 3923 - 3927 2004年04月

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共著区分：共著
P-E measurements for ferroelectric gate capacitors 査読

T. Yoshimura, N. Fujimura

Integrated Ferroelectrics Taylor&Francis 61 59 - 64 2004年02月

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共著区分：共著
Optical propagation loss of ZnO films grown on sapphire 査読

A. Ashida, H. Ohta, T. Nagata, Y. Nakano, N. Fujimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 95 ( 4 ) 1673 - 1676 2004年02月

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共著区分：共著
Influence of schottky and poole-frenkel emission on the retention property of YMnO3 based metal/ferroelectric/insulator/semiconductor capacitors 査読

D. Ito, N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 94 ( 6 ) 4036 - 4041 2003年09月

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共著区分：共著
Polarization hysteresis loops of ferroelectric gate capacitors measured by Sawyer-tower circuit 査読

T. Yoshimura, N. Fujimura

Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 42 ( 9B ) 6011 - 6014 2003年09月

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共著区分：共著
Improvement of surface morphology and the dielectric property of YMnO3 films 査読

H. Sakata, D. Ito, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 42 ( 9B ) 6003 - 6006 2003年09月

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共著区分：共著
Ferroelectric properties of YMnO3 epitaxial films for ferroelectric-gate field effect transistors 査読

D. Ito, N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 93 ( 9 ) 5563 - 5567 2003年05月

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共著区分：共著
Effect of carrier for magnetic and magnetotransport properties of Si:Ce films 査読

T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 93 ( 10 ) 7679 - 7681 2003年05月

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共著区分：共著
Formation of two-dimensional electron gas and the magneto-transport behavior of ZnMnO/ZnO heterostructure 査読

T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 93 ( 10 ) 7673 - 7675 2003年05月

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共著区分：共著
Magnetic properties of highly resistive BaFeO3 thin films epitaxially grown on SrTiO3 single crystal substrates 査読

T. Matsui, E. Taketani, N. Fujimura, T. Ito, K. Morii

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 93 ( 10 ) 6993 - 6995 2003年05月

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共著区分：共著
Ferromagnetic and ferroelectric behaviors of A site substituted YMnO3-based epitaxial thin films 査読

N. Fujimura, D. Ito, H. Sakata, T. Yoshimura, T. Yokota, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 93 ( 10 ) 6990 - 6992 2003年05月

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共著区分：共著
Magnetic and magnetotransport properties of solid phase epitaxially grown Si:Ce films 査読

T. Yokota, N. Fujimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 93 ( 7 ) 4045 - 4048 2003年04月

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共著区分：共著
Magnetic and dielectric properties of epitaxially grown BaFeO3 thin films on SrTiO3 single crystal substrates 査読

T. Matsui, H. Tanaka, E. Taketani, N. Fujimura, T. Ito, K. Morii

J. Korean Phys. Soc. Korean Phys. Soc. 42 S1378 - S1381 2003年04月

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共著区分：共著
The effect of leakage current on the retention property of YMnO3 based MFIS capacitor 査読

D. Ito, N. Fujimura, T. Ito

Integrated Ferroelectrics Taylor&Francis 49 41 - 49 2002年12月

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共著区分：共著
Crystal growth and interface characterization of dielectric BaZrO3 thin films on Si substrates 査読

T. Matsui, Y. Kitano, N. Fujimura, K. Morii, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 41 ( 11B ) 6639 - 6642 2002年11月

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共著区分：共著
Effect of substitutionally dissolved Ce in Si on the magnetic and electric properties of magnetic semiconductor: Si1-xCex films 査読

T, Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki, T. Ito

Appl. Phys. Lett.. American Institute of Physics 81 ( 21 ) 4023 - 4025 2002年11月

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共著区分：共著
Electro-optic effect in epitaxial ZnO:Mn thin films 査読

T. Nagata, A. Ashida, Y. Takagi, N. Fujimura, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 41 ( 11B ) 6916 - 6918 2002年11月

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共著区分：共著
Structural, dielectric and magnetic properties of epitaxially grown BaFeO3 thin films on (100) SrTiO3 single-crystal substrates 査読

T. Matsui, H. Tanaka, N. Fujimura, T. Ito, H. Mabuchi, K. Morii

Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics 81 ( 15 ) 2764 - 2766 2002年10月

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共著区分：共著
Thin film crystal growth of BaZrO3 at low oxygen partial pressure 査読

Y. Kitano, T. Matsui, N. Fujimura, K. Morii, T. Ito

Journal of Crystal Growth Elsevier 243 ( 1 ) 164 - 169 2002年08月

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共著区分：共著
Ce concentration dependence on the magnetic and transport properties of Ce doped Si epitaxial films prepared by molecular beam epitaxy 査読

T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 91 ( 10 ) 7905 - 7907 2002年05月

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共著区分：共著
Retention property analysis of epitaxially grown YMnO3/Y2O3/Si capacitor 査読

D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

Ferroelectrics Taylor&Francis 271 1677 - 1682 2002年04月

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共著区分：共著
Electro-optic property of ZnO:X (X=Li,Mg) thin films 査読

T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

Journal of Crystal Growth Elsevier 237 533 - 537 2002年04月

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共著区分：共著
Growth process and interfacial structure of epitaxial Y2O3/Si thin films deposited by Pulsed laser deposition 査読

K. Kakuno, D. Ito, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

Journal of Crystal Growth Elsevier 237 487 - 491 2002年04月

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共著区分：共著
The progress of the YMnO3/Y2O3/Si system for ferroelectric gate field effect transistor 査読

N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

Ferroelectrics Taylor&Francis 271 1819 - 1824 2002年01月

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共著区分：共著
Annealing behavior of electrical properties in plasma-exposed Ti/p-Si interfaces 査読

T. Yamaguchi, H. Kato, N. Fujimura, T. Ito

Thin Solid Films Elsevier 396 ( 41641 ) 119 - 125 2001年09月

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共著区分：共著
Ferroelectricity in Li-doped ZnO:X thin films and the application for the optical switching devices 査読

T. Nagata, T. Shimura, Y. Nakano, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 40 ( 9B ) 5615 - 5618 2001年09月

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共著区分：共著
Magnetic and magneto-transport properties of ZnO:Ni films 査読

T. Wakano, N. Fujimura, N. Abe, Y. Morinaga, A. Ashida, T. Ito

Physica E Elsevier 10 ( 41642 ) 260 - 264 2001年05月

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共著区分：共著
Detailed Structural Analysis of Ce Doped Si Thin Films 査読

T. Yokota, N. Fujimura, Y. Morinaga and T. Ito

Physica E 雑誌 10 237 - 241 2001年05月

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共著区分：共著
Magnetic properties of Er and Er,O-doped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy 査読

Y. Morinaga, T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito, T. Koide, Y. Fujiwara, Y. Takeda

Physica E Elsevier 10 ( 41642 ) 391 - 394 2001年05月

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共著区分：共著
Preparation and ferroelectric properties of YMnO3 thin films with c-axis preferred orientation by the sol-gel method 査読

K. Tadanaga, H. Kitahata, T. minami, N. Fujimura, T. Ito

J. Sol-Gel Sci. tech. Springer 19 ( 41642 ) 589 - 593 2000年12月

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共著区分：共著
Initial stage of film growth of pulsed laser deposited YMnO3 査読

D. Ito, N. Fujimura, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 39 ( 9B ) 5525 - 5527 2000年09月

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共著区分：共著
Influence of reactive ion etching damage on the schottky barrier hight of Ti/p-Si interface 査読

N. Fujimura, T. Yamaguchi, H.Kato, T. Ito

Applied Surface Science Elsevier 159 186 - 190 2000年06月

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共著区分：共著
Improvement of Y2O3/Si interface for FeRAM application 査読

D. Ito, T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

Appl. Sur. Sci. Elsevier 159 138 - 142 2000年06月

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共著区分：共著
Characterization of ferroelectricity in metal/ferroelectric/insulator/semiconductor structure by pulsed C-V measurement; Ferroelectricity in YMnO3/Y2O3/Si structure 査読

T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

J. Appl. Phys AIP Publishing LLC 87 ( 7 ) 3444 - 3449 2000年04月

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共著区分：共著
Effect of plasma-induced damage on initial reactions of titanium thin films on Si surface 査読

T. Yamaguchi, A. Hama, N. Fujimura, T. Ito

Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics 76 ( 17 ) 2358 - 2360 2000年04月

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共著区分：共著
Detailed structural analysis of Ce doped Si thin films 査読

T. Yokota, N. Fujimura, Y. Morinaga, T. Ito

Physica E Elsevier 10 237 - 241 2000年01月

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共著区分：共著
Lowering the crystallization temperature of YMnO3 thin films by the sol-gel method using an yttrium alkoxide 査読

H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 38 ( 9B ) 5448 - 5451 1999年09月

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共著区分：共著
Ferroelectricity of YMnO3 thin films prepared via solution 査読

H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics 75 ( 5 ) 719 - 721 1999年08月

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共著区分：共著
Preferred orientation phase formation and the electrical properties of pulsed laser deposited SrBi2Ta2O9 thin films. 査読

N. Fujimura, Darin T. Thomas, Stephen K. Streiffer, Angus I. Kingon

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 37 ( 9B ) 5185 - 5188 1998年09月

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共著区分：共著
Effect of stoichiometry and A-site substitution on the electrical properties of ferroelectric YMnO3. 査読

T. Shimura, N. Fujimura, S. Yamamori, T. Yoshimura,　T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 37 ( 9B ) 5280 - 5284 1998年09月

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共著区分：共著
Ferroelectric properties of c-oriented YMnO3 thin films deposited on Si substrate. 査読

T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics 73 ( 3 ) 414 - 416 1998年07月

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共著区分：共著
Microstructure and dielectric properties of YMnO3 thin films prepared by dip-coating 査読

H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

Journal of American Ceramic Soc American Ceramic Soc 81 ( 5 ) 1357 - 1360 1998年05月

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共著区分：共著
Growth and properties of YMnO3 thin films for non-volatile memories. 査読

T. Yoshimura, N. Fujimura, N. Aoki, K. Hokayama, S. Tsukui, K. Kawabata, T. Ito

Journal of the Korean Physical Society Korean Physical Society 32 S1632 - S1635 1998年02月

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共著区分：共著
Preparation and dielectric properties of YMnO3 ferroelectric thin films by sol-gel method. 査読

K. Tadanaga, H. Kitahata, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

Journal of Sol-Gel Science and Technology Springer 13 ( 41642 ) 903 - 907 1998年01月

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共著区分：共著
YMnO3 thin films prepared from solutions for non-volatile memory devices. 査読

N. Fujimura, H.Tanaka, H.Kitahata, K.Tadanaga, T. Ito, T. Minami

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 36 ( 12A ) L1601 - L1603 1997年12月

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共著区分：共著
Mechanism for ordering in SiGe films with reconstructed surface. 査読

T. Araki, N. Fujimura, T. Ito

Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics 71 ( 9 ) 1174 - 1176 1997年09月

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共著区分：共著
Fabrication of YMnO3 thin films on Si substrates by a pulsed laser deposition method. 査読

T. Yoshimura, N. Fujimura, N. Aoki, K. Hokayama, S. Tsukui, K. Kawabata, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 36 ( 9B ) 5921 - 5924 1997年09月

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共著区分：共著
The stability of ordered structures in SiGe films examined by strain energy calculations. 査読

T. Araki, N. Fujimura, T. Ito

J. Crystal Growth Elsevier 174 ( 41643 ) 675 - 679 1997年04月

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共著区分：共著
Effect of Ce doping on the growth of ZnO thin films. 査読

Y. Morinaga, K. Sakuragi, N. Fujimura, T. Ito;

J. Crystal Growth Elsevier 174 ( 41643 ) 691 - 695 1997年04月

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共著区分：共著
Formation of YMnO3 films drectly on Si substrate. 査読

N. Aoki, N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

J. Crystal Growth Elsevier 174 ( 41643 ) 796 - 800 1997年04月

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共著区分：共著
The initial stage of BaTiO3 epitaxial films on etched and annealed SrTiO3 substrate. 査読

T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

J. Crystal Growth Elsevier 174 ( 41643 ) 790 - 795 1997年04月

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共著区分：共著
Growth mechanism of YMnO3 film as a new candidate for non-volatile memory devices. 査読

N. Fujimura, S. Azuma, N. Aoki, T. Yoshimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 80 ( 12 ) 7084 - 7088 1996年12月

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共著区分：共著
Structural characterization of ordered SiGe films grown on Ge (100) and Si (100) substrate. 査読

T. Araki, N. Fujimura, T. Ito, A. Wakahara, A. Sasaki

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 80 ( 7 ) 3804 - 3807 1996年10月

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共著区分：共著
Epitaxially grown YMnO3 film: new candidate for non-volatile memory devices. 査読

N. Fujimura, T. Ishida, T. Yoshimura, T. Ito

Applied Physics Letter American Institute of Physics 69 ( 12 ) 1011 - 1013 1996年08月

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共著区分：共著
Epitaxial growth of BaTiO3 thin films and their internal stress. 査読

S.T.Lee, N. Fujimura, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 34 ( 9B ) 5168 - 5171 1995年09月

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共著区分：共著
Epitaxial orientation control of LiTaO3 film and interfacial coulomb's potential . 査読

N. Fujimura, H. Tsuboi, T. Ito

Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics 34 ( 9B ) 5163 - 5167 1995年09月

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共著区分：共著
Orientation control of (Ca, Sr)CuO2 thin films. 査読

S. Nagai, H. Tanaka, N. Fujimura, T. Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 77 ( 8 ) 3805 - 3811 1995年04月

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共著区分：共著
Epitaxy Control and Interfacial Coulomb's Potential of LiNbO₃ Thin Films on R-cut Sapphire. 査読

N.Fujimura, H.Tsuboi, T.Ito

Transactions of Materials Research Society Japan 14B 1627 - 1631 1994年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著
Growth Orientation Control of (Ca, Sr)CuO₂ Films Deposited on Glass and (001) MgO Substrates. 査読

S.Nagai, H.Tanaka, N.Fujimura, I.Ito

Transactions of Materials Research Society Japan 19A 513 - 516 1994年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著
(115) Bi2Sr2CuOx epitaxial films on (110) SrTiO3 by solid phase epitaxy. 査読

S. Nagai, N. Fujimura, H. Tanaka, T. Ito

J. Crystal Growth Elsevier ( 41641 ) 65 - 71 1994年06月

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共著区分：共著
LiNbO3 film with a new epitaxial orientation on R-cut sapphire. 査読

N. Fujimura, M. Kakinoki, H. Tsuboi, T. Ito

J.Appl.Phys. AIP Publishing LLC 75 ( 4 ) 2169 - 2179 1994年02月

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共著区分：共著
Epiatxial growth and structural characterization of erbium silicide formed on (100) Si through a solid-phase reaction. 査読

Y.K. Lee, N. Fujimura, T. Ito, N. Itoh

J. Crystal Growth Elsevier 134 ( 41702 ) 247 - 254 1993年12月

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共著区分：共著
An X-ray analysis of domain structure in epitaxial YSi2-x films grown on (100) Si substrate. 査読

Y.K. Lee, N. Fujimura, T. Ito , N. Itoh

Nano-structured Materials Elsevier 2 603 - 604 1993年11月

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共著区分：共著
Control of preferred orientation for ZnOx films: control of self-texture. 査読

N. Fujimura, T. Nishihara, S. Goto, J. Xu, T. Ito

J. Crystal Growth Elsevier 130 ( 41641 ) 269 - 279 1993年05月

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共著区分：共著
Epitaxial growth of yttrium silicide YSi2-x on (100)Si. 査読

Y.K.Lee, N. Fujimura, T. Ito

Journal of Alloys and Compounds Elsevier 193 ( 41641 ) 289 - 291 1993年03月

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共著区分：共著
Structural control of non-equilibrium WSi2.6 thin film by external stress. 査読

N.Fujimura, S.Tachibana, N.Hosokawa , and T.Ito

J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC 73 ( 2 ) 733 - 739 1993年01月

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共著区分：共著
Effects of interfacial energy on the epitaxial growth of LiNbO3. (in Japanese) 査読

T. Ito, N. Fujimura, M. Kakinoki

Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会 39 105 - 108 1992年02月

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共著区分：共著
Orientation control of the Bi2Sr2CuOx thin films. -Self texture and epiraxy- (in Japanese) 査読

S. Nagai, H. Tanaka, N. Fujimura, T. Ito

Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会 39 744 - 747 1992年02月

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共著区分：共著
The crystallization and growth of the High-Tc phase in Bi-Sr-Ca-Cu-O thin films. 査読

S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito

J. Crystal Growth Elsevier 115 ( 41643 ) 769 - 773 1991年12月

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共著区分：共著
Heteroepitaxy of LiNbO3 and LiNb3O8 thin films on C-cut sapphire

N.Fujimura, T. Ito, M. Kakinoki

J. Crystal Growth Elsevier 115 ( 41643 ) 821 - 825 1991年12月

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共著区分：共著
Heteroepitaxy of zinc-oxide thin-films, considering nonepitaxial preferential orientation 査読

S. Goto, N. Fujimura, T. Nishihara, T. Ito

J. Crystal Growth Elsevier 115 ( 41643 ) 816 - 820 1991年12月

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共著区分：共著
Annealing behavior of AL-Y alloy film for interconnection conductor in microeletronic devices 査読

Y.K. Lee, N. Fujimura, T. Ito, N. Nishida

Journal of Vacuum Science & Technology B AIP Publishing LLC 9 ( 5 ) 2542 - 2547 1991年09月

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共著区分：共著
Formation of the High-Tc phase in Pb-free Bi-Sr-Ca-Cu-O thin film

S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito, K. Shiraishi

Jpn. J. Appl. Phys, The Japan Society of Applied Physics 30 ( 5A ) L826 - L829 1991年05月

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共著区分：共著
A candidate for interconnection material; Al-Y alloy thin films

S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito, K. Shiraishi

Materials Letters Elsevier 10 ( 7-8 ) 344 - 347 1991年01月

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共著区分：共著
Structural, electrical and optical characterization of sputtered ZnOx thin film

T. Nishihara, N. Fujimura, T. Ito

Transactions of Material Research Soc.Japan 日本ＭＲＳ 1 200 - 204 1990年12月

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共著区分：共著
Influence of external stress for non-equilibrium thin films

N. Fujimura, S. Tachibana, T. Ito

Transactions of Material Research Soc.Japan 日本ＭＲＳ 1 205 - 210 1990年12月

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共著区分：共著
Solid phase reactions and change in stress of TiN/Ti/Si for a diffusion barrier

N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito, Y. Nakayama

J. Appl. Phys, AIP Publishing LLC 67 ( 6 ) 2899 - 2903 1990年03月

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共著区分：共著
The application of ZnOx thin films for the transparent conducting films and the SAW devices.(in Japanese)

N. Fujimura, S. Goto, T. Nishihara, T. Ito

Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会 37 12 - 16 1990年01月

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共著区分：共著
The phase transformation and the behavior of excess atoms in Bi system superconducting thin films. (in Japanese)

S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito

Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会 37 99 - 102 1990年01月

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共著区分：共著
The formation of LiNbO3 thin films. (in Japanese)

M. Kakinoki, K. Ando, N. Fujimura, T. Ito

Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会 37 17 - 22 1990年01月

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共著区分：共著
Characterization of Si-rich WSix on Si

N. Fujimura, S. Tachibana, T. Ito

Applied Surface Science Elsevier 41-42 286 - 289 1989年11月

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共著区分：共著
TiSi2 formation at the Ti-rich TiNx/Si interface

N. Fujimura, T. Ito

Applied Surface Science Elsevier 41-42 272 - 276 1989年11月

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共著区分：共著
Effects of texture in the titanium layer on solid state reactions for Al/Ti/Si and Al/TiN/Ti/Si system

N. Fujimura, N. Nishida, T. Ito, Y. Nakayama

Materials Science and Engineering Elsevier 108 153 - 157 1989年02月

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共著区分：共著
Silicide formation in the Pt/a-Si:H system

T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

Thin Solid Films Elsevier 167 ( 1-2 ) 187 - 194 1988年12月

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共著区分：共著
Dissolution pits and Si epitaxial regrowth in the Al/(111)Si system

N. Fujimura, H. Kurosaki, T. Ito, Y. Nakayama

J. Appl. Phys AIP Publishing LLC 64 ( 9 ) 4499 - 4502 1988年11月

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共著区分：共著
Structural change of a-Si:H by annealing

T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

Transactions of Japan Institute of Metals 日本金属学会 29 187 - 190 1988年03月

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共著区分：共著
Structural Change of a-Si:H by Annealing 査読

T.Ito, N.Fujimura, Y.Nakayama

Transactions of Japan Institute of Metals 29 187 - 190 1988年03月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）共著区分：共著
Structural characterization of Cu-Cr flms

T. Ito, N. Fujimura, N. Nishida, T. Kanemura, Y. Nakayama

Materials Letters Elsevier 6 41 - 44 1987年11月

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共著区分：共著
Change in film stress of a-Si:H by annealing

T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

Transactions of Japan Institute of Metals 日本金属学会 27 789 - 790 1986年10月

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共著区分：共著
Reactions between Ti and Al films on a-Si:H

T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

Materials Letters Elsevier 4 350 - 352 1986年08月

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共著区分：共著

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書籍等出版物

Novel Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors (FeFETs); Controlled Polarization-Type FeFETs

Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura（範囲: Practical Characteristics of Inorganic Ferroelectric-Gate FETs: Thin Film-Based Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors）

Springer・Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories 2020年03月

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担当ページ：147 - 174 著書種別：学術書

DOI： 10.1007/978-981-15-1212-4_8
Novel Ferroelectric-Gate Field-Effect Thin Film Transistors (FeTFTs): Controlled Polarization-Type FeTFTs 査読

Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura（担当：共著 , 範囲: Practical Characteristics of Inorganic Ferroelectric-Gate FETs: Thin Film-Based Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors）

Springer・Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories 2016年09月（ ISSN:0303-4216 ）

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担当ページ：111–138 著書種別：学術書

DOI： 10.1007/978-94-024-0841-6_6
Preparation and properties of ferroelectric-insulator-semiconductor junctions using YMnO3 thin films

N. Fujimura, T. Yoshimura（担当：共著）

Springer・Ferroelectric Thin Films 2005年01月

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担当ページ：199–220

DOI： 10.1007/978-3-540-31479-0_11

MISC（その他記事）

DMF分子の選択的センシングに向けた2次元半導体/溶媒分子間の相互作用に関する検討

福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年（ ISSN:2436-7613 ）

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J-GLOBAL
分子接面による二次元半導体の電子光学物性制御

桐谷乃輔, 吉村武, 藤村紀文

大阪府立大学研究推進機構放射線研究センター放射線施設共同利用報告書 2018 2020年

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J-GLOBAL
分子性アニオンの吸着による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調

木村大輔, 山田悠貴, 福井暁人, 青木佑樹, 松山圭吾, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔, 桐谷乃輔

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年（ ISSN:2436-7613 ）

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J-GLOBAL
強酸性極薄膜の自発的形成による高発光単層MoS<sub>2</sub>の実現

山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 篠北啓介, 松田一成, 桐谷乃輔

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年（ ISSN:2436-7613 ）

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J-GLOBAL
2次元半導体上における電子ドナー性分子の流動と表面状態の相関

一宮永, 瀧ノ上正浩, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔, 桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム 18 ( 1 ) 2019年（ ISSN:1881-364X ）

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J-GLOBAL
2自由度系圧電MEMS振動発電素子における出力特性の向上

吉村武, 荒牧正明, 藤村紀文, 村上修一, 神田健介

センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム(CD-ROM) 36th 2019年

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J-GLOBAL
溶媒和したレドックス活性分子が誘起する2D半導体の超高発光化

一宮永, 福井暁人, 青木佑樹, 山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔, 桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会研究会講演要旨集 39th 2019年

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J-GLOBAL

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講演・口頭発表等

非鉛圧電薄膜を用いた磁界応答型MEMS振動子による無線給電国内会議

藤原輝羅, Sengsavang Aphayvong, 高城明佳, 藤林世覇音, 村上修一, 山根秀勝, 藤村紀文, 吉村武

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係Ⅱ　国内会議

請関優，井上颯太, 山田洋人，藤村紀文, 横松得滋，神田健介，前中一介，Kasidit Toprasertpong, 高木信一, 吉村武

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
BiFe(1-x)MnxO3薄膜を用いたニューロモルフィックMEMS音響センサ国内会議

高城明佳，Sengsavang Aphayvong, 藤林世覇音, 藤原輝羅, 村上修一, 山根秀勝, 藤村紀文，吉村武

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
圧電振動⼦を用いたインセンサリザバーによる電流波形分類国内会議

西村恵，藤村紀文, 吉村武

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
Hf系強誘電体/β-Ga2O3界面電子状態の評価国内会議

古川勝裕, 市川龍斗，阿多翔大, 吉村武, 藤村紀文

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
RF窒素プラズマ照射によるβ-Ga2O3の窒素ドーピング国内会議

阿多翔大, 市川龍斗, 古川勝裕, 相馬永, 吉村武, 長田貴弘, 山下良之, 小畠雅明, 福田竜生, 藤村紀文

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体薄膜の出力分類特性の評価国内会議

井上颯太, 請関優, 藤村紀文, Kasidit Toprasertpong, 高木信一, 吉村武

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
圧電MEMS共振器を用いた物理リザバー計算における結合重みの効果国内会議

吉村武、芳賀大樹、藤村紀文、神田健介、神野伊策

Future Technologies from SENDAI 第16回集積化MEMSシンポジウム 2024年11月

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会議種別：口頭発表（一般）
Neuromorphic Sensing with Piezoelectric MEMS Resonators 国際会議

21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 2024年11月

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会議種別：口頭発表（一般）
圧電振動子電流センサを用いた物理リザバーコンピューティング国内会議

西村恵、藤村紀文、吉村武

応用物理学会関西支部 2024年度第2回講演会 2024年11月

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会議種別：ポスター発表
Electrical characterization of ferroelectric gate FETs for physical reservoir computing 国内会議

Y. Ukezeki, H. Yamada, S. Inoue, N. Fujimura, T. Yokomatsu, K. Kanda, K. Maenaka, K. Toprasertpong, S. Takagi and T. Yoshimura

2024年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Crystal Phase and Composition Control of Multiferroic YbFe2O4 Epitaxial Thin Films 国内会議

K. Shimamoto, T. Hayama, S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2024年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
The electronic levels and the photoinduced current of correlated ferroelectric YMnO3 thin films 国内会議

S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2024年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Growth mechanism of ALD-Ga2O3 thin film 国内会議

R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2024年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
ALD growth of HfO2-based ferroelectric thin films on Ga2O3 国内会議

K. Furukawa, R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2024年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Physical Implementation of Neural Networks Using Nonlinearly Coupled Piezoelectric MEMS Resonators for Neuromorphic Sensing 国際会議

2024 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium(UFFC-JS2024) International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF) 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
成長空間におけるRFプラズマの評価とβ-Ga2O3薄膜のALD成長国内会議

阿多翔大、市川龍斗、内藤圭吾、吉村武、藤村紀文

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
圧電MEMSリザバー素子における結合重みと計算性能との関係国内会議

吉村武、芳賀大樹、藤村紀文、神田健介、神野伊策

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
YbFe2O4 エピタキシャル薄膜の結晶相と組成の制御国内会議

嶋本健人、葉山琢充、市川颯大、吉村武、藤村紀文

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
Non-destructive measurement of longitudinal piezoelectric properties for thin films 国内会議

2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
強相関強誘電体YMnO3 薄膜の電子準位と光誘起電流国内会議

市川颯大、吉村武、藤村紀文

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
ALD法で作製したGa2O3薄膜の成長機構国内会議

市川龍斗、吉村武、藤村紀文

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
圧電共振子リザバーにおける非線形性と学習性能の関係国内会議

庄野武洋、藤村紀文、吉村武

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
スパッタ法によるAl1-xScxN/Siヘテロ構造の作製Ⅱ 国内会議

山田洋人、安岡功樹、藤村紀文、吉村武

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
(Ce,Mn)置換ZnO薄膜の低温エピタキシャル成長と電気的特性評価国内会議

阪口萌生、大磯裕也、藤村紀文、吉村武

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係国内会議

請関優、山田洋人、藤村紀文、横松得滋、前中一介、Kasidit Toprasertpong、高木信一、吉村武

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
SOI 基板上BiFe(1-x)MnxO3薄膜の作製と評価国内会議

高城明佳、Aphayvong Sengsavang、藤林世覇音、藤原輝羅、村上修一、山根秀勝、藤村紀文、吉村武

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
圧電振動子電流センサを用いた物理リザバーコンピューティング国内会議

西村恵、藤村紀文、吉村武

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
β-Ga2O3上のHfO2系極薄膜成長の結晶方位依存性国内会議

古川勝裕、市川龍斗、阿多翔大、吉村武、藤村紀文

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
BiFe1-xMnxO3エピタキシャル膜の結晶構造と電気的特性国内会議

藤原輝羅、Aphayvong Sengsavang、高城明佳、高木昂平、藤林世覇音、藤村紀文、吉村武

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
Reservoir computing using PZT thin-film ultrasonic transducers 国際会議

H. Honzawa, N. Fujimura and T. Yoshimura

2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
Fabrication of A/ScN thin films for artificial synapses using ferroelectric materials 国際会議

K. Yasuoka, Y, Yamada, N. Fujimura and T. Yoshimura

2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
Fabrication of BiFe1-xMnxO3 thin film for development of speech recognition Al microphone 国際会議

Y. Fujibayashi, N. Fujimura and T. Yoshimura

2024年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
Epitaxial growth of Ce, Mn substituted ZnO thin films by combinatorial sputtering 国際会議

The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年08月

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会議種別：口頭発表（一般）
Electromechanical properties of epitaxial BiFe1-xMnxO3 film for piezoelectric MEMS vibration energy harvester 国際会議

The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年08月

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会議種別：口頭発表（一般）
Composition Control of YbFe2O4 Electronic Ferroelectric Thin Films with PLD Growth Process Monitoring 国際会議

The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年08月

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会議種別：口頭発表（一般）
Control of the phase formation of strongly correlated ferroelectric YbMnO3 thin films and effect on dielectric characteristics 国際会議

The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年08月

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会議種別：口頭発表（一般）
Non-equilibrium phase HfO2 thin films on Si substrate by ALD method 国際会議

The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年08月

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会議種別：口頭発表（一般）
強誘電体材料とデバイス応用国内会議

藤村紀文

大阪大学・社会人教育プログラム「ナノエレクトロニクス材料・デバイス学」 2024年07月
圧電振動子と物理リザバー計算による電流センシング国内会議

西村恵, 藤村紀文, 吉村武

第41回強誘電体会議 2024年06月

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会議種別：口頭発表（一般）
Effect of bottom electrode on crystal structure and electrical properties of (100)BiFeO3 films epitaxially grown on Si 国内会議

2024年06月

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会議種別：口頭発表（一般）
単元/多元PLD 法によるYbFe2O4 エピタキシャル薄膜の組成制御国内会議

嶋本健人, 葉山琢充, 市川颯大, 吉村武, 藤村紀文

第41回強誘電体会議 2024年06月

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会議種別：口頭発表（一般）
機能性セラミックス薄膜プロセッシングと物性制御に関する研究招待国内会議

藤村紀文

日本セラミックス協会関西支部・協会賞受賞記念講演会 2024年04月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）
Non-doped HfO2 ALD 薄膜成長における非平衡相の安定化国内会議

市川龍斗, 内藤圭吾, 吉村武, 藤村紀文

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
強相関強誘体h-YMnO3薄膜の成長と強誘電性評価国内会議

古川勝裕, 市川颯大, 吉村武, 藤村紀文

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
スパッタ法によるAl1-xScxN/Siヘテロ構造の作製国内会議

山田洋人, 藤村紀文, 吉村武

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体ゲートFETの作製と電気特性評価国内会議

請関優, 山田洋人, 藤村紀文, 横松得滋, 神田健介, 前中一介, 吉村武

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
スパッタ法によるCe,Mn置換ZnO薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性評価国内会議

阪口萌生, 藤村紀文, 吉村武

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
複数ターゲットPLDによるエピタキシャルYbFe2O4薄膜の組成制御国内会議

葉山琢充, 嶋本健人, 市川颯大, 吉村武, 藤村紀文

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
PLD法による強相関強誘電体YbMnO3薄膜の組成制御とその誘電特性に及ぼす影響国内会議

市川颯大, 嶋本健人, 葉山琢充, 吉村武, 藤村紀文

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
The effect of the seed layer thickness on the electrical properties of (100) BiFeO3 epitaxial films 国内会議

Aphayvong Sengsavang, Kohei Takaki, Meika Takagi, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura1

2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）
シード層膜厚がSi基板上(100)BiFeO3薄膜の結晶構造におよぼす影響国内会議

高城明佳, Aphayvong Sengsavang, 高木昂平, 藤村紀文, 吉村武

第71回応用物理学会学術講演会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：東京都市大・世田谷キャンパス
機能性セラミックス薄膜の成長プロセス制御による準安定相の創製と物性制御招待国内会議

藤村紀文

日本セラミックス協会 2024年年会 2024年03月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：熊本市
(010)および(001)β-Ga2O3基板表面へのRF窒素プラズマ照射効果：ショットキー界面の電気特性国内会議

高井亮汰, MD EARUL ISLAM, 内藤圭吾, 市川龍斗, 吉村武, 藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度第3回研究会 2024年01月

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開催地：鳥取市
圧電MEMS共振器を持いた物理リザバーコンピューティング国内会議

吉村武, 芳賀大樹, 藤村紀文, 神田健介, 神野伊策

Future Technologies from KUMAMOTO合同シンポジウム 2023年11月

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開催地：熊本市
Physical implementation of machine learning by piezoelectric MEMS resonators 国際会議

Takeshi Yoshimura, Taiki Haga, Norifumi Fujimura, Kensuke Kanda, Isaku Kanno

International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2023 2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Jeju，Korea
Organic Ferroelectric Gate FETs for Reservoir Computing 国内会議

Yu Ukezeki, Hiroto Yamada, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura Tokuji Yokomatsu, Kensuke Kanda, Kazusuke Maenaka

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Investigation of reservoir computing performance using the organic ferroelectric gate-FET 国内会議

Hiroto Yamada, Yu Ukezeki, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Tokuji Yokomatsu, Kensuke Kanda, Kazusuke Maenaka

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Evaluation of Muscle Activities during Exercise Using Organic Piezoelectric Sheets 国内会議

Soma Sakoda, Norifumi Fujimura, and Takeshi Yoshimura

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
The effect of the deposition parameters on the formation of the non-equilibrium phase of HfO2 thin films in ALD methods 国内会議

R. Ichikawa, K. Naito, T. Yoshimura, N. Fujimura

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
The effect of ablation conditions on strongly correlated ferroelectric YbMnO3 thin film growth in PLD method 国内会議

S. Ichikawa, K. Shimamoto, T. Hayama, T. Yoshimura, N. Fujimura

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Composition control of YbFe2O4 epitaxial thin films and their optical properties fabricated by PLD method 国内会議

T. Hayama, K. Shimamoto, S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Dielectric Characterization of Metal/Ferroelectric-HZO/Ga2O3 Interface 国内会議

K. Naito, K. Yamaguchi, I. M. Earul, R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Effects of the Distributions of the Atomic Active Species on Phase Formation of Multiferroic YbFe2O4 Thin Films in PLD Method 国内会議

K. Shimamoto, T. Hayama, S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Epitaxial growth of (100) BiFeO3 thin films on Si substrates by combinatorial sputtering method 国際会議

Kohei Takaki, Sengsavang Aphayvong, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2023 2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Jeju，Korea
Electromechanical properties of the piezoelectric MEMS vibration energy harvesting with bistable-dynamic-magnifier two degree of freedom system 国際会議

Sengsavang Aphayvong, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2023 2023年10月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Jeju，Korea
Investigation of Photovoltaic effect of (100) BiFeO3 Thin Films Epitaxially Grown on Si Substrate 国内会議

Petitjean Amélie, Aphayvong Sengsavang, Kohei Takaki, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
複数圧電振動子リザバーにおけるFETの結合の検討国内会議

庄野武洋, 芳賀大樹, 藤村紀文, 吉村武

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
生体応用を志向した赤外線温度測定の高精度化国内会議

阪口萌生, 藤村紀文, 吉村武

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
PLD法における強相関強誘電体YbMnO3 薄膜成長過程のin-situモニタリング国内会議

市川颯大, 吉村武, 藤村紀文

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
ALD法によりSi基板上に作製したHfO2薄膜の結晶構造国内会議

市川龍斗, 内藤圭吾, 吉村武, 藤村紀文

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
転写バルク結晶から100以上の単層MoS2半導体を得る電気化学手法国内会議

望月陸, 大熊光, 片山裕美子, 上野和紀, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
YbFe2O4エピタキシャル薄膜のFe/Yb組成制御とその光学特性国内会議

葉山琢充, 嶋本健人, 吉村武, 藤村紀文

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
Ga2O3基板上に作製したHf0.5Zr0.5O2薄膜の強誘電性の評価国内会議

内藤圭吾, 山口晃一, 吉村武, 藤村紀文

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
コンビナトリアルスパッタ法を用いて作製したSi基板上(100)BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造解析国内会議

高木昂平, Aphayvong Sengsavang, 藤村紀文, 吉村武

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
有機圧電シートを用いた筋音図測定における外的要因の影響国内会議

﨏田壮真, 藤村紀文, 吉村武

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
Electromechanical characteristics of epitaxial BiFeO3 thin film on Si substrate fabricated by combinatorial sputtering method 国内会議

Aphayvong Sengsavang, Kohei Takaki, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
電子強誘電体YbFe2O4薄膜の相形成におよぼすPLD照射レーザーの影響II 国内会議

嶋本健人, 葉山琢充, 市川颯大, 吉村武, 藤村紀文

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
結合型圧電MEMS共振子のリザバー性能評価国内会議

吉村武, 芳賀大樹, 藤村紀文, 神田健介, 神野伊策

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：熊本市
強誘電体材料とデバイス応用国内会議

藤村紀文

大阪大学ナノ社会人教育プログラム 2023年07月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪大学（オンライン）
ALD法によるHfO2薄膜作製における原料供給量が直方晶相形成過程におよぼす影響国内会議

市川龍斗, 内藤圭吾, 吉村武, 藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度第１回研究会 2023年07月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪・I-Siteなんば
PLDレーザー照射条件が強相関強誘電体YbMnO3薄膜成長におよぼす影響国内会議

市川颯大, 吉村武, 藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度第１回研究会 2023年07月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪・I-Siteなんば
マルチフェロイックYbFe2O4薄膜の組成制御に向けたPLD多元打ち製膜の検討国内会議

葉山琢充, 嶋本健人, 吉村武, 藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度第１回研究会 2023年07月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪・I-Siteなんば
非平衡窒素プラズマを用いた酸化ガリウム基板の窒化処理手法に関する検討国内会議

内藤圭吾, Islam Md Earul, 市川龍斗, 吉村武, 藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度第１回研究会 2023年07月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪・I-Siteなんば
プラズマプルームの発光分光分析による電子強誘電体YbFe2O4薄膜のPLD成長プロセスモニタリング国内会議

嶋本健人, 葉山琢充, 市川颯大, 吉村武, 藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度第１回研究会 2023年07月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪・I-Siteなんば
非平衡成長プロセスを用いた半導体/誘電体薄膜成長制御と超低消費電力半導体デバイス招待国内会議

藤村紀文

2023堀場雅夫賞審査委員講演会 2023年06月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：京都
Efficient reservoir computing by nonlinearly coupled piezoelectric MEMS resonators 国際会議

Takeshi Yoshimura, Taiki Haga, Norifumi Fujimura, Kensuke Kanda, and Isaku Kanno

Transducers2023 2023年06月

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会議種別：口頭発表（一般）
圧電MEMS振動子の機械学習デバイス応用国内会議

吉村武, 芳賀大樹, 藤村紀文, 神田健介, 神野伊策

第40回強誘電体会議 2023年05月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都
ワイドバンドギャップ半導体Ga2O3基板上へのHfxZr1-xO2薄膜のALD成長国内会議

内藤圭吾, 山口晃一, 吉村武, 藤村紀文

第40回強誘電体会議 2023年05月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都
表面電気化学反応を用いた大面積単層MoS2単離手法の原理討究国内会議

望月陸, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学（東京都）
リン含有非対称分子によるTMDCに対する電子供給メカニズムの考察国内会議

四谷祥太郎, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
ドナー性分子/2次元半導体ヘテロ構造における低温下での特異な伝導挙動国内会議

松山圭吾, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
基板近傍に成長空間を制限して作製したHfO2薄膜のALD成長機構国内会議

市川龍斗, 宝栄周弥, 内藤圭吾, 吉村武, 藤村紀文

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
ALD法によりGa2O3基板上に作製したHfxZr1-xO2薄膜の結晶化過程Ⅱ 国内会議

内藤圭吾, 山口晃一, 吉村武, 藤村紀文

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
強相関強誘電体YbMnO3薄膜の成長機構と化学量論組成が誘電特性に及ぼす影響国内会議

市川颯大, 深江圭佑, 吉村武, 藤村紀文

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
PLD法を用いたYbFe2O4エピタキシャル薄膜の組成制御国内会議

葉山琢充, 嶋本健人, 吉村武, 藤村紀文

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
磁気秩序形成過程におけるマルチフェロイックYbFe2O4薄膜の電気伝導国内会議

嶋本健人, 五十嵐悠生, 葉山琢充, 吉村武, 藤村紀文

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
プラズマプルームの発光分光分析による強相関強誘電体YMnO3薄膜のPLD成長プロセスモニタリングII 国内会議

五十嵐悠生, 嶋本健人, 吉村武, 藤村紀文

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
MEMS赤外線センサを用いた高精度温度測定の検討国内会議

阪口萌生, 藤村紀文, 吉村武

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
複数圧電振動子でのリザバーコンピューティング国内会議

庄野武洋, 芳賀大樹, 藤村紀文, 吉村武

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
有機圧電シートを用いた筋音図測定国内会議

﨏田壮真, 藤村紀文, 吉村武

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：ポスター発表

開催地：上智大学（東京都）
コンビナトリアルスパッタ法によるSi基板上(100)BiFeO3エピタキシャル薄膜の成長国内会議

高木昂平, 藤村紀文, 吉村武

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学（東京都）
正圧電応答顕微鏡法を用いた電極下分極ドメイン観察における空間分解能国内会議

萩原拓永, トープラサートポンカシディット,高木信一, 藤村紀文, 吉村武

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学（東京都）
Utilization of coupled oscillation in 2DOF-MEMS piezoelectric vibration energy harvester for impulsive force 国内会議

Aphayvong Sengsavang, Shuichi Murakami,Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学（東京都）
圧電MEMS振動子によるリザバーコンピューティング国内会議

吉村武, 芳賀大樹, 藤村紀文, 神田健介, 神野伊策

第70回応用物理学会学術講演会 2023年03月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：上智大学（東京都）
Energy Harvesting from Electric Power Lines Using Piezoelectric Resonator 招待国際会議

Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, and Norifumi Fujimura

2022年12月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：Japan,Kanazawa(Online)
二次元半導体研究の新機軸～電気化学が拓く超大面積化～国内会議

望月陸，吉村武，藤村紀文，桐谷乃輔

第8回サイボウニクス研究会 2022年12月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県長岡市
ナノスケール多色発光ディスプレイ実現に向けた超極薄膜半導体の高発光化国内会議

中原隆宏，小林尭史，土肥徹次，藤村紀文，桐谷乃輔

第8回サイボウニクス研究会 2022年12月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県長岡市
分子溶液プロセスによる２次元材料の自発的な屈曲現象～極薄膜による“折り紙“を目指して～国内会議

四谷祥太郎，吉村武，藤村紀文，桐谷乃輔

第8回サイボウニクス研究会 2022年12月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県長岡市
中本が次世代を拓く：2D半導体単層の超効率単離法国内会議

中本竜弥，藤村紀文，桐谷乃輔

第8回サイボウニクス研究会 2022年12月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県長岡市
量子ビットの実現に向けてー分子で魅せる新奇半導体エレクトロニクスの開拓国内会議

松山圭吾，藤村紀文，桐谷乃輔

第8回サイボウニクス研究会 2022年12月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県長岡市
マイクロ流体デバイスと半導体トランジスタの融合による夾雑溶液内毒分子センサの開発国内会議

福井暁人, 松山圭吾, 尾上弘晃, 板井駿, 石倉恵子, 池野豪一, 長田貴弘, 土方優, Jenny Pirillo, 竹井邦晴, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第8回サイボウニクス研究会 2022年12月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：新潟県長岡市
Mechanomyography Using Piezoelectric Materials 国際会議

S. Sakoda, N. Fujimura and, T. Yoshimura

2022年12月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：Japan,Kanazawa(Online)
Effects of sputtering conditions on the growth of AlScN thin films and its conduction mechanism 国際会議

Kohei Miyaji, Norifumi, Fujimura, Takeshi Yoshimura

2022年12月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：Japan,Kanazawa(Online)
アルキル系膜接合による単層遷移金属カルコゲナイドの超発光化手法の開拓国内会議

中原隆宏, 小林尭史, 土肥徹次, 藤村紀文, 桐谷乃輔

応用物理学会関西支部 75周年記念講演会 2022年11月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪大学（吹田市）
超音波印加による超高効率な単層2D半導体の孤立化国内会議

中本竜弥、吉村武、藤村紀文、桐谷乃輔

応用物理学会関西支部 75周年記念講演会 2022年11月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪大学（吹田市）
表面電気化学的反応を用いたMoS2の大面積薄層化国内会議

望月陸、吉村武、藤村紀文、桐谷乃輔

応用物理学会関西支部 75周年記念講演会 2022年11月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：大阪大学（吹田市）
Improvement of Output Power of Piezoelectric Energy Harvester from AC Magnetic field by Magnetic Flux Focusing 国際会議

Takeshi Yoshimura, Sengsavang Aphayvong, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2022 2022年10月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Japan（Online）
Effects of Laser Irradiation Conditions on Phase Formation of Multiferroic YbFe2O4 Thin Films in PLD method 国内会議

K. Shimamoto, Y. Igarashi, T. Hayama, T. Yoshimura and N. Fujimura

2022年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Effects of Ablation Conditions on Strongly Correlated Ferroelectric YMnO3 Thin Film Growth in PLD Method 国内会議

Y. Igarashi, K. Shimamoto, T. Yoshimura and N. Fujimura

2022年10月

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会議種別：口頭発表（一般）
Recent Progress of Hafnium Oxide based Ferroelectric Thin Films for Microelectronics 招待国際会議

N. Fujimura

8th International Symposium on Transparent Conductive Materials & 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TCM-TOEO 2022) 2022年10月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：Greece,Crete(Online)
Enhancing output power of piezoelectric MEMS vibration energy harvester using BiFeO3 films 国際会議

Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2022 2022年10月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Japan（Online）
Investigation of piezoelectric vibration energy harvesting with an auxiliary bistable oscillator under impulsive force 国内会議

S. Aphayvong, S. Murakami, N. Fujimura, T. Yoshimura

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
Effects of the Laser Fluence on the Precise Phase Control of YbFe2O4 Electronic Ferroelectric Thin Films 国際会議

K. Shimamoto, Y. Igarashi, T. Hayama, T. Yoshimura and N. Fujimura

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：Buasn(Online)
電気化学的反応を用いた大面積単層様 MoS2の単離手法の開拓国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
付随するバルクの基板離脱時に面内破断により単層が選択的に残留する現象への考察国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
分子接合による単層 MoS2の自己屈曲現象および自己積層化国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
有機溶液処理によるMoS2への高濃度ドーピング法の開拓国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
DMF分子センサの開発に向けたMoS2/アミド系分子間の相互作用に関する検討国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
ALD法によりGa2O3基板上に作製したHfxZr1-xO2薄膜の結晶化過程国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
電子強誘電体YbFe2O4薄膜の相形成におよぼす照射レーザーの影響国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
正圧電応答顕微鏡法によるHfO2薄膜の分極ドメイン構造の観察Ⅱ 国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO3エピタキシャル膜の作製Ⅱ 国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
P(VDF-TrFE)薄膜による超音波センシングの検討国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
スパッタ条件が Al1-xScxN の格子歪や電気特性に及ぼす影響国内会議

2022年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
強誘電体材料とデバイス応用国内会議

藤村紀文

大阪大学ナノ社会人教育プログラム 2022年07月

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会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等

開催地：大阪大学（オンライン）
機能性セラミックス薄膜の新規なプロセッシングと物性制御招待国内会議

藤村紀文

フルラス・岡崎記念会2022年度定期総会・講演会 2022年06月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）

開催地：東京工業大学（オンライン）
TiNバッファ層を用いた(001)BiFeO3薄膜のSi基板上エピタキシャル成長の検討国内会議

高木昂平, 藤村紀文, 吉村武

第39回強誘電体会議 2022年05月

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：京都市
スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO₃エピタキシャル膜の作製国内会議

高木昂平, 藤村紀文, 吉村武

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月応用物理学会

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会議種別：ポスター発表

開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）
正圧電応答顕微鏡法によるHfO₂薄膜の分極ドメイン構造の観察国内会議

萩原拓永, 森田行則, 太田裕之, 右田真司, 藤村紀文, 吉村武

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）
プラズマプルームの発光分光分析による強相関強誘電体YMnO₃薄膜のPLD成長プロセスモニタリング国内会議

五十嵐悠生, 吉村武, 藤村紀文

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月応用物理学会

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会議種別：ポスター発表

開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）
ホスフィン分子の極薄膜形成によるMoS₂への電子ドーピング国内会議

四谷祥太郎, 津留崎陽大, 吉村武, 藤村紀文,桐谷乃輔

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年03月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）
Organic-Polymer Coated Superacid-Treated Tungsten Disulfide with Air-Stable Strong Photoluminescence Intensity 国際会議

Takahiro Nakahara,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

2021 MRS Fall Meeting & Exhibit 2021年12月

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会議種別：ポスター発表
Why do the HfO₂ -based ferroelectric thin films show unique properties? - Negative Capacitance, Wake-up Process and Time-dependent Imprint - 招待国際会議

Norifumi FUJIMURA

Materials Research Meeting 2021 2021年12月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）
Layer-Number Dependence of Metallic Transport Behavior in MoS₂ by Molecular Charge Transfer Doping 国際会議

Keigo Matsuyama,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

2021 MRS Fall Meeting & Exhibit 2021年12月

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会議種別：ポスター発表
N,N'-dimethylformamide sensor in a contaminated solution based on the specific interaction on molybdenum disulfide 国際会議

Akito Fukui,Hiroaki Onoe,Shun Itai,Keiko Ishikura,Hidekazu Ikeno,Yuh Hijikata,Jenny Pirillo,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

2021 MRS Fall Meeting & Exhibit 2021年12月

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会議種別：ポスター発表
Sonication-based selective removal of mechanically-exfoliated bulk MX₂ flakes on the substrate 国際会議

Tatsuya Nakamoto,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

2021 MRS Fall Meeting & Exhibit 2021年12月

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会議種別：ポスター発表
Convection-flow-assisted synthesis of neutral benzyl viologen for strong modulation of transition metal dichalcogenides 国際会議

Keigo Matsuyama, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura and Daisuke Kiriya

3rd Online International Conference on Chemistry and Nanosciences 2021年11月

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会議種別：ポスター発表
無機イオン混合イオン性液体を用いた、MoS₂の高濃度電界変調国内会議

望月陸, 松山圭吾, 福井暁人, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

大阪府立大学研究推進機構・放射線研究センター共同利用報告会 2021年11月大阪府立大学研究推進機構・放射線研究センター

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会議種別：口頭発表（一般）
非対称分子の接合による二硫化モリブデンへの電子注入法の開拓国内会議

四谷祥太郎, 福井暁人, 津留崎陽大, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

大阪府立大学研究推進機構・放射線研究センター共同利用報告会 2021年11月大阪府立大学研究推進機構・放射線研究センター

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会議種別：口頭発表（一般）
有機溶媒内超音波印加による二次元層状物質の選択的薄層調整法の開拓国内会議

中本竜弥, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

大阪府立大学研究推進機構・放射線研究センター共同利用報告会 2021年11月大阪府立大学研究推進機構・放射線研究センター

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会議種別：口頭発表（一般）
Modulation of electronic states in two-dimensional semiconductors by bowl-shaped molecules 国際会議

Shotaro Yotsuya, Akito Fukui, Akihiro Tsurusaki, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

2021年09月

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会議種別：ポスター発表
Enhancement of piezoelectric MEMS vibration energy harvester for impulsive force using 2-degree-of-freedom system 国内会議

Aphayvong Sengsavang, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

2021年09月

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会議種別：口頭発表（一般）
スパッタ法におけるBiFeO₃薄膜の成長機構の検討II 国内会議

菊地理沙, 村瀬幹生, 吉村武, 藤村紀文

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
スパッタ条件がAl_1-xSc_xN薄膜の内部応力に及ぼす影国内会議

宮地航平, 吉村武, 萩原拓永, 藤村紀文

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
作製溶媒がP(VDF-TrFE)薄膜の電気特性に及ぼす影響国内会議

平塚一暉, 吉村武, 藤村紀文

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
無機イオン混合イオン性液体によるMoS₂の電界変調国内会議

望月陸, 松山圭吾, 福井暁人, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
２次元層状物質の超音波印加による薄層選別法のメカニズム考察国内会議

中本竜弥, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
パラフィン被覆によるWS₂発光強度向上のメカニズムの考察国内会議

中原隆宏, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
イオン性溶液下における二硫化モリブデンの電子状態の変調国内会議

木村大輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
強ドナー性分子の接合によるMoS₂の金属転移と伝導機構の考察国内会議

松山圭吾, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年09月応用物理学会

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会議種別：口頭発表（一般）

開催地：オンライン開催
Characteristics of Al1-xScxN epitaxial thin film on Si substrate by changing nitrogen partial pressure 国際会議

Kohei Miyaji, Mikio Murase, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

8th International Workshop on Piezoelectric MEMS 2021年06月

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会議種別：ポスター発表
Development of MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester with Two-Degree-of-Freedom System for Impulsive Forces 国内会議

Sengsavang Aphayvong，Takeshi Yoshimura，Shuichi Murakami, Kensuke Kanda，Norifumi Fujimura

第38回強誘電体会議 2021年06月

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会議種別：ポスター発表
磁束集束による交流磁界圧電発電素子の出力向上国内会議

吉村武， S. Aphayvong，村上修一，藤村紀文

第38回強誘電体会議 2021年06月

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会議種別：ポスター発表
Investigation of the growth mechanism of BiFeO₃ films on sputtering method 国際会議

Risa Kikuchi, Mikio Murase, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

8th International Workshop on Piezoelectric MEMS 2021年06月

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会議種別：ポスター発表
Electrical properties of organic piezoelectric P(VDF-TrFE) films fabricated by various solvent 国際会議

Kazuki Hiratsuka, Izuru Kanagawa, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

8th International Workshop on Piezoelectric MEMS 2021年06月

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会議種別：ポスター発表
Investigation of electromechanical characteristics of 2-degree-of-freedom MEMS piezoelectric vibration energy harvester under impulsive force 国際会議

Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

8th International Workshop on Piezoelectric MEMS 2021年06月

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会議種別：ポスター発表
Electromechanical Properties of 2-Degree-of-Freedom MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester Under Impulsive Force 国際会議

Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda, Norifumi Fujimura

IEEE ISAF2021 2021年05月

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会議種別：ポスター発表
極薄の透明発光デバイス実現に向けた層状半導体の安定な超高発光化国内会議

中原隆宏，山田悠貴，芦田淳，吉村武，藤村紀文，桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会 2021年05月

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会議種別：ポスター発表
～1 nm 厚の単層半導体の選択的な単離手法の開拓国内会議

中本竜弥，松山圭吾，吉村武，藤村紀文，桐谷　乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会 2021年05月

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会議種別：ポスター発表
二次元半導体の液中高発光化を実現するイオン界面の構築国内会議

木村大輔，福井暁人，吉村武，芦田淳，藤村　紀文，桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会 2021年05月

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会議種別：ポスター発表
ロバストな量子ビット実現に向けた有機/無機接合デバイス　Organic/inorganic hybrid device for realization of robust qubit 国内会議

松山圭吾，吉村武，藤村紀文，桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会 2021年05月

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会議種別：ポスター発表
インパルス振動を用いた2自由度系圧電MEMS振動発電素子の特性評価国内会議

APHAYVONG Sengsavang，吉村武, 神田健介，村上修一，藤村紀文

応用物理学会関西支部　2021年度第1回講演会 2021年04月

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会議種別：ポスター発表
WSe₂/MoS₂ヘテロ積層構造への分子接面による電子状態の変調国内会議

四谷祥太郎, 松山圭吾, 福井暁人, 野内亮, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
TiNバッファ層を用いたSi基板上へのAl_1-xSc_xN薄膜のエピタキシャル成長国内会議

宮地航平, 村瀬幹生, 吉村武, 藤村紀文

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
有機圧電体P(VDF-TrFE)の電気特性の溶媒依存性評価国内会議

平塚一暉, 金川いづる, 吉村武, 藤村紀文

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
単層二硫化タングステンの発光特性向上を指向した超酸分子処理法の検討国内会議

中原隆宏, 山田悠貴, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
有機溶液内超音波印加による機械的剥離MoS₂の薄層選別法の開拓国内会議

中本竜弥, 松山圭吾, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
スパッタ法におけるBiFeO₃薄膜の成長機構の検討国内会議

菊地理沙, 村瀬幹生, 吉村武, 藤村紀文

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
有機接合MoS₂におけるトポロジカル相への状態転移に関する研究国内会議

松山圭吾, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

日本物理学会第76回年次大会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
夾雑溶液下における2次元半導体MoS₂とアミド系分子間の特異的相互作用国内会議

福井暁人, 尾上弘晃, 板井駿, 石倉恵子, 池野豪一, 長田貴弘, 土方優, Jenny Pirillo, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

日本化学会第101春季年会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
有機溶液処理による二硫化モリブデンのトポロジカル相転移の検討国内会議

松山圭吾, 福井暁人, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvester with two-degree-of-freedom system under impulsive force 国内会議

Aphayvong Sengsavang, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
DMF分子の選択的センシングに向けた2次元半導体/溶媒分子間の相互作用に関する検討国内会議

福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催） 2021年03月

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会議種別：ポスター発表
半導体トランジスタとマイクロ流体デバイスの融合による夾雑下における細胞毒分子計測国内会議

福井暁人, 尾上弘晃, 板井駿, 石倉恵子,池野豪一, 長田貴弘, 土方優, Jenny Pirillo, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第7回サイボウニクス研究会 2020年12月

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会議種別：ポスター発表
Topological phase transformation of transition metal dichalcogenides via contacting electron donor molecules 国内会議

K. Matsuyama, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, and D. Kiriya

第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催） 2020年10月

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会議種別：ポスター発表
2次元半導体トランジスタによる夾雑溶液内DMF分子センサの開発国内会議

福井暁人, 尾上弘晃, 板井駿, 石倉恵子, 池野豪一, 長田貴弘, 土方優, Jenny Pirillo , 吉村武 ,芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第42回研究会（オンライン開催） 2020年10月

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会議種別：ポスター発表
イオン性分子の接合による2D半導体の液中高発光化国内会議

木村大輔, 山田悠貴, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文，桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第42回研究会（オンライン開催） 2020年10月

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会議種別：ポスター発表
Formation process of metastable Al-doped HfO₂ thin films phases and directly on Si by atomic layer deposition 国内会議

S.Takarae, K. Takada, D. Kiriya, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催） 2020年10月

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会議種別：ポスター発表
Formation of the metastable phase of HfxZr1-xO₂ ferroelectric films deposited by atomic layer deposition method 国内会議

K. Takada, S. Takarae, T. Yoshimura, and N. Fujimura

第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催） 2020年10月

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会議種別：ポスター発表
Correlation between photo excited carrier and spin order of strongly correlated ferroelectric YMnO₃ thin films 国内会議

K. Miura, K. Shimamoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催） 2020年10月

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会議種別：ポスター発表
Change in the defect structures of composition controlled electronic-ferroelectric YbFe₂O₄ thin films 国内会議

K. Shimamoto , K.Miura, D.Kiriya, T.Yoshimura, A.Ashida, and N.Fujimura

第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催） 2020年10月

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会議種別：ポスター発表
スパッタ法におけるPZT薄膜の成⻑機構の検討Ⅱ 国内会議

村瀬幹生, 吉村武, 藤村紀文

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
細胞培養液中のDMF濃度計測に向けたMoS₂バイオセンサの開発技術国内会議

福井暁人, 長田貴弘, 土方優, Jenny Pirillo, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
ナノワイヤネットワークを⽤いたゲーティングによる⼆硫化モリブデンの電⼦状態の変調国内会議

青木佑樹, 松山圭吾, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
強酸性極薄膜の自発的形成による高発光単層MoS₂の実現国内会議

山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 篠北啓介, 松田一成, 桐谷乃輔

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
分⼦性イオンの接合による⼆硫化モリブデンの状態変調に関する検討国内会議

木村大輔, 山田悠貴, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
ALD法を⽤いて作成したSi直上Al:HfO₂準安定相の結晶化過国内会議

宝栄周弥, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
Si直上Y:HfO₂エピタキシャル薄膜の界⾯誘電特性国内会議

佐保勇樹, 宝栄周弥, 高田賢志, 吉村武, 藤村紀文

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
1次元メカニカルメタマテリアルにおける振動伝搬解析国内会議

菊地理沙, 吉村武, 藤村紀文

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
強相関強誘電体YMnO₃薄膜のd-d遷移における発光特性とスピン秩序の相関国内会議

三浦光平, 嶋本健人, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御と⽋陥構造の変化国内会議

嶋本健人, 三浦光平, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
Electromechanical properties of 2-degree-of-freedom piezoelectric vibration energy harvester for impulsive 国内会議

Aphayvong Sengsavang, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催） 2020年09月

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会議種別：ポスター発表
強相関強誘電体YMnO₃薄膜の光励起キャリアのダイナミクス：磁気秩序との相関国内会議

三浦光平，嶋本健人，桐谷乃輔，吉村武，芦田淳，藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2020年度第1回研究会（オンライン開催） 2020年08月

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会議種別：ポスター発表
Formation Process of Metastable Phases of Al-Doped HfO₂ Films Directly on Si by Atomic Layer Deposition 国際会議

Shuya Takarae, Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics 2020年07月

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会議種別：ポスター発表
Observation of Domain Structure of P(VDF-TrFE) Films Using Direct Piezoelectric Response Microscopy 国際会議

Takeshi Yoshimura, Izuru Kanagawa, Yuji Matusita, Norifumi Fujimura

Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics 2020年07月

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会議種別：ポスター発表
Electromechanical Properties of MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester for Impulse Vibration 国際会議

Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda

Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics 2020年07月

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会議種別：ポスター発表
Investigation of the Growth Mechanism of PZT Films Using Combinatorial Sputtering Method 国際会議

Mikio Murase, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics 2020年07月

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会議種別：ポスター発表
分子性アニオンの吸着による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調国内会議

木村大輔，山田悠貴，福井暁人, 青木佑樹，松山圭吾, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体薄膜における電気熱量効果を利用した全固体ヒートポンプの検討国内会議

松下裕司, 吉村武, 桐谷乃輔, 藤村紀文

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
面外に分極した分子による２次元半導体の化学ゲーティング国内会議

福井暁人, 津留崎陽大, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
成長時の酸素分圧がHfO₂:Y/Si薄膜の結晶構造や誘電特性に及ぼす影響国内会議

佐保勇樹, 高田賢志, 吉村武, 藤村紀文

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
スパッタ法におけるPZT薄膜の成長機構の検討国内会議

村瀬幹生, 吉村武, 藤村紀文

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
Characterization of piezoelectric vibration energy harvesters with two-degree-of-freedom system using impulse vibration. 国内会議

S. Aphayvong, T. Yoshimura, K. Kanda, S. Murakami, N. Fujimura

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO₃薄膜のエピタキシャル成長Ⅲ 国内会議

菊地理沙, 岡本直樹, 吉村武, 藤村紀文

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
YbFe₂O₄電子強誘電体 PLD 薄膜のエピタキシャル成長過程と電子状態におよぼすアブレーションレーザーの影響国内会議

嶋本健人，田中淳平，三浦光平，桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
電子ドナー分子の接合によるMoS₂のトポロジカル相への構造相転移国内会議

松山圭吾，福井暁人，山田悠貴，青木佑樹，木村大輔，吉村武，芦田淳，藤村紀文，桐谷乃輔

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年03月

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会議種別：ポスター発表
UV光照射による分子接面単層MoS₂の超高発光化とそのメカニズムの検討国内会議

山田悠貴, 吉村武，芦田淳，藤村紀文，篠北啓介, 松田一成, 桐谷乃輔

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2019年度第1回講演会・見学会 2020年01月

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会議種別：ポスター発表
大気圧非平衡プラズマを用いて製膜したZnO薄膜高抵抗化の起源国内会議

宝栄周弥, 桐谷乃輔, 吉村武，芦田淳，藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2019年度第1回講演会・見学会 2020年01月

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会議種別：ポスター発表
ナノワイヤリソグラフィによるグラフェンナノリボンのネットワーク状構造の作製国内会議

青木佑樹, 山田悠貴, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2019年度第1回講演会・見学会 2020年01月

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会議種別：ポスター発表
Novel Applications of ferroelectric and semiconducting perovskite oxide films 招待国際会議

N. Fujimura

Materials Research Meeting 2019 2019年12月
Epitaxial growth of (111) ITO films for top/bottom electrodes of ferroelectric films 国際会議

K. Shimamoto, K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Materials Research Meeting 2019 2019年12月

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会議種別：ポスター発表
Magnetic and electric properties of near stoichiometric YbFe₂O₄ thin films fabricated by PLD using stoichiometric YbFe₂O₄ target with Fe₂O₃ 国際会議

J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

Materials Research Meeting 2019 2019年12月

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会議種別：ポスター発表
Large Photoluminescence Enhancement of Monolayer MoS₂ by a Molecular Treatment with the Aid of UV Irradiation 国際会議

Y. Yamada, Y. Aoki, A. Fukui, Y. Matsushita, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Shinokita, K. Matsuda, D. Kiriya

Materials Research Meeting 2019 2019年12月

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会議種別：ポスター発表
Development of an Electron Doping Method Using Specific Interaction between Amide Molecule and MoS₂ 国際会議

A. Fukui, Y. Hijikata, J. Pirillo, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

Materials Research Meeting 2019 2019年12月

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会議種別：ポスター発表
Perspectives of Novel Applications of Ferroelectric/Piezoelectric Thin Films for Smart Systems 招待国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura

Materials Research Meeting 2019 2019年12月
新奇ナノカーボン物質「グラフェンナノリボンネットワーク」の実現国内会議

青木佑樹, 山田悠貴, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第40回研究会(40th CHEMINAS) 2019年11月

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会議種別：ポスター発表
High-performance Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester using (100) BiFeO₃ Films 国際会議

T. Yoshimura, M. Aramaki, S. Murakami, K. Satoh, N. Fujimura

19th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 2019年11月

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会議種別：ポスター発表
Strong Molecular Electron Transfer System for Transition Metal Dichalcogenides 国内会議

K. Matsuyama, A. Fukui, Y. Yamada, Y. Aoki, D. Kimura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Energy Harvesting from Electric Power Lines Using Piezoelectric Effect 国際会議

T. Yoshiura, Y. Ueno, T. Minami, S. Murakami, N. Fujimura

The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13) 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Perspective on Ferroelectric Thin Films for Novel Device Applications 招待国際会議

N. Fujimura, D. Kiriya, T. Yoshimura

The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13) 2019年10月
Effects of bottom electrodes on the epitaxial growth of YbFe₂O₄ films 国際会議

K. Shimamoto, K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11) 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Growth of Highly-Resistive ZnO Films Fabricated using Non-Equilibrium Plasma Generated Near Atmospheric Pressure 国際会議

S. Takarae, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura

11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11) 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Control of Epitaxial Orientation and Crystal Structure of HfO₂:Y/Si Films by Oxygen Partial Pressure 国際会議

Y. Saho, D. Kamada, K. Takada, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11) 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Investigation of The Epitaxial Growth of PZT Thin Films on Si Substrates using TiN Buffer Layer 国際会議

M. Murase, N. Okamoto, R. Kudo, T. Yoshimura, N. Fujimura

11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11) 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Domain Structure Imaging in P(VDF-TrFE) Films using Direct Piezoelectric Response Microscopy 国際会議

I. Kanagawa, Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11) 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Fabrication of Stoichiometry Controlled YbFe₂O₄ Epitaxial Thin Films Using PLD Method Controlled YbFe₂O₄ Epitaxial Thin Films Using PLD Method 国際会議

J. Tanaka, K. Miura, K. Shimamoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11) 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Time-resolved simulation of the negative capacitance at ferroelectric/semiconductor hetero-junction 国内会議

K. Takada, T. Yoshimura, N. Fujimura

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Origin of photo-induced current of strongly correlated ferroelectric YMnO₃ epitaxial thin film 国内会議

K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Anomalous charge transfer process of amide molecules to 2D layered material to 2D Layered Material 国内会議

A. Fukui, Y. Hijikata, J. Pirillo, Y. Aoki, Y. Yamada, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Control of epitaxial orientation and crystal structure of HfO₂: Y/Si films by oxygen partial pressure 国内会議

Y. Saho, D. Kamada, K. Takada, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Growth of highly-resistive ZnO films fabricated using non-equilibrium plasma generated near atmospheric pressure 国内会議

S.Takarae, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Monolithic networked graphene nanoribbons fabricated by inorganic nanowire mask 国内会議

Y. Aoki, Y. Yamada, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Large area strong photoluminescence in molecular-treated MoS₂ 国内会議

Y. Yamada, Y. Aoki, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Shinokita, K. Matsuda, D. Kiriya

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Semipermanent chemical gating of MoS₂ by wrapping with ionic polymer 国内会議

D. Kimura, K. Matsuyama, Y. Yamada, Y. Aoki, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
Effects of bottom electrodes on the epitaxial growth of YbFe₂O₄ films 国内会議

K. Shimamoto, K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第38回電子材料シンポジウム 2019年10月

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会議種別：ポスター発表
量子物性発現を志向した有機/二次元無機半導体接合系の構築国内会議

松山圭吾，福井暁人，青木佑樹，山田悠貴，木村大輔，吉村武，芦田淳，藤村紀文，桐谷乃輔

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
酸素分圧変化によるHfO₂:Y/Si薄膜の配向と結晶構造の制御国内会議

佐保勇樹, 鎌田大輝, 高田賢志, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
ナノワイヤマスクを用いたグラフェンナノリボンネットワークの作製国内会議

青木佑樹, 山田悠貴, 福井暁人, 吉村武，芦田淳，藤村紀文，桐谷乃輔

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
MoS₂/アミド系分子間の電子移動メカニズムの検討国内会議

福井暁人, 土方優, Jenny Pirillo, 青木佑樹, 山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御と電気・磁気・光学特性におよぼす影響国内会議

田中淳平，三浦光平, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田　淳, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
正圧電応答顕微鏡を用いたP(VDF-TrFE)膜のドメイン構造観察国内会議

金川いづる, 松下裕司, 吉村武, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
スパッタ法によるSi 基板上へのBiFeO₃ 薄膜のエピタキシャル成長Ⅱ 国内会議

岡本直樹, 吉村武, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
強相関強誘電体YMnO₃薄膜の電子遷移と光誘起電流の相関国内会議

三浦光平, 田中淳平, 桐谷乃輔, 吉村武，芦田淳, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体/半導体ヘテロ接合における界面ポテンシャル変化による負性容量とその時間発展シミュレーション国内会議

高田賢志, 吉村武, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
リラクサ強誘電体ポリマー膜における交流電界下の電気熱量効果国内会議

松下裕司, 吉村武, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電気的および圧電的特性国内会議

宝栄周弥, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
TiNバッファ層を用いたSi基板上へのPZT薄膜のエピタキシャル成長の検討国内会議

村瀬幹生, 岡本直樹, 吉村武, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
大面積CVD成膜単層MoS₂の高発光化国内会議

山田悠貴, 青木佑樹, 福井暁人, 吉村武，芦田淳，藤村紀文，篠北啓介, 松田一成, 桐谷乃輔

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
Characterization of piezoelectric vibration energy harvesters using impulse vibration 国内会議

S. Aphayvong, T. Yoshimura, K. Kanda, S. Murakami, N. Fujimura

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
イオン性有機物との接合による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調国内会議

木村大輔, 山田悠貴, 松山圭吾, 福井暁人, 青木佑樹, 吉村武，芦田淳，藤村紀文，桐谷乃輔

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜のエピタキシャル成長過程におよぼす下部電極の影響国内会議

嶋本健人，三浦光平, 田中淳平, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年09月

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会議種別：ポスター発表
Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester Using Sputtered BiFeO₃ Films 国際会議

T. Yoshimura, M. Aramaki, K. Sato, S. Murakami, N. Fujimura

The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019 2019年07月

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会議種別：ポスター発表
Characterization of direct piezoelectric response for P(VDF-TrFE) films using scanning probe microscopy 国際会議

I. Kanagawa, Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019 2019年07月

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会議種別：ポスター発表
Epitaxial growth of BiFeO3 films on Si substrates by Sputtering method 国際会議

N. Okamoto, K. Izumi, T. Yoshimura, N. Fujimura

The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019 2019年07月

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会議種別：ポスター発表
Electrocaloric temperature change in ferroelectric polymer thin film under AC electric field 国際会議

Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019 2019年07月

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会議種別：ポスター発表
Preparation of Cu₂O/ZnO Heterojunctions by Electrodeposition from Aqueous Solution 国際会議

S. Shiomoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Ashida

EM-NANO 2019 2019年06月

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会議種別：ポスター発表
溶媒和したレドックス活性分子が誘起する2D半導体の超高発光化国内会議

一宮永, 福井暁人, 青木佑樹, 山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第39回研究会（39th CHEMINAS） 2019年05月

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会議種別：ポスター発表
YbFe₂O₄マルチフェロイック薄膜の化学組成が電気・磁気的特性におよぼす影響国内会議

田中淳平, 三浦光平, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第36回強誘電体応用会議 2019年05月

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会議種別：ポスター発表
強相関系強誘電体 YMnO₃薄膜の光誘起物性国内会議

三浦光平, 田中淳平, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 中山正昭

第36回強誘電体応用会議 2019年05月

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会議種別：ポスター発表
HfO₂基スパッタリング薄膜の構造と誘電特性におよぼす酸素微量添加効果国内会議

高田賢志, 佐保勇樹, 桐谷乃輔, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第36回強誘電体応用会議 2019年05月

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会議種別：ポスター発表
交流磁界を利用する圧電発電素子国内会議

吉村武, 和泉享兵, 上野雄也, 巳波敏生, 村上修一, 藤村紀文

第36回強誘電体応用会議 2019年05月

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会議種別：ポスター発表
グラフェンナノリボを用いたネットワーク状構造の作製国内会議

青木佑樹, 山田悠貴, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

化学とマイクロ・ナノシステム学会第39回研究会（39th CHEMINAS） 2019年05月

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会議種別：ポスター発表
Time-Resolved Simulation of the Negative Capacitance Stage Emerging at the Ferroelectric/Semiconductor Hetero-Junction 招待国際会議

N. Fujimura, K. Takada, T. Yoshimura

2019 MRS Spring Meeting 2019年04月

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会議種別：ポスター発表
強相関系マルチフェロイック強誘電体薄膜の新展開招待国内会議

藤村紀文

新無機膜研究会第78回研究会 2016年03月
太陽電池窓層への応用を目指した電気化学成長ZnO薄膜の表面形態制御国内会議

今西剛士，芦田淳，吉村武，藤村紀文

応用物理学会界面ナノ電子化学研究会第2回ポスター発表展 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
常圧非平衡プラズマを用いた新規な酸化物薄膜の化学気相成長プロセス招待国内会議

藤村紀文，野瀬幸則，木口拓也，上原剛，吉村武，芦田淳

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月
β-Ga₂O₃単結晶基板上への(Hf,Zr)O₂薄膜の成長国内会議

高田賢志，小前智也, 木口拓也，野瀬幸則, 吉村武，芦田淳，藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
靴における圧電発電の検討国内会議

柿原凌汰，苅谷健人，松下裕司，吉村武，藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
(111)SrTiO₃基板上への(Ba,La)SnO₃薄膜の作製と特性評価国内会議

三浦光平，山下紘誉，小前智也，吉村武，芦田淳，藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜の電子状態とその光吸収特性への影響国内会議

樫本涼, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
Ba_1-xCa_xTiO₃/ZnOヘテロ接合の作製とバンド配置の決定国内会議

後田敦史，山田裕明，小前智也，吉村武，藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
正圧電応答における強誘電ドメインの寄与の解析国内会議

苅谷健人，荒牧正明，吉村武，藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
Growth and electrical properties of BiFeO₃-(Bi_1/2Na_1/2)TiO₃ thin films 国内会議

in Hong Choi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
振動発電応用に向けたBiFeO₃厚膜の作製国内会議

荒牧正明，苅谷健人，吉村武，村上修一、藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
Electronic states of Ce and magneto-transport characteristics in Ce doped Si films 国内会議

Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida, and N.Fujimura

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電子状態国内会議

野瀬幸則，木口拓也，岩崎裕徳, 吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
Carrier control in Ce doped Si thin films using organic ferroelectric-gate field effect transistors 国内会議

H. Nonami, Y. Miyata, T. Yoshimura and N. Fujimura

第7回U3-マテリアルデザインフォーラム 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
The wide effective temperature range of the electrocaloric effect in field-induced phase transition 国内会議

Y. Matsushita, T. Yoshimura and N. Fujimura

第7回U3-マテリアルデザインフォーラム 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
Development of novel conductive oxide film by dual magnetron sputtering 国内会議

H. Yamashita, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

第7回U3-マテリアルデザインフォーラム 2016年03月

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会議種別：ポスター発表
圧電効果を用いた靴発電の検討国内会議

柿原凌汰，苅谷健人，吉村武，芦田淳，藤村紀文

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体における電気熱量効果の直接測定国内会議

松下裕司，後田敦史，小前智也，吉村武，藤村紀文

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
低消費電力不揮発性メモリに向けた強誘電体/極性半導体ヘテロ接合の作製国内会議

後田敦史，山田裕明，小前智也，吉村武，藤村紀文

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体薄膜の格子整合成長に向けた新規下部電極の作製国内会議

山下紘譽，荒牧正明，吉村武，藤村紀文

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
Growth and electrical characterization of BiFeO₃ based piezoelectric films 国内会議

Choi Jin Hong, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体薄膜の圧電特性におけるドメイン壁の寄与国内会議

苅谷健人，吉村武，藤村紀文

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
圧電MEMS振動発電素子の高出力化に向けた検討国内会議

荒牧正明，苅谷健人，村上修一，吉村武，藤村紀文

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
Development of efficient piezoelectric energy harvester for human 国内会議

Ali Mohamed, T. Yoshimura, N. Fujimura

応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会 2016年02月

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会議種別：ポスター発表
正圧電応答を利用した新しい強誘電性ドメインの評価手法の提案国内会議

苅谷健人，吉村武，藤村紀文

第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会 2016年01月

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会議種別：ポスター発表
Crystal growth of (111) Ba1-xCaxTiO3 on (000 ) ZnO hetero-structure and its electrical property 国内会議

A.Nochida, H.Yamada, T.Yoshimura, A.Ashida and N.Fujimura

第25回　日本MRS年次大会 2015年12月

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会議種別：ポスター発表
Direct Measurement of Electrocaloric Effect in Barium Titanate Thin Films 国際会議

Y. Matsushita, T. Yoshimura and N. Fujimura

The Seventeenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 2015年11月

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会議種別：ポスター発表
Direct measurement of the electrocaloric effect in ferroelectrics using thin film thermocouple 国際会議

Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic 2015年11月

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会議種別：ポスター発表
Chemical vapor deposition of β-Ga2O3 films using non-equilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure 国際会議

T. Kiguchi, Y. Nose, K. Takada, T. Uehara, N. Fujimura

International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 2015年11月

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会議種別：ポスター発表
Electronic Structure and Energy Band Alignments at Interfaces between Stannate (CaSnO3, (Ba,La)SnO3) and SrTiO3 Epitaxial Thin Films Revealed by in-situ Photoelectron Spectroscopy 国際会議

J. D. Baniecki, T. Yamazaki, D. Ricinschi, Q. Van Overmeere, H. Aso, Y. Miyata, H. Yamada, N. Fujimura, and Y. Imanaka

STAC-9&TOEO-9 2015年10月

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会議種別：ポスター発表
Origin of photo-induced current for strongly correlated ferroelectric YMnO3 films 国際会議

L. Zhang, H. Uga, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

STAC-9&TOEO-9 2015年10月

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会議種別：ポスター発表
Low temperature Growth of YbFe2O4 electronic ferroelectric thin films with large optical absorption by using PLD method 国際会議

R. Kashimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura

STAC-9&TOEO-9 2015年10月

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会議種別：ポスター発表
Anomalous Magnetoresistance in Rare Earth, Ce, Doped Single Crystalline Si Epitaxial Films 国際会議

Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida, Y. Togawa, and N. Fujimura

NAMBE2015 2015年10月

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会議種別：ポスター発表
微量O2添加常圧N2プラズマの励起過程と高抵抗ZnO薄膜の作製国内会議

野瀬幸則，木口拓也，髙田賢志, 吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
Si-based nonvolatile field effect transistor using low temperature process 国際会議

Y. Miyata, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

Solid State Devices and Materials 2015 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光誘起電流の起源国内会議

張　楽駿，宇賀　洋志，芦田淳，吉村　武，藤村紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定の検討Ⅱ 国内会議

松下　裕司，吉村　武，藤村　紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
PLD法を用いたYbFe2O4薄膜成長時の組成変動に関する研究国内会議

樫本涼，吉村武，芦田淳，藤村紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
β-Ga2O3単結晶基板上でのBiFeO3強誘電体薄膜の成長国内会議

小前智也，高田賢志，吉村武，藤村紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
大気圧プラズマCVD法を用いたβ-Ga2O3薄膜の低温成長国内会議

木口拓也，野瀬幸則，髙田賢志，上原剛，藤村紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
大気圧非平衡プラズマを用いたZnO薄膜へのNドーピング国内会議

岩崎裕徳，野瀬　幸則，吉村　武，芦田　淳，上原　剛，藤村　紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
圧電MEMS振動発電素子の高出力化の検討国内会議

荒牧正明, 苅谷健人, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
正圧電効果による強誘電ドメインの観察国内会議

苅谷健人、吉村武、藤村紀文

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
Electrical properties of 100-oriented (1-x)BiFeO3-x(Bi0.5,K0.5)TiO3 thin films on LaNiO3 electrode 国内会議

Jin Hong Choi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
Control of hole density in acceptor co-doped Si:Ce films 国内会議

Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fuijmura

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年09月

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会議種別：ポスター発表
Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvesters Using BiFeO3 Films 国内会議

T.Yoshimura, K. Kariya, N. Fujimura, and S. Murakami

第34回電子材料シンポジウム 2015年07月

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会議種別：ポスター発表
Novel rare earth doping using surface re-construction of Ce doped Si films 国内会議

Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N.　Fujimura

第34回電子材料シンポジウム 2015年07月

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会議種別：ポスター発表
Transport characteristics of B co-doped Si:Ce films 国内会議

Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

第34回電子材料シンポジウム 2015年07月

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会議種別：ポスター発表
Contribution of excited species in N2 / O2 atmospheric pressure plasma to the chemical vapor deposition of ZnO films 国内会議

Y. Nose, T. Kiguchi, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, and N. Fujimura

第34回電子材料シンポジウム 2015年07月

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会議種別：ポスター発表
Switchable Photo-induced Current of Strongly Correlated Ferroelectric Thin Films 国際会議

N. Fujimura, H. Uga, L. Zhang, A. Ashida, and T. Yoshimura

EMN Cancun Meeting 2015年06月

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会議種別：ポスター発表
Numerical Analysis of Nonlinear Piezoelectric Vibrational Energy Harvesters 国内会議

Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, and N. Fujimura

第32回強誘電体応用会議 2015年05月

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会議種別：ポスター発表
Origin of the switchable photo-induced current in strongly correlated ferroelectrics, YMnO3 epitaxial films 国際会議

N. Fujimura, H. Uga, A. Ashida, and T.Yoshimura

E-MRS Spring Meeting 2015年05月

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会議種別：ポスター発表
Application of BiFeO3 films for MEMS vibration energy harvesters 国際会議

K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, and N. Fujimura

E-MRS Spring Meeting 2015年05月

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会議種別：ポスター発表
Simulation of Vibration Mode of Muti-Beam Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvesters 国際会議

S. Murakami, T. Yoshimura, K. Kariya, T. Nakajima, T. Nagataki, T. Nakade, K. Satoh, and N. Fujimura

015 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric (ISAF), International Symposium on Integrated Functionalities (ISIF), and Piezoresponse Force Microscopy Workshop (PFM) 2015年05月

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会議種別：ポスター発表
Growth and Characterization of BiFeO3-(Bi0.5K0.5)TiO3 Thin Films 国内会議

JinHong Choi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

第32回強誘電体応用会議 2015年05月

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会議種別：ポスター発表
強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光誘起電流と分極反転の相関国内会議

宇賀洋志、張楽駿、芦田淳、古川喜彬、中山正昭、藤村紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Growth process of ZnO films in N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure 国内会議

Yukinori Nose and Norifumi Fujimura

応用物理学会界面ナノ電子化学研究会第１回ポスター発表展 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Si-based non-volatile FET using Organic Ferroelectrics 国内会議

Yusuke Miyata and Norifumi Fujimura

応用物理学会界面ナノ電子化学研究会第１回ポスター発表展 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
エネルギー変換応用を指向した非鉛強誘電体薄膜の開発国内会議

吉村　武、藤村　紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
(111) Ba1-xCaxTiO3/ZnOヘテロ構造の作製とその電気的特性国内会議

山田　裕明、吉村　武、藤村　紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
B共添加がSi:Ce薄膜の表面形態・輸送特性に及ぼす影響国内会議

宮田　祐輔、植野　和也、吉村　武、芦田　淳、藤村　紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Theoretical Analysis of Nonlinear Response in Vibrational Energy Harvesters 国内会議

Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, N. Fujimura, N. Z. Elsayed, M. R. Ebeid and M. G. S. Ali

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
複数梁構造を有する圧電MEMS振動発電素子の振動解析国内会議

苅谷健人、吉村武、村上修一、藤村紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光吸収および発光特性とそれらの光誘起電流との相関国内会議

宇賀洋志、芦田淳、吉村武、古川喜彬、中山正昭、藤村紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
BiFeO3薄膜に用いる新規下部電極の検討国内会議

荒牧正明、苅谷健人、堂安豪、吉村武、藤村紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
MnドーピングがZnOホモエピタキシャル薄膜成長過程に与える影響国内会議

岩崎裕徳、野瀬　幸則、吉村　武、芦田　淳、藤村　紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
大気圧プラズマCVD法を用いた(-201)β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長国内会議

木口拓也、野瀬幸則、上原剛、藤村紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
ZnO単結晶基板上でのBiFeO3薄膜の成長国内会議

小前　智也、山田　裕明、吉村　武、藤村　紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Ce添加によるSi上Ge三次元ドット成長プロセスの変化国内会議

植野　和也、宮田　祐輔、吉村　武、芦田　淳、藤村　紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
RFマグネトロンスパッタ法による（100）BiFeO3/(100)LaNiO3ヘテロ構造の作製国内会議

堂安　豪、苅谷　健人、荒牧　正明、吉村　武、藤村　紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
電子強誘電体YbFe2O4エピタキシャル薄膜のキャリア伝導特性国内会議

樫本涼、吉村武、芦田淳、藤村紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定の検討国内会議

松下　裕司、吉村　武、藤村紀文

第62回応用物理学会春季講演会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Carrier transport properties of electronic ferroelectric YbFe2O4 epitaxial films 国内会議

Ryo Kashimoto, Takeshi Yoshimura, Athushi Ashida, Norifumi Fujimura

第6回U3-マテリアルデザインフォーラム 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
PLD法を用いた強誘電体薄膜の強誘電性及びピエゾ特性評価国内会議

天野　泰河、高田　瑶子、岡本　尚樹、齊藤　丈靖、近藤　和夫、吉村　武、藤村　紀文、樋口　宏二、北島　彰

化学工学会　第80回年会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
センシング応用に向けた非鉛強誘電体薄膜の開発国内会議

吉村　武、藤村　紀文

交通・電気鉄道/フィジカルセンサ研究会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
圧電MEMS振動発電素子の振動モード解析国内会議

村上修一、苅谷健人、吉村武、中嶋隆勝、長瀧敬行、中出卓男、佐藤和郎、藤村紀文

平成27年　電気学会全国大会 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Fabrication of lead-free (1-x)BiFeO3-x(Bi0.5,K0.5)TiO3 Thin films 国内会議

JinHong Choi, Takeshi Yoshimura, and Norifumi fujimura

第6回U3-マテリアルデザインフォーラム 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Orientation control of the electrochemically grown Cu2O thin films 国内会議

Xiangqian Zhao, Atsushi Ashida, Fumiaki Imanishi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

第6回U3-マテリアルデザインフォーラム 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
Fabrication of ultrathin ferroelectric / semiconductor heterostructure and analysis of its electrical conduction properties 国内会議

A.Nochida, H.Yamada, T.Komae, T.Yoshimura, N. Fujimura

第6回U3-マテリアルデザインフォーラム 2015年03月

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会議種別：ポスター発表
強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光吸収・発光特性と光誘起電流との相関国内会議

宇賀洋志，芦田淳，吉村武，藤村紀文

第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会 2015年01月

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会議種別：ポスター発表
Correlation between the Intra-atomic Mn3+ Photoluminescence and the photo-induced current in YMnO3 Epitaxial Films 国際会議

Norifumi Fujimura, Hiroshi Uga, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Yoshiaki Furukawa, Masaaki Nakayama

MRS Fall Meeting 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
Effects of the Ti layer on the contact resistance of -Ga2O3 single crystal substrate. 国際会議

G.Z.Yu, Y.Nose,T. Kiguchi, N.Fujimura

第24回日本ＭＲＳ年次大会 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
Orientation control of the electrochemically grown Cu2O films. 国際会議

Xiangqian Zhao, Atsushi Ashida, Fumiaki Imanishi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

第24回日本ＭＲＳ年次大会 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
Effects of spontaneous and piezoelectric polarization on the electric property of Zn1-xMnxO/ZnO hetero-interface. 国際会議

H.Iwasaki, Y.Nose, T.Nakamura, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura

第24回日本ＭＲＳ年次大会 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
Control of crystal structure of Ga2O3 films grown by atmospheric pressure plasma enhanced CVD(APE-CVD) system. 国際会議

T. Kiguchi, Y. Nose, T. Uehara, and N.Fujimura

第24回日本ＭＲＳ年次大会 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
Growth Process of ZnO films in N2/O2 Plasma Generated near Atomospheric Pressure. 国際会議

Y.Nose, T. Kiguchi, T.Uehara, N.Fujimura

第24回日本ＭＲＳ年次大会 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
Switchable Photo-Induced Phenomena of Strongly-correlated Ferroelectric Epitaxial Films 招待国際会議

N. Fujimura, H. Uga, T. Yoshimura and A. Ashida

第24回日本ＭＲＳ年次大会 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
The Effect of H2 Distribution in the PLZT Capacitors with Conductive Oxide Electrodes on the Degradation of Ferroelectric Properties 国際会議

Y. Takada, T. Amano, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, and A. Kitajima

MRS 2014 Fall Meeting 2014年12月

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会議種別：ポスター発表
Fundamental Physics and the device application of strongly-correlated ferroelectrics 招待国際会議

Norifumi Fujimura

International Seminar on Functional Ferroelectric Films for Future Electronic Devices and Systems 2014年11月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体トンネル接合素子における抵抗変化モデルの構築国内会議

後田敦史、山田裕明、吉村　武、藤村紀文

応用物理学会関西支部　平成26年度第2回講演会 2014年11月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体の相転移付近における電気熱量効果の解析国内会議

松下　裕司、吉村　武、藤村　紀文

応用物理学会関西支部　平成26年度第2回講演会 2014年11月

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会議種別：ポスター発表
Development of Distributed Parameter Model for MEMS Piezoelectric Energy Harvesters 国内会議

Ali M. Eltanany , T. Yoshimura, and N. Fujimura

応用物理学会関西支部　平成26年度第2回講演会 2014年11月

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会議種別：ポスター発表
BiFeO3薄膜の圧電MEMS振動発電応用国内会議

吉村　武、村上　修一、苅谷　健人、藤村　紀文

第55回真空に関する連合講演会　 2014年11月

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会議種別：ポスター発表
The output power of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters under random oscillation. 国際会議

K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

The 14th International Conference on Micro and Nanotechnology for Power Generation and Energy Conversion Applications 2014年11月

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会議種別：ポスター発表
Structure Modification of Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvesters using BiFeO3 thin films 国際会議

K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

4th international workshop on Piezoelectric MEMS 2014年10月

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会議種別：ポスター発表
Comparative study of the ferroelectric properties employed with Al:ZnO and Sn:In2O3 electrode PbLaZrTiOx capacitors 国際会議

Y. Takada, T. Amano, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, and A. Kitajima

Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session IWAPS Joint Conference 2014年10月

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会議種別：ポスター発表
Electrical and Mechanical Properties of Piezoelectric MEMS Vibrational Energy harvesters using BiFeO3 films. 国際会議

T. Yoshimura, K. Kariya, S. Murakami, and N. Fujimura

4th international workshop on Piezoelectric MEMS 2014年10月

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会議種別：ポスター発表
Transport Properties of Highly Ce Doped Si Films Grown by Low-temperature Molecular Beam Epitaxy. 国際会議

Yusuke Miyata, Norifumi Fujimura

18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2014) 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
非鉛強誘電体薄膜を用いた圧電MEMS振動発電国内会議

吉村　武、藤村　紀文

TARC ワークショップ 2014 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
BiFeO3薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の機械的・電気的特性国内会議

吉村　武、苅谷　健人、藤村　紀文、村上　修一

日本セラミックス協会　第27回秋季シンポジウム 2014年09月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）
ZnO基板上でのペロブスカイト型強誘電体薄膜の結晶成長国内会議

山田裕明、吉村武、藤村紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
常圧N2/O2リモートプラズマを用いたZnO薄膜のCVD成長における不純物取り込みと伝導機構国内会議

野瀬幸則，木口拓也，吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
有機強誘電体P(VDF-TrFE)を用いたCe添加Si薄膜の伝導制御国内会議

宮田祐輔，植野和也，吉村武，芦田淳，藤村紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
BiFeO3薄膜を用いた多自由度圧電 MEMS 振動発電素子の試作国内会議

苅谷健人，吉村武，村上修一，藤村紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光誘起電流とキャリア伝導国内会議

宇賀洋志，芦田淳，吉村武，藤村　紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造に及ぼす引張歪の影響国内会議

小前智也，荒牧正明，吉村武，藤村紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
ZnO/Zn1-xMnxO/ZnOヘテロ界面における二次元量子構造の形成と自発分極の影響国内会議

岩崎裕徳, 中村　立, 吉村　武, 芦田　淳, 藤村　紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
大気圧プラズマ CVD 法を用いたβ-Ga2O3薄膜の成長 II 国内会議

木口拓也，野瀬幸則，上原剛，藤村紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
BiFeO3薄膜の格子整合成長の検討国内会議

荒牧正明、苅谷健人、堂安豪、吉村武、藤村紀文

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
導電性酸化物電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と劣化機構国内会議

高田　瑶子、天野　泰河、岡本　尚樹、齊藤　丈靖、近藤　和夫、吉村　武、藤村　紀文、樋口　宏二、北島　彰

化学工学会　第46回秋季大会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
PLD法による強誘電体薄膜の配向性制御と電気特性国内会議

天野　泰河、高田　瑶子、岡本　尚樹、齊藤　丈靖、近藤　和夫、吉村　武、藤村　紀文、樋口　宏二、北島　彰

化学工学会　第46回秋季大会 2014年09月

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会議種別：ポスター発表
Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvester Using (100)BiFeO3/(100)LaNiO3 structure . 国際会議

Takeshi Yoshimura,Shuichi Murakami,Kento Kariya,Norifumi Fujimura

The 10th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics 2014年08月

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会議種別：ポスター発表
Piezoelectric vibrational energy harvesting using BiFeO3 films 招待国際会議

Takeshi Yoshimura,Shuichi Murakami,Kento Kariya,Norifumi Fujimura

IUMRS-ICA2014 2014年08月

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会議種別：ポスター発表
Electrical Characteristics of Non-volatile Silicon Thin Film Transistors Using Organic Ferroelectrics 国際会議

Yusuke Miyata,Takeshi Yoshimura,Atsushi Ashida,Norifumi Fujimura

The 10th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics 2014年08月

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会議種別：ポスター発表
Electrical Properties of Cu2O Thin Films Prepared by Electrochemical Process. 国際会議

A. Ashida, S. Sato, T. Yoshimura, and N. Fujimura

19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds 2014年08月

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会議種別：ポスター発表
Deposition of β-Ga2O3 films by atmospheric pressure plasma enhanced CVD 国内会議

T. Kiguchi, Y. Nose, T. Uehara, N. Fujimura

第33回電子材料シンポジウム 2014年07月電子材料シンポジウム運営委員会
再構成表面を利用した新規な希土類元素ドーピング　国内会議

宮田祐輔、植野和也、藤村紀文

平成26年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 2014年07月

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会議種別：ポスター発表
産業牽引型高度人材育成プログラムの将来（博士人材のキャリアパスを拓く）国内会議

藤村紀文

立命館大学びわこ・くさつキャンパス　ローム記念館 2014年07月大学電気系教員協議会
強誘電体エレクトロニクスの新展開　－安全・安心・エネルギーに貢献する次世代薄膜デバイス－招待国内会議

藤村紀文

日本セラミックス協会関西支部　第9回学術講演会 2014年07月日本セラミックス協会　関西支部
The roles of excited species on chemical vapor deposition of ZnO films using N2/O2 remote plasma generated near atomispheric pressure 国内会議

Y.Nose, T.Kiguchi, T.Yoshimura, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura

第33回電子材料シンポジウム 2014年07月電子材料シンポジウム運営委員会
Optical absorption and Luminescence of Strongly-Correlated Ferroelectric YMnO3 Thin Films 国内会議

H. Uga, K. Maeda, A. Ashida, T. Yoshimura, M. Nakayama, Y. Furukawa, N. Fujimura

第33回電子材料シンポジウム 2014年07月電子材料シンポジウム運営委員会
Two dimensional growth of homoepitaxial ZnO thin films on Zn-polar ZnO substrates 国内会議

H. Iwasaki, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

第33回電子材料シンポジウム 2014年07月電子材料シンポジウム運営委員会
Transport properties of highly Ce doped Si films grown by low-temperature molecular beam epitaxy 国内会議

Yusuke Miyata, Norifumi Fujimura

第33回電子材料シンポジウム 2014年07月電子材料シンポジウム運営委員会
Photoreflectance Mesurements of Si-based Diluted Magnetic Semiconductors, Si:Ce Thin Films 国内会議

K. Ueno, Y. Miyata, H. Nakata, N. Fujimura

第33回電子材料シンポジウム 2014年07月電子材料シンポジウム運営委員会
リーディングプログラムの概要と成果国内会議

藤村紀文

大阪府立大学工学部同窓会総会 2014年06月大阪府立大学工学部同窓会
ZnO薄膜の結晶成長とドーピング招待国内会議

藤村紀文

材料学会半導体エレクトロニクス部会 2014年06月
(100)LaNiO3下部電極の格子定数制御によるBiFeO3薄膜の圧電特性の向上国内会議

苅谷健人,吉村武,藤村紀文,村上修一

第３１回強誘電体応用会議 2014年05月強誘電体応用会議　運営委員会
Enhancement of Piezoelectric Properties of BiFeO3 Films for Vibration Energy Harvesting. 国際会議

Takeshi Yoshimura, Kento Kariya, Syuichi Murakami, Norifumi Fujimura

23rd IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF) International Workshop on Acoustic Transduction Materials and Devices (IWATMD) Piezoresponse Force Microscopy Workshop (PFM) 2014年05月

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会議種別：ポスター発表
薄膜の応力評価方法と応力誘起現象招待国内会議

藤村紀文

透明酸化物光・電子材料第166委員会　第63回研究会 2014年04月日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第166委員会
強誘電体の配向性制御による劣化特性の評価国内会議

天野泰河, 高田瑶子, 岡本尚樹, 齊藤丈靖, 近藤和夫, 吉村武, 藤村紀文, 樋口宏二, 北島彰, 大島明博

第16回化学工学会学生発表会 2014年03月公益社団法人　化学工学会
強誘電体ゲート絶縁膜に向けたBiFeO3薄膜の低温成長の検討国内会議

小前　智也、吉村　武、藤村　紀文

第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム 2014年03月
電気化学堆積法を用いて成長させたZnOの粒密度の製膜電位依存性国内会議

今西史明、芦田淳、佐藤俊祐、吉村武、藤村紀文

第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム 2014年03月
強磁性ZnO薄膜作製に向けたホモエピタキシャルZnO薄膜成長過程に関する研究国内会議

岩崎裕徳、中村立、藤村紀文、吉村武、芦田淳

第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム 2014年03月
格子定数変調型酸化物導電体の開発国内会議

荒牧正明、吉村武、藤村紀文

第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム 2014年03月Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム事務局
Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters using random oscillation 国内会議

K. Kariya, T. Yoshimura , S. Murakami, N. Fujimura,

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Control of the secondary effect on the pyroelectric properties of P(VDF/TrFE) thin films 国内会議

Y.Yachi, T.Yoshimura, N.Fujimura

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Chemical Vapor Deposition of ZnO Films using Remote Plasma Generated near Atmospheric Pressure 国内会議

Y. Nose, T. Kiguchi, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Analyses of Electrical and Gas Sensing Properties of Hydrothermal Titanate Nanotubes 国内会議

M.Ishii, J. Lee, M.Terauchi, T.Yoshimura, T.Nakayama, N.Fujimura

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Field-effect at polar-hetero-structures II 国内会議

H. Yamada, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Control of carrier concentration of electrochemically grown Cu2O by precipitation reaction process 国内会議

S. Sato, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Optical absorption and Luminescence Properties of Strongly-correlated Ferroelectric YMnO3 Thin Films 国内会議

宇賀洋志,前田和弘,芦田淳，吉村武,中山正昭,古川喜彬, 藤村紀文

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Formation of β-Ga2O3 films by atmospheric pressure plasma enhanced CVD 国内会議

T.Kiguchi, Y. Nose, T. Uehara, N. Fujimura

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Magnetovoltaic effect of highly Ce doped Si thin films Ⅱ 国内会議

宮田祐輔，吉村武，芦田淳，藤村　紀文

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Magnetovoltaic effect of highly Ce doped Si thin films I 国内会議

宮田祐輔，吉村武，芦田淳，藤村　紀文

2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年03月応用物理学会
Development of Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester Using (100) Oriented BiFeO3 Ferroelectric Film 国際会議

Shuichi. Murakami, Takeshi. Yoshimura, Kazuo. Satoh, Keisuke. Wakazono, Kento. Kariya, Norifumi. Fujimura

PowerMEMS2013 2013年12月 PowerMEMS2013
Development of Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvesters Using BiFeO3 Films 国際会議

Takeshi Yoshimura, Keisuke Wakazono, Kento Kariya, Norifumi Fujimura

16th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Materials 2013年11月 Jon-Paul Maria North Carolina State University
Anomalies at Neel Temperature in YMnO3 epitaxial films 国際会議

N.Fujimura

58th MMM Conference 2013年11月 American Institute of Physics
Effect of the concentration of oxygen sources on the lattice constant of electrochemically grown Cu2O thin films 国際会議

Syunsuke Sato, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials　　(ICAE 2013) 2013年11月 The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
Orientation control of BiFeO3 thin films by using LaNiO3 for vibration energy harvester application 国際会議

Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Syuichi Murakami, Norifumi Fujimura

The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials　　(ICAE 2013) 2013年11月 The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
Switchable Photo-Induced Current of Ferroelectric YMnO3 Epitaxial Films 招待国際会議

N.Fujimura

The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials　　(ICAE 2013) 2013年11月 The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
Enhancement of pyroelectric properties of P(VDF/TrFE) thin films on large thermal expansion substrates 国際会議

Yoshiki Yachi, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida and Norifumi Fujimura

16th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Materials 2013年11月 Jon-Paul Maria North Carolina State University
配向制御BiFeO3薄膜を用いた圧電MEMS振動発電国内会議

吉村武・苅谷健人・若園佳祐・藤村紀文・村上修一

公益社団法人日本セラミックス協会第26回秋季シンポジウム 2013年09月日本セラミックス協会
強誘電体薄膜の新展開～振動発電からTHzまで～国内会議

N.Fujimura

金属学会研究会 2013年09月金属学会
Field-effect at polar hetero-interfaces 国内会議

H. Yamada, T. Yoshimura and N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
The improvement of the pyroelectric properties of P(VDF/TrFE) thin films using the secondary effect 国内会議

Yoshiki Yachi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Piezoelectric Properties of BiFeO3 Thin Films Having a small Lattice Mismatching 国内会議

K. Wakazono, K. Ujimoto, T. Yoshimura, M. Aramaki and N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Conduction property of electrochemically grown Cu2O thin films evaluated by impedance analysis 国内会議

S. Sato, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Growth mechanism of ZnO films fabricated by atmospheric pressure plasma enhanced 国内会議

Y. Nose , T. Nakamura, T. Yoshimura , A. Ashida , T. Uehara , N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Magnetic properties of high Ce doped Si thin films using 3-fold periodic reconstructed surface structure 国内会議

Y.Miyata, T. Yoshimura, A. Atsushi, N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Photo-induced transport of electric ferroelectric YbFe2O4 epitaxial films 国内会議

H. Tanaka, A. Ashida, T. Yoshimura N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Photocatalytic Property of Hydrothermal TiO2 Nanotubes 国内会議

M.Ishii, J. Lee, M.Terauchi, T.Yoshimura, T.Nakayama, N.Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Switchable Photo-Induced Current of Ferroelectric YMnO3 Thin Films 国内会議

H. Uga, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Characterization of piezoelectric MEMs vibration energy harvesters using (100) orientated BiFeO3 films 国内会議

K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Wakazono, N. Fujimura

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年09月応用物理学会
Orientation Control of BiFeO3 Films for Vibrational Energy Harvesting 国際会議

T. Yoshimura, K. Kariya, K, Wakazono,N. Fujimura, S. Murakami

2013 JSAP-MRS Joint Symposia 2013年09月応用物理学会
Photo-induced phenomena of strongly correlated ferroelectrics, YMnO3,YbFe2O4 and BiFeO3 thin films 招待国際会議

N.Fujimura

2013 JSAP-MRS Joint Symposia 2013年09月応用物理学会
BiFeO3強誘電体薄膜を用いた圧電型振動発電デバイスの作製とその評価国内会議

村上修一,吉村　武,若園佳佑,苅谷健人,藤村紀文

電気学会　センサ・マイクロマシン部門（E部門）平成２５年度総合研究会 2013年08月電気学会
Effect of oxygen sources on the electrochemical growth process ofCu2O epitaxial films 国内会議

S. Sato, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

第32回電子材料シンポジウム 2013年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvester Using BiFeO3 Films 国際会議

Takeshi Yoshimura, Syuichi Murakami,Keisuke Wakazono, Kento Kariya, Norifumi Fujimura

2013 IEEE—UFFC joint symposia 2013年07月 IEEE
Nucleation and grain growth process of ZnO by electrochemical method 国内会議

A. Ashida, N. Nouzu, T. Yoshimura, N. Fujimura

第32回電子材料シンポジウム 2013年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Switchable photo-induced current of strongly correlated ferroelectric YMnO3 thin films 国内会議

H. Uga, Y. Okumura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第32回電子材料シンポジウム 2013年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Carrier inversion in Si based diluted magnetic semiconductor using organic ferroelectric as gate dielectric 国内会議

Y. Miyata, O. Kyohei, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第32回電子材料シンポジウム 2013年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Low temperature formation of ZnO films using non-equilibrium atmospheric pressure N2 plasma with small amount of O2 below 1% 国内会議

Y. Nose, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

第32回電子材料シンポジウム 2013年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Switchable photo-induced current of strongly correlated ferroelectric YMnO3 thin films 国際会議

N. Fujimura, Y. Okumura, H. Uga, T. Yoshimura, A. Ashida

The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2013年06月日本学術振興会　半導体界面制御技術第155委員会
Light-induced phenomena of strongly correlated ferroelectric thin films 招待国際会議

N. Fujimura

Collaborative Conference on Materials Research 2013年06月 OAHOST
Rare earth ion doping to semiconductors by molecular beam epitaxy : Ce Doped Si 国際会議

Y. Miyata, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 2nd International GIGAKU Conference in Nagaoka 2013年06月 IGCN Seering Committee
Formation of ZnO Films by Nonequilibrium Atmospheric Pressure N2 Plasma with Quite Small Amount of Additional O2 国際会議

Y. Nose, T. Nakamura, T. Uehara, N. Fujimura

8th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics 2013年05月日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第１６６委員
振動発電応用に向けたBiFeO3薄膜の圧電特性の向上国内会議

吉村武、氏本勝也、川原祐作、若園佳祐、苅谷健人、藤村紀文、村上修一

強誘電体応用会議 2013年05月強誘電体応用会議　運営委員会
BiFeO3薄膜を用いた圧電ＭＥＭＳ振動発電国内会議

吉村　武、村上　修一、若園　佳佑、苅谷　健人、藤村　紀文

第42回ＥＭシンポジウム 2013年05月電気学会　電子回路技術委員会
新規な強誘電体のデバイス応用：革新的太陽電池の開発を中心に招待国内会議

藤村紀文

大阪大学ナノ理工学コンソーシアム　「機能性酸化物による新奇ナノエレクトロニクス創製」研究会 2013年05月 (社)大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム
Near-surface structure of polar ZnO surfaces prepared by pulsed laser deposition 国際会議

T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

8th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics 2013年05月日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第１６6委員
Fabrication of electric ferroelectrics, YbFe2O4 epitaxial thin films and the photo-induced phenomena 国際会議

N. Fujimura, H. Yukawa, Y. Masuda

The 11th International Conference on Ferrites 2013年04月 the ICF International Committee
Control of carrier concentration of diluted magnetic semiconductor Si:Ce thin films using organic ferroelectric gate dielectrics 国際会議

Y. Miyata, Y. Okuyama, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

The 11th International Conference on Ferrites 2013年04月 the ICF International Committee
酸化物導電体を下部電極に用いた強誘電体キャパシタの特性評価国内会議

髙田瑶子，辻徹，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，吉村武，藤村紀文，樋口宏二，北島彰，大島明博

化学工学会第78年会 2013年03月化学工学会
不純物ドープSiの常温赤外発光国内会議

近藤佑亮，中田博保，奥山祥孝，宮田祐輔，藤村紀文

日本物理学会第68回年次大会 2013年03月日本物理学会
大気圧プラズマプロセスを用いて低温成長したZnO薄膜の電気特性国内会議

野瀬幸則，寺川卓摩，中村立，吉村武，芦田淳，藤村紀文

第4回 U3-マテリアルデザインフォーラム 2013年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
有機強誘電体の圧電性が焦電性に及ぼす影響国内会議

谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

第4回 U3-マテリアルデザインフォーラム 2013年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
振動発電応用に向けたSi上BiFeO3薄膜の配向制御と圧電特性国内会議

苅谷健人，吉村武，藤村紀文

第4回 U3-マテリアルデザインフォーラム 2013年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
BiFeO3薄膜を用いたMEMS振動発電素子の発電特性国内会議

若園佳佑，苅谷健人，吉村武，村上修一，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
六方晶YMnO3薄膜の光誘起電流Ⅲ 国内会議

宇賀洋志，奥村優太，芦田淳，吉村武，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
P(VDF-TrFE)薄膜の圧電特性が焦電特性に及ぼす影響国内会議

谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜の非線形圧電応答国内会議

氏本勝也，川原祐作，吉村武，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード国内会議

中村立，長田貴弘，早川竜馬，呉承俊，廣芝伸哉，藤村紀文，知京豊裕，若山裕

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
Zn極性ZnO基板上ZnMnO薄膜の成長モード制御国内会議

中村立，吉村武，芦田淳，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
振動発電応用に向けたLaNiO3を用いたBiFeO3薄膜の配向制御国内会議

苅谷健人，吉村武，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
ナノチャネルを有する強誘電体ゲートTFTの電気特性評価国内会議

野村侑平，吉村武，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
有機強誘電体をゲート絶縁膜に用いた希薄磁性半導体Si:Ce薄膜のキャリア制御国内会議

宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，吉村武，芦田淳，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
電気化学成長Cu2O薄膜の結晶性における電解液pH依存性国内会議

佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
MIS構造を用いた高濃度CeドーピングSi薄膜の評価国内会議

奥山祥孝，吉村武，宮田祐輔，芦田淳，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜の正方晶歪の制御とその圧電特性国内会議

川原祐作，氏本勝也，吉村武，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
大気圧非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の電気特性国内会議

野瀬幸則，寺川卓摩，中村立，吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

2013年第60回応用物理学会春季学術講演会 2013年03月応用物理学会
MEMS技術を使った振動発電デバイスの開発国内会議

村上修一，若園佳佑，苅谷健人，吉村武，長瀧敬行，中出卓男，中嶋隆勝，藤村紀文

平成25年電気学会全国大会 2013年03月電気学会
強誘電体を用いた新規な光電変換素子国内会議

藤村紀文

応物支部セミナー「太陽光エネルギーハーベスティングのための新しい光機能」 2013年01月応用物理学会
Fabrication of piezoelectric MEMS vibration energy harvester with low resonant frequency 国際会議

S. Murakami, T. Nagataki, T. Nakade, H. Miyabuchi, T. Yoshimura, N. Fujimura

37th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites 2013年01月
有機強誘電体/極性半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタにおける分極界面の電気的特性評価国内会議

山田裕明, 吉村武, 藤村紀文

第53回真空に関する連合講演会 2012年11月日本真空学会
ナノチャネルを有する強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製とその電気特性評価国内会議

野村侑平, 吉村武, 藤村紀文

第53回真空に関する連合講演会 2012年11月日本真空学会
有機強誘電体を用いた磁性半導体Si:Ce薄膜の電界効果国内会議

宮田祐輔, 高田浩史, 奥山祥孝, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第53回真空に関する連合講演会 2012年11月日本真空学会
Electrical properties of Sol-gel derived PbLaZrTiOx capacitors with nonnoble metal oxide top electrodes 国際会議

Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2012) 2012年10月 State Science (PRiME2012)実行委員会
非鉛強誘電体MEMSによる高出力振動発電デバイスの開発国内会議

藤村紀文

2012ナノ理工学セミナー「グリーンナノテクノロジー第3弾～創エネ科学技術の新展開～」 2012年10月 (社)大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム
Effect of the polarity on the initial state of interface formation in organic semiconductor/ZnO heterostructures 国際会議

T. Nakamura, T. Nagata, R. Hayakawa, S. Oh, N. Hiroshiba, N. Fujimura, T. Chikyow, and Y. Wakayama

The 7th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials 2012年09月
局所pH制御を利用した銅酸化物半導体材料の電析国内会議

佐竹唯大，八木俊介，芦田淳，藤村紀文

資源素材学会 2012年09月資源素材学会
大気圧非平衡窒素/酸素プラズマを用いたZnO薄膜の低温成長国内会議

野瀬幸則, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

平成24年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会 2012年09月日本材料学会
非貴金属酸化物電極による強誘電体キャパシタの安定性評価国内会議

髙田瑶子, 辻徹, 岡本尚樹, 齊藤丈靖, 近藤和夫, 吉村武, 藤村紀文, 樋口宏二, 北島彰, 大島明博

化学工学会第44回秋季大会 2012年09月化学工学会
TiO2ナノチューブガスセンサのセンシングメカニズム国内会議

石井将之, 吉村武, 藤村紀文, 寺内雅裕, 中山忠親

日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム 2012年09月日本セラミックス協会
強誘電体薄膜の挑戦招待国内会議

藤村紀文，吉村武

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた希薄磁性半導体Si:Ce薄膜のキャリア制御国内会議

宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，吉村武，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
大気圧非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の配向制御国内会議

野瀬幸則，吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜のドメイン構造が圧電特性におよぼす影響国内会議

氏本勝也，吉村武，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜の格子歪みが圧電特性におよぼす影響国内会議

川原祐作，氏本勝也，吉村武，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
強誘電体MEMS振動発電素子の動作特性の解析国内会議

吉村武, 宮渕弘樹, 村上修一, 藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜におけるLa置換の効果国内会議

若園佳佑, 川原祐作, 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
六方晶YMnO3薄膜の光誘起電流Ⅱ 国内会議

奥村優太，芦田淳，吉村武，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
P(VDF-TrFE)薄膜の圧電特性評価国内会議

谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の伝導キャリアに及ぼす影響国内会議

奥山祥孝，宮田祐輔，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
電気化学堆積法による(111) Pt上Cu2O薄膜成長国内会議

佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 2012年09月応用物理学会
Direct piezoelectric properties of strain engineered BiFeO3 epitaxial films 国際会議

K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 2012年09月
Nano-sized nucleus formation and growth of ZnO crystals by the electrochemical process 国際会議

A. Ashida, N. Nouzu, Y. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

European Materials Research Society 2012 Fall Meeting 2012年09月 European Materials Research Society
Characterization of ferroelectric MEMS vibration energy harvester. 国際会議

T. Yoshimura, S. Murakami, H. Miyabuchi, A. Ashida, N. Fujimura

International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 2012年09月

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会議種別：ポスター発表
強誘電体MEMS振動発電素子の動作特性の解析　国内会議

吉村武，宮渕弘樹，村上修一，藤村紀文

日本セラミックス協会第25回秋季シンポジウム 2012年09月

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会議種別：ポスター発表
Effects of La substitution for BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

K. Wakazono, Y. Kawahara, K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 9th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics 2012年08月 JKC-FE9 Conference Committee
The effect of crystallization process of P(VDF/TrFE) thin film on the ferroelectric properties 国際会議

Y. Yachi, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

The 9th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics 2012年08月 JKC-FE9 Conference Committee
Orientation control of low temperature grown ZnO films deposited using non-equilibrium atmospheric pressure N2/O2 plasma (大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いて低温成長した酸化亜鉛薄膜の配向制御) 国内会議

Y. Nose, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

第31回電子材料シンポジウム 2012年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Growth temperature and thickness dependences of crystal and micro domain structures of BiFeO3 epitaxial films 国際会議

K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

ISAF2012 2012年07月
Magneto-transport properties of YbFe2O4 epitaxial thin films 国内会議

Y. Masuda, H. Yukawa, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第31回電子材料シンポジウム 2012年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Magneto transport properties of Si:Ce magnetic semiconductor thin films 国内会議

Y. Miyata, Y. Okuyama, T, Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

第31回電子材料シンポジウム 2012年07月電子材料シンポジウム実行委員会
BiFeO3エピタキシャル薄膜の成長条件による結晶構造の制御とその圧電特性国内会議

川原祐作, 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

第29回強誘電体応用会議（FMA29) 2012年05月 FMA29)実行委員会
Effect of ferroelectric polarization on electronic transport properties in ferroelectric gate thin film transistor with ZnO channel 国際会議

H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

2012 MRS Spring Meeting 2012年04月 MRS
Investigation of gas sensing characteristics of TiO2 nanotube channel field effect transistor 国際会議

M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N. Fujimura

2012 MRS Spring Meeting 2012年04月 MRS
Characterization of direct piezoelectric properties of BiFeO3 films for vibration energy harvesting. 国際会議

T. Yoshimura, K. Ujimoto, S. Murakami, Y.Kawahara, N. Fujimura

2012 Material Research Society Spring Meeting 2012年04月

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会議種別：ポスター発表
非貴金属酸化物電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と評価国内会議

髙田瑶子，辻徹，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，吉村武，藤村紀文，北島彰，大島明博

第14回化学工学会学生発表会宇部大会 2012年03月化学工学会
高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の成長形態に及ぼす影響国内会議

奥山祥孝，高田浩史，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
六方晶YMnO3薄膜の光誘起電流国内会議

奥村優太，湯川博喜，芦田淳，吉村武，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の光誘起物性国内会議

湯川博喜，吉村武，芦田淳，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
P(VDF-TeFE)/ZnOヘテロ構造の電子輸送特性のチャネル膜厚依存性国内会議

山田裕明, 吉村武, 藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
強誘電体MEMS振動発電素子の試作とモデリング国内会議

宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果国内会議

高田浩史，奥山祥孝，宮田祐輔，吉村武，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
TiO2ナノチューブFETの電気伝導機構国内会議

石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
La置換したBiFeO3薄膜の作製と圧電特性国内会議

若園佳佑, 川原祐作, 吉村武, 藤村紀文

第3回U3-マテリアルデザインフォーラム 2012年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
Al/AlN/Si積層構造の正および逆圧電特性の評価国内会議

氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

第3回U3-マテリアルデザインフォーラム 2012年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
TiO2ナノチューブFETの電気伝導およびガスセンシング特性国内会議

石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

第3回U3-マテリアルデザインフォーラム 2012年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
希薄磁性半導体Si:Ce薄膜の磁気・伝導特性国内会議

宮田祐輔, 高田浩史, 奥山祥孝,　藤村紀文

第3回U3-マテリアルデザインフォーラム 2012年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
ZnO極性表面上へのペンタセン薄膜の成長と表面ポテンシャル評価国内会議

中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, 呉承俊, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕

平成23年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会 2012年03月日本材料学会
BiFeO3薄膜の振動発電応用国内会議

吉村武，村上修一，氏本勝也，川原祐作，藤村紀文

日本セラミックス協会2012年年会 2012年03月日本セラミックス協会
貴金属フリー酸化物電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と評価国内会議

辻徹，髙田瑶子，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，吉村武，藤村紀文，北島彰，大島明博

化学工学会第77年会 2012年03月化学工学会
Evaluation of Piezoelectric Properties of Al/AlN/Si Stack Structure for CMOS compatible MEMS 国内会議

K. Ujimoto, C. Vladimir, I. D. Wolf, M. Jambunathan, D. M. Karabacak, B. D. Bois, S. Severi, T. Yoshimura, N. Fujimura

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
圧電式振動発電素子の特性向上に対する物質科学的アプローチ国内会議

吉村　武，村上修一，氏本勝也，宮渕弘樹，川原祐作，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
P(VDF-TrFE)薄膜における結晶化が電気特性に及ぼす影響国内会議

谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
Si:Ce薄膜の磁気・輸送特性国内会議

宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性国内会議

増田佑介, 湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
電気化学成長Cu2O薄膜の配向制御国内会議

佐藤俊祐，芦田淳，近藤雄祐，八木俊介，吉村武，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
ZnO チャネル上へのナノギャップ電極の形成と伝導特性評価国内会議

野村侑平，山田裕明，吉村武，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
大気非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の成長形態国内会議

野瀬幸則，上原剛，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
ZnO極性表面上に成長したペンタセン薄膜の表面電位測定国内会議

中村立，長田貴弘，早川竜馬，呉承俊，廣芝伸哉，藤村紀文，知京豊裕，若山裕

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
格子歪を用いたBiFeO3エピタキシャル薄膜の正圧電特性の増幅国内会議

氏本勝也，吉村武，藤村紀文

2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会 2012年03月応用物理学会
Low temperature growth of ZnO films using atmospheric pressure N2/O2plasma 国際会議

Y. Nose, T.Uehara, N. Fujimura

4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2012年03月
Preparation and the properties of electronic　ferroelectrics, YbFe2O4 epitaxial films 国際会議

N. Fujimura

15th International Conference on Thin Films 2011年11月
Evaluation of Al-Doped ZnO top electrodes for PbLaZrTiOx capacitors 国際会議

T. Tsuji, Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Kitajima, A. Oshima

2011 MRS Fall Meeting 2011年11月 MRS
Direct piezoelectric property of BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

T. Yoshimura, K. Ujimoto, A. Ashida, N. Fujimura

15th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 2011年11月
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の光誘起物性招待国内会議

湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会 2011年10月日本材料学会
大気圧非平衡プラズマを用いたZnO薄膜の低温成長国内会議

野瀬幸則, 中村立, 上原剛, 藤村紀文

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
Alドープ酸化亜鉛電極を用いた強誘電体キャパシタの劣化特性評価国内会議

辻徹，髙田瑶子，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，吉村武，藤村紀文，北島彰，大島明博

化学工学会第43回秋季大会 2011年09月化学工学会
PZT薄膜における33モード正圧電特性の結晶構造および方位依存性国内会議

宮渕弘樹, 吉村武 , 村上修一, 藤村紀文

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
Si:Ce薄膜における三倍周期構造の形成過程国内会議

奥山祥孝, 高田浩史, 藤村紀文

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
ZnOチャネルFeFETの電子輸送特性における強誘電ドメインの影響国内会議

山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜の正圧電特性国内会議

氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜におけるドメイン構造と圧電特性の相関国内会議

川原祐作, 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
極性を有するZnO 基板上のペンタセン薄膜の成長過程国内会議

中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, 呉承俊, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
TiO2ナノチューブチャネルFETのガスセンサ特性国内会議

石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会 2011年09月応用物理学会
Fabrication of MFS capacitor using P(VDF-TeFE) organic ferroelectric layer on Si:Ce DMS films 国内会議

H. Takata, S. Sakurai, D. Shindo, T. Yoshimura, N. Fujimura

第30回電子材料シンポジウム 2011年06月電子材料シンポジウム実行委員会
The magnetic property of Si:Ce DMS with three-fold periodically surface structure（三倍周期表面構造を有する希薄磁性半導体Si:Ceの磁気特性）国内会議

Y. Okuyama, D. Shindo, S. Sakurai, N. Fujimura

第30回電子材料シンポジウム 2011年06月電子材料シンポジウム実行委員会
PZT薄膜の31,33モードにおける正圧電特性とエナジーハーベスタ応用国内会議

宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

第28回強誘電体応用会議（FMA28) 2011年05月 FMA28)実行委員会
強誘電体の分極状態とZnO薄膜の電子輸送特性の相関国内会議

山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

第28回強誘電体応用会議（FMA28) 2011年05月 FMA28)実行委員会
Influence of crystal system on ferroelectric properties of (001) BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

2011 MRS Spring Meeting 2011年04月 MRS
Polarization switching behavior of magnetoferroelectric YMnO3 epitaxial films 国際会議

T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

2011 MRS Spring Meeting 2011年04月 MRS
BiFeO3エピタキシャル薄膜の微細構造が圧電特性におよぼす影響国内会議

氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の作製とその分光特性国内会議

湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム 2011年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
強誘電体BiFeO3薄膜の分極ドメインおよび伝導領域の微視的観察国内会議

川原祐作, 吉村武, 藤村紀文

Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム 2011年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
P(VDF-TeFE)/ZnOヘテロ構造の電子輸送特性国内会議

山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム 2011年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
強磁性強誘電体YbMnO3薄膜の組成制御とその磁気および誘電特性国内会議

奥村優太, 前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム 2011年03月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果国内会議

高田浩史, 櫻井周作, 進藤大輔, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
Si:Ce薄膜におけるCeの固溶状態がその磁気特性に及ぼす影響国内会議

奥山祥孝, 進藤大輔, 櫻井周作, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
TiO2ナノチューブのガスセンサ特性の評価(2) 国内会議

石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
Zn極性及びO極性ホモエピタキシャルZnO薄膜の表面構造国内会議

中村立, 長田貴弘, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO-CVD装置の開発国内会議

野瀬幸則, 井手康太, 上原剛, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の光吸収特性国内会議

湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性 II 国内会議

宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
成長初期層制御による電気化学堆積 ZnO 連続薄膜の作製国内会議

能津直哉, 近藤雄祐, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
電気化学的手法によるZnOロッドの作製とその形態制御国内会議

近藤雄祐, 能津直哉, 芦田淳, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
背面露光法により作製した強誘電体ゲート TFT の電気特性国内会議

野村侑平, 福島匡泰, 前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
強誘電体の分極が ZnO 薄膜の伝導特性に与える影響 Ⅱ 国内会議

山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会 2011年03月応用物理学会
文部科学省科学技術振興調整費プロジェクト「地域・産業牽引型高度人材育成プログラム」の概要

藤村紀文

関西工学教育協会電気分科会研究会 2011年01月関西工学教育協会電気分科会研究会実行委員会
大阪府立大学における高度研究人材養成システム

藤村紀文

岐阜大学イノベーション創出若手人材養成シンポジウム 2010年12月岐阜大学イノベーション創出若手人材養成シンポジウム実行委員会
Effect of lattice misfit strain on crystal system and ferroelectric property of BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

K. Ujimoto, H. Izumi, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

International Congress on Ceramics (ICC) 2010年11月 ICC)実行委員会
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の成長とその物性

藤村紀文

相関電子系における電荷秩序と誘電異常-遷移金属酸化物と分子性化合物の最近の展開 2010年11月遷移金属酸化物と分子性化合物の最近の展開実行委員会
成長初期層制御した平坦化電気化学堆積ZnO薄膜国内会議

能津直哉，近藤雄祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成22年度第2回半導体エレクトロニクス部門研究会 2010年11月日本材料学会
Characterization of electric transport of field effect transistor with TiO2 nanotube channel 国際会議

M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N. Fujimura

3rd international congress on ceramics 2010年11月 ceramics実行委員会
ZnO thin films grown by electrochemical deposition method with pulsed electrolytic current and its electrical conductivity 国際会議

A. Ashida, T. Okuma, T. Nagata, N. Fujimura

3rd international congress on ceramics 2010年11月 ceramics実行委員会
ZnO crystal growth on micro electrode by electrochemical deposition method 国際会議

Y. Kondo, A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

3rd international congress on ceramics 2010年11月 ceramics実行委員会
Charactrization of direct piezoelectric effect for vibration energy harvesting 国際会議

T. Yoshimura, H. Miyabuchi, S. Murakami, A. Ashida, N. Fujimura

3rd international congress on ceramics 2010年11月 ceramics実行委員会
Characterization of direct piezoelectric properties of PZT films for vibration energy harvesting 国際会議

T. Yoshimura, H. Miyabuchi, A. Ashida, N. Fujimura

The 3rd international symposium on innovations in advanced materials for optics & electronics 2010年10月 electronics実行委員会
非金属電極/保護絶縁膜による強誘電体の劣化抑制効果国内会議

辻徹,　和泉要,　廣田祐一郎,　岡本尚樹,　齊藤丈靖,　近藤和夫,　吉村武,　藤村紀文,　北島彰,　大島明博

化学工学会第42回秋季大会 2010年09月回秋季大会実行委員会
大阪府立大学でのイノベーション創出若手研究人材養成のとりくみ国際会議

藤村紀文

産学連携による博士人材のキャリア形成教育プログラム　金沢大学キックオフ・セミナー 2010年09月金沢大学キックオフ・セミナー実行委員会
Initial growth process in the electrochemical deposition of ZnO 国際会議

A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

17th international conference on ternary and multinary compounds 2010年09月 compounds実行委員会
Device characterization of controlled polarization type ferroelectric gate TFT 国際会議

T. Yoshimura, T. Fukushima, A. Ashida, N. Fujimura

17th international workshop on oxide electronics 2010年09月 electronics実行委員会
Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate TFT using RC distributed constant circuit 国際会議

T. Fukushima, K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010) 2010年09月 SSDM2010)実行委員会
強誘電体ゲートTFTのRC分布定数回路を用いたインピーダンス解析国内会議

福島匡泰，前田和弘，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
強誘電体の分極がZnO薄膜の伝導特性に及ぼす影響国内会議

山田裕明，福島匡泰，髙田浩史，吉村武，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
TiO2ナノチューブのガスセンサ特性の評価国内会議

石井将之，寺内雅裕，吉村武，中山忠親，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
電気化学堆積法による微細電極上ZnO成長II 国内会議

近藤雄祐，能津直哉，芦田淳，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
強誘電体キャパシタ用Alドープ酸化亜鉛上部電極の作製と評価国内会議

辻徹,　和泉要,　廣田祐一郎,　岡本尚樹,　齊藤丈靖,　近藤和夫,　吉村武,　藤村紀文,　北島彰,　大島明博

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の作製と磁性および電気的特性評価国内会議

湯川博喜，廣瀬浩次，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
YMnO3薄膜の酸素含有量の制御とその誘電特性におよぼす影響国内会議

前田和弘，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
BiFeO3薄膜の正・逆圧電特性国内会議

氏本勝也，宮渕弘樹，川原祐作，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性国内会議

宮渕弘樹，氏本勝也，吉村武，村上修一，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
大気圧非平衡プラズマを用いたSi基板の酸窒化国内会議

井手康太，野瀬幸則，吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
Si:Ce への電界効果応用に向けた有機強誘電体 PVDF-TeFE の誘電特性評価国内会議

高田浩史，櫻井周作，進藤大輔，吉村武，藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
Ce添加に伴うSi:Ce薄膜の表面平坦化国内会議

進藤大輔，櫻井周作, 高田浩史, 藤村紀文

平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会 2010年09月応用物理学会
Electronic transport property of YbMnO3/ZnO heterostructure 国際会議

H. Yamada, T. Fukushima, S. Sakamoto, K. Masuko, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics 2010年08月 Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会
Controlled polarization type thin film transistors using ferroelectric/polar semiconductor interface 国際会議

N. Fujimura

2010 Taiwan-Japan bilateral technology interchange project “Workshop on transparent conductive oxide thin films　for electronics and optics in green energy” 2010年08月 Japan bilateral technology interchange project “Workshop on transparent conductive oxide thin films　for electronics and optics in green energy”実行委員会
Surface preparation of ZnO single-crystal substrate for the epitaxial growth of ZnO thin films 招待国際会議

T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) 2010年08月 16)実行委員会
Influence of target surface microstructure on the morphological and electrical properties of pulsed laser deposited BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) 2010年08月 16)実行委員会
Evaluation of aluminum-doped zinc oxide top electrode for sol-gel derived Pb(Zr,Ti)O3 capacitors 国際会議

K. Izumi, T. Tsuji, Y. Hirota, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Kitajima, A. Oshima

The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics 2010年08月 Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会
Polarization switching behavior of magnetoferroelectric RMnO3 epitaxial films at around the magnetic phase transition temperature 国際会議

T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics 2010年08月 Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会
Direct piezoelectricity of PZT films and application to vibration energy harvesting 招待国際会議

H. Miyabuchi, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics 2010年08月 Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会
Novel spintronics application of ZnO based DMS 国際会議

N. Fujimura, K. Masuko, T. Yoshimura, T. Nakamura, A. Ashida

12th international conference on modern materials and technologies(CIMTEC2010)(12th International Ceramics Congress) 2010年06月 Congress)実行委員会
Polarization switching of YMnO3 thin films at around magnetic transition temperature 国際会議

K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

12th international conference on modern materials and technologies(CIMTEC2010)(12th International Ceramics Congress) 2010年06月 Congress)実行委員会
BiFeO3エピタキシャル薄膜のナノ領域圧電・伝導特性招待国内会議

氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

第27回強誘電体応用会議(FMA27) 2010年05月 FMA27)実行委員会
分極機能型強誘電体ゲートTFTのデバイス特性評価国内会議

福島匡泰, 吉村武, 前田和弘, 芦田淳, 藤村紀文

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会　平成22年度第1回研究会 2010年05月

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会議種別：ポスター発表
強相関系物質のテラヘルツ関連物性国内会議

藤村紀文

テラヘルツ光応用研究会 2010年04月テラヘルツ光応用研究会実行委員会
電荷秩序型強誘電体YbFe2O4エピタキシャル薄膜の電気伝導特性国内会議

廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
Deposition of metal oxide thin film in supercritical carbon dioxide 国際会議

A. Kojima, Y. Hirota, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 5ht international symposium on material cycling engineering 2010年03月 engineering実行委員会
Improvement of ferroelectric properties by non-noble-metal-oxide-electrode and encapsulation layer 国際会議

K. Izumi, T. Tsuji, Y. Hirota, T. Saito, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 5ht international symposium on material cycling engineering 2010年03月 engineering実行委員会
RMnO3/ZnOへテロ構造デバイスのチャネル伝導特性国内会議

山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
強誘電体薄膜の正圧電特性と振動発電素子への応用国内会議

宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
分極機能型強誘電体ゲートTFTのデバイス特性評価国内会議

福島匡泰, 吉村武, 前田和弘, 芦田淳, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
Si:Ce(3×3)再構成表面を用いたCe高濃度ドーピングとその磁気特性に及ぼす影響国内会議

櫻井周作, 進藤大輔, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
電気化学堆積法による微細電極上ZnO成長国内会議

近藤雄祐, 能津直哉, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
誘電泳動法によって作製したTiO2ナノチューブFETの電気伝導特性の評価国内会議

石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜のネール点近傍における強誘電性分極反転ダイナミクス国内会議

前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜の強誘電特性に対する格子不整合歪の影響国内会議

氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
Pt電極上YbFe2O4エピタキシャル薄膜の成長とその電気特性国内会議

湯川博喜, 廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会 2010年03月応用物理学会
ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体窒化プロセス国内会議

藤村紀文

大気圧プラズマ研究会 2010年02月大気圧プラズマ研究会実行委員会
The effects of aluminum doping for the magneto-transport property of Si:Ce thin films 国際会議

D. Shindo, K. Fujii, T. Terao, S. Sakurai, N. Fujimura

11th joint magnetism and magnetic materials (MMM) intermag conference 2010年01月 conference実行委員会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における強誘電性分極反転ダイナミクス国内会議

前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

平成21年度第1回半導体エレクトロニクス部門研究会 2009年12月
Evaluation of hydrogen barrier thin film for FeRAM Integration 国際会議

T. Tsuji, K. Izumi, Y. Hirota, T. Saito, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 3rd SCEJ(kansai-branch)/SSCCI joint international conference on chemical engineering 2009年12月 branch)/SSCCI joint international conference on chemical engineering実行委員会
ZnMnO/ZnOヘテロ構造の作製とスピン依存伝導国内会議

益子慶一郎, 芦田淳, 藤村紀文

２００９多元系機能材料研究会 2009年12月多元系機能材料研究会実行委員会
TiO2ナノチューブの電気伝導特性の評価　Characterization of Electronic Conductance of TiO2 Nano Tube 国内会議

石井将之、吉村武、藤村紀文、中山忠親、新原晧一

U3-マテリアルデザインフォーラム 2009年12月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
圧電体薄膜の正圧電特性と振動発電素子への応用国内会議

宮渕弘樹, 吉村武, 藤村紀文

U3-マテリアルデザインフォーラム 2009年12月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
強誘電体ゲート/極性半導体チャネル電界効果型不揮発性トランジスタの分極間相互作用とデバイス物性国内会議

福島匡泰

U3-マテリアルデザインフォーラム 2009年12月マテリアルデザインフォーラム実行委員会
Si:Ce薄膜3×3表面再構成構造の高濃度Ceドーピングへの応用に関する検討国内会議

櫻井周作,寺尾岳見, 進藤大輔, 藤村紀文

平成21年度第1回半導体エレクトロニクス部門研究会 2009年12月
マルチフェロイクス物性の基礎と展望：強相関系物質のデバイス国内会議

藤村紀文

イムラ材研研究会2009年 2009年11月
強誘電体薄膜の圧電特性と発電デバイスへの応用国内会議

吉村武

イムラ材研研究会2009年 2009年11月
ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体プロセス国内会議

藤村紀文

大気圧プラズマ研究会 2009年10月
YbFe2O4エピタキシャル薄膜の成長とその物性　Epitaxial Growth and the Physical Properties of YbFe2O4 Thin Films 国内会議

藤村紀文

分子研研究会 2009年10月
チタニアナノチューブの電気伝導特性の評価 Characterization of Electronic Conductance of TiO2 Nano Tube 国内会議

石井将之, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文, 新原晧一

第29回エレクトロセラミックス研究討論会 2009年10月
磁性強誘電体RMnO3エピタキシャル薄膜のネール温度近傍における強誘電特性国内会議

吉村武，前田和弘，深江圭佑，芦田淳，藤村紀文

第29回エレクトロセラミックス研究討論会 2009年10月
Amorphous carbon film deposition for hydrogen barrier in FeRAM integration by radio frequency plasma chemical vapor deposition method 国際会議

T. Saito, K. Izumi, Y. Hirota, N. Okamoro, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 216th ECS meeting, Euro CVD 17 and CVD 17, and the 11th international symposium on solid oxide fuel cells (SOFC-XI) 2009年10月
YbMnO3エピタキシャル薄膜の強誘電特性および磁気特性国内会議

吉村武

フューチャー・フェロエレクトリックス～第1回・誘電体若手秋の学校～ 2009年10月
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移点近傍における分極反転挙動国内会議

前田和弘

フューチャー・フェロエレクトリックス～第1回・誘電体若手秋の学校～ 2009年10月
強誘電体BiFeO3 エピタキシャル薄膜のナノ領域圧電特性国内会議

氏本勝也

フューチャー・フェロエレクトリックス～第1回・誘電体若手秋の学校～ 2009年10月
電気化学堆積ZnO薄膜の成長初期過程国内会議

能津直哉, 先山晴香, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
RFプラズマCVD法による絶縁膜の形成と強誘電体の劣化保護効果国内会議

和泉要,　辻徹,　廣田祐一郎,　岡本尚樹,　齊藤丈靖,　近藤和夫,　吉村武,　藤村紀文

化学工学会第41回秋季大会 2009年09月化学工学会
高濃度Ceドーピングを目的としたSi:Ce薄膜(3Ｘ3)表面再構成構造の応用国内会議

櫻井周作, 寺尾岳見, 進藤大輔, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすアクセプタドーピングの効果国内会議

進藤大輔, 藤井賢治, 寺尾岳見, 櫻井周作, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
インピーダンス分光法による分極機能型強誘電体ゲートTFTの動作特性の解析国内会議

吉村武, 福島匡泰, 芦田淳, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の分極反転に及ぼす磁気スピン間相互作用の影響国内会議

前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
BiFeO3エピタキシャル薄膜の微視的圧電・伝導特性国内会議

氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
電荷秩序型強誘電体YbFe2O4薄膜の成長におよぼす酸素分圧の効果国内会議

廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
ガン型プラズマ源を用いた大気圧非平衡窒素プラズマ国内会議

井手康太, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年09月応用物理学会
Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすアクセプタドーピングの効果国内会議

進藤大輔, 藤井賢治, 寺尾岳見, 櫻井周作, 藤村紀文

第28回電子材料シンポジウム 2009年07月電子材料シンポジウム実行委員会
圧電体薄膜のグリーンデバイス応用国内会議

藤村紀文

半導体プロセス基礎討論会 2009年07月
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移点近傍における分極反転挙動国内会議

前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

第26回強誘電体応用会議 2009年05月強誘電体応用会議実行委員会
Fabrication and magneto-transport properties of Zn0.88Mn0.12O/ZnO 国際会議

K. Masuko, T. Nakamura, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics (TOEO-6) 2009年04月
反磁性強誘電体YMnO3薄膜のネール点近傍における分極反転挙動国内会議

前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

第一回機能物性酸化物/薄膜研究会 2009年04月
Surface morphology of homoepitaxial ZnO thin films grown on Zn-polar ZnO substrates 国際会議

T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics (TOEO-6) 2009年04月
Control of cathodic potential for deposition of ZnO by constant current electrochemical method 国際会議

N. Nouzu, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics (TOEO-6) 2009年04月
CNTを用いたZnOナノ結晶の電気化学的成長国内会議

先山晴香，吉村武，芦田淳，藤村紀文

日本セラミックス協会2009年年会 2009年03月日本セラミックス協会
Zn0.88Mn0.12O/ZnOヘテロ構造におけるスピン依存伝導現象国内会議

益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年03月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における分極反転挙動国内会議

前田和弘，吉村武，藤村紀文

平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年03月応用物理学会
低温成長磁性強誘電体YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気特性国内会議

深江圭佑，前田和弘，吉村武，藤村紀文

平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年03月応用物理学会
発光分光分析を用いた電荷秩序型強誘電体YbFe2O4薄膜の成長過程の評価国内会議

廣瀬浩次，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年03月応用物理学会
YMnO3/ZnOヘテロ構造における分極間相互作用を用いた新規なデバイスII 国内会議

坂本真哉，福島匡泰，吉村武，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年03月応用物理学会
分極機能型強誘電体ゲートTFTの動作特性国内会議

福島匡泰，吉村武，益子慶一郎，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年03月応用物理学会
PLD法によるBiFeO3 薄膜作製におけるドロップレットの低減国内会議

氏本勝也，吉村武，藤村紀文

平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年03月応用物理学会
Spin Dependent Transport in ZnMnO/ZnO Hetero-structure 招待国際会議

N. Fujimura

Material Research Soc. Fall Meeting 2008年12月
ユビキタス社会の半導体メモリ最前線国内会議

藤村　紀文

電子物理から情報化社会・高度福祉型社会への貢献 2008年12月

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会議種別：ポスター発表
ZnO基板上に作製したZn1-xMnxO薄膜の磁気特性国内会議

益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動2 国内会議

前田和弘，吉村武，藤村紀文

日本物理学会講演会　2008年秋季大会 2008年09月日本物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動1 国内会議

吉村武，前田和弘，深江圭佑，藤村紀文

日本物理学会講演会　2008年秋季大会 2008年09月日本物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における分極反転挙動国内会議

吉村武，前田和弘，深江圭佑，芦田淳，藤村紀文

日本セラミックス協会　第21回秋季シンポジウム 2008年09月日本セラミックス協会
電気化学的堆積法による多結晶Au基板上ZnO薄膜の結晶形態制御国内会議

芦田淳，藤田章雄，先山晴香，吉村武，藤村紀文，中平敦

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
YMnO3 / ZnO ヘテロ構造における分極間相互作用を用いた新規なナノデバイス国内会議

坂本真哉，福島匡泰，吉村武，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
Ceをδ-ドーピングしたSi/Ce/Si薄膜の磁気輸送特性国内会議

寺尾岳見，藤井賢治，進藤大輔，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
分極機能型強誘電体ゲートTFTの提案とデバイス特性の評価国内会議

吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
MIS構造を用いたSi:Ce薄膜の評価国内会議

進藤大輔，寺尾岳見，藤井賢治，吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
電気化学的堆積法によるPt(111)/sapphire(0001)上ZnOエピタキシャル薄膜の結晶形態制御国内会議

先山晴香，能津直哉，芦田淳，益子慶一郎，吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気相転移近傍での分極反転挙動国内会議

深江圭佑，前田和弘，吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
導電性AFMプローブを用いたBiFeO3 エピタキシャル薄膜のリーク電流測定国内会議

氏本勝也，吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
電荷秩序型強誘電体YbFe2O4エピタキシャル薄膜の作製（Ⅱ）国内会議

廣瀬浩次，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
ZnO/YMnO3/Pt構造を有する分極機能型強誘電体ゲートTFTの電気的特性国内会議

福島匡泰，吉村武，益子慶一郎，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動国内会議

前田和弘，吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
Zn0.88Mn0.12O/ZnOへテロ構造の磁気抵抗におけるs-d交換相互作用の効果国内会議

益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会 2008年09月応用物理学会
Electron Transport Properties of ZnMnO/ZnO Modulation-doped Heterostructures 国際会議

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

5th International Workshop on ZnO and Related Materials 2008年09月

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会議種別：ポスター発表
Electron Transport Properties of ZnMnO/ZnO Modulation-doped Heterostructures. 国際会議

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

5th International Workshop on ZnO and Related Materials 2008年09月

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会議種別：ポスター発表
Epitaxial Growth of Charge Ordering Type Ferroelectrics YbFe2O4 国際会議

K. Hirose, K. Imamura, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

The 7th Korea-Japan Conference Ferroelectricity (KJC-07) 2008年08月

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会議種別：ポスター発表
Polarization Switching Characteristics of YMnO3 Thin Film at around Magnetic Phase Transition Temperature. 国際会議

T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida and N. Fujimura

The 7th Korea-Japan Conference Ferroelectricity (KJC-07) 2008年08月

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会議種別：ポスター発表
Ferroelectric and Magnetic Properties of (0001)YbMnO3 Epitaxial Thin Films. 国際会議

T. Yoshimura, K. Fukae, K. Maeda, A. Ashida and N. Fujimura

The 7th Korea-Japan Conference Ferroelectricity (KJC-07) 2008年08月

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会議種別：ポスター発表
異種ドメイン間相互作用の科学とデバイス応用国内会議

藤村　紀文

異種ドメイン間相互作用研究会 2008年07月

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会議種別：ポスター発表
分極機能型薄膜トランジスタの提案とその基礎特性国内会議

藤村紀文, 福島　匡泰, 吉村　武

第25回　強誘電体応用会議 2008年05月

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会議種別：ポスター発表
新学術領域や新たな技術シーズを創製できる若手研究者育成プログラム構想国内会議

藤村　紀文

大阪府立大学　産学協同高度人材育成センター講演会 2008年04月

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会議種別：ポスター発表
ZnMnO/ZnOヘテロ構造のキャリア輸送特性国内会議

益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

日本セラミックス協会2008年年会 2008年03月日本セラミックス協会
Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすB添加の効果国内会議

藤井賢治，寺尾岳見，進藤大輔

平成20年度春季第55回応用物理学関係連合講演会 2008年03月応用物理学会
YbMnO3エピタキシャル薄膜の強誘電性および磁気特性国内会議

深江圭佑，前田和弘

平成20年度春季第55回応用物理学関係連合講演会 2008年03月応用物理学会
強誘電体YMnO3/磁性半導体Si:Ceヘテロ界面の誘電特性国内会議

進藤大輔，前田和弘

平成20年度春季第55回応用物理学関係連合講演会 2008年03月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍におけるC-V特性国内会議

前田和弘

平成20年度春季第55回応用物理学関係連合講演会 2008年03月応用物理学会
電化秩序型強誘電体YbFe2O4薄膜の作製と評価国内会議

今村謙，吉村武，藤村紀文

日本セラミックス協会2008年年会 2008年03月日本セラミックス協会
ZnOとYMnO3による強誘電体ゲートFETの電気特性国内会議

福島匡泰，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

日本セラミックス協会2008年年会 2008年03月日本セラミックス協会
強誘電体ゲートトランジスタの問題点と今後の展望国内会議

藤村　紀文

ユビキタス志向ナノマテリアル・プロセス技術調査専門委員会 2008年03月

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会議種別：ポスター発表
ユビキタス社会の本命メモリ：キーワードは不揮発性・超高密度国内会議

藤村　紀文

第44回テクノラボツアー「ユビキタスネット社会技術を探る」 2008年03月

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会議種別：ポスター発表
ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体プロセス招待国内会議

藤村　紀文

大気圧プラズマ研究会 2008年02月

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会議種別：ポスター発表
大気圧プラズマを用いた半導体の窒化招待国内会議

藤村　紀文

半導体プロセス基礎討論会 2008年01月

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会議種別：ポスター発表
Multiferroic Behaviors of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial Films. (Invited) 招待国際会議

N. Fujimura

Material Research Soc. Fall Meeting 2007年12月 MRS
六方晶系RMnO3エピタキシャル膜のマルチフェロイック物性とそのFETへの応用（招待講演）招待国内会議

藤村紀文

日本MRSシンポジウム「ドメイン構造に由来する物性発現と新機能材料」 2007年12月日本MRS
Spin-dependent Transport in ZnMnO/ZnO Heterostructure. 国際会議

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

52nd Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2007) 2007年11月
Dielectric properties of ferroelectric/DMS heterointerface using YMnO3 and Ce doped Si. 国際会議

D. Shindo, T. Yoshimura and N. Fujimura

5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-Ⅴ) 2007年11月
Effect of Electrically Degenerated Layer on the Carrier Transport Property of ZnO Epitaxial Thin Films on YSZ. 国際会議

S. Sakamoto, T, Oshio, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-Ⅴ) 2007年11月
Controlled polarization type FET with a Ferroelectric gate and a polar semiconductor. 国際会議

N. Fujimura

14th International Workshop on Oxide Electronics 2007年10月
Magnetic and Magneto-transport Properties of ZnMnO/ZnO Heterostructure. 国際会議

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007) 2007年10月
Electro-optic property of ZnO:Mn epitaxial films. 国際会議

T. Oshio, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007) 2007年10月
Magnetic Properties of Si:Ce Thin Films with High Ce Concentration. 国際会議

T. Terao, D. Shindo, K. Fujii and N. Fujimura

Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium (Handai Nano Symposium) 2007年09月
BiFeO3-LaAlO3固溶体の作製とその誘電特性国内会議

泉宏和

平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3エピタキシャル薄膜の分極反転挙動国内会議

前田和弘

平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月応用物理学会
強誘電体上への磁性半導体Si:Ce薄膜の成長国内会議

進藤大輔，寺尾岳見

平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月応用物理学会
Ceを高濃度に添加した極薄Si:Ce薄膜の構造評価とその磁気特性国内会議

寺尾岳見，藤井賢治，西村吉弘

平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会 2007年09月応用物理学会
電荷秩序型強誘電体YFe2O4-xの電気伝導特性国内会議

吉村武，今村謙，堀部陽一，藤村紀文，森茂生，池田直

日本セラミックス協会第20回秋季シンポジウム 2007年09月日本セラミックス協会
強誘電体ゲートカーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ作製とその電気特性国内会議

吉村武，櫻井達也，秋田成司，藤村紀文，中山喜萬

日本セラミックス協会第20回秋季シンポジウム 2007年09月日本セラミックス協会
Effect of spin polarization on the electron transport in modulation-doped ZnMnO/ZnO heterostructure. 国際会議

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium (Handai Nano Symposium) 2007年09月
Magnetic and Dielectric Properties of Yb(Mn1-xAlx)O3 Thin Films. 国際会議

K. Fukae, T. Takahashi, T. Yoshimura and N. Fujimura

The 16th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2007) 2007年05月 IEEE
Influence of Antiferromagnetic Ordering on Ferroelectric Polarization Switching of YMnO3 Epitaxial Thin Films. 国際会議

K. Maeda, T. Yoshimura and N. Fujimura

The 16th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2007) 2007年05月 IEEEE
Ce高濃度添加Si:Ce薄膜の磁気特性国内会議

寺尾岳見，西村吉弘，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
YMnO３の強誘電性－常誘電性相転移のラマン散乱観察国内会議

福村秀夫，播磨弘，木曽田賢治，高橋哲也，吉村武，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
大気圧非平衡窒素プラズマを用いたGe窒化膜の作成国内会議

安部拓也，吉田真司，吉村武，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
BiFeO3の電気、磁気性におぼすBサイトへのMn置換効果国内会議

片山知，乾真介，泉宏和，吉村武，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
Yb(Mn1-xAlx)O3薄膜の磁気・誘電特性国内会議

深江圭佑，高橋哲也，吉村武，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
PLD法で作製したZnMnO薄膜の圧電特性の評価国内会議

先山晴香，大塩武士，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
ZnO極薄膜の作製とその電子輸送特性国内会議

坂本真哉，大塩武士，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
大気圧非平衡プラズマプロセスのHigh-k材料への応用国内会議

吉田真司, 西嶋正憲, 吉村武, 功刀俊介, 上原剛, 藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
YMnO３エピタキシャル薄膜の強誘電性分極反転に及ぼす反強磁性秩序の影響国内会議

前田和弘，吉村武，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
YbFe2O4薄膜の作製国内会議

今村謙，吉村武，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
エピタキシャルBiFeO3薄膜の成長初期過程国内会議

乾真介，泉宏和，片山知，吉村武，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
レーザーアブレーション飛散粒子の状態がエピタキシャル界面に及ぼす影響Ⅱ 国内会議

西嶋正憲，吉村武，藤村紀文

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
強磁性強誘電体YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気秩序国内会議

高橋哲也，吉村武，藤村紀文，福村秀夫，播磨弘

平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会 2007年03月応用物理学会
マルチフェロイック物性とその分極機能型FETへの応用招待国内会議

藤村紀文

セイコーエプソン　研究会 2007年02月
Magnetic Frustration Behavior of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial films. 国際会議

N. Fujimura

10th JOINT MMM/INTERMAG CONFERENCE 2007年01月
Effects of the Ce Concentration and the Carrier Concentration on the Magnetic Properties of Low Temperature grown Si:Ce Thin Films. 国際会議

T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo and N. Fujimura

10th JOINT MMM/INTERMAG CONFERENCE 2007年01月
Novel Application of ZnO Thin Films 招待国際会議

N. Fujimura

India-Japanese Workshop on ZnO Materials and Devices 2006年12月
IＴ型強誘電体メモリの現状と分極機能型トランジスタ国内会議

藤村紀文

日本学術振興会　薄膜第131委員会　第227回委員会・第233回研究会 2006年12月
RMnO3(R=Y, Yb) エピタキシャル薄膜のマルチフェロイック物性とそのデバイス応用国内会議

藤村紀文

日本学術振興会アモルファス・ナノ材料第147委員会定例研究会 2006年12月
Multiferroic Behaviors of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial Film. 国際会議

N. Fujimura, T. Takahashi, K. Maeda and T. Yoshimura

Material Research Society Fall Meeting 2006年11月 MRS
Magnetic and Ferroelectric Properties of YMnO3 Epitaxial Thin Films. 国際会議

K. Maeda, T. Yoshimura and N. Fujimura

Material Research Society Fall Meeting 2006年11月 MRS
Conduction Characteristics of Charge Ordering Type Ferroelectrics, YFe2O4-δ 国際会議

K. Imamura, Y. Horibe, T. Yoshimura, N. Fujimura, S. Mori, N. Ikeda

Material Research Society Fall Meeting 2006年11月 MRS
Polarization Control Type FET with a Ferroelectric Gate and a Polar Semiconductor. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura and R. Arai

Material Research Society Fall Meeting 2006年11月 MRS
Cross-Correlation of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

N. Fujimura, T. Takahashi and T. Yoshimura

XIII International Workshop on Oxide Electronics 2006年10月
Mn Concentration Dependence of Optical Property of ZnMnO Thin Films. 国際会議

T. Fukushima, K. Masuko, N. Fujimura, H. Tanaka and M. Nakayama

XIII International Workshop on Oxide Electronics 2006年10月
Controlled Polarization Type FET with a Ferroelectric Gate and a Polar Semiconductor. 国際会議

N. Fujimura, R. Arai and T. Yoshimura

XIII International Workshop on Oxide Electronics 2006年10月
ZnMnO/ZnOヘテロ界面の磁気輸送特性国内会議

益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
Pb(Zr, Ti)O3/ZnOヘテロ構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの電気特性国内会議

新井涼太，益子慶一郎，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月
ZnOをチャネルに用いた強誘電体ゲートFETの作製とその電気的特性国内会議

吉村武，新井涼太，益子慶一郎，芦田淳，藤村紀文

日本セラミックス協会 2006年09月日本セラミックス協会
大気圧非平衡プラズマのガン型プラズマ源への応用国内会議

中永麻理，吉村武，上原剛，功刀俊介，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
レーザアブレーション飛散粒子の状態がエピタキシャルY2O3/Si界面におよぼす影響国内会議

西嶋正憲，吉村武，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
磁性強誘電体YMnO3エピタキシャル薄膜の誘電特性の改善とその磁気および誘電特性国内会議

前田和弘，吉村武，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
強誘電性YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気特性（Ⅱ）国内会議

高橋哲也，吉村武，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
電荷秩序型強誘電体YFe2O4-δの電気伝導特性国内会議

今村謙，堀部陽一，吉村武，藤村紀文，森茂生，池田直

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
共振周波数で生成した大気圧非平衡窒素プラズマがSi窒化膜の誘電特性に与える影響国内会議

吉田真司，中永麻理，吉村武，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
磁性半導体Si:Ceを用いたMISキャパシタの誘電特性の改善国内会議

進藤大輔，西嶋正憲，吉村武，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
強誘電体ゲート薄膜トランジスタを用いたZnOの物性評価国内会議

福島匡泰，新井涼太，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
Si:Ce薄膜の磁気特性・磁気輸送特性におよぼすキャリア濃度の影響国内会議

寺尾岳見，西村吉弘，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
ZnO:Mn/Pt/c-sapphireにおけるPtのエピタキシーとZnO:Mnの誘電・圧電特性の検討国内会議

大塩武士，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会 2006年09月応用物理学会
Nonvolatile Memory Operation of Ferroelectric-Gate ZnO Channel Thin-film Transistors. 国際会議

T. Yoshimura, R. Arai, K. Masuko, A. Ashida, N. Fujimura

The 6th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics(第６回日韓強誘電体会議JKC-FE06） 2006年08月
Preparation og ZnMnO Thin Films on ZnO Single Crystal Substrate (000-1) and its Magnetic Properties. 国際会議

K. Masuko, T Fukushima, A Ashida, T Yoshimura, N Fujimura

The 17th International Conference on Magnetism 2006年08月
Magnetic Properties of Low Temperature Grown Si:Ce Thin Films on (001) Si Substrate. 国際会議

T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo and N. Fujimura

The 17th International Conference on Magnetism 2006年08月
Electrical Conduction Properties of Charge Ordering Type Ferroelectrics YFe2O4-δ 国際会議

K. Imamura, Y. Horibe, T. Yoshimura, N. Fujimura, S. Mori, N. Ikeda

The 6th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics(第６回日韓強誘電体会議JKC-FE06） 2006年08月
Effect of Ce Concentration on the Magnetic Property of Si:Ce DMS Films Grown by Low Temperature MBE Method.（低温MBE 法によって成長したSi:Ce 希薄磁性半導体薄膜の磁気特性に及ぼすCe 濃度の効果）国内会議

T. Terao and N. Fujimura

第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25) 2006年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Fabrication and Electrical Characterization of ZnO/YMnO3 Ferroelectric Gate Piezoelectric-Semiconductor Thin-film Transistors. 国際会議

T. Yoshimura, R. Arai, K. Masuko, A. Ashida, N. Fujimura

IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics 2006年07月 IEEE
PLD法によるYMnO3薄膜の作製と磁性―強誘電性相関現象国内会議

前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

日本セラミックス協会関西支部第一回関西支部学術講演会 2006年07月日本セラミックス協会
電荷秩序型強誘電体YFe2O4-δの電気伝導特性国内会議

今村謙，堀部陽一，吉村武，藤村紀文，森茂生，池田直

日本セラミックス協会関西支部第一回関西支部学術講演会 2006年07月日本セラミックス協会
PLD法を用いたBiFeO3薄膜の作製におけるアブレーション状態の評価国内会議

乾真介, 吉村武, 藤村紀文

日本セラミックス協会関西支部第一回関西支部学術講演会 2006年07月日本セラミックス協会
Effect of Applied Voltage Frequency on the Nitridation Process of Si by Atomospheric Pressure Nitrogen Plasma（大気圧非平衡窒素プラズマ生成時の印加電圧周波数が窒化過程におよぼす効果）国内会議

M. Yoshida, M. Nakae, R. Hayakawa, S. Kunugi, T. Uehara, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25) 2006年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Mn Concentration Dependence of Optical Property of ZnMnO Thin Films（ZnMnO 薄膜の光学特性のMn 濃度依存性）国内会議

T. Fukushima, K. Masuko, T. Oshio, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura, H. Tanaka and M. Nakayama

第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25) 2006年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Preparation and the dielectric properties of MIS capacitor with Si:Ce DMS（希薄磁性半導体Si:Ce 薄膜を用いたMIS キャパシタの作製とその誘電特性）国内会議

D. Shindo, T. Terao, M. Nishijima, K. Haratake, T. Yoshimura and N. Fujimura

第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25) 2006年07月電子材料シンポジウム実行委員会
強磁性強誘電体YbMnO3薄膜の作製国内会議

高橋哲也, 吉村武, 藤村紀文

平成18年度第22回強誘電体応用会議(FMA-23) 2006年05月強誘電体応用会議実行委員会
Multi-Ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

N.Fujimura,T.Takahashi,T.Yoshimura,A.Ashida

International Conference on Integrated Ferroelectrics 2006年04月
Ferroelectric Gate Transistors using YMnO3/ZnO Gate Structure. 国際会議

N.Fujimura,R.Arai,K.Masuko,T.Yoshimura,A.Ashida

International Conference on Integrated Ferroelectrics 2006年04月
Fabrication of YMnO3 Epitaxial Thin Films and　the Magnetic-Ferroelectric Correlation Phenomena. 国際会議

K. Maeda, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and N. Fujimura

2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2006年04月
大気圧非平衡窒素プラズマおよびRFプラズマを用いて作製した低温Si窒化膜/Si界面における結合状態の比較国内会議

早川竜馬，中永麻理，吉田真司，田川雅人，寺岡有殿，吉村武，芦田淳，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
レーザアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Si界面の評価国内会議

西嶋正憲，原武耕平，吉村武，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
強誘電性YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気的性質の評価国内会議

高橋哲也，吉村武，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
Si(001)上歪CeSixエピタキシャル薄膜の成長過程国内会議

西村吉弘，進藤大輔，高木督，寺尾岳見，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
低温MBE成長した低キャリア密度Si:Ce薄膜の磁気特性国内会議

寺尾岳見，西村吉弘，進藤大輔，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
ZnMnO/ZnOヘテロ界面における電子の閉じ込め効果国内会議

益子慶一郎，福島匡泰，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
ZnO:Mnエピタキシャル膜における空間電荷の圧電特性への影響国内会議

大塩武士，芦田淳，吉村武，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
ZnO/YMnO3ヘテロ構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの電気特性国内会議

新井涼太，重光学道，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
ZnMnO薄膜の光学特性のMn濃度依存性国内会議

福島匡泰，益子慶一郎，大塩武士，芦田淳，吉村武，藤村紀文，田中浩康，中山正昭

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
磁性半導体Si:Ce MOS構造の作製とその誘電特性国内会議

進藤大輔，寺尾岳見，西嶋正憲，原武耕平，吉村武，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
大気圧非平衡窒素プラズマ生成時の印加電圧周波数がSiの窒化過程におよぼす影響国内会議

吉田真司，中永麻理，早川竜馬，吉村武，芦田淳，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
YFe2O4-δの電気的・磁気的特性における酸素欠損の影響国内会議

今村謙，堀部陽一，吉村武，藤村紀文，森茂生，池田直

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
PLD法を用いたBiFeO3薄膜の作製におけるアブレーション状態の評価国内会議

乾真介，吉村武，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
PLD法によるYMnO3薄膜の作製と発光分光分析を用いた飛散粒子の解析国内会議

前田和弘，重光学道，吉村武，藤村紀文

平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会 2006年03月応用物理学会
強誘電体電子デバイスの展望国内会議

藤村紀文

日本金属学会セミナー「非シリコン半導体の現状と展望」　 2006年03月
ZnOエピタキシャル膜に及ぼすMn添加効果国内会議

大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

第16回日本MRS学術シンポジウム 2005年12月日本MRS
ZnOをチャネルに用いた強誘電体ゲートFET 国内会議

藤村紀文

セイコーエプソン強誘電体ゲートFET研究会 2005年12月
YMnO3エピタキシャル薄膜の作製と磁性－強誘電性相関現象国内会議

前田和弘, 重光学道,　芦田淳, 藤村紀文

第16回日本MRS学術シンポジウム 2005年12月日本MRS
大気圧プラズマを用いたシリコンの窒化過程国内会議

中永麻理, 早川竜馬, 吉村武, 藤村紀文, 上原剛

第16回日本MRS学術シンポジウム 2005年12月日本MRS
Synthesis and Structural Characterization of Bi(FexAl1-x)O3 Thin Films 国際会議

T. Yoshimura, M. Okada and N. Fujimura

12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 2005年11月
大気圧非平衡プラズマを用いた半導体の窒化プロセス国内会議

藤村紀文

大気圧非平衡プラズマに関する研究会 2005年11月
Fabrication of Ferroelectric-gate Transistors using YMnO3 thin films 国際会議

T. Yoshimura, K.Haratake, R. Arai, N. Shigemitsu, K. Masuko, M. Nishijima and N. Fujimura

12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 2005年11月
強誘電体ゲートFETの新展開国内会議

藤村紀文

電気学会誘電体薄膜集積技術調査専門委員会 2005年10月電気学会
大気圧非平衡プラズマを用いた半導体の窒化プロセス国内会議

藤村紀文

電気学会誘電体薄膜集積技術調査専門委員会 2005年10月
ZnO/YMnO3強誘電体ゲート圧電半導体トランジスタの電気的特性国内会議

吉村武, 新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 芦田淳, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
低温MBE成長したSi:Ce薄膜の磁気及び磁気輸送特性国内会議

髙木督, 寺尾岳見, 西村吉弘, 藤村紀文

日本金属学会2005年秋期（第137回）大会 2005年09月日本金属学会
原子レベルで平坦なZnMnO/ZnOヘテロ構造における二次元電子ガスの形成国内会議

益子慶一郎, 枝広俊昭, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

日本金属学会2005年秋期（第137回）大会 2005年09月日本金属学会
磁性強誘電体と磁性半導体を用いた新規なマルチフェロイックトランジスタの開発国内会議

藤村紀文, 吉村武

日本金属学会2005年秋期（第137回）大会 2005年09月日本金属学会
YMnO3エピタキシャル薄膜のマルチフェロイック物性国内会議

藤村紀文, 吉村武

日本金属学会2005年秋期（第137回）大会 2005年09月日本金属学会
YMnO3系物質のマルチフェロイック物性国内会議

藤村紀文, 吉村武

日本セラミックス協会　第１８回秋季シンポジウム 2005年09月日本セラミックス協会
レーザーアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Si界面の改善国際会議

西嶋正憲, 原武耕平, 吉村武, 藤村紀文

第18回秋季シンポジウム第1回アジア-オセアニアセラミックス連盟国際会議 2005年09月
ZnOエピタキシャル薄膜の誘電特性及び圧電特性に及ぼすMn添加効果国際会議

大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

第18回秋季シンポジウム第1回アジア-オセアニアセラミックス連盟国際会議 2005年09月
大気圧非平衡窒素プラズマを用いた低温Si窒化膜の作製とその誘電特性国際会議

早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

第18回秋季シンポジウム第1回アジア-オセアニアセラミックス連盟国際会議 2005年09月
強誘電体YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気特性国内会議

高橋哲也, 重光学道，吉村武, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
大気圧非平衡プラズマを用いたシリコンへの窒化メカニズム国内会議

中永麻理, 早川竜馬, 吉村武, 上原剛, 芦田淳, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
ZnO/YMnO3ヘテロ構造を用いた強誘電体ゲート圧電半導体薄膜トランジスタの作製と評価国内会議

新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
Si(100)上CeSi2-xエピタキシャル薄膜の物性国内会議

西村吉弘, 寺尾岳見, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
レーザーアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Si界面の改善国内会議

西嶋正憲, 原武耕平, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
ZnMnO/ZnOヘテロ構造の表面平坦性の向上国内会議

益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
大気圧非平衡窒素プラズマを用いて作製した低温Si窒化膜の誘電特性と欠陥評価国内会議

早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会 2005年09月応用物理学会
Improvement of ferroelectric properties of ferromagnetic YbMnO3 国内会議

T. Takahashi, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and N. Fujimura

第24回電子材料シンポジウム(24th Electronic Material Symposium EMS24) 2005年07月電子材料シンポジウム実行委員会
マルチフェロイック材料の設計とデバイス応用国内会議

藤村紀文

応用物理学会結晶工学分科会「不揮発メモリの現状と将来」 2005年07月応用物理学会
Preparation and properties of CeSix epitaxial Films by molecular beam epitaxy 国内会議

Y. Nishimura, T. Terao, Y. Yoshimizu and N. Fujimura

第24回電子材料シンポジウム(24th Electronic Material Symposium EMS24) 2005年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Low temperature growth of Si:Ce thin film on (001) Si substrate 国内会議

T. Terao and N. Fujimura

第24回電子材料シンポジウム(24th Electronic Material Symposium EMS24) 2005年07月電子材料シンポジウム実行委員会
YMnO3/Y2O3/Si エピタキシャルMFIS構造の誘電特性国内会議

藤村紀文

電気学会　誘電体薄膜集積技術調査専門委員会 2005年06月電気学会
YMnO3/Y2O3/SiエピタキシャルMFISキャパシタの低温成長とI層の薄膜化とその評価国内会議

原武耕平, 重光学道, 西嶋正憲, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度第22回強誘電体応用会議(FMA-22) 2005年05月強誘電体応用会議実行委員会
Magnetic properties of low temperature grown Si:Ce thin films on (001) Si substrate by molecular beam epitaxy. 国際会議

T. Terao, Y. Yoshimizu, Y. Nishimura and N. Fujimura

The 2005 IEEE International Magnetics Conference (Intermag2005) 2005年04月 IEEE
Fabrication and transport properties of ZnMnO/ZnO Hetero-structure with atomically flat interface. 国際会議

K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

Prospects in Magnetic Oxide Thin Films and Heterostructures 2005年04月
ZnO Magneto-Capacitance of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and A. Ashida

Prospects in Magnetic Oxide Thin Films and Heterostructures 2005年04月
大気圧非平衡窒素プラズマを用いた低温Si窒化膜の膜厚制御とその誘電特性国内会議

早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
YMnO3薄膜の磁性―誘電性相関現象国内会議

重光学道, 高橋哲也,吉村武，芦田淳，藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
(111)Si:Ce薄膜の磁気秩序に及ぼすキャリアドーピングの効果国内会議

吉水康人, 寺尾岳見, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
強磁性強誘電体YbMnO3薄膜の誘電特性の改善国内会議

高橋哲也, 重光学道，吉村武，芦田淳，藤村紀文，中山忠親, 新原皓一

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
大気圧非平衡プラズマおよびRFプラズマを用いて生成した窒素励起種のシリコン窒化特性の比較国内会議

中永麻理, 早川竜馬, 上原剛, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
圧電半導体/強誘電体トランジスタを目的としたZnO/YMnO3ヘテロ構造の作製及びその電気的特性国内会議

新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 大塩武士, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
Si(100)上におけるCeSi2-xエピタキシャル薄膜の作成国内会議

西村吉弘, 寺尾岳見, 吉水康人, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
レーザーアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Siの界面の改善国内会議

西嶋正憲, 原武耕平, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
YMnO3/Y2O3/SiエピタキシャルMFISキャパシタにおけるI層の薄膜化とその評価国内会議

原武耕平, 重光学道, 西嶋正憲, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
原子レベルで平坦な界面を有するZnMnO/ZnOヘテロ構造の作製とその輸送特性国内会議

益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
低温MBE成長したSi:Ce薄膜の磁気及び磁気輸送特性国内会議

寺尾岳見, 西村吉弘, 吉水康人, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
ZnOエピタキシャル膜の誘電特性に及ぼすMn添加効果国内会議

大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会 2005年03月応用物理学会
ZnO/ZnMnOヘテロ界面における二次元電子ガスの形成国内会議

藤村紀文

応用電子物性分科会研究例会　実用化に向けて加速するZnO系機能材料 2005年01月
Synthesis of Bi(Fe,Al)O3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition Method. 国際会議

M. Okada, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

The 1st Imagine International Forum on venture-business 2004年12月
PLD法による強誘電体YMnO3層上のZnO薄膜のエピタキシャル成長国内会議

新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 大塩武士, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
強磁性YbMnO3 エピタキシャル膜の強誘電特性国内会議

高橋哲也, 重光学道, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
RFプラズマ及び大気圧プラズマにより生成した窒素活性種の反応性の比較国内会議

中永麻理, 早川竜馬, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
YMnO3/Y2O3/Siキャパシタの低温成長国内会議

原武耕平, 西嶋正憲, 重光学道, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
空間電荷がZnO:Mnエピタキシャル膜の誘電特性に及ぼす影響国内会議

大塩武士, 益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
YMnO3エピタキシャル薄膜を用いた磁場による誘電性制御国内会議

重光学道, 高橋哲也,　吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
大気圧非平衡窒素プラズマを用いた低温Si窒化膜の作製国内会議

早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
新規手法によるYMnO3を用いた金属-強誘電体-絶縁体-半導体キャパシタの電気特性評価国内会議

吉村武, 伊藤大輔, 原武耕平, 芦田淳, 藤村紀文

第15回日本MRS学術シンポジウム 2004年12月日本MRS
大気圧非平衡プラズマを用いたナノスケール窒化プロセス国内会議

藤村紀文

電気学会ナノ材料・プロセス技術調査専門委員会 2004年12月
Development of Multi-Functional Materials for Future Devices 国内会議

藤村紀文

物質・材料研究機構　ナノマテリアル研究所　講演会 2004年12月
大気圧非平衡プラズマを用いたSi窒化国内会議

藤村紀文

積水化学工業(株)共同研究合同検討会 2004年12月
新強誘電体の探索国内会議

藤村紀文

科学研究費補助金　特定領域研究成果報告会 2004年12月
Fabrication of ZnMnO/ZnO Hetero-Structure with Atomically Flat Interface. 国際会議

K. Masuko, T. Oshio, R. Arai, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

The 1st Imagine International Forum on venture-business 2004年12月
Multi-Ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Yoshimura

Materials Research Society Fall Meeting 2004年11月
Fabrication of Silicon Nitride Film using Pure Nitrogen Plasma Generated near Atmospheric Pressure for III-V Semiconductor Fabrication. 国際会議

R. Hayakawa, T. Yoshimura, M. Nakae, T. Uehara, A. Ashida, N. Fujimura

Materials Research Society Fall Meeting 2004年11月
Multi-ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

N. Fujimura

11th International Workshop on Oxide Electronics 2004年11月
Formation of Two-Dimensional Electron Gas and the Magnetotransport Behavior of ZnMnO/ZnO Heterostructure 国内会議

A. Ashida, T. Edahiro, K. Masuko, T. Oshio and N. Fujimura

第21回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2004年10月
Control of Ferroelectric Properties of YMnO3 Epitaxial Films by Magnetic Field 国内会議

N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and A. Ashida

第21回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2004年10月
Synthesis and Properties of Bi(FexAl1-x)O3 Multi-Ferroic Thin Films 国内会議

N. Fujimura, M. Okada, A. Ashida and T. Yoshimura

第21回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2004年10月
大気圧非平衡プラズマを用いた低温Si窒化膜の作製国内会議

早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 藤村紀文, 北畠裕也, 上原剛

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
ZnMnO/ZnOヘテロ界面における輸送特性と電子状態国内会議

益子慶一郎, 大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
Ce濃度を変化させたSi:Ce薄膜の磁気特性国内会議

寺尾岳見, 西村吉弘, 吉水康人, 藤村紀文

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
優れた分極特性を有するYMnO3薄膜を用いたMFISエピタキシャルキャパシタの作製国内会議

原武耕平, 重光学道, 吉村武, 藤村　紀文

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
YMnO3薄膜の磁性―誘電性相関現象国内会議

重光学道,　吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
ZnMnOエピタキシャル膜の誘電特性及び磁気特性に及ぼす電界効果国内会議

大塩武士, 益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
高温MBE成長したSi:Ce薄膜の磁気特性国内会議

吉水康人, 寺尾岳見, 藤村紀文

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
ArFレーザーを用いたPLD法によるBi(FexAl1-x)O3薄膜の作製国内会議

岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
大気圧非平衡プラズマを用いたSi酸窒化膜のI-V特性に及ぼす過剰窒素の効果国内会議

早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 藤村紀文, 北畠裕也, 上原剛

平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会 2004年09月応用物理学会
Multi-ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

N. Fujimura

The 5th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics (KJC-FE5) 2004 2004年08月
Novel Transistors using multiferroic materials 招待国際会議

N. Fujimura

Yeungnam University 2004年08月
Novel Transistors using multiferroic materials 招待国際会議

N. Fujimura

Dong-Eui University 2004年08月
Interface Characteristics of ZnO / ZnMnO Grown on ZnO Substrate. 国際会議

A. Ashida, K. Masuko, T. Edahiro, T. Oshio, N. Fujimura

The 14th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 12th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy. 2004年08月
Heteroepitaxial growth of Si:Ce and Y2O3 films on Si(111) substrate 国内会議

Y. Yoshimizu, K. Haratake, T. Terao, N. Fujimura

第23回電子材料シンポジウム(23rd Electronic Material Symposium EMS23) 2004年07月電子材料シンポジウム実行委員会
マルチフェロイクス物質を用いた新規なトランジスタの開発（強誘電体ゲートトランジスタからスピントランジスタまで）国内会議

藤村紀文

東北大学　電気通信研究所 2004年07月
Interfacial properties of (Zn,Mn)O/ZnO Heterostructure 国内会議

K. Masuko, T. Edahiro, T. Oshio, A. Ashida, N. Fujimura

第23回電子材料シンポジウム(23rd Electronic Material Symposium EMS23) 2004年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Low temperature growth of Si:Ce film on Si(111) substrate 国内会議

T. Terao, Y. Yoshimizu, N. Fujimura

第23回電子材料シンポジウム(23rd Electronic Material Symposium EMS23) 2004年07月電子材料シンポジウム実行委員会
Reaction of Si with Excited Nitrogen Species in Pure Nitrogen Plasma near Atmospheric Pressure. 国際会議

R. Hayakawa, T. Yoshimura, M. Nakae, T. Uehara, A. Ashida, N. Fujimura

7th APCPST(Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 17th SPSM(Symposium on Plasma Science for Materials) 2004年06月
Magneto-Transport Properties of 2DEG Formed at ZnMnO/ZnO Interface. 招待国際会議

N. Fujimura, T. Edahiro, T. Oshio, K. Masuko

Airforce Office of Science Research (AFOSR) Zinc Oxide Workshop 2004年05月
YMnO3薄膜の低温成長による強誘電性の向上国内会議

重光学道, 坂田浩憲, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成16年度第21回強誘電体応用会議(FMA-21) 2004年05月強誘電体応用会議実行委員会
レーザーアブレーション法によるBi(FexAl1-x)O3薄膜の作製とその評価国内会議

岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

平成16年度第21回強誘電体応用会議(FMA-21) 2004年05月強誘電体応用会議実行委員会
Formation of Silicon Oxynitride Films with Low Leakage Current using N2/O2 Plasma near Atmospheric Pressure. 国際会議

R. Hayakawa, T. Yoshimura, A. Ashida, H. Kitahata, M. Yuasa, N. Fujimura

2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology 2004年05月
Anomaly in Magneto-Transport Properties in MBE Grown Ce doped Si Epitaxial Films 国際会議

N. Fujimura, T. Yokota, Y. Yoshimizu, A. Ashida, T. Yoshimura

American Physical Society (APS) March Meeting 2004 2004年03月
ZnMnO / ZnOヘテロ構造の界面特性国内会議

益子慶一郎, 大塩武士, 芦田淳, 藤村紀文

平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月応用物理学会
Si(111)基板上へのSi:Ce薄膜の結晶成長とその磁気及び磁気輸送特性国内会議

寺尾岳見, 浜崎智, 吉水康人, 藤村紀文

平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月応用物理学会
ArFレーザーを用いたPLD法によるSi(111)基板上へのY2O3エピタキシャル薄膜の作製国内会議

原武耕平, 神園剛, 吉村武, 藤村紀文

平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月応用物理学会
強磁性強誘電体(Y,Yb)MnO3薄膜の作製国内会議

重光学道, 坂田浩憲, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月応用物理学会
Si(111)基板上へのSi:Ce及びY2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長国内会議

吉水康人, 寺尾岳見, 浜崎智, 吉村武, 藤村紀文

平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月応用物理学会
PLD法により作製したBi(FexAl1-x)O3薄膜の構造解析と誘電特性国内会議

岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月応用物理学会
交播パルス電界窒素プラズマを用いた大気圧近傍でのSi窒化Ⅱ 国内会議

早川竜馬, 藤村紀文, 北畠裕也, 湯浅基和

平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会 2004年03月応用物理学会
Anomaly in Ferroelectric Property of YMnO3 at around Neel Temperature 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, N. Shigemitsu, A. Ashida

American Physical Society (APS) March Meeting 2004 2004年03月
Electric-Field Control of Magnetic Structure of Si:Ce Films in MOS Capacitors. 国際会議

N. Fujimura, T. Yokota, Y. Yoshimizu, A. Ashida, T. Yoshimura

2004 Magnetism & Magnetic Materials Annual Conference Proceedings 2004年01月
希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現国内会議

藤村紀文, 藤原康文

科学研究費補助金特定領域「半導体ナノスピントロニクス」平成１５年度成果報告会 2004年01月
磁性強誘電体YMnO3薄膜の現状国内会議

藤村紀文

科学研究費補助金特定領域「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」成果報告会 2004年01月
Investigation of Retention Properties for YMnO3 Based Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Capacitors 国際会議

T. Yoshimura, D. Ito, H. Sakata, N. Shigemitsu, K. Harateke, N. Fujimura

Material Research Society Fall Meeting 2003年12月
Present Status of Ferroelectric Gate Field Effect Transistors 招待国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura

4th Asian Meeting on Ferroelectrics (AMF-4) 2003年12月
Magnetic and Ferroelectric Behaviors of Multi-Ferroic RMnO3 Thin Films. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura

Material Research Society Fall Meeting 2003年12月
ＭＦＩＳキャパシタのリーク電流とメモリー保持特性の相関招待国内会議

藤村紀文

誘電体薄膜材料技術調査専門委員会第７回委員会 2003年10月
大気圧近傍における交播パルスリモートプラズマ国内会議

早川竜馬, 藤村紀文, 北畠裕也, 湯浅基和

材料物性工学談話会2003年度第1回研究会 2003年10月
ドーピングによる酸化亜鉛薄膜の多機能化と光学的特性の評価多機能酸化亜鉛エピタキシャル構造を用いた短波長モノリシック光集積回路を目指して国内会議

芦田淳, 長田貴弘, 大塩武士, 益子慶一郎, 藤村紀文

材料物性工学談話会2003年度第1回研究会 2003年10月
大気圧プラズマを用いたSiの表面窒化招待国内会議

藤村紀文

東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「高気圧・高密度プラズマの生成と制御」--仙台"プラズマフォーラム" 大気圧プラズマの進展と環境・材料工学への応用-- 2003年10月
Proposal of YMnO3 Based Ferroic Gate FETs (p.132) 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, H. Sakata, D. Ito, T. Yokota

10th International Workshop on Oxide Electronics 2003年09月
Origin of the Retention Property of YMnO3 Based MFIS Capacitors. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito

The 10th European Meeting on Ferroelectricity 2003年08月
Er doped-GaAsの磁気及び磁気輸送特性に及ぼすキャリアドーピングの効果国内会議

寺尾岳見, 横田壮司, 藤村紀文, 藤原康文, 吉兼豪勇, 小泉淳, 竹田美和

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
YMnO3薄膜のAサイト置換が強誘電体および磁性に及ぼす影響国内会議

重光学道, 坂田浩憲, 吉村武, 藤村紀文

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
キャリアを電界で制御したSi:Ce薄膜の磁気輸送特性国内会議

吉水康人, 横田壮司, 藤村紀文

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
PLD法によるBiFeO3-BiAlO3薄膜の作製とその評価国内会議

岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
YMnO3薄膜の欠陥と誘電特性との相関国内会議

坂田浩憲, 重光学道, 吉村武, 藤村紀文

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
交播パルス電界リモートプラズマを用いた高圧力下でのSi窒化の検討国内会議

早川竜馬, 藤村紀文, 北畠裕也, 湯浅基和

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
表面平坦Si:Ce膜へのCeの均一ドーピング国内会議

浜崎智, 藤村紀文

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
強誘電体ゲートトランジスタの現状と次世代電界効果型トランジスタへの展開招待国内会議

藤村紀文, 吉村武

平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会 2003年08月応用物理学会
YMｎO3/Y2O3/Si構造のリーク電流とデータ保持特性との相関国内会議

藤村紀文, 吉村武

科研費特定領域（B）「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究成果報告会 2003年08月
D-E Measurements for Ferroelectric Gate Capacitors. 国際会議

T. Yoshimura, N. Fujimura

The 10th European Meeting on Ferroelectricity 2003年08月
Homoepitaxial Growth of Si using New Type Solid Source Molecular Beam Epitaxy System. 国内会議

Y. Yoshimizu, S. Hamasaki, T. Wada, T. Yokota, N. Fujimura

22nd Electronic Materials Symposium 2003年07月
大気圧プラズマを用いたSi窒化プロセスとその気相診断招待国内会議

藤村紀文

学振153委員会 2003年07月日本学術振興会
Dielectric Properties of Y2O3 Films Epitaxially Grown on Si. 国内会議

N. Fujimura

22nd Electronic Materials Symposium 2003年07月
Preparation and Magnetic Properties of Ce doped Si Epitaxial Films by Low Temperature Molecular Beam Epitaxy. 国内会議

S.Hamasaki, T.Yokota, T.Wada, N.Fujimra

22nd Electronic Materials Symposium 2003年07月
Electric-Field Control of Magnetic Structure of Si:Ce Films in MOS Capacitors. 国際会議

N. Fujimura

Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors 9 2003年06月
希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現国内会議

藤原康文, 藤村紀文, 太田仁, 竹田美和, 斗内政吉, 白井光雲

科研費特定領域「半導体ナノスピントロニクス」平成15年度成果報告会 2003年06月
強誘電体ゲートキャパシタのD-E測定国内会議

吉村武, 藤村紀文

第20回強誘電体応用会議 2003年05月強誘電体応用会議実行委員会
低温成長YMnO3薄膜の構造解析とその誘電特性. 国内会議

坂田浩憲, 伊藤大輔, 吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

第20回強誘電体応用会議 2003年05月強誘電体応用会議実行委員会
強誘電体ゲートキャパシタのD-E特性国内会議

吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月応用物理学会
ZnO薄膜の表面形態と導波損失との相関国内会議

大田博史, 芦田淳, 中野貴之, 長田貴弘, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月
Si中へのCe δ-dopingの検討国内会議

吉水康人, 浜崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月
Bi-Al-O系化合物の作製とその誘電特性国内会議

岡田守弘, 伊藤大輔, 吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月
低温成長YMnO3薄膜の構造解析と誘電特性国内会議

坂田浩憲, 伊藤大輔, 吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月
交播パルス電界リモートプラズマを用いた高圧力下でのSi窒化の検討国内会議

早川竜馬, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 北畠裕也, 湯浅基和

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月
低温成長Si:Ceエピタキシャル膜の磁化挙動国内会議

浜崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月
ZnO:X(X=Mn,Li)薄膜のリーク電流特性とその電気光学特性国内会議

長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会 2003年03月
新強誘電体物質としてのFerroic Materials 国内会議

藤村紀文, 吉村武, 坂田浩憲

科研費特定領域（B）「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究成果報告会 2003年02月
ZnO薄膜の成長形態と物性の制御招待国内会議

藤村紀文, 芦田淳

第3回大阪工業大学バイオベンチャーフォーラム 2003年02月
Formation of Two-Dimensional Electron Gas and Shubnikov-de Hass Oscillations of ZnMnO/ZnO Heterosyructure. 国内会議

藤村紀文, 枝広俊昭, 伊藤太一郎

第8回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会 2002年12月
Ferromagnetic and Ferroelectric Behaviors of A Site Substituted YMnO3 Based Epitaxial Thin Films 国際会議

N. Fujimura, H. Sakata, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

47th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials 2002年11月
Formation of two dimensional electron gas of ZnMnO/ZnO heterostructure. 国際会議

T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito

47th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials 2002年11月
The effect of carrier for magnetic and magneto-transport properties of Si:Ce films. 国際会議

T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, Ｓ. Hamasaki, T. Ito

47th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials 2002年11月
Electro-Optic Effect in ZnO:Mn Thin Films 国際会議

T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

European Materials Research Society FALL MEETING 2002 2002年10月
Material Design of Novel Transistors. 国内会議

藤村紀文

材料学会　半導体エレクトロニクス第13回　委員会 2002年10月日本材料学会
表面平坦エピタキシャルSi:Ce薄膜の磁気輸送特性国内会議

横田壮司, 藤村紀文, 和田孝政, 浜崎智, 伊藤太一郎

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
ZnO/Al2O3薄膜の界面縮退層についての検討国内会議

大塩武士, 枝弘俊昭, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
PLD法により作製したYMnO3薄膜の低温成長とその誘電特性国内会議

坂田浩憲, 伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
Ce濃度を変化させたSi:Ceエピタキシャル膜の電気的・磁気的特性国内会議

浜崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
交番電界パルスプラズマを用いた誘電体薄膜の作製国内会議

早川竜馬, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 屋良卓也, 湯浅基和

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
ZnMnO/ZnO ヘテロ構造の作製とその電気的特性国内会議

枝広俊昭, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
YMnO3/Y2O3/Siキャパシタの記憶保持特性と放電電流の過渡応答特性国内会議

伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
ZnO:X(Mn,Li)薄膜の電気光学効果の周波数特性国内会議

長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会 2002年09月応用物理学会
Magnetic and Dielectric Properyies of Epitaxially Grown BaFeO3 Thin Films on SrTiO3 Single Crystal Substrate 国際会議

T. Matsui, E. Taketani, N. Fujimura, T. Ito, K. Morii

The 4th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics 2002年08月
YMnO3/Y2O3/Si構造のリテンション特性に及ぼすゲート電圧、リーク電流の影響国内会議

藤村紀文

科研費特定領域(B)「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究報告会 2002年07月
YMnO3/Y2O3/Siエピタキシャル構造を用いたMFISキャパシタの物性国内会議

藤村紀文

電気学会薄膜材料調査専門委員会　テーマ「強誘電体薄膜とデバイス応用」 2002年06月
The Effect of Leakage Current for the Retention Property in the MFIS capacitor 招待国際会議

D. Ito, N. Fujimura, T. Ito

Proc. International Joint Coference on Application of Ferroelectrics 2002 (Integrated Ferroelectrics) 2002年05月
Electro-optic Effect in Epitaxial ZnO:Li Thin Films 招待国際会議

T. Nagata, A. Ashida, Y. Takagi, N. Fujimura, T. Ito

International Joint Conference on Application of Ferroelectrics 2002 (JJAP) 2002年05月
Effect of A-site Substitution on the Magnetic and Dielectric behaviors of YMnO3 Based Ferroelectric Thin Films. 招待国際会議

N. Fujimura, H. Sakata, D. Ito, T. Yokota, T. Ito

International Joint Conference on Application of Ferroelectrics 2002 (Proc. ISAF) 2002年05月
Material Design of novel transistors. 国内会議

藤村紀文

第１回次世代先進材料シンポジウムー－機能集積材料の展開 2002年05月
Crystal Growth and Interface Characterization of Dielectric BaZrO3 Thin Films on Si Substrates 招待国際会議

Y. Kitano, T. Matsui, N. Fujimura, K. Morii, T. Ito

International Joint Coference on Application of Ferroelectrics 2002 (JJAP) 2002年05月
Growth Process and Interfacial Structure of Epitaxial Y2O3/Si Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition 招待国際会議

N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

Proc. International Joint Coference on Application of Ferroelectrics 2002 (Integrated Ferroelectrics) 2002年05月
The Effects of Leakage Current for the Retention Property in the MFIS Capacitor 国際会議

D. Ito，N. Fujimura，K. Kakuno，T. Ito

International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics 2002 2002年05月
強誘電体ゲートトランジスターの物質設計―YMnO3エピタキシャル構造の可能性国内会議

藤村紀文

第77回電子セラミック・プロセス研究会強誘電体材料＆デバイス研究会の最前線 2002年03月
MBE法によるCeを高濃度に添加したSiエピタキシャル薄膜の作製国内会議

濱崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月応用物理学会
Si(111)基板上への(Y1-x,Lax)2O3エピタキシャル薄膜の作製とその誘電特性国内会議

神園剛, 覚野浩介, 伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月応用物理学会
交番電界パルスプラズマを用いた誘電体薄膜の作製－窒素プラズマの評価－国内会議

早川竜馬, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 屋良卓也, 湯浅基和

平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月応用物理学会
ZnOの電気特性の改善および磁性元素のドーピングの効果国内会議

枝広俊昭, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月応用物理学会
YMnO3/Y2O3/Siキャパシタのリーク電流と記憶保持特性の相関に対する検討国内会議

伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月応用物理学会
静・交播磁界を用いたSi:Ce エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性の解析国内会議

横田壮司, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月応用物理学会
スパッタZnO:Liエピタキシャル薄膜のリーク電流特性とその電気光学特性国内会議

長田貴弘, 芦田淳, 高木裕司, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会 2002年03月応用物理学会
ZnO薄膜の多機能化と光IC応用招待国内会議

藤村紀文

応用物理学会関西支部セミナー 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
PLD法によるY2O3/Siエピタキシャル薄膜の誘電特性の改善国内会議

覚野　浩介、伊藤　大輔、藤村　紀文、松井　利之、伊藤　太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
PLD法によるY2O3/Siエピタキシャル薄膜の成長過程とその界面構造解析国内会議

覚野　浩介、伊藤　大輔、藤村　紀文、松井　利之、伊藤　太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
Si上BaZrO 3 薄膜の結晶成長国内会議

北野　泰広,　藤村　紀文,　伊藤太一朗

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
ZnOモノリシック光スイッチング素子の基礎検討国内会議

長田貴弘、芦田淳、藤村紀文、伊藤太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
水溶液を用いた高抵抗ZnO薄膜の作製国内会議

大隈孝仁、石崎博基、芦田淳、藤村紀文、伊藤太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
MBE法によるCe/Si多層薄膜の磁気的特性国内会議

和田　孝政、藤村　紀文、横田　壮司、伊藤　太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
MBE法によるCe薄膜の構造変化と磁気的特性国内会議

和田　孝政、藤村　紀文、横田　壮司、伊藤　太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
MBE法によるSi:Ce薄膜の作製と電気的磁気的特性国内会議

横田　壮司、藤村　紀文、和田　孝政、伊藤　太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
ZnO薄膜の機能と光ICへの応用国内会議

藤村紀文、長田貴弘、芦田淳、伊藤太一郎

第48回応用物理学関係連合講演会 2002年03月

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会議種別：口頭発表（招待・特別）
エキゾティックドーピングによるZnO薄膜の多機能化と光IC応用招待国内会議

藤村紀文

東電科学技術研究所研究会 2002年03月

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会議種別：ポスター発表
高圧電性酸化物の物質設計国内会議

藤村紀文

富士通研究所 2002年02月
多機能酸化亜鉛エピタキシャル構造を用いた短波長モノリシック光集積回路を目指して. 国内会議

藤村紀文

学振第166委員会「透明酸化物光・電子材料」第19回研究会「オプト用ワイドギャップ半導体」 2002年01月日本学術振興会
YMnO3/Y2O3/Si構造のリテンション特性に及ぼすゲート電圧、リーク電流の影響. 国内会議

藤村紀文

科研費特定領域（B）「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究報告会 2002年01月
トランジスタゲート型強誘電体メモリーの物質設計国内会議

藤村紀文

表面科学会セミナー 2002年01月

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会議種別：ポスター発表
Hall effect analysis of Ce doped Si thin films 国際会議

T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki and T. Ito

The 7th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors 2001年12月

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会議種別：ポスター発表
The Present Status of YMnO3 Based Ferroelectric Gate FET's 招待国際会議

N.Fujimura

1st International Conference on FeRAM 2001年11月
Ce concentration dependence of magnetic and transport properties of Ce doped Si epitaxial thin films prepared by MBE 招待国際会議

T.Yokota, N.Fujimura, T.Ito

46th Conference of Magnetism, Magnetic Materials 2001年11月
Dielectric Properties of Epitaxial Y2O3/Si Thin Films Deposited by a Pulsed Laser Deposition 国際会議

T. Matsui, K. Kakuno, N.Fujimura, T.Ito

1st International Conference on FeRAM 2001年11月
Si系希薄磁性半導体Si:Ce薄膜の新規な磁気輸送現象国内会議

横田壮司，藤村紀文，和田孝政，伊藤太一郎

日本鉄鋼協会・日本金属学会　関西支部　材料物性工学談話会 2001年11月

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会議種別：ポスター発表
Magnetic and Magneto-Transport Properties of Diluted Magnetic Semiconductor, ZnO:Ni 国際会議

T. Edahiro, N. Fujimura, A.Ashida, T. Ito

8th International Workshop on Oxide Electronics 2001年09月
RETENTION PROPERTIY ANALYSIS OF EPITAXIALLY GROWN YMnO3/Y2O3/Si CAPACITOR 国際会議

D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

International Meeting on Ferroelectrics 2001年09月
THE PROGRESS OF YMnO3/Y2O3/Si SYSTEM FOR FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 国際会議

N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

International Meeting on Ferroelectrics 2001年09月
Crystal Growth and Dielectric Properties of BaZrO3 Thin Films on Si substrates 国際会議

N. Fujimura, Y. Kitano, T. Matsui, K. Morii, T. Ito

8th International Workshop on Oxide Electronics 2001年09月
MBE法を用いて作成されたSi:Ce エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性国内会議

横田　壮司、藤村　紀文、和田　孝政、伊藤　太一郎

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
CeをドーピングしたSi系希薄磁性半導体の新規な現象国内会議

藤村紀文

半導体スピントロニクス研究会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
CeをドーピングしたSi系希薄磁性半導体におけるHall効果国内会議

横田　壮司、藤村　紀文、和田　孝政、伊藤　太一郎

日本物理学会　秋季大会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
希薄磁性半導体ZnO:Niの磁気的電気的特性国内会議

枝広俊昭、藤村紀文、芦田淳、若野寿史、伊藤太一郎

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
エピタキシャルY2O3/Si薄膜の誘電特性の膜厚依存性国内会議

覚野　浩介、伊藤　大輔、藤村　紀文、松井　利之、伊藤　太一郎

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
エピタキシャルYMnO3薄膜の強誘電性国内会議

伊藤　大輔、覚野　浩介、藤村　紀文、伊藤　太一郎

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
YMnO3薄膜の膜質の改善とその誘電特性：PLDターゲットの変化国内会議

坂田浩憲 , 伊藤大輔 , 藤村紀文 , 伊藤太一朗

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
C軸配向ZnO薄膜の光導波特性国内会議

中野貴之,長田貴弘,芦田淳,藤村紀文,伊藤太一郎

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
スパッタZnO:X(Li,F)エピタキシャル薄膜のリーク電流特性とその誘電性国内会議

長田貴弘、中野貴之、高木裕司、芦田淳、藤村紀文、伊藤太一郎

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
エキゾティックドーピングされたZnO:Xの屈折率の評価国内会議

高木裕司、長田貴弘、中野貴之、芦田　淳、藤村紀文、伊藤太一郎

第62回応用物理学会学術講演会 2001年09月

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会議種別：ポスター発表
Crystal growth of BaZrO3 thin films under very low oxygen pressure 国際会議

Y. Kitano, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy 2001年07月
Magnetic properties of ferromagnetic ZnO:Ni films 国際会議

T. Wakano, T.Edahiro, N. Fujimura, A. Ashida, T. Ito

The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy 2001年07月
Electro-optic Property of ZnO:X (X=Li,Mg) Thin Films 国際会議

T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy 2001年07月
Structure-Retention Property Relationship of YMnO3/Y2O3/Si capacitor 国際会議

D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy 2001年07月
Growth process and interfacial structure of epitaxial Y2O3/Si thin films deposited by PLD 国際会議

K. Kakuno, D. Ito, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy 2001年07月
Structure-property relationship of Ce/Si interfaces fabricated by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

T. Wada, T. Yokota, N. Fujimura, T. Ito

The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy 2001年07月
Epitaxial growth of highly Ce doped Si films by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

T.Yokota, T.Wada, N.Fujimura, T.Ito

The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy 2001年07月
Electro-optic Property of ZnO:X (X=Li,Mg) Thin Films 国際会議

T. Nagata, T. Shimura, A. Ashida, N. Fujimura and T. Ito

13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy 2001年07月

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会議種別：ポスター発表
Structure-Retention Property Relationship of YMnO3/Y2O3/Si capacitor 国際会議

D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, and T. Ito

13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy 2001年07月

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会議種別：ポスター発表
Magnetic properties of ferromagnetic ZnO:Ni films. 国際会議

T. Edahiro, N. Fujimura, T. Wakano, A. Ashida and T. Ito

13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy 2001年07月

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会議種別：ポスター発表
Growth process and interfacial structure of epitaxial Y2O3/Si thin films deposited by a Pulsed Laser Deposition 国際会議

K. Kakuno, D. Ito, N. Fujimura, T. Matsui and T. Ito

13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy 2001年07月

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会議種別：ポスター発表
Structure-property relationship of Ce/Si interfaces fabricated by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

T. Wada, T. Yokota, N. Fujimura and T. Ito

13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy 2001年07月

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会議種別：ポスター発表
Crystal growth of BaZrO3 thin films under very low oxygen pressure. 国際会議

Y. Kitano, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy 2001年07月

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会議種別：ポスター発表
LiをドーピングしたZnO:X薄膜の強誘電性と光スイッチング素子への応用国内会議

長田貴弘、中野貴之、志村環、芦田淳、藤村紀文、伊藤太一郎

第18回強誘電体応用会議 2001年06月

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会議種別：ポスター発表
Improvement of Retention Property of YMnO3/Y2O3/Si MFIS Capacitor 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

Symposium proc. of Materials Research Society 2000年12月 MRS
ピタキシャルYMnO3/Y2O3/Si構造のキャパシタ特性国内会議

藤村紀文

電気情報通信学会　誘電体専門委員会 2000年12月電気情報通信学会
エキゾチックドーピングによるZnO薄膜の多機能化と光IC応用の可能性国内会議

芦田淳, 中野貴之, 大隈孝仁, 若野壽史, 志村環, 藤村紀文, 伊藤太一郎

平成12年度三元多元機能性材料研究会講演会 2000年11月応用物理学会
Si系希薄磁性半導体薄膜における磁気輸送現象国内会議

横田壮司, 藤村紀文, 森永泰規, 伊藤太一郎

日本金属学会　秋季大会 2000年10月日本金属学会
Magnetic properties of Er or Er, O-doped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy 国際会議

Y. Morinaga, T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito, T. Koide, Y. Fujiwara, Y. Takeda

The International Conference on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors 2000年09月
PLD法によるSi上Y2O3エピタキシャル薄膜の作製とその電気特性国内会議

覚野浩介, 伊藤大輔、藤村紀文, 伊藤太一郎

第61回応用物理学会学術講演会 2000年09月応用物理学会
エピタキシャルPLD-YMnO3/Y2O3/Siキャパシタの作製およびその誘電特性国内会議

伊藤大輔, 藤村紀文, 覚野浩介, 伊藤太一郎

第61回応用物理学会学術講演会 2000年09月応用物理学会
希薄磁性半導体ZnO：Ni薄膜の作成と磁気・輸送特性国内会議

若野寿史, 藤村紀文, 阿部倫千, 芦田淳, 伊藤太一郎

第61回応用物理学会学術講演会 2000年09月応用物理学会
Magnetic and magneto-transport properties of Ce doped Si thin films 国際会議

N. Fujimura, T.Yokota, Y.Morinaga, T.Ito

The International Conference on the Physics of Semiconductors 2000年09月
Magnetic and magneto-transport properties of ZnO:Ni films 国際会議

T. Wakano, N. Fujimura, N. Abe, Y. Morinaga, A. Ashida, T. Ito

The International Conference on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors 2000年09月
Detailed structural analysis of Ce doped Si thin films. 国際会議

T.Yokota, N.Fujimura, Y.Morinaga, T.Ito

The International Conference on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors 2000年09月
Effect of Carrier Concentration on the Magnetic Behavior of YMnO3 Ceramics and thin films 招待国際会議

N. Fujimura, S. Yamamori, D. Ito, T. Ito

International Symposium on Application of Ferroelectrics　(2000) 2000年07月
Si系希薄磁性半導体の現状国内会議

藤村　紀文

日本金属学会関西支部講演会 2000年06月
PLD-YMnO3薄膜の成長初期過程国内会議

伊藤大輔, 藤村紀文, 覚野浩介, 伊藤太一郎

第17回強誘電体応用会議 2000年05月強誘電体応用会議実行委員会
水溶液を用いた化学的手法によるZnO:Li薄膜の作製国内会議

大隈孝仁, 石崎博基, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 伊崎昌伸

第47回応用物理学関係連合講演会 2000年03月応用物理学会
YMnO3/Y2O3/Si構造のメモリ保持特性の評価国内会議

伊藤大輔, 藤村紀文, 覚野浩介, 伊藤太一郎

第47回応用物理学関係連合講演会 2000年03月応用物理学会
希薄磁性半導体ZnO：X薄膜の作成と磁気・輸送特性国内会議

若野寿史, 藤村紀文, 志村環, 芦田淳, 伊藤太一郎, 筧芳治, 日下忠興, 岡本昭夫, 井上幸二

第47回応用物理学関係連合講演会 2000年03月応用物理学会
Si:Ce薄膜の磁気輸送異常国内会議

横田壮司, 森永泰規, 藤村紀文, 伊藤太一郎

第47回応用物理学関係連合講演会 2000年03月応用物理学会
希薄にCeをドープしたSi中での強磁性相転移 (3) 国内会議

森永泰規, 横田壮司, 藤村紀文, 伊藤太一郎

第47回応用物理学関係連合講演会 2000年03月応用物理学会
Initial stage of thin film growth of pulsed laser deposited YMnO3 thin film. 招待国際会議

D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

The 17th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications 2000年01月
Si:Ce薄膜における新規な磁気輸送現象国内会議

藤村紀文, 横田壮司, 森永泰規, 伊藤太一郎

スピンエレクトロニクスの最前線―その基礎の理解と応用への展望 2000年01月
Y2O3/Si界面の電気的評価とその強誘電体メモリーへの応用国内会議

藤村紀文,　伊藤大輔,　伊藤太一郎

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」 2000年01月
Any candidates of ferroelectric material for transistor type FeRAM? 招待国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Shimura, T. Ito

The 6th International workshop on Oxide Electronics 1999年12月
Evaluation of Ferroelectricity in MFIS Type Capacitor Using Pulsed C-V Measurement 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

Materials Research Society 1999年12月 MRS
Origin of Leakage Current of YMnO3 Thin Films Prepared by the Sol -Gel Method 国際会議

H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura , T. Ito

Materials Research Society 1999年12月 MRS
Influence of Reactive Ion Etching Damage on the Schottky Barrier Hight of Ti/p-Si Interface. 国際会議

N. Fujimura, T. Yamaguchi, T. Ito

The Third International Symposium on Control of Semiconductor Interface 1999年10月
Lowering the Crystallization Temperature of YMnO3 Thin films by the Sol-Gel Method Using Yttrium Alkoxide 国内会議

H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

The 16th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications 1999年05月
Variety of Spin Structure in Si:Ce 国際会議

N.Fujimura, T. Yokota, T.Ito

Materials Research Society 1999年04月 MRS
YMnO3 and YbMnO3 Thin Films for FET type FeRAM Application 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

Materials Research Society 1999年04月 MRS
Detailed C-V Analysis for YbMnO3/Y2O3/Si Structure 国際会議

T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

Materials Research Society 1999年04月 MRS
YMnO3 and YbMnO3 Thin Films for FET type FeRAM Application. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

Materials Research Society 1999年04月 MRS
Exotic Doping for ZnO Thin Films: Possibility of Monolithic Optical Intergrated Circuit. 国際会議

N.Fujimura, T.Ito

Materials Research Society 1999年04月 MRS
Improvement of Y2O3/Si interface for FeRAM application 国際会議

D. Ito, T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 1999年01月
Electrical Characterization of Ferroelectric YMnO3 Films for MF(I)S-FET Application. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

The 11th IEEE International Symposium on the Application of Ferroelectrics 1998年08月
Effect of Stoichiometry and A-site Substitution on the Electrical Properties of Ferroelectric YMnO3 国内会議

T. Shimura, N. Fujimura, S. Yamamori, T. Yoshimura, T. Ito

The 15th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications 1998年05月
Electrical Characterization of Ferroelectric YMnO3 Films for MF(I)S-FET Application 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

International Symposium on Application of Ferroelectrics Ⅵ 1998年05月
Characterization of Y2O3/Si structure for a buffer layer of non-volatile memories 国内会議

T. Yoshimura, M. Takaoka, N. Fujimura, T. Ito

The 15th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications 1998年05月
Composition and Electrode Effects on the Electrical Properties of SBT. 国際会議

N. Fujimura, S.K. Streiffer, D.T.Thomas, A. I. Kingon

Symposium of Materials Research Society 1997年12月 MRS
Growth and Electrical Property of YMnO3 Thin Films on Si Substrate. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

Symposium of Materials Research Society 1997年12月 MRS
Sr/Bi Ratio Effects for SrxBiyTa2O9 Grown by Pulsed Laser Ablation. 国際会議

N. Fujimura, S.K. Streiffer, D.T.Thomas, A. I. Kingon

the 10th International Symposium on the Application of Ferroelectrics 1996年08月
Fabrication of YMnO3 Thin Films.: New Candidate for Non-Volatile Memory Device. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

1996 Spring meeting Materials Research Soc 1996年04月 MRS
ReMnO3 (Re: rare earth) Thin Films as a candidate for non-volatile memory devices. 国際会議

N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

7th Japan-US semonar on dielectric and piezoelectric ceramics 1995年11月
Epitaxy of LiNbO3 Thin Films 招待国際会議

N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

The 1993 American Ceramics Soc. PAC RIM Meeting 1993年11月
Epitaxy Control and Interfacial Coulomb's Potential of LiNbO3 Thin Films on R-cut Sapphire. 国際会議

N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

IUMRS International Conference on Advanced Materials 1993年09月
Relationship Between Self-Texture and Interfacial Restriction on the Epitaxy of ZnO Thin Films. 国際会議

N. Fujimura, T.Nishihara, S. Goto, T. Ito

1992 Spring meeting Materials Research Soc. 1992年04月 MRS
The Control of Epitaxial Growth of LiNbO3 Thin Films on R-cut Sapphire. 国際会議

N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

1991 Fall meeting Materials Research Soc. 1991年12月
Heteroepitaxy of LiNbO3 and LiNb3O8 Thin Films on C-cut Sapphire. 国際会議

N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

The 7th Int. Conf. on Vapour Growth and Epitaxy; 1991年07月
Preferred Orientation and Elastic Strain of Epitaxial and Non-Epitaxial ZnOx Thin Films. 国際会議

N. Fujimura, T.Nishihara, S. Goto, T. Ito

1990 Spring meeting Materials Research Soc. 1990年04月 MRS
Crystallization and Precipitation of CVD WSi2.6 Films under External Stress. 招待国際会議

N. Fujimura, T. Tachibana, T. Ito

Int. Conf. on stress in thin films 1989年11月
Texture and Photochromic Characteristics of ZnOx Thin Films. 国際会議

N. Fujimura, T.Nishihara, S. Goto, T. Ito

Int. Symp. Int. Soc. of Electrochem 1989年09月
Characterization of Si-Rich WSix on Si. 国際会議

N. Fujimura, T. Tachibana, T. Ito

2nd Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interface; 1988年11月
TiSi2 Formation at the Ti-rich TiNx/Si Interface. 国際会議

N. Fujimura, T. Ito

2nd Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interface 1988年11月
Structural Change of a-Si:H by Annealing. 国際会議

N. Fujimura, T. Ito

Int.Symp.on Non-Equilibrium Solid Phasees of Metals and Alloys 1988年03月

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担当授業科目

機能デバイス物性特論

2024年度週間授業大学院
電子物理系特別研究第1（電子物性）

2024年度集中講義大学院
電子物理系特別演習第1（電子物性）

2024年度集中講義大学院
機能デバイス物性特別講義

2024年度週間授業大学院
電子物理工学概論2

2024年度週間授業大学
電子物理系特別研究第2（電子物性）

2024年度集中講義大学院
電子物理系特別演習第2（電子物性）

2024年度集中講義大学院

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大阪府立大学　技術紹介フェアー大気圧非平衡プラズマを用いた酸化物・窒化物薄膜作成プロセスの新展開

2004年04月 - 2005年03月
大阪府立大学　技術紹介フェアー機能融合型新物質の開発（磁性半導体・強磁性強誘電体）

2004年04月 - 2005年03月
大阪府立大学ニューフロンティア材料研究会講演会「磁性と誘電性の融合をめざして」磁性強誘電体の現状とその電界効果型トランジスタへの応用

2003年04月 - 2004年03月
大阪府立大学府民講座エレクトロニクス最前線：半導体ナノデバイスから知能デバイスまで

2003年04月 - 2004年03月
大阪府立大学ニューフロンティア材料研究会第182回講演会次世代トランジスタ－場を用いたマニピュレーションの舞台装置

2003年04月 - 2004年03月

役職

全学管理職

大阪公立大学

特命副学長 2025年04月 - 継続中
部局内役職

研究推進機構

副機構長 2022年04月 - 継続中
部局内役職

研究推進機構協創研究センター

センター長 2022年04月 - 継続中
全学管理職

大阪公立大学

副学長 2022年04月 - 2025年03月

担当・職階

担当・職階

取得学位

取得学位

研究分野

研究分野

研究キーワード

研究キーワード

研究概要

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研究歴

研究歴

所属学協会

所属学協会

委員歴（学外）

委員歴（学外）

受賞歴

受賞歴

論文

論文

書籍等出版物

書籍等出版物

MISC（その他記事）

MISC（その他記事）

講演・口頭発表等

講演・口頭発表等

担当授業科目

担当授業科目

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役職

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