2025/01/14 更新

写真a

フジムラ　ノリフミ
藤村　紀文
FUJIMURA Norihumi
担当
大学院工学研究科 電子物理系専攻 教授
工学部 電子物理工学科
職名
教授
所属
工学研究院
連絡先
メールアドレス
ホームページ
http://www.pe.osakafu-u.ac.jp/device7/
所属キャンパス
中百舌鳥キャンパス

担当・職階

  • 大学院工学研究科 電子物理系専攻 

    教授  2022年04月 - 継続中

  • 工学部 電子物理工学科 

    教授  2022年04月 - 継続中

取得学位

  • 博士（工学） （ 大阪府立大学 ）

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学  / 機能デバイス物性

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

研究キーワード

  • 磁性半導体

  • 極性半導体

  • 強誘電体物性

  • 強誘電体デバイス

  • 強相関系強誘電体

  • ZnO

  • multiferroic devices

研究概要

  • 磁性半導体と磁性強誘電体を用いた不揮発性論理演算素子の開発

  • 分極を用いて高機能化したMOSFETの開発

  • 磁性半導体の作成とその物性

  • マルチフェロイック

  • 大気圧プラズマを用いた新機能物質の作成

  • 強誘電体と圧電体を用いたトランジスタの開発

  • 強誘電体と磁性半導体を用いたトランジスタの開発

  • 磁性半導体の物性

  • 磁性強誘電体の作製とその物性

  • 強誘電体ゲートトランジスタの開発

  • 強誘電体ゲートトランジスタの物性

研究歴

  • 　

    自発分極、強誘電体、電界効果、トランジスタ 

  • 　

    マルチフェロイック、磁性半導体、磁性強誘電体 

  • 　

    大気圧プラズマ、酸化物、窒化物、MOSFET 

  • 　

    強誘電体、圧電体、トランジスタ 

  • 　

    強誘電体、磁性半導体、不揮発性メモリ、論理演算素子 

  • 　

    半導体、磁性、磁性半導体 

  • 　

    強誘電体、磁性 

  • 　

    強誘電体、トランジスタ 

  • 　

    強誘電体、トランジスタ 

所属学協会

  • 日本セラミックス協会

    1995年04月 - 継続中

  • Materials Research Soc.

    1994年04月 - 継続中

  • 応用物理学会

    1984年04月 - 継続中

  • 日本金属学会

    1984年04月 - 継続中

委員歴（学外）

  • 座長   堺市　NAKAMOZU イノベーションコア創出コンソーシアム  

    2021年04月 - 2022年03月 

  • Board Member   Journal of Advanced Dielectrics (JAD)  

    2021年04月 - 2022年03月 

  • 上級エリアコーディネーター   関西イノベーションイニシアティブ  

    2021年04月 - 2022年03月 

  • 座長   堺市　NAKAMOZU イノベーションコア創出コンソーシアム  

    2020年04月 - 2021年03月 

  • Board Member   Journal of Advanced Dielectrics (JAD)  

    2020年04月 - 2021年03月 

  • 上級エリアコーディネーター   関西イノベーションイニシアティブ  

    2020年04月 - 2021年03月 

  • 学外審査委員   兵庫県立大学  

    2019年04月 - 2020年03月 

  • 理事・副会長   日本誘電体学会(The Dielectric Society of Japan, DESJ)  

    2019年04月 - 2020年03月 

  • Chair of organizing committee   11th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics  

    2019年04月 - 2020年03月 

  • Program committee   Compound Semiconductor Week 2019  

    2019年04月 - 2020年03月 

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受賞歴

  • 日本セラミックス協会 第78回(2023年度)学術賞

    藤村 紀文

    2023年11月   日本セラミックス協会   機能性セラミックス薄膜プロセッシングと物性制御に関する研究

  • 岡崎清賞

    2021年06月   フルラス・岡崎記念会  

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    受賞国：日本国

  • 平成30年度 日本材料学会論文賞

    2019年05月   日本材料学会  

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    受賞国：日本国

  • 第10回集積化MEMSシンポジウム　優秀論文賞

    2019年03月   応用物理学会  

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    受賞国：日本国

  • ＪＪＡＰ編集貢献賞

    2005年04月   応用物理学会  

  • 日本金属学会奨励賞

    1993年12月   日本金属学会  

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論文

  • Neuromorphic alternating current sensing using piezoelectric resonators and physical reservoir computing 査読

    Nishimura K.

    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers   63 ( 9 )   09SP23 - 09SP23   2024年09月（ ISSN:00214922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国内誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad73e1

  • Enhancement of the piezoelectric properties of (100) BiFeO3 films on Si by all-sputtered epitaxial growth 査読

    S. Aphayvong, K. Takaki, N. Fujimura, T. Yoshimura

    Japanese Journal of Applied Physics (Special Issues)   63 ( 9 )   09SP06 - 09SP06   2024年09月（ ISSN:00214922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国内誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ad6d74

  • Dielectric properties of low-temperature-grown homoepitaxial (-201) β-Ga2O3 thin film by atmospheric pressure plasma-assisted CVD 査読

    Md. Earul Islam, Kento Shimamoto, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    14 ( 4 )   2024年04月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/5.0189793

  • Selective Isolation of Mono- to Quadlayered 2D Materials via Sonication-Assisted Micromechanical Exfoliation

    Nakamoto T.

    ACS Nano   18 ( 3 )   2455 - 2463   2024年01月（ ISSN:19360851 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1021/acsnano.3c11099

    PubMed

  • Low-temperature homoepitaxial growth of β-Ga2O3 thin films by atmospheric pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition technique 査読

    Md. Earul Islam, Kento Shimamoto, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    AIP Advances   13 ( 11 )   115224 - 115224   2023年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/5.0178100

  • Spontaneous crystal fluctuation in hydrocarbon polymer–coated monolayer MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 with strong photoluminescence enhancement 査読

    T. Nakahara†, T. Kobayashi†, T. Dohi, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya († Equal contribution)

    10 ( 10 )   3605 - 3611   2023年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.26434/chemrxiv-2023-gxzqw

    DOI： 10.1021/acsphotonics.3c00670

  • The ferroelectric orthorhombic phase formation of Hf0.5Zr0.5O2 thin films on (-201) β–Ga2O3 substrate by atomic layer deposition 査読

    K. Naito, K. Yamaguchi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics (Special Issues)   62 ( SM )   SM1018-1 - SM1018-5   2023年08月（ ISSN:00214922 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国内誌  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ace917

  • Piezoelectric MEMS-based physical reservoir computing system without time-delayed feedback 査読

    Yoshimura T.

    Japanese Journal of Applied Physics   62 ( SM )   SM1013-1 - SM1013-5   2023年08月（ ISSN:0021-4922 ） （ eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ace6ab

    その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ace6ab/pdf

  • Unusual Selective Monitoring of N,N-Dimethylformamide in a Two-Dimensional Material Field-Effect Transistor

    Fukui A.

    ACS Nano   17 ( 15 )   14981 - 14989   2023年07月（ ISSN:1936-0851 ） （ eISSN:1936-086X ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acsnano.3c03915

    PubMed

  • Efficient reservoir computing by nonlinearly coupled piezoelectric MEMS resonators 査読

    T. Yoshimura, T. Haga, N. Fujimura, K. Kanda, I. Kanno

    IEEE Transducers 2023   457   2023年06月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Spontaneous crystal fluctuation in hydrocarbon polymer–coated monolayer MoS2, MoSe2, WS2, and WSe2 with strong photoluminescence enhancement

    T Nakahara, T Kobayashi, T Dohi, T Yoshimura, N Fujimura, D Kiriya

    ChemRxiv, 2023   2023年04月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.26434/chemrxiv-2023-gxzqw

  • Unusual selective monitoring of N,N-dimethylformamide in a two-dimensional layered field-effect transistor

    A. Fukui, K. Matsuyama, H. Onoe, S. Itai, H. Ikeno, S. Hiraoka, K. Hiura, Y. Hijikata, J. Pirillo, T. Nagata, K. Takei, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya

    ChemRxiv   2023年01月

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    共著区分：共著  

    DOI： 10.26434/chemrxiv-2023-l8440

  • Selective isolation of mono to quad layered 2D materials via sonication-based solution engineering

    T. Nakamoto, K. Matsuyama, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya

    ChemRxiv   2022年12月

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    共著区分：共著  

    DOI： 10.26434/chemrxiv-2022-lgp8l

  • Enhanced Performance on Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester by Dynamic Magnifier under Impulsive Force 査読

    Sengsavang Aphayvong, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda, Norifumi Fujimura and Takeshi Yoshimura

    Applied Physics Letters   121 ( 17 )   172902 - 172902   2022年10月（ ISSN:0003-6951 ） （ eISSN:1077-3118 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1063/5.0116838

  • Strong photoluminescence enhancement in molybdenum disulfide in aqueous media 査読

    Kimura Daisuke, Yotsuya Shotaro, Yoshimura Takeshi, Fujimura Norifumi, Kiriya Daisuke

    Langmuir   38 ( 43 )   13048 - 13054   2022年10月（ ISSN:0743-7463 ） （ eISSN:1520-5827 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1021/acs.langmuir.2c01601

    PubMed

  • Metallic Transport in Monolayer and Multilayer Molybdenum Disulfides by Molecular Surface Charge Transfer Doping 査読

    Keigo Matsuyama, Ryuya Aoki, Kohei Miura, Akito Fukui, Yoshihiko Togawa, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

    ACS Applied Materials and Interfaces   14 ( 6 )   8163 - 8170   2022年02月（ ISSN:1944-8244 ） （ eISSN:1944-8252 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Carrier modulation in transition-metal dichalcogenides (TMDCs) is of importance for applying electronic devices to tune their transport properties and controlling phases, including metallic to superconductivity. Although the surface charge transfer doping method has shown a strong modulation ability of the electronic structures in TMDCs and a degenerately doped state has been proposed, the details of the electronic states have not been elucidated, and this transport behavior should show a considerable thickness dependence in TMDCs. In this study, we characterize the metallic transport behavior in the monolayer and multilayer MoS2 under surface charge transfer doping with a strong electron dopant, benzyl viologen (BV) molecules. The metallic behavior transforms to an insulative state under a negative gate voltage. Consequently, metal-insulator transition (MIT) was observed in both monolayer and multilayer MoS2 correlating with the critical conductivity of order e2/h. In the multilayer case, the BV molecules strongly modulated the topmost surface layer in the bulk MoS2; the transfer characteristics suggested a crossover from a heterogeneously doped state with a doped topmost layer to doping in the deep layers caused by the variation in the gate voltage. The findings of this work will be useful for understanding the device characteristics of thin-layered materials and for applying them to the controlling phases via carrier modulation.

    DOI： 10.1021/acsami.1c22156

    PubMed

  • Single-layered assembly of vanadium pentoxide nanowires on graphene for nanowire-based lithography technique. 査読

    A. Fukui†, Y. Aoki†, K. Matsuyama, H. Ichimiya, R. Nouchi, K. Takei, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Kiriya († Equal contribution)

    Nanotechnology   33 ( 7 )   075602 - 075602   2021年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    Graphene nanoribbon (GNR)-based materials are a promising device material because of their potential high carrier mobility and atomically thin structure. Various approaches have been reported for preparing the GNR-based materials, from bottom-up chemical synthetic procedures to top-down fabrication techniques using lithography of graphene. However, it is still difficult to prepare a large-scale GNR-based material. Here, we develop a procedure to prepare a large-scale GNR network using networked single-layer inorganic nanowires. Vanadium pentoxide (V2O5) nanowires were assembled on graphene with an interfacial layer of a cationic polymer via the electrostatic interaction. A large-scale nanowire network can be prepared on graphene and is stable enough for applying an oxygen plasma. Using plasma etching, a networked graphene structure can be generated. Removing the nanowires results in a networked flat structure whose both surface morphology and Raman spectrum indicate a GNR networked structure. The field-effect device indicates the semiconducting character of the GNR networked structure. This work would be useful for fabricating a large-scale GNR-based material as a platform for GNR junctions for physics and electronic circuits.

    DOI： 10.1088/1361-6528/ac3615

    PubMed

  • 原子層半導体と分子性化合物の融合機能化

    桐谷乃輔, 藤村紀文

    材料 雑誌 日本材料学会   70 ( 10 )   721 - 726   2021年10月

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    共著区分：共著  

  • Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> film through the direct piezoelectric response

    Kenshi Takada, Mikio Murase, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    Applied Physics Letters   119 ( 3 )   2021年07月（ ISSN:0003-6951 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    Ferroelectric HfO2-based thin films, which have been attracting a great deal attention because of their potential use in various applications, are known for their unique properties, such as a large time-dependent imprint and wake-up effect, which differentiate them from conventional ferroelectric materials. In this study, direct piezoelectric measurement was employed to investigate the state of polarization during the retention and wake-up process without applying an electric field. The polarization-electric field hysteresis loop of a sputtered Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) film with a thickness of 10 nm showed a time-dependent imprint at room temperature during polarization retention, and the internal electric field that generated the imprint gradually increased from 0.05 to 0.6 MV/cm. While a space charge density of more than 1 μC/cm2 is required to form such an internal electric field, it was found that the magnitude of the direct piezoelectric response did not change at all during polarization retention. On the other hand, both the remanent polarization and direct piezoelectric response increased during the wake-up process. Based on the difference in the variation over time of these two characteristics, we concluded that the non-ferroelectric layer exists at the interface between the HZO film and TaN electrode and gradually transitions to ferroelectric phases through the electric field cycle.

    DOI： 10.1063/5.0047104

  • Correlation between photoluminescence and antiferromagnetic spin order in strongly correlated YMnO<inf>3</inf> ferroelectric epitaxial thin film

    K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura

    AIP Advances   11 ( 7 )   2021年07月（ eISSN:2158-3226 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    The electron excitation mechanism and the spin accompanied by electron transition in a multiferroic YMnO3 epitaxial thin film were studied using photoluminescence (PL) spectroscopy. The thin film exhibits an intra-atomic transition of Mn3+ and the A1 optical coherent phonon. This study particularly focuses on the correlation between the electron transition corresponding to the on-site Coulomb energy and antiferromagnetic spin order. To clarify the complex excitation mechanism, the excitation energy and temperature dependences of the PL were analyzed. The key finding was that the intensities of the PL band at 1.43 eV increase as the excitation energy approaches the absorption peak energy corresponding to the on-site Coulomb energy and as the temperature decreases below 80 K, corresponding to the Néel temperature. These results suggest that the PL band is mediated by the spin-flip and relaxation processes.

    DOI： 10.1063/5.0055052

  • Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf0.5Zr0.5O2 film through the direct piezoelectric response 査読

    K Takada, M Murase, S Migita, Y Morita, H Ota, N Fujimura, T Yoshimura

    Applied Physics Letters 雑誌 米国物理学協会   119 ( 3 )   2021年07月

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    共著区分：共著  

  • Correlation between photoluminescence and antiferromagnetic spin order in strongly correlated YMnO3 ferroelectric epitaxial thin film 査読

    K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    AIP Advances 雑誌 American Institute of Physics   11   2021年07月

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    共著区分：共著  

  • Ultralarge Photoluminescence Enhancement of Monolayer Molybdenum Disulfide by Spontaneous Superacid Nanolayer Formation

    Yuki Yamada, Yan Zhang, Hidekazu Ikeno, Keisuke Shinokita, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Kazunari Matsuda, Daisuke Kiriya

    ACS Applied Materials & Interfaces   13 ( 21 )   25280 - 25289   2021年06月（ ISSN:1944-8244 ） （ eISSN:1944-8252 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1021/acsami.1c04980

  • Time-Dependent Imprint in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Thin Films 査読

    Kenshi Takada, Shuya Takarae, Kento Shimamoto, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    7 ( 8 )   2100151 - 2100151   2021年06月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    The discovery of the HfO2-based ferroelectric films has opened new opportunities for using this silicon-compatible ferroelectric material to realize low-power logic circuits and high-density non-volatile memories. The functional performances of ferroelectrics are intimately related to their dynamic response to external stimuli, such as electric fields at finite temperatures. In the case of HfO2-based films, the time-dependent imprint and wake-up effect, which distinguish them from conventional ferroelectrics, play important roles in understanding the remaining reliability issues, such as insufficient endurance. In this study, the time-dependent imprint process is carefully investigated using Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) films with different ferroelectric properties and defect density. The amount of redistributed charge, which causes imprint during polarization retention, is affected by the remanent polarization of the ferroelectric layer, suggesting that the depolarization field corresponding to the remanent polarization generates and works as a driving force of charge redistribution. The time-dependent measurement of the imprint distinguishes the origins of charge redistribution processes, which have different time constants. In addition, the correlation between the amount of redistributed charge and the dielectric relaxation of the HZO films is discussed. Correlations are identified between the redistributed charge and the dielectric relaxation, indicating that the mobile charge contributes to the time-dependent imprint.

    DOI： 10.1002/aelm.202100151

  • Ultralarge Photoluminescence Enhancement of Monolayer Molybdenum Disulfide by Spontaneous Superacid Nanolayer Formation 査読

    Y. Yamada, Y. Zhang, H. Ikeno, K. Shinokita, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Matsuda, and D. Kiriya

    ACS Applied Materials & Interfaces 雑誌 American Chemical Society   13 ( 21 )   2021年05月

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    共著区分：共著  

  • Strong Photoluminescence Enhancement from Bilayer Molybdenum Disulfide via the Combination of UV-irradiation and Superacid Molecular Treatment 査読

    Yuki Yamada, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

    Applied Sciences   11 ( 8 )   3530 - 3530   2021年04月（ eISSN:2076-3417 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   国際・国内誌：国際誌  

    A direct band gap nature in semiconducting materials makes them useful for optical devices due to the strong absorption of photons and their luminescence properties. Monolayer transition metal dichalcogenides (TMDCs) have received significant attention as direct band gap semiconductors and a platform for optical applications and physics. However, bilayer or thicker layered samples exhibit an indirect band gap. Here, we propose a method that converts the indirect band gap nature of bilayer MoS2, one of the representative TMDCs, to a direct band gap nature and enhances the photoluminescence (PL) intensity of bilayer MoS2 dramatically. The procedure combines UV irradiation with superacid molecular treatment on bilayer MoS2. UV irradiation induces the conversion of the PL property with an indirect band gap to a direct band gap situation in bilayer MoS2 when the interaction between the top and bottom layers is weakened by a sort of misalignment between them. Furthermore, the additional post-superacid treatment dramatically enhances the PL intensity of bilayer MoS2 by a factor of 700×. However, this procedure is not effective for a conventional bilayer sample, which shows no PL enhancement. From these results, the separated top layer would show a strong PL from the superacid treatment. The monolayer-like top layer is physically separated from the substrate by the intermediate bottom MoS2 layer, and this situation would be preferable for achieving a strong PL intensity. This finding will be useful for controlling the optoelectronic properties of thick TMDCs and the demonstration of high-performance optoelectronic devices.

    DOI： 10.3390/app11083530

  • Combinatorial study of the phase development of sputtered Pb(Zr,Ti)O3 films 査読

    M. Murase, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SP )   SPPC05 - SPPC05   2020年09月（ ISSN:0021-4922 ） （ eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    For a comprehensive study of the growth mechanisms of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), we employed a combinatorial sputtering method that enabled us to fabricate films with composition and substrate temperature gradients in-plane. The gradient of the amount of Pb supply was created using PZT ceramic and Pb3O4 powder targets. The substrate temperature gradient was generated in an orthogonal direction by inserting a shadow mask between the heater and substrate. The PZT film was deposited on uniformly deposited (001)LaNiO3/Si in a substrate temperature range of 490 °C-570 °C. It was determined that although the growth condition of PZT films has a relatively large process window, the orientation is easily changed by the temperature and the amount of Pb supply. In addition, the range of the growth temperature, where the films show ferroelectricity decreases with decreasing the amount of Pb supply.

    DOI： 10.35848/1347-4065/abb4c0

    その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abb4c0/pdf

  • Investigation of efficient piezoelectric energy harvesting from impulsive force 査読

    S. Aphayvong, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Kanda, N. Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SP )   SPPD04 - SPPD04   2020年08月（ ISSN:0021-4922 ） （ eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    © 2020 The Japan Society of Applied Physics. This study investigated the electromechanical properties of MEMS piezoelectric vibration energy harvesters (MEMs-pVEHs) under various impulsive forces to discuss effective harvesting energy from random vibrations. MEMS-pVEHs with different resonance frequencies with an energy conversion efficiency close to the theoretical maximum were used. The output waveforms for various impulsive force could be fitted well with the dynamic model of pVEHs. The output energy density reached 34 nJ g-1 for an impulsive force with an acceleration of 8 m s-2. To obtain high energy conversion efficiency, pVEHs should have a response time longer than the duration of the impulsive force; efficiency higher than 50% was obtained by an impulsive force with a short duration. Furthermore, the study investigated the pVEH requirements for impulsive force based on the results of numerical simulation.

    DOI： 10.35848/1347-4065/abad16

    その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abad16/pdf

  • Change in the defect structure of composition controlled single-phase YbFe2O4 epitaxial thin films 査読

    K. Shimamoto, J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SP )   SPPB07 - SPPB07   2020年08月（ ISSN:0021-4922 ） （ eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    © 2020 The Japan Society of Applied Physics. A new type of ferroelectricity, originating from charge order and coupled to magnetism, occurs in YbFe2O4 containing triangular Fe/O double layers, which has recently generated great interest in this material. YbFe2O4 tolerates more than 10% iron deficiency even in bulk single crystals with space group R3m. Even though a large number of Fe deficiencies are introduced in the thin film form due to vaporization of Fe ions during deposition at high temperatures, the crystal structure with the space group of R3m in the films never changes within the Fe/Yb composition ratio from 1.3 to 2.2. In the previous research, the effects of the Fe/Yb composition ratio - especially in the large Fe deficient area (1.31-1.86) - on the lattice distortion and chemical bonding state of non-stoichiometric (0001)-oriented YbFe2O4 epitaxial thin films on (111) YSZ and (0001) sapphire substrates were examined. The variation of the lattice constant, Raman spectra, and optical absorption coefficient indicated that the existence of the stacking fault and the antisite Yb play an important role in the significant iron deficiency without changing the crystal structure of non-stoichiometric YbFe2O4 thin films.

    DOI： 10.35848/1347-4065/aba9b2

    その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/aba9b2/pdf

  • Photoactivation of Strong Photoluminescence in Superacid-Treated Monolayer Molybdenum Disulfide 査読

    Yuki Yamada, Keisuke Shinokita, Yasuo Okajima, Sakura N. Takeda, Yuji Matsushita, Kuniharu Takei, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Kazunari Matsuda, Daisuke Kiriya

    ACS Applied Materials & Interfaces   12 ( 32 )   36496 - 36504   2020年07月（ ISSN:1944-8244 ） （ eISSN:1944-8252 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    © 2020 American Chemical Society. To advance the development of atomically thin optoelectronics using two-dimensional (2D) materials, engineering strong luminescence with a physicochemical basis is crucial. Semiconducting monolayer transition-metal dichalcogenides (TMDCs) are candidates for this, but their quantum yield (QY) is known to be poor. Recently, a molecular superacid treatment of bis(trifluoromethane)sulfonimide (TFSI) generated unambiguously bright monolayer TMDCs and a high QY. However, this method is highly dependent on the processing conditions and therefore has not been generalized. Here, we shed light on environmental factors to activate the photoluminescence (PL) intensity of the TFSI-treated monolayer MoS2, with a factor of more than 2 orders of magnitude greater than the original by photoactivation. The method is useful for both mechanically exfoliated and chemically deposited samples. The existence of photoirradiation larger than the band gap demonstrates enhancement of the PL of MoS2; on the other hand, activation by thermal annealing, as demonstrated in the previous report, is less effective for enhancing the PL intensity. The photoactivated monolayer MoS2 shows a long lifetime of ∼1.35 ns, more than a 30-fold improvement over the original as exfoliated. The consistent realization of the bright monolayer MoS2 reveals that air exposure is an essential factor in the process. TFSI treatment in a N2 environment was not effective for achieving a strong PL, even after the photoactivation. These findings can serve as a basis for engineering the bright atomically thin materials for 2D optoelectronics.

    DOI： 10.1021/acsami.0c09084

    PubMed

  • Investigation of the electrocaloric effect in ferroelectric polymer film through direct measurement under alternating electric field 査読

    Yuji Matsushita, Takeshi Yoshimura, Daisuke Kiriya, Norifumi Fujimura

    Applied Physics Express   13 ( 4 )   041007 - 041007   2020年04月（ ISSN:1882-0778 ） （ eISSN:1882-0786 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    © 2020 The Japan Society of Applied Physics. The electrocaloric (EC) effect of ferroelectric polymer film was investigated at a high frequency. The analysis used the finite element method and revealed that the extractive heat density per unit of time increases and the thermal diffusion length decreases with an increase in the frequency of the driving electric field. Given the small thermal diffusion coefficient of ferroelectric polymers, the high-frequency drive of the EC effect for ferroelectric polymer film is promising for cooling devices. To discuss the EC effect under an alternating current (AC) electric field, the EC temperature change of the vinylidene fluoride-trifluoroethylene copolymer 75/25 P(VDF-TrFE) film with a thickness of 2 μm was characterized through direct measurement using a thin-film thermocouple. The EC temperature change increases with an increase in the electric field and frequency and reached up to 0.23 °C at 1.5 MV cm-1 and 10 kHz. The extractive heat density was estimated to be as high as 0.69 W cm-2

    DOI： 10.35848/1882-0786/ab8053

    その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ab8053/pdf

  • Valence states and the magnetism of Eu ions in Eu-doped GaN 査読

    Takumi Nunokawa, Yasufumi Fujiwara, Yusuke Miyata, Norifumi Fujimura, Takahiro Sakurai, Hitoshi Ohta, Akira Masago, Hikari Shinya, Tetsuya Fukushima, Kazunori Sato, Hiroshi Katayama-Yoshida

    Journal of Applied Physics   127 ( 8 )   083901 - 083901   2020年02月（ ISSN:0021-8979 ） （ eISSN:1089-7550 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/1.5135743

  • Output Power of Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvesters under Random Oscillation

    S. Murakami, T. Yoshimura, M. Aramaki, Y. Kanaoka, K. Tsuda, K. Satoh, K. Kanda, N. Fujimura

    Journal of Physics: Conference Series   1407 ( 1 )   2019年12月（ ISSN:1742-6588 ） （ eISSN:1742-6596 ）

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    © Published under licence by IOP Publishing Ltd. The output characteristics of MEMS piezoelectric vibration energy harvesters (PVEHs) under random oscillations are analysed. We fabricated cantilever-type MEMS-PVEHs using Pb(Zr,Ti)O3 films. The autocorrelation function of the transient displacement of the cantilever tip under random oscillations features a narrow-band random vibration. From the power spectral density (PSD) of the output voltage of the PVEHs, the resonance frequency decreases and the full-width at half-maximum increases with increasing vibration acceleration. By comparing output properties under various sinusoidal oscillations, nonlinear effects including the soft-spring effect and nonlinear damping effect clearly influence the output characteristics under random oscillations. The power generation is proportional to the square of the vibration acceleration even in the acceleration region where nonlinear effects become conspicuous.

    DOI： 10.1088/1742-6596/1407/1/012082

  • Quantitative analysis of the direct piezoelectric response of bismuth ferrite films by scanning probe microscopy 査読

    Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Katsuya Ujimoto, Norifumi Fujimura

    Scientific Reports   9 ( 1 )   19727 - 19727   2019年12月（ eISSN:2045-2322 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    © 2019, The Author(s). Polarisation domain structure is a microstructure specific to ferroelectrics and plays a role in their various fascinating characteristics. The piezoelectric properties of ferroelectrics are influenced by the domain wall contribution. This study provides a direct observation of the contribution of domain walls to the direct piezoelectric response of bismuth ferrite (BiFeO3) films, which have been widely studied as lead-free piezoelectrics. To achieve this purpose, we developed a scanning probe microscopy-based measurement technique, termed direct piezoelectric response microscopy (DPRM), to observe the domain structure of BiFeO3 films via the direct piezoelectric response. Quantitative analysis of the direct piezoelectric response obtained by DPRM, detailed analysis of the domain structure by conventional piezoelectric force microscopy, and microscopic characterisation of the direct piezoelectric properties of BiFeO3 films with different domain structures revealed that their direct piezoelectric response is enhanced by the walls between the domains of spontaneous polarisation in the same out-of-plane direction.

    DOI： 10.1038/s41598-019-56261-w

    PubMed

    その他URL： http://www.nature.com/articles/s41598-019-56261-w.pdf

  • The effects of small amounts of oxygen during deposition on structural changes in sputtered HfO2-based films 査読

    Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( SL )   SLLB03 - SLLB03   2019年11月（ ISSN:0021-4922 ） （ eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 The Japan Society of Applied Physics. To investigate the effects of small amounts of oxygen on the crystal growth process and structural changes in HfO2-based films, film was deposited on a Si substrate using HfO2 and ZrO2 targets via RF magnetron co-sputtering with small amounts of added O2. Even when the deposition was carried out without heating, the most stable monoclinic phase mainly formed at O2 partial pressures above 1 mPa, where the sputtering maintained the oxide mode in the as-deposited state. With decreasing O2 partial pressure, the amorphous component increased. During the annealing process, the metastable tetragonal or orthorhombic phase crystallized when the amorphous film was deposited at a lower O2 partial pressure of 1 mPa. The volume fraction of the metastable phase decreased abruptly at an O2 partial pressure at which the sputtering mode changed from metal mode to oxide mode. These results indicate that the O2 partial pressure during deposition have an effect on the crystal growth process and causes structural changes in the film even after the annealing process.

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab37cb

    その他URL： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab37cb/pdf

  • Piezoelectric energy harvesting from AC current-carrying wire 査読

    Takeshi Yoshimura, Kyohei Izumi, Yuya Ueno, Toshio Minami, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics   58 ( SL )   SLLD10 - SLLD10   2019年11月（ ISSN:0021-4922 ） （ eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 The Japan Society of Applied Physics. The magnetic field surrounding an AC current-carrying wire is a promising source for energy harvesting. In this study, an AC magnetic field energy harvester is developed based on the piezoelectric vibration energy harvester. A permanent magnet placed near the AC current-carrying wire vibrates by coupling with the AC magnetic field. The kinetic energy of the vibration can be converted by the piezoelectric effect. Theoretical analysis indicates that the harvester composed of a piezoelectric cantilever with a permanent magnet at the free end should be placed so that the magnet and the wire do not collide. Then, the harvester was fabricated using a piezoelectric bimorph cantilever with a mechanical quality factor of 66 and a generalized electromechanical coupling factor (K 2) of 3.1% and a neodymium magnet with a mass of 3.1 g. At an AC current of 5 Arms with a frequency of 50 Hz, an output of 1.3 mW was obtained.

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab3e57

    その他URL： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1347-4065/ab3e57/pdf

  • Perspectives of Novel Applications of Ferroelectric/Piezoelectric Thin Films for Smart Systems 査読

    Norifumi Fujimura and Takeshi Yoshimura

    Materials Research Meeting 2019   2019年10月

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    共著区分：共著  

  • Fabrication of chemical composition controlled YbFe2O4 epitaxial thin films 査読

    J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys.   58 ( SL )   SLLB11 - SLLB11   2019年08月（ ISSN:0021-4922 ） （ eISSN:1347-4065 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    © 2019 The Japan Society of Applied Physics. The crystal growth of YbFe2O4 requires oxidant-poor conditions, thus YbFe2O4 usually contains a large number of iron deficiencies even in the bulk single crystal. The use of an ArF laser for laser ablation is effective to reduce the amount of active oxygen species and a wide process window to form the YbFe2O4 epitaxial films becomes available. By using the widened process window and an iron-rich target, the chemical composition of the YbFe2O4 epitaxial thin films is successfully controlled. The effect of the iron composition on the charge ordering transition can be discussed using the nonlinear I-V behavior. The threshold electric field changes depending on the iron composition owing to the broadening of the 3-dimensional (3D) charge order region, which affects the robustness of the 3D charge order against an electric field in YbFe2O4 thin films.

    DOI： 10.7567/1347-4065/ab3959

  • Convection‐Flow‐Assisted Preparation of a Strong Electron Dopant, Benzyl Viologen, for Surface‐Charge Transfer Doping of Molybdenum Disulfide 査読

    Keigo Matsuyama, Akito Fukui, Kohei Miura, Hisashi Ichimiya, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

    ChemistryOpen   8 ( 7 )   908 - 914   2019年07月（ ISSN:2191-1363 ） （ eISSN:2191-1363 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 The Authors. Published by Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. Transition metal dichalcogenides (TMDCs) have received attention as atomically thin post-silicon semiconducting materials. Tuning the carrier concentrations of the TMDCs is important, but their thin structure requires a non-destructive modulation method. Recently, a surface-charge transfer doping method was developed based on contacting molecules on TMDCs, and the method succeeded in achieving a large modulation of the electronic structures. The successful dopant is a neutral benzyl viologen (BV0); however, the problem remains of how to effectively prepare the BV0 molecules. A reduction process with NaBH4 in water has been proposed as a preparation method, but the NaBH4 simultaneously reacts vigorously with the water. Here, a simple method is developed, in which the reaction vial is placed on a hotplate and a fragment of air-stable metal is used instead of NaBH4 to prepare the BV0 dopant molecules. The prepared BV0 molecules show a strong doping ability in terms of achieving a degenerate situation of a TMDC, MoS2. A key finding in this preparation method is that a convection flow in the vial effectively transports the produced BV0 to a collection solvent. This method is simple and safe and facilitates the tuning of the optoelectronic properties of nanomaterials by the easily-handled dopant molecules.

    DOI： 10.1002/open.201900169

    その他URL： https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full-xml/10.1002/open.201900169

  • Demonstration of high-performance piezoelectric MEMS vibration energy harvester using BiFeO3 film with improved electromechanical coupling factor 査読

    Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kazuo Satoh, Norifumi Fujimura

    Sensors and Actuators A: Physical   291   167 - 173   2019年06月（ ISSN:0924-4247 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 Elsevier B.V. The present study reports the improvement of piezoelectric properties of sputtered BiFeO 3 films, and application to piezoelectric MEMS vibration energy harvesters (MEME-pVEHs). (100)-oriented BiFeO 3 films were obtained on (100)-oriented LaNiO 3 bottom electrodes grown on (100) Si substrates at deposition temperatures ranging from 450 °C to 550 °C. While all the films showed well-defined ferroelectric hysteresis loops at room temperature, the highest e 31,f coefficient of −3.6 C/m 2 was obtained at 500 °C. The increase of the e 31,f coefficient with increasing of the Rayleigh constant indicates the domain wall substantially contributes to the piezoelectric properties of the BiFeO 3 films. MEMS-pVEHs measuring 1 × 6 mm 2 and Si proof mass of 3.0 mg were fabricated using the BiFeO 3 film. The resonance frequency, electromechanical coupling factor, and mechanical quality factor were determined as 151.2 Hz, 0.1%, and 850, respectively. The maximum output power was 2.4 μW at 0.3 G, which is comparable with that of the best-performing MEMS-pVEHs using Pb(Zr,Ti)O 3 films.

    DOI： 10.1016/j.sna.2019.03.050

  • Solvent engineering for strong photoluminescence enhancement of monolayer molybdenum disulfide in redox-active molecular treatment 査読

    Hisashi Ichimiya, Akito Fukui, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

    Applied Physics Express   12 ( 5 )   051014 - 051014   2019年05月（ ISSN:1882-0778 ） （ eISSN:1882-0786 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 The Japan Society of Applied Physics. Monolayer molybdenum disulfide's (MoS2) direct band gap nature makes it a good platform for realizing atomically thin optoelectronic devices. However, an issue is its low luminescence brightness. In this research, we demonstrate a strategy to achieve strong photoluminescence (PL) of monolayer MoS2, by treatment with a redox-active molecule, fluoranil. An important finding is that the factor of PL enhancement depends strongly on the solvent used and the PL changes by more than one order of magnitude. This work is useful for harnessing the strong optical properties of MoS2 by the combination of oxidizing molecules and engineering the solvent used.

    DOI： 10.7567/1882-0786/ab1544

    その他URL： http://iopscience.iop.org/article/10.7567/1882-0786/ab1544/pdf

  • Electronic Structure Mosaicity of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides by Spontaneous Pattern Formation of Donor Molecules 査読

    Hisashi Ichimiya, Masahiro Takinoue, Akito Fukui, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

    ACS Applied Materials & Interfaces   11 ( 17 )   15922 - 15926   2019年05月（ ISSN:1944-8244 ） （ eISSN:1944-8252 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 American Chemical Society. Modulating the electronic structure of semiconducting materials is critical to developing high-performance electronic and optical devices. Transition metal dichalcogenides (TMDCs) are atomically thin semiconducting materials. However, before they can be used successfully in electronic and optical devices, modulation of their carrier concentration at the nanometer scale must be achieved. Molecular doping has been successful in modulating the carrier concentration; however, the scientific approach for selective and local carrier doping at the nanometer scale is still missing. Here, we demonstrate a proof-of-concept of modulating the carrier concentration of TMDCs laterally on a scale of around 100 nm using spontaneous pattern formation of an ultrathin film consisting of molecular electron dopants. When the water made contact with the molecular film (∼10 nm), a spontaneous pattern formation was observed on both the monolayer and bulk TMDCs. We revealed that the pattern-formation dynamics and nanoscopic flow rate of the molecules were highly dependent on the thickness of the TMDCs, since the band gap varies based on the number of layers. Analyses of topographic images of the molecular patterns and photoluminescence spectra of the TMDCs indicated that the spontaneously patterned molecular films induced a local carrier doping. Our results demonstrate a spontaneous formation of a mosaic electronic structure. This work is useful for making tiny-scale electronic junctions on TMDCs and semiconducting materials to make numerous p/n junctions simultaneously for optoelectronic devices.

    DOI： 10.1021/acsami.9b03367

    PubMed

  • Time-Resolved Simulation of the Negative Capacitance Stage Emerging at the Ferroelectric/Semiconductor Hetero-Junction 査読

    Norifumi Fujimura Kenshi Takada Takeshi Yoshimura

    2019 MRS Spring Meeting   2019年04月

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    共著区分：共著  

  • Electromechanical characteristics of piezoelectric vibration energy harvester with 2-degree-of-freedom system 査読

    Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda, Norifumi Fujimura

    Applied Physics Letters   114 ( 13 )   133902 - 133902   2019年04月（ ISSN:0003-6951 ） （ eISSN:1077-3118 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 Author(s). Enhancing the output power at small input acceleration is a major concern for enabling practical application of vibration energy harvesters. In this study, a two-degree of freedom system (2-DOF) was employed to solve this issue. The numerical calculations using the lumped parameter model of the piezoelectric vibration energy harvesters (pVEHs) with 2-DOF indicate that the harvesters show two resonance peak and an increase in the output power of several ten times compared with the harvester with a single degree of freedom. Based on calculations, the prototype of pVEH with 2-DOF was fabricated using a micro-machined pVEH and a metal cantilever. The output power of the harvester is 3.4 μW at 0.1 Grms, which is 17 times higher than that of the micro-electro-mechanical system-pVEH. Moreover, the resonance frequency on the pVEH with 2-DOF is easily adjusted because of the coupled vibration of the two masses.

    DOI： 10.1063/1.5093956

  • Fabrication and Characterization of (Ba,La)SnO3 Semiconducting Epitaxial Films on (111) and (001) SrTiO3 Substrates 査読

    Kohei Miura, Daisuke Kiriya, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura

    physica status solidi (a)   216 ( 5 )   1700800 - 1700800   2019年03月（ ISSN:1862-6300 ） （ eISSN:1862-6319 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Recently, BaSnO 3 has attracted great attention as a promising transparent oxide semiconductor with a large bandgap (3.3 eV) and high mobility (320 cm 2 V −1 s −1 ), and many reports have discussed the origin of its high mobility. Specifically, its effective mass m* has been investigated with both calculations and experiments. First-principles calculations have suggested that m* is small near the Γ point and that this m* assists the high mobility. Therefore, it is quite important to study the anisotropy in the mobility of this material. However, except for (001) BaSnO 3 , there are almost no reports on the electrical transport properties of the films with other orientations. In this paper, the authors fabricate (111) and (001) (Ba,La)SnO 3 films by using pulsed laser deposition to evaluate the structural differences including the epitaxial strain and the orientation distribution generated from the differences in the growth mode that is originated in the ionic arrangement of each surface. The effects of the structural differences for the conductivities of (001) and (111) films and how do the authors achieve the epitaxial films with high mobility are discussed.

    DOI： 10.1002/pssa.201700800

  • Saturated and Pinched Ferroelectric Hysteresis Loops in BiFeO3 Ceramics 査読

    Jin Hong Choi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Chae Il Cheon

    Journal of the Korean Physical Society   74 ( 3 )   269 - 273   2019年02月（ ISSN:0374-4884 ） （ eISSN:1976-8524 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019, The Korean Physical Society. BiFeO 3 (BFO) ceramics were prepared by conventional solid-state reaction method without quenching. The effect of the sintering condition on the phase evolution and the ferroelectric properties of these BFO ceramics were investigated. A pinched polarization - electric field (P-E) hysteresis loop was observed in the sample sintered at high temperature for a short period (820 °C for 1 hour) because the domain wall motion is restricted by a large number of ionic defects such as oxygen vacancies. The BFO sample sintered at low temperature for a long period (760 °C for 6 hours) displayed a well-saturated P-E hysteresis loop due to its low ionic defect density.

    DOI： 10.3938/jkps.74.269

    その他URL： http://link.springer.com/content/pdf/10.3938/jkps.74.269.pdf

  • Time-resolved simulation of the negative capacitance stage emerging at the ferroelectric/semiconductor hetero-junction 査読

    K. Takada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    AIP Advances   9 ( 2 )   025037 - 025037   2019年02月（ eISSN:2158-3226 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    © 2019 Author(s). Recently, a number of papers have demonstrated sub-60 mV/decade switching by using the negative capacitance (NC) effect in ferroelectric-gate FETs. However, the physical picture is not yet understood. In this paper, an alternative physical picture for emerging NC is proposed and the development of the NC stage at the ferroelectric/semiconductor hetero-junction is described. Proposed physical picture is based on two factors, 1. "decrease in an additional voltage originated from the depolarization field by surface potential of semiconductor" and 2. "Change in the distribution ratio of gate voltage (V G ) to voltage applied to the ferroelectric layer (V F ) and surface potential of the semiconductor (ψ S ) due to the capacitance change of semiconductor." With considering these two essential phenomena, time-resolved simulations of the NC stage emerging at the ferroelectric/semiconductor hetero-junction were carried out. This NC phenomena expressed by the negative differential of the D F for the V F , i.e. (D F /V F <0), emerging in the MFS (metal/ferroelectric/semiconductor) capacitor without inserting dielectric layer, are dynamically simulated to discuss the proposed NC process. The simulation results clearly reveal that the NC stage is originated from the existence of additional voltage caused by the depolarization field by surface potential of semiconductor originated from the existence of remanent polarization of ferroelectric layer, and change in the capacitance of the semiconductor during polarization switching. The different physical picture from steady-state NC and transient NC can be clearly shown.

    DOI： 10.1063/1.5075516

  • Relationship between Spontaneous Pattern Formation of Donor Molecules and Surface States on 2 Dimensional Semiconducting Materials 査読

    H. Ichimiya, M. Takinoue, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    Chemistry and Micro-Nano Systems,18,1,2019, 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • Convection-Flow-Assisted Preparation of a Strong Electron Dopant, Benzyl Viologen, for Surface-Charge Transfer Doping of Molybdenum Disulfide 査読

    Keigo Matsuyama, Akito Fukui, Kohei Miura, Hisashi Ichimiya, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, and Daisuke Kiriya

    ChemistryOpen 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • The effects of the chemical composition on the charge/spin ordering transition in YbFe2O4 epitaxial films 査読

    J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

    JJAP FMA特集号 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • Piezoelectric energy harvesting from AC current-carrying wire 査読

    Takeshi Yoshimura, Kyohei Izumi, Yuya Ueno, Toshio Minami, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    JJAP FMA特集号 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • The Effect of Small Amount of Oxygen During Deposition for the Structural Change of Sputtered HfO2-based Films 査読

    Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, and Norifumi Fujimura

    JJAP 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • Electronic Structure Mosaicity of Monolayer Transition Metal Dichalcogenides by Spontaneous Pattern Formation of Donor Molecules 査読

    H. Ichimiya, M. Takinoue, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    ACS Appl. Mater. Interfaces, 11 (17), pp 15922–15926 (2019) 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • Solvent engineering for strong photoluminescence enhancement of monolayer molybdenum disulfide in redox-active molecular treatment 査読

    Hisashi Ichimiya, Akito Fukui, Yuki Aoki, Yuki Yamada, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura and Daisuke Kiriya

    Applied Physics Express, Volume 12, Number 5,051014,1-5 (2019) 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • Electromechanical characteristics of piezoelectric vibration energy harvester with 2-degree-of-freedom system 査読

    Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kazuo Satoh, Norifumi Fujimura

    Appl. Phys. Lett. 114, 133902,1-4 (2019) 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • Demonstration of high-performance piezoelectric MEMS vibration energy harvester using BiFeO3 film with improved electromechanical coupling factor 査読

    Masaaki Aramaki, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kazuo Satoh, Norifumi Fujimura

    Sensors and Actuators A: Physical, Volume 291, 167-173,(2019) 雑誌   2019年

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    共著区分：共著  

  • Investigation of mechanical nonlinear effect in piezoelectric MEMS vibration energy harvesters 査読

    M. Aramaki, K. Izumi, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Satoh, K. Kanda, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys.   57 ( 11S )   11UD03,1 - 11UD03,4   2018年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.7567/JJAP.57.11UD03

  • Investigation of piezoelectric energy harvesting from human walking 査読

    R. Kakihara, K. Kariya, Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of Physics: Conference Series   1052 ( 1 )   2018年07月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1088/1742-6596/1052/1/012113

  • Direct piezoelectric properties of BiFeO3 epitaxial films grown by combinatorial sputtering 査読

    T. Yoshimura, K. Kariya, N. Okamoto, M. Aramaki, N. Fujimura

    Journal of Physics: Conference Series   1052 ( 1 )   2018年07月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1088/1742-6596/1052/1/012020

  • Systematic Study of Photoluminescence Enhancement in Monolayer Molybdenum Disulfide by Acid Treatment 査読

    D. Kiriya, Y. Hijikata, J. Pirillo, R. Kitaura, A. Murai, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Langmuir, 34, 10234-10249(2018). 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • Time-resolved Simulation of the Negative Capacitance Stage Emerging at the Ferroelectric/Semiconductor Hetero-Junction 査読

    K. Takada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    AIP Advances 9, 025037,1-5 (2019). 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters 査読

    S. Murakami, T. Yoshimura, Y. Kanaoka, K. Tsuda, K. Satoh, K. Kanda, N. Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics 57, 11UD10 (2018), 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • (001) Si 基板直上への Y doped HfO2薄膜のエピタキシャル成長 査読

    鎌田 大輝, 高田 賢志, 吉村 武, 藤村 紀文

    材料,Vol. 67,No. 9, pp. 844-848(2018). 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • Tuning Transition-Metal Dichalcogenide Field-EffectTransistor by Spontaneous Pattern Formation of an Ultrathin Molecular Dopant Film 査読

    H. Ichimiya, M. Takinoue, A. Fukui, K. Miura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    ACS Nano, 12, 10, 10123-10129(2018), 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • The effect of crystal distortion and domain structure on piezoelectric properties of BiFeO3 thin films 査読

    N. Okamoto, K. Kariya, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics Volume 57, 11S,11UF07,1-4 (2018), 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • Direct piezoelectric response in vinylidene fluoride – trifluoroethylene copolymer films 査読

    Y. Matsushita, I. Kanagawa, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics, Volume 57, Number 11S ,11UG01,1-4(2018), 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • Reaction of N,N'-dimethylformamide and divalent viologen molecule to generate an organic dopant for molybdenum disulfide 査読

    A. Fukui, K. Miura, H. Ichimiya, A. Tsurusaki, K. Kariya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    AIP Advances 8, 055313,1-7 (2018), 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • Fabrication and characterization of (Ba,La)SnO3 semiconducting epitaxial films on (111) and (001) SrTiO3 substrates 査読

    K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Physica Status Solidi A,216,1700800,1-7(2018). 雑誌   2018年

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    共著区分：共著  

  • Cerium ion doping into self-assembled Ge using three-dimensional dot structure 査読

    Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Journal of Crystal Growth   468 ( 15 )   696 - 700   2017年06月

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    共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.11.055

  • Fabrication and electrical properties of a (Pb, La)(Zr, Ti) O3 capacitor with pulsed laser deposited Sn-doped In2O3 bottom electrode on Al2O3 (0001) 査読

    Yoko Takada, Rika Tamano, Naoki Okamoto, Takeyasu Saito, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Koji Higuchi, Akira Kitajima

    Jpn. J. Appl. Phys.   56 ( 7S2 )   07KC02 - 07KC02   2017年06月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.7567/JJAP.56.07KC02

  • High efficiency piezoelectric MEMS vibrational energy harvsters using (100) oriented BIFEO3 films 査読

    M. Aramaki, K. Izumi, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

    2017 IEEE 30th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS)   829 - 832   2017年01月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1109/MEMSYS.2017.7863536

  • Growth and ferroelectric properties of La and Al codoped BiFeO3 epitaxial films 査読

    Hirokazu Izumi,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura

    Journal of Applied Physics 121(2017), 174102 雑誌   2017年

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    共著区分：共著  

  • Ultrafast dynamics of coherent optical phonon correlated with the antiferromagnetic transition in a hexagonal YMnO3 epitaxial film 査読

    Takayuki Hasegawa, Norifumi Fujimura, and Masaaki Nakayama

    Appl. Phys. Lett. 111, 192901 (2017) 雑誌   2017年

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    共著区分：共著  

  • Development of piezoelectric bistable energy harvester based on buckled beam with axially constrained end condition for human motion 査読

    Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, N. Fujimura, M. R. Ebied, and M. G. S. Ali

    Japanese Journal of Applied Physics, Volume 56, Number 10S (2017). 雑誌   2017年

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    共著区分：共著  

  • Crystallographic Polarity Effect of ZnO on Thin Film Growth of Pentacene 査読

    Tatsuru Nakamura, Takahiro Nagata, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba,Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, and　Yutaka Wakayama

    Japanese Journal of Applied Physics, Volume 56, Number 4S (2017) 雑誌   2017年

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    共著区分：共著  

  • Photoelectron spectroscopic study on monolayer pentacene thin film/ polar ZnO single crystal hybrid interface 査読

    Takahiro Nagata, Tatsuru Nakamura, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba, Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, and Yutaka Wakayama

    Applied Physics Express, 10(2017), 025702 1-4 雑誌   2017年

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    共著区分：共著  

  • Strain Dependent Electronic Structure and Band Offset Tuning at Heterointerfaces of ASnO3 (A=Ca, Sr, and Ba) and SrTiO3 査読

    John D. Baniecki, Takashi Yamazaki, Dan Ricinschi, Quentin Van Overmeere, Hiroyuki Aso, Yusuke Miyata, Hiroaki Yamada, Norifumi Fujimura, Ronald Maran, Toshihisa Anazawa, Nagarajan Valanoor, and Yoshihiko Imanaka

    Scientific Reports, 7 (2017), 41725 1-12, 雑誌   2017年

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    共著区分：共著  

  • Origin of the photoinduced current of strongly correlated YMnO3 ferroelectric epitaxial films 査読

    Kohei Miura, Lejun Zhang, Daisuke Kiriya, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura and Norifumi Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics, 56(2017), Number 10S 雑誌   2017年

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    共著区分：共著  

  • Low temperature formation of highly resistive ZnO films using nonequilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure 査読

    Yukinori Nose, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Tsuyoshi Uehara, Norifumi Fujimura

    Thin Solid Films   616   415 - 418   2016年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1016/j.tsf.2016.09.009

  • Novel chemical vapor deposition process of ZnO films using nonequilibrium N2 plasma generated near atmospheric pressure with small amount of O2 below 査読

    Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    J. Appl. Phys. 119 (2016), 175302 1-6 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Low-voltage operation of Si-based ferroelectric field effect transistors using organic ferroelectrics, ply(vinylidene fluoride-trifluoroethylene), as a gate dielectric 査読

    Yusuke Miyata, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, and Norifumi Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics 55(2016), 04EE04 1-4 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Reliability of the properties of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors with non–noble metal oxide electrodes stored in an H2 atmosphere 査読

    Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, and R. Shishido

    MRS Advances 1(2016) 369−374 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Al: ZnO top electrodes deposited with various oxygen pressures for ferroelectric (Pb, La)(Zr,Ti)O3 capacitors 査読

    Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi and A. Kitajima

    Electronics Letters 52(2016), 230−232 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Comparative Study of Hydrogen - and Deuterium - induced Degradation of Ferroelectric (Pb,La)(Zr,Ti)O3 Capacitors Using Time of Flight Secondary Ion Measurement 査読

    Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, and R. Shishido

    IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, 63(2016), 1668-1673 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Comparative Study of Ferroelectric (K,Na)NbO3 Thin Films Pulsed Laser Deposition on Platinum Substrates with Different Orientation 査読

    R. Tamano, Y. Takada, N. Okamoto. T. Saito, K. Higuchi, A. Kitajima, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    Proc. 2016 IEEE ISAF/ECAPD/PFM(2016), 1−4 雑誌   2016年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

  • Evaluatioion of Deuterium ion Profile in (Pb,La)(Zr,Ti)O3 Capacitors Structures with Conductive Oxide Top Electrode by Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry 査読

    Y. Takada, R. Tamano, N. Okamoto, T. Saito, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima and R. Shishido

    Proc. 2016 IEEE ISAF/ECAPD/PFM(2016), 1−4 雑誌   2016年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

  • Fabrication of Doped Pb(Zr,Ti)O3 Capacitors on Pt Substrates with Different Orientations 査読

    R. Tamano, T. Amano, Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi and A. Kitajima

    Electronics Letters, 52(2016), 1399-1401 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Ferroelectric properties of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors employing Al-doped ZnO top electrodes prepared by pulsed laser deposition under different oxygen pressures 査読

    Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi and A. Kitajima

    Japanese Journal of Applied Physics (2016), 55, 06JB04. 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Control of native acceptor density in epitaxial Cu2O thin films grown by electrochemical deposition 査読

    Atsushi Ashida, Shunsuke Sato, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura,

    Journal of Crystal Growth(2016) 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • High efficiency piezoelectric MEMS vibration energy harvesters using (100) oriented BiFeO3 Films 査読

    M. Aramaki, K. Izumi, T. Yoshimura, S. Murakami, and N. Fujimura

    Proc. of the 30th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (2016), 829-832 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Direct measurements of electrocaloric effect in ferroelectrics using thin-film thermocouples 査読

    Yuji Matsushita, Atsushi Nochida, Takeshi Yoshimura, and Norifumi Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. 55(2016), 10TB04 1-4 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Effects of (Bi1/2,Na1/2)TiO3 on the electrical properties of BiFeO3-based thin films 査読

    Jin Hong Choi, Takeshi Yoshimura, and Norifumi Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. 55(2016), 10TA17 1-4 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Thickness dependence of piezoelectric properties of BiFeO3 films fabricated using rf magnetron sputtering system 査読

    Masaaki Aramaki, Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, and Norifumi Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. 55(2016), 10TA16 1-5 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Large enhancement of positive magnetoresistance by Ce doping in Si epitaxial thin films 査読

    Y. Miyata, K. Ueno, Y. Togawa, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura

    Appl. Phys. Lett. 109 (2016), 112101 1-4 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • (111)SrTiO3基板上への(Ba,La)SnO3薄膜の結晶成長 査読

    三浦 光平, 樫本 涼,吉 村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    材料 65 (2016), 638-641 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Lowering the growth temperature of strongly-correlated YbFe2O4 thin films prepared by pulsed laser deposition 査読

    Yukinori Nose, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Tsuyoshi Uehara and Norifumi Fujimura

    Thin Solid Films 614(2016), 44-46 雑誌   2016年

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    共著区分：共著  

  • Enhancement of piezoelectric properties of BiFeO3 films for vibration energy harvesting 査読

    T. Yoshimura, K. Kariya, N. Fujimura, and S. Murakami

    Proc. of the Seventeenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 雑誌   2015年11月

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    共著区分：共著  

  • Direct measurement of electrocaloric effect in barium titanate thin films 査読

    T. Yoshimura, K. Kariya, N. Fujimura, and S. Murakami

    Proc. of The Seventeenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 雑誌   2015年11月

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    共著区分：共著  

  • Piezoelectric MEMS vibrational energy harvester using BiFeO3 films 査読

    T. Yoshimura, S. Murakami, K. Kariya, and N. Fujimura

    Proc. of the 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic 雑誌   2015年11月

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    共著区分：共著  

  • Direct measurement of the electrocaloric effect in ferroelectrics using thin film thermocouple 査読

    Y. Matsushita, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    Proc. of the 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic 雑誌   2015年11月

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    共著区分：共著  

  • Theoretical analysis of linear and nonlinear piezoelectric vibrational energy harvesters for human walking 査読

    Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, N. Fujimura, Nour Z. Elsayed, Mohamed R. Ebied and Mohamed G. S. Ali

    Japanese Journal of Applied Physics 雑誌 応用物理学会   54   2015年09月

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    共著区分：共著  

  • Growth and characterization of (1 − x)BiFeO3–x(Bi0.5,K0.5)TiO3 thin films 査読

    Jin Hong Choi, Takeshi Yoshimura and Norifumi Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics 雑誌   54   2015年09月

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    共著区分：共著  

  • Evaluation of the electronic states in highly Ce doped Si films grown by low temperature molecular beam epitaxy system 査読

    Yusuke Miyata, Yukinori Nose, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura

    J. Crystal Growth 雑誌 Elsevier   425   158 - 161   2015年09月

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    共著区分：共著  

  • Effects of polarization of polar semiconductor on electrical properties of poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)/ZnO heterostructures 査読

    H. Yamada, T. Yoshimura and N. Fujimura

    Journal of Applied Physics 雑誌   117   2015年06月

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    共著区分：共著  

  • Interface energetics and atomic structure of epitaxial La1-xSrxCoO3 on Nb:SrTiO3 査読

    Quentin Van Overmeere,John D. Baniecki,Takashi Yamazaki,Dan Ricinschi,Hiroyuki Aso,Yusuke Miyata,Hiroaki Yamada,Norifumi Fujimura,Yuji Kataoka,Yoshihiko Imanaka

    Appl. Phys. Lett.   106   241602 - 241602   2015年06月

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    共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1063/1.4922880

  • The orientation controlled (Pb,La)(Zr,Ti)O3capacitor for improved reliabilities 査読

    T. Saito, T. Amano, Y. Takada, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima

    2015 Joint IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectric (ISAF), International Symposium on ISIF/PFM   226 - 229   2015年05月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1109/ISAF.2015.7172712

  • Effect of Al-doped ZnO or Sn-doped In2O3 electrode on ferroelectric properties of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors 査読

    Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima and H. Iwai

    Japanese Journal of Applied Physics   54   05ED03,1 - 05ED03,6   2015年04月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.7567/JJAP.54.05ED03

  • Effect of excess Pb on ferroelectric characteristics of conductive Al-doped ZnO and Sn-doped In2O3 top slscrtodes in PbLaZrTiOx capacitors 査読

    Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

    International Journal Material Reserch 雑誌   106   83 - 87   2015年04月

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    共著区分：共著  

  • The effect of H2 distribution in (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors with conductive oxide electrodes on the degradation of ferroelectric properties 査読

    Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

    Material Research Soc. Simp. Proseedings 雑誌   1729   93 - 98   2015年04月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1557/opl.2015.263

  • Direct measurement of the electrocaloric effect in ferroelectrics using thin film thermocouple 査読

    Y. Matsushita, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    Proc. of the 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic 雑誌   2015年

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    共著区分：共著  

  • Hydrogen profile measurement of (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitor with conductive electrode after hydrogen annealing 査読

    Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, H. Iwai, and R. Shishido

    Proc. 2015 IEEE ISAF/ISIF/PFM   163 - 166   2015年

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1109/ISAF.2015.7172695

  • The output power of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters under random oscillations

    K Kariya, T Yoshimura, S Murakami and N Fujimura

    Journal of Physics: Conference Series 雑誌   557   2014年11月

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    共著区分：共著  

  • Enhancement of piezoelectric properties of (100)-orientated BiFeO3 films on (100)LaNiO3/Si 査読

    Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami and Norifumi Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics 雑誌 The Japan Society of Applied Physics   53 ( 9ｓ )   2014年09月

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    共著区分：共著  

  • Piezoelectric properties of (100) orientated BiFeO3 thin films on LaNiO3 査読

    Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami and Norifumi Fujimura

    Japanese Journal of Applied Physics 雑誌 The Japan Society of Applied Physics   53 ( 8S3 )   2014年08月

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    共著区分：共著  

  • Improved reliability properties of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 ferroelectric capacitors by thin aluminium-doped zinc oxide buffer layer 査読

    Y.Takada, T.Tsuji, N.Okamoto, T.Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima

    Electronics Letters IEEE   50 ( 11 )   799 - 801   2014年05月

  • Near-surface structure of polar ZnO surfaces prepared by pulsed laser deposition 査読

    T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Thin Solid Films Elsevier   559   88 - 91   2014年05月

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    共著区分：共著  

  • Aluminum-doped zinc oxide electrode for robust (Pb,La)(Zr,Ti)O3 capacitors: effect of oxide insulator encapsulation and oxide buffer layer 査読

    Yoko Takada,Toru Tsuji,Naoki Okamoto,Takeyasu Saito,Kazuo Kondo,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Koji Higuchi,Akira Kitajima,Akihiro Oshima

    Materials in Electronics Journal of Materials Science   925 ( 5 )   2155 - 2161   2014年05月

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    共著区分：共著  

  • Correlation between the intra-atomic Mn3+ photoluminescence and antiferromagnetic transition in an YMnO3 epitaxial film 査読

    Masaaki Nakayama, Yoshiaki Furukawa, Kazuhiro Maeda, Takeshi Yoshimura, Hiroshi Uga, Norifumi Fujimura

    Applied Physics Express The Japan Society of Applied Physics   7   2014年02月

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    共著区分：共著  

  • Crystal structure and local piezoelectric properties of strain-controlled (001) BiFeO3 epitaxial thin films 査読

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, K. Wakazono,A. Ashida,N. Fujimura

    Thin Solid Films Elsevier   550   738 - 741   2014年01月

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    共著区分：共著  

  • Development of piezoelectric MEMS vibration energy harvester using (100) oriented BiFeO3 ferroelectric film 査読

    S Murakami, T Yoshimura, K Satoh, K Wakazono, K Kariya and N Fujimura

    Journal of Physics:Conference Series Elsevier   476   2013年12月

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    共著区分：共著  

  • Enhancement of Direct Piezoelectric Properties of Domain-Engineered(100)BiFeO3 Films 査読

    Takeshi Yshimura,Katsuya Ujimoto,Yusaku Kawahara,keisuke Wakazono,Kento Kariya,Norifumi Fujimura,Syuichi Murakami

    Japanese Journal of Applied Physics The Japan Society of Applied Physics   52   2013年09月

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    共著区分：共著  

  • Comparative study of electrical properties of PbLaZrTiOx capacitors with Al-doped ZnO and ITO top electrodes 査読

    Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

    2013 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric and Workshop on Piezoresponse Force Microscopy, ISAF/PFM 2013 IEEE   6748710   360 - 362   2013年07月

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    共著区分：共著  

  • Electrical properties of PbLaZrTiOx capacitors with conductive oxide buffer layer on Pt electrodes 査読

    T. Saito, Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

    2013 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric and Workshop on Piezoresponse Force Microscopy, ISAF/PFM 2013 IEEE   6748734   205 - 207   2013年07月

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    共著区分：共著  

  • Piezoelectric vibrational energy harvester using lead-free ferroelectric BiFeO3 films 査読

    T. Yoshimura, S. Murakami, K. Wakazono, K. Kariya, N. Fujimura

    Appl. Phys. Express The Japan Society of Applied Physics   6 ( 5 )   051501 1 - 4   2013年05月

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    共著区分：共著  

  • ナノチャネルを有する強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製とその電気特性評価 査読

    野村侑平，吉村武，藤村紀文

    Journal of the Vacuum Society of Japan 日本真空学会   56 ( 5 )   172 - 175   2013年05月

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    共著区分：共著  

  • Effects of La substitution for BiFeO3 epitaxial thin films 査読

    K. Wakazono, Y. Kawahara, K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc.   62 ( 7 )   1069 - 1072   2013年04月

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    共著区分：共著  

  • Effect of the annealing temperature of P(VDF/TrFE) thin films on their ferroelectric properties 査読

    Y. Yachi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc.   62 ( 7 )   1065 - 1068   2013年04月

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    共著区分：共著  

  • 有機強誘電体を用いた磁性半導体Si:Ce薄膜の電界効果 査読

    宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，吉村武，藤村紀文

    Journal of the Vacuum Society of Japan 日本真空学会   ( 56 )   136 - 138   2013年04月

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    共著区分：共著  

  • Effect of target surface microstructure on morphological and electrical properties of pulsed-laser-deposited BiFeO3 epitaxial thin films 査読

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   52 ( 4 )   045803 1 - 5   2013年04月

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    共著区分：共著  

  • Electrical properties of sol-gel derived PbLaZrTiOx capacitors with nonnoble metal oxide top electrodes 査読

    Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

    Electrochemical Society Transactions The Electrochemical Society   50 ( 34 )   43 - 48   2013年03月

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    共著区分：共著  

  • Orientation control of ZnO films deposited using nonequilibrium atmospheric pressure N2/O2 plasma 査読

    Y. Nose, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. Special Issue The Japan Society of Applied Physics   52 ( 1 )   01AC03 1 - 3   2013年01月

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    共著区分：共著  

  • Investigation of gas sensing characteristics of TiO2 nanotube channel field-effect transistor 査読

    M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   51 ( 11 )   11PE10 1 - 3   2012年11月

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    共著区分：共著  

  • Effect of ferroelectric polarization on carrier transport in controlled polarization type ferroelectric gate field-effect transistors with P(VDF-TeFE)/ZnO heterostructure 査読

    H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   51 ( 11 )   11PB01 1 - 4   2012年11月

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    共著区分：共著  

  • Control of crystal structure of BiFeO3 epitaxial thin films by the growth condition and piezoelectric properties 査読

    Y. Kawahara, K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys.（Ferroelectric Materials Their Applications） The Japan Society of Applied Physics   51 ( 9 )   09LB04 1 - 5   2012年09月

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    共著区分：共著  

  • 大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO薄膜の低温形成とその成長形態 査読

    野瀬幸則, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    材料   61 ( 9 )   756 - 759   2012年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.2472/jsms.61.756

  • 誘電泳動により作製したTiO2ナノチューブ電界効果トランジスタの電気伝導 査読

    石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

    材料   61 ( 9 )   766 - 770   2012年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.2472/jsms.61.766

  • Growth temperature and thickness dependences of crystal and micro domain structures of BiFeO3 epitaxial films 査読

    Katsuya Ujimoto, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    Proceedings of ISAF-ECAPD-PFM 2012   1 - 3   2012年07月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

  • Electronic transport in organic ferroelectric gate field-effect transistors with ZnO channel 査読

    H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    2012 MRS Spring Meeting Proceedings MRS   2012年04月

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    共著区分：共著  

  • Electronic Transport in Organic Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors with ZnO Channel 査読

    H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    MRS Online Proceedings Library   1430   19 - 24   2012年04月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

  • Direct piezoelectric properties of (100) and (111) BiFeO3 epitaxial thin films 査読

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics   100   102901 1 - 3   2012年03月

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    共著区分：共著  

  • Local pH control by electrolysis for ZnO epitaxial deposition on a Pt cathode 査読

    S. Yagi, Y. Kondo, Y. Satake, A. Ashida, N. Fujimura

    Electrochimica Acta Elsevier   62   2012年02月

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    共著区分：共著  

  • 酸化亜鉛単結晶基板の極性面の違いによる表面処理方法とエピタキシャル成長過程の相違 査読

    中村立,　藤村紀文

    材料   60 ( 11 )   983 - 987   2011年11月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.2472/jsms.60.983

  • Direct piezoelectricity of PZT films and application to vibration energy harvesting 査読

    H. Miyabuchi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc.   59 ( 3 )   2524 - 2527   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • Characterization of field effect transistor with TiO2 nanotube channel fabricated by dielectrophoresis 査読

    M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N.Fujimura

    IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP   18   082019 1 - 4   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • Characterization of direct piezoelectric properties for vibration energy harvesting 査読

    T. Yoshimura, H. Miyabuchi, S. Murakami, A. Ashida, N. Fujimura

    IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP   18   092026 1 - 4   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • ZnO crystal growth on microelectrode by electrochemical deposition method 査読

    Y. Kondo, A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

    IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP   18   092043 1 - 4   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • Effect of lattice misfit strain on crystal system and ferroelectric property of BiFeO3 epitaxial thin films 査読

    K. Ujimoto, H. Izumi, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering IOP   18   092064 1 - 4   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • Characterization of direct piezoelectric effect in 31 and 33 modes for application to vibration energy harvester 査読

    H. Miyabuchi, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   50 ( 9 )   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • Effect of ferroelectric polarization domain structure on electronic transport property of ferroelectric ZnO heterostructure 査読

    H. Yamada, T. Fukushima, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   50 ( 9 )   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • Structural analysis and electrical properties of pure Ge3N4 dielectric layers formed by an atmospheric-pressure nitrogen plasma 査読

    R. Hayakawa, M. Yoshida, K. Ide, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, S. Kunugi, T. Uehara, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   110   2011年09月

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    共著区分：共著  

  • Ce-induced reconstruction of Si(001) surface structures 査読

    D. Shindo, S. Sakurai, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   50 ( 6 )   065701 1 - 4   2011年06月

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    共著区分：共著  

  • Initial growth process in electrochemical deposition of ZnO 査読

    A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   50 ( 5 )   05FB12 1 - 3   2011年05月

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    共著区分：共著  

  • Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate thin film transistor using resistor-capacitor lumped constant circuit 査読

    T. Fukushima, K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   50 ( 4 )   04DD16 1 - 4   2011年04月

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    共著区分：共著  

  • Electronic transport property of a YbMnO3/ZnO heterostructure 査読

    H. Yamada, T. Fukushima, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of the Korean Physical Society Korean Phys. Soc.   58 ( 4 )   792 - 796   2011年04月

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    共著区分：共著  

  • Fabrication of robust PbLa(Zr,Ti)O3 capacitor structures using insulating oxide encapsulation layers for FeRAM integration 査読

    T. Saito, T.Tsuji, K. Izumi, Y. Hirota, N. Okamoto, K.Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Kitajima, A. Oshima

    Electronics Letters ＩＥＴ   47 ( 8 )   486 - 487   2011年04月

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    共著区分：共著  

  • Surface preparation of ZnO single-crystal substrate for the epitaxial growth of ZnO thin films 査読

    T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    J. Crystal Growth Elsevier   318   516 - 518   2011年03月

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    共著区分：共著  

  • 酸化亜鉛の最先端技術と将来 査読

    藤村紀文

    酸化亜鉛の最先端技術と将来 シーエムシー出版   2011年01月

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    共著区分：単著  

  • Fabrication and magneto-transport properties of Zn0.88-xMgxMn0.12O/ZnO heterostructures grown on ZnO single-crystal substrates 査読

    K. Masuko, T. Nakamura, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Advances in Science and Technology Trans Tech Publications Inc.   75   2010年10月

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    共著区分：共著  

  • Local piezoelectric and conduction properties of BiFeO3 epitaxial thin films 査読

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys., Ferroelectric Materials Their Applications The Japan Society of Applied Physics   49 ( 9 )   2010年09月

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    共著区分：共著  

  • 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製 査読

    芦田淳, 藤村紀文

    材料   59 ( 9 )   681 - 685   2010年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

    DOI： 10.2472/jsms.59.681

  • Ferroelectric properties of magnetoferroelectric YMnO3 epitaxial films at around the neel temperature 査読

    T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

    Key Engineering Materials Trans Tech Publications Inc.   445   144 - 147   2010年07月

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    共著区分：共著  

  • Dielectric behavior of YMnO3 epitaxial thin film at around magnetic phase transition temperature 査読

    K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Advances in Science and Technology Trans Tech Publications Inc.   67   176 - 181   2010年06月

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    共著区分：共著  

  • The effects of aluminum doping for the magnetotransport property of Si:Ce thin films 査読

    D. Shindo, K. Fujii, T. Terao, S. Sakurai, S. Mori, K. Kurushima, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   107 ( 9 )   09C308 1 - 3   2010年05月

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    共著区分：共著  

  • Direct piezoelectric properties of Mn-doped ZnO epitaxial films 査読

    T. Yoshimura, H. Sakiyama, T. Oshio, A. Ashida, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   49 ( 2 )   021501 1 - 3   2010年03月

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    共著区分：共著  

  • Control of carrier concentration of p-type transparent conducting CuScO2(0001) epitaxial films 査読

    Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Thin Solid Films Springer   518 ( 11 )   3097 - 3100   2010年03月

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    共著区分：共著  

  • Growth process observation of homoepitaxial ZnO thin films using optical emission spectra during pulsed laser deposition 査読

    T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Thin Solid Films Springer   518 ( 11 )   2971 - 2974   2010年03月

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    共著区分：共著  

  • Control of cathodic potential for deposition of ZnO by constant-current electrochemical method 査読

    N. Nouzu, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Thin Solid Films Springer   518 ( 11 )   2957 - 2960   2010年03月

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    共著区分：共著  

  • Analysis of carrier modulation in channel of　ferroelectric-gate transistors having polar semiconductor 査読

    T. Fukushima, T. Yoshimura, K. Masuko, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

    Thin Solid Films Springer   518 ( 11 )   3026 - 3029   2010年03月

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    共著区分：共著  

  • Effects of Mg doping on structural, optical, and electrical properties of CuScO2(0001) epitaxial films 査読

    Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Vacuum Surface Engineering, Surface Instrumentation & Vacuum Technology Elsevier   84 ( 5 )   618 - 621   2009年12月

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    共著区分：共著  

  • Amorphous Carbon Film Deposition for Hydrogen Barrier in FeRAM Integration by Radio Frequency Plasma Chemical Vapor Deposition Method 査読

    Takeyasu Saito, Kaname Izumi, Yuichiro Hirota, Naoki Okamoro, Kazuo Kondo, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    Electrochemical Society Transactions   25 ( 8 )   693 - 698   2009年10月（ eISSN:1938-6737 ）

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1149/1.3207657

    その他URL： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.3207657/pdf

  • Polarization switching behavior of YMnO3 thin film at around magnetic phase transition temperature 査読

    K. Maeda, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   48 ( 9 )   2009年09月

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    共著区分：共著  

  • Contribution of s-d exchange interaction to magnetoresistance of ZnO-based heterostructures with a magnetic barrier 査読

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Physical Review B the American Physical Society   80 ( 12 )   2009年09月

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    共著区分：共著  

  • Electron transport properties of Zn0.88Mn0.12O/ZnO modulation-doped heterostructures 査読

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of Vacuum Science & Technology B AIP Publishing LLC   27 ( 3 )   1760 - 1764   2009年05月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic properties of uniformly Ce-doped Si thin films with n-type conduction 査読

    T. Terao, K. Fujii, D. Shindo, T. Yoshimura, N.Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   48 ( 3 )   033003 1 - 5   2009年03月

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    共著区分：共著  

  • Optical and electrical properties of CuScO2 epitaxial films prepared by combining two-step deposition and post-annealing techniques 査読

    Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yotsuya, K. Masuko, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    J. Crystal Growth Elsevier   311 ( 4 )   1117 - 1122   2009年02月

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    共著区分：共著  

  • Spin-phonon coupling in multiferroic YbMnO3 studied by Raman scattering 査読

    H. Fukumura, N. Hasuike, H. Harima, K. Kisoda, K. Fukae, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jounal of Physics-Condensed Matter Elsevier   21 ( 6 )   2009年02月

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    共著区分：共著  

  • Electrical characteristics of controlled-polarization-type ferroelectric-gate field-effect transistor 査読

    T. Fukushima, T. Yoshimura, K. Masuko, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   47 ( 12 )   8874 - 8879   2008年12月

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    共著区分：共著  

  • Effects of oxygen annealing on dielectric properties of LuFeCuO4 査読

    Y. Matsuo, M. Suzuki, Y. Noguchi, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Yoshi, N. Ikeda, S. Mori

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   47 ( 11 )   8464 - 8467   2008年11月

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    共著区分：共著  

  • Effect of electrically degenerated layer on the carrier transport property of ZnO epitaxial thin films 査読

    S. Sakamoto, T. Oshio, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Applied Surface Science Elsevier   254 ( 19 )   6248 - 6251   2008年07月

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    共著区分：共著  

  • Electrical and optical properties of excess oxygen intercalated CuScO2(0001) epitaxial films prepared by oxygen radical annealing 査読

    Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yotsuya, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Thin Solid Films Elsevier   516 ( 17 )   5785 - 5789   2008年07月

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    共著区分：共著  

  • Dielectric properties of ferroelectric/DMS heterointerface using YMnO3 and Ce doped Si 査読

    D. Shindo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Applied Surface Science Elsevier   254 ( 19 )   6218 - 6221   2008年07月

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    共著区分：共著  

  • Electro-optic property of ZnO:Mn epitaxial films 査読

    T. Oshio, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Physica Status Solidi (c) John Wiley & Sons, Inc.   5   3110 - 3112   2008年05月

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    共著区分：共著  

  • Effect of Mn doping on the electric and dielectric properties of ZnO epitaxial films 査読

    T. Oshio, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   103 ( 9 )   2008年05月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic and dielectric properties of Yb(Mn1-xAlx)O3 thin films 査読

    K. Fukae, T. Takahashi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control IEEE   55 ( 5 )   1056 - 1060   2008年05月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著  

    DOI： 10.1109/TUFFC.2008.756

  • Effects of spontaneous and piezoelectric polarizations on carrier confinement at the Zn0.88Mn0.12O/ZnO interface 査読

    K. Masuko, H. Sakiyama, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Physica Status Solidi (c） John Wiley & Sons, Inc.   5   3107 - 3109   2008年05月

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    共著区分：共著  

  • Spin-dependent transport in a ZnMnO/ZnO heterostructure 査読

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   103 ( 7 )   2008年04月

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    共著区分：共著  

  • Influence of antiferromagnetic exchange interaction on magnetic properties of ZnMnO thin films grown pseudomorphically on ZnO (000(1)over-bar) single-crystal substrates(2008) 査読

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   103 ( 4 )   2008年02月

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    共著区分：共著  

  • Multiferroic behaviors of hexagonal YMnO3 and YbMnO3 epitaxial films 査読

    N. Fujimura, K. Maeda,　K. Fukae, T. Yoshimura

    Material Research Soc. Fall Meeting MRS   2007年12月

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    共著区分：共著  

  • Influence of Antiferromagnetic Ordering on Ferroelectric Polarization Switching of YMnO3 Epitaxial Thin Films 査読

    55 ( 12 )   2641 - 2644   2007年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

  • Effect of Bi substitution on the magnetic and dielectric properties of epitaxially-grown BaFe0.3Zr0.7O3-δ thin films on SrTiO3 substrates 査読

    T. Matsui, S. Daido, N. Fujimura, T. Yoshimura, H. Tsuda, K. Morii

    Journal of Physics ａｎｄ Chemistry of Solids Elsevier   68 ( 8 )   1515 - 1521   2007年09月

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    共著区分：共著  

  • Raman scattering studies on multiferroic YMnO3 査読

    H. Fukumura, S. Matsui, H. Harima, K. Kisoda, T. Takahashi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of Physics: Condens Matter Elsevier   19 ( 36 )   2007年09月

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    共著区分：共著  

  • Low temperature growth of Si:Ce thin films with high crystallinity and uniform distribution of Ce grown by solid-source molecular beam epitaxy 査読

    T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo, N. Fujimura

    J. Crystal Growth   307 ( 1 )   30 - 34   2007年09月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2007.06.009

  • Spin-coupled phonons in multiferroic YbMnO3 epitaxial films by raman scattering 査読

    H. Fukumura, N. Hasuike, H. Harima, K. Kisoda, K. Fukae, T. Takahashi, T.Yoshimura, N. Fujimura

    PHONONS 2007 Journal of Physics: Conference Series Elsevier   92   2007年08月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic frustration behavior of ferroelectric ferromagnet YbMnO3 epitaxial films 査読

    N. Fujimura, T. Takahashi T. Yoshimura, A. Ashida

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   101 ( 9 )   2007年05月

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    共著区分：共著  

  • Preparation and the magnetic property of ZnMnO thin films on (000-1) ZnO single crystal substrate 査読

    K. Masuko, A. Ashida,T. Yoshimura, N. Fujimura

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials Elsevier   310   e711 - e713   2007年03月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic properties of low temperature grown Si:Ce thin films on (001) Si substrate 査読

    T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo, A. Ashida, N. Fujimura

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials Elsevier   310   e726 - e728   2007年03月

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    共著区分：共著  

  • The comparison of the growth models of silicon nitride ultra-thin films fabricated using atmospheric pressure plasma and radio frequency plasma 査読

    M. Nakae, R. Hayakawa, T.Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, T. Uehara

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   101 ( 2 )   2007年01月

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    共著区分：共著  

  • Multiferroic behaviors of YMnO3 and YbMnO3 epitaxial films (invided paper) 査読

    N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Takahashi, A. Ashida, T. Yoshimura

    Philosophical Magazine Letters Taylor&Francis   87 ( 41702 )   193 - 201   2007年01月

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    共著区分：共著  

  • Effect of additional oxygen for the formation of silicon oxynitride using nitrogen plasma generated near atmospheric pressure 査読

    R. Hayakawa, M. Nakae, T.Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, T. Uehara

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   45 ( 12 )   9025 - 9028   2006年12月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic properties of Er,O-codoped GaAs at low temperature 査読

    S. Takemoto, T. Terao, Y. Terai, M. Yoshida, A. Koizumi, H. Ohta, Y. Takeda, N. Fujimura, Y. Fujiwara

    physica status solidi c   3 ( 12 )   4082 - 4085   2006年12月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

    DOI： 10.1002/pssc.200672878

  • Detailed structural analysis and dielectric properties of silicon nitride film fabricated using pure nitrogen plasma generated near atmospheric pressure 査読

    R. Hayakawa, M. Nakae, T.Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, T. Uehara, M. Tagawa, Y. Teraoka

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   100 ( 7 )   2006年10月

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    共著区分：共著  

  • Single-wall carbon nanotube field efect transistors with non-volatile memory operation 査読

    T. Sakurai, T. Yoshimura, S. Akita, N. Fujimura, Y. Nakayama

    Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, Letters & express letters The Japan Society of Applied Physics   45 ( 37-41 )   L1036 - L1038   2006年10月

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    共著区分：共著  

  • Growth and ferromagnetic properties of ferroelectric YbMnO3 thin films 査読

    T. Takahashi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   45 ( 9B )   7329 - 7331   2006年09月

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    共著区分：共著  

  • Photoluminescence properties peculiar to the Mn-related transition in a lightly alloyed ZnMnO thin film grown by pulsed laser deposition 査読

    M. Nakayama, H. Tanaka, K. Masuko, T. Fukushima, A. Ashida, N. Fujimura

    Applied Phys. Letters American Institute of Physics   88 ( 24 )   2006年06月

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    共著区分：共著  

  • Reaction of Si with excited nitrogen species in pure nitrogen plasma near atmospheric pressure 査読

    R.Hayakawa, T.Yoshimura, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura

    Thin Solid Films Elsevier   506-507   423 - 426   2006年04月

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    共著区分：共著  

  • Electro-optical effect in ZnO:Mn thin films prepared by Xe sputtering 査読

    A. Ashida, T. Nagata, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   99 ( 1 )   2006年01月

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    共著区分：共著  

  • Ferromagnetic and dielectric behavior of Mn-doped BaCoO3 査読

    T. Inoue, T. Matsui, N. Fujimura , H. Tsuda, K. Morii

    IEEE Transactions on Magnetics IEEE   41 ( 10 )   3496 - 3498   2005年10月

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    共著区分：共著  

  • Preferred Orientation and Elastic Strain of Epitaxial and Non-Epitaxial ZnOx Thin Films. 査読

    N.Fujimura, T.Nishihara and T.Ito

    Symposium Proc. of Materials Research Society (1990)   244   2005年10月

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    掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）   共著区分：共著   国際・国内誌：国際誌  

  • Low-temperature growth and characterization of epitaxial YMnO3/Y2O3/Si MFIS capacitors with thinner insulator layer 査読

    K. Haratake, N. Shigemitsu, M.Nishijima, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   44 ( 9B )   6977 - 6980   2005年09月

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    共著区分：共著  

  • Enhancement of ferromagnetic ordering in dielectric BaFe1-xZrxO3 (x=0.5-0.8) single crystalline films by pulsed laser-beam deposition 査読

    T. Matsui, E.. Taketani, N. Fujimura, H. Tsuda, K. Morii

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   97 ( 10 )   2005年05月

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    共著区分：共著  

  • Epitaxial growth of CuScO2 thin films on sapphire a-plane substrates by pulsed laser deposition 査読

    Y. Kakehi, K. Satoh, T. Yotsuya, S. Nakao, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   97 ( 8 )   2005年04月

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    共著区分：共著  

  • Improvement of magnetization and leakage current properties of magnetoelectric BaFeO3 thin films by Zr substitution 査読

    T. Matsui, E..Taketani, H. Tuda, N. Fujimura, K. Morii

    Appl. Phys. Lett.. American Institute of Physics   86 ( 8 )   2005年02月

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    共著区分：共著  

  • Analysis of nitrogen plasma generated by a pulsed plasma sysytem near atmospheric pressure 査読

    R. Hayakawa, T. Yoshimura, A. Ashida, H. Kitahata, M. Yuasa, N. Fujimura

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   96 ( 11 )   6094 - 6096   2004年12月

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    共著区分：共著  

  • Interface characteristics of (Zn,Mn)O/ZnO grown on ZnO substrate 査読

    A. Ashida, K. Masuko, T. Edahiro, T. Oshio, N. Fujimura

    J. Crystal Growth Elsevier   275   2004年12月

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    共著区分：共著  

  • Formation of silicon oxynitride films with low leakage current using N2/O2 plasma near atomospheric pressure 査読

    R. Hayakawa, T. Yoshimura, A. Ashida, H. Kitahata, M. Yuasa, N. Fujimura

    Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   43 ( 11B )   7853 - 7856   2004年11月

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    共著区分：共著  

  • Synthesis of Bi(FexAl1-x)O3 thin films by pulsed laser deposition and its structural characterization 査読

    M. Okada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   43 ( 9B )   6609 - 6612   2004年09月

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    共著区分：共著  

  • Pulsed-laser-deposited YMnO3 epitaxial films with square polarization-electric field hysteresis loop and low-temperature growth 査読

    N. Shigemitsu, H. Sakata, D. Ito, T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   43 ( 9B )   6613 - 6616   2004年09月

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    共著区分：共著  

  • Effect of oxygen deficiencies on magnetic properties of epitaxial grown BaFeO3 thin films on (100)SrTiO3 substrates 査読

    E. Taketani, T. Matsui, N. Fujimura, K. Morii

    IEEE Transactions on Magnetics Part 2 IEEE   40 ( 4 )   2736 - 2738   2004年07月

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    共著区分：共著  

  • Electro-optic effect in ZnO:Mn thin films 査読

    T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of Alloys and Compounds Elsevier   371   157 - 159   2004年05月

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    共著区分：共著  

  • The effects of Xe on an rf plasma and growth of ZnO films by rf sputtering 査読

    T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   95 ( 8 )   3923 - 3927   2004年04月

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    共著区分：共著  

  • P-E measurements for ferroelectric gate capacitors 査読

    T. Yoshimura, N. Fujimura

    Integrated Ferroelectrics Taylor&Francis   61   59 - 64   2004年02月

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    共著区分：共著  

  • Optical propagation loss of ZnO films grown on sapphire 査読

    A. Ashida, H. Ohta, T. Nagata, Y. Nakano, N. Fujimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   95 ( 4 )   1673 - 1676   2004年02月

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    共著区分：共著  

  • Polarization hysteresis loops of ferroelectric gate capacitors measured by Sawyer-tower circuit 査読

    T. Yoshimura, N. Fujimura

    Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   42 ( 9B )   6011 - 6014   2003年09月

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    共著区分：共著  

  • Improvement of surface morphology and the dielectric property of YMnO3 films 査読

    H. Sakata, D. Ito, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Jpn J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   42 ( 9B )   6003 - 6006   2003年09月

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    共著区分：共著  

  • Influence of schottky and poole-frenkel emission on the retention property of YMnO3 based metal/ferroelectric/insulator/semiconductor capacitors 査読

    D. Ito, N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   94 ( 6 )   4036 - 4041   2003年09月

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    共著区分：共著  

  • Effect of carrier for magnetic and magnetotransport properties of Si:Ce films 査読

    T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   93 ( 10 )   7679 - 7681   2003年05月

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    共著区分：共著  

  • Formation of two-dimensional electron gas and the magneto-transport behavior of ZnMnO/ZnO heterostructure 査読

    T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   93 ( 10 )   7673 - 7675   2003年05月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic properties of highly resistive BaFeO3 thin films epitaxially grown on SrTiO3 single crystal substrates 査読

    T. Matsui, E. Taketani, N. Fujimura, T. Ito, K. Morii

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   93 ( 10 )   6993 - 6995   2003年05月

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    共著区分：共著  

  • Ferromagnetic and ferroelectric behaviors of A site substituted YMnO3-based epitaxial thin films 査読

    N. Fujimura, D. Ito, H. Sakata, T. Yoshimura, T. Yokota, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   93 ( 10 )   6990 - 6992   2003年05月

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    共著区分：共著  

  • Ferroelectric properties of YMnO3 epitaxial films for ferroelectric-gate field effect transistors 査読

    D. Ito, N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   93 ( 9 )   5563 - 5567   2003年05月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic and dielectric properties of epitaxially grown BaFeO3 thin films on SrTiO3 single crystal substrates 査読

    T. Matsui, H. Tanaka, E. Taketani, N. Fujimura, T. Ito, K. Morii

    J. Korean Phys. Soc. Korean Phys. Soc.   42   S1378 - S1381   2003年04月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic and magnetotransport properties of solid phase epitaxially grown Si:Ce films 査読

    T. Yokota, N. Fujimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   93 ( 7 )   4045 - 4048   2003年04月

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    共著区分：共著  

  • The effect of leakage current on the retention property of YMnO3 based MFIS capacitor 査読

    D. Ito, N. Fujimura, T. Ito

    Integrated Ferroelectrics Taylor&Francis   49   41 - 49   2002年12月

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    共著区分：共著  

  • Effect of substitutionally dissolved Ce in Si on the magnetic and electric properties of magnetic semiconductor: Si1-xCex films 査読

    T, Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki, T. Ito

    Appl. Phys. Lett.. American Institute of Physics   81 ( 21 )   4023 - 4025   2002年11月

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    共著区分：共著  

  • Electro-optic effect in epitaxial ZnO:Mn thin films 査読

    T. Nagata, A. Ashida, Y. Takagi, N. Fujimura, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   41 ( 11B )   6916 - 6918   2002年11月

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    共著区分：共著  

  • Crystal growth and interface characterization of dielectric BaZrO3 thin films on Si substrates 査読

    T. Matsui, Y. Kitano, N. Fujimura, K. Morii, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   41 ( 11B )   6639 - 6642   2002年11月

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    共著区分：共著  

  • Structural, dielectric and magnetic properties of epitaxially grown BaFeO3 thin films on (100) SrTiO3 single-crystal substrates 査読

    T. Matsui, H. Tanaka, N. Fujimura, T. Ito, H. Mabuchi, K. Morii

    Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics   81 ( 15 )   2764 - 2766   2002年10月

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    共著区分：共著  

  • Thin film crystal growth of BaZrO3 at low oxygen partial pressure 査読

    Y. Kitano, T. Matsui, N. Fujimura, K. Morii, T. Ito

    Journal of Crystal Growth Elsevier   243 ( 1 )   164 - 169   2002年08月

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    共著区分：共著  

  • Ce concentration dependence on the magnetic and transport properties of Ce doped Si epitaxial films prepared by molecular beam epitaxy 査読

    T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   91 ( 10 )   7905 - 7907   2002年05月

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    共著区分：共著  

  • Electro-optic property of ZnO:X (X=Li,Mg) thin films 査読

    T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of Crystal Growth Elsevier   237   533 - 537   2002年04月

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    共著区分：共著  

  • Growth process and interfacial structure of epitaxial Y2O3/Si thin films deposited by Pulsed laser deposition 査読

    K. Kakuno, D. Ito, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

    Journal of Crystal Growth Elsevier   237   487 - 491   2002年04月

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    共著区分：共著  

  • Retention property analysis of epitaxially grown YMnO3/Y2O3/Si capacitor 査読

    D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

    Ferroelectrics Taylor&Francis   271   1677 - 1682   2002年04月

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    共著区分：共著  

  • The progress of the YMnO3/Y2O3/Si system for ferroelectric gate field effect transistor 査読

    N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

    Ferroelectrics Taylor&Francis   271   1819 - 1824   2002年01月

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    共著区分：共著  

  • Annealing behavior of electrical properties in plasma-exposed Ti/p-Si interfaces 査読

    T. Yamaguchi, H. Kato, N. Fujimura, T. Ito

    Thin Solid Films Elsevier   396 ( 41641 )   119 - 125   2001年09月

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    共著区分：共著  

  • Ferroelectricity in Li-doped ZnO:X thin films and the application for the optical switching devices 査読

    T. Nagata, T. Shimura, Y. Nakano, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   40 ( 9B )   5615 - 5618   2001年09月

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    共著区分：共著  

  • Detailed Structural Analysis of Ce Doped Si Thin Films 査読

    T. Yokota, N. Fujimura, Y. Morinaga and T. Ito

    Physica E 雑誌   10   237 - 241   2001年05月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic properties of Er and Er,O-doped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy 査読

    Y. Morinaga, T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito, T. Koide, Y. Fujiwara, Y. Takeda

    Physica E Elsevier   10 ( 41642 )   391 - 394   2001年05月

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    共著区分：共著  

  • Magnetic and magneto-transport properties of ZnO:Ni films 査読

    T. Wakano, N. Fujimura, N. Abe, Y. Morinaga, A. Ashida, T. Ito

    Physica E Elsevier   10 ( 41642 )   260 - 264   2001年05月

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    共著区分：共著  

  • Preparation and ferroelectric properties of YMnO3 thin films with c-axis preferred orientation by the sol-gel method 査読

    K. Tadanaga, H. Kitahata, T. minami, N. Fujimura, T. Ito

    J. Sol-Gel Sci. tech. Springer   19 ( 41642 )   589 - 593   2000年12月

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    共著区分：共著  

  • Initial stage of film growth of pulsed laser deposited YMnO3 査読

    D. Ito, N. Fujimura, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   39 ( 9B )   5525 - 5527   2000年09月

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    共著区分：共著  

  • Influence of reactive ion etching damage on the schottky barrier hight of Ti/p-Si interface 査読

    N. Fujimura, T. Yamaguchi, H.Kato, T. Ito

    Applied Surface Science Elsevier   159   186 - 190   2000年06月

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    共著区分：共著  

  • Improvement of Y2O3/Si interface for FeRAM application 査読

    D. Ito, T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

    Appl. Sur. Sci. Elsevier   159   138 - 142   2000年06月

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    共著区分：共著  

  • Characterization of ferroelectricity in metal/ferroelectric/insulator/semiconductor structure by pulsed C-V measurement; Ferroelectricity in YMnO3/Y2O3/Si structure 査読

    T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

    J. Appl. Phys AIP Publishing LLC   87 ( 7 )   3444 - 3449   2000年04月

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    共著区分：共著  

  • Effect of plasma-induced damage on initial reactions of titanium thin films on Si surface 査読

    T. Yamaguchi, A. Hama, N. Fujimura, T. Ito

    Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics   76 ( 17 )   2358 - 2360   2000年04月

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    共著区分：共著  

  • Detailed structural analysis of Ce doped Si thin films 査読

    T. Yokota, N. Fujimura, Y. Morinaga, T. Ito

    Physica E Elsevier   10   237 - 241   2000年01月

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    共著区分：共著  

  • Lowering the crystallization temperature of YMnO3 thin films by the sol-gel method using an yttrium alkoxide 査読

    H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   38 ( 9B )   5448 - 5451   1999年09月

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    共著区分：共著  

  • Ferroelectricity of YMnO3 thin films prepared via solution 査読

    H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

    Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics   75 ( 5 )   719 - 721   1999年08月

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    共著区分：共著  

  • Preferred orientation phase formation and the electrical properties of pulsed laser deposited SrBi2Ta2O9 thin films. 査読

    N. Fujimura, Darin T. Thomas, Stephen K. Streiffer, Angus I. Kingon

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   37 ( 9B )   5185 - 5188   1998年09月

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    共著区分：共著  

  • Effect of stoichiometry and A-site substitution on the electrical properties of ferroelectric YMnO3. 査読

    T. Shimura, N. Fujimura, S. Yamamori, T. Yoshimura,　T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   37 ( 9B )   5280 - 5284   1998年09月

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    共著区分：共著  

  • Ferroelectric properties of c-oriented YMnO3 thin films deposited on Si substrate. 査読

    T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

    Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics   73 ( 3 )   414 - 416   1998年07月

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    共著区分：共著  

  • Microstructure and dielectric properties of YMnO3 thin films prepared by dip-coating 査読

    H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of American Ceramic Soc American Ceramic Soc   81 ( 5 )   1357 - 1360   1998年05月

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    共著区分：共著  

  • Growth and properties of YMnO3 thin films for non-volatile memories. 査読

    T. Yoshimura, N. Fujimura, N. Aoki, K. Hokayama, S. Tsukui, K. Kawabata, T. Ito

    Journal of the Korean Physical Society Korean Physical Society   32   S1632 - S1635   1998年02月

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    共著区分：共著  

  • Preparation and dielectric properties of YMnO3 ferroelectric thin films by sol-gel method. 査読

    K. Tadanaga, H. Kitahata, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of Sol-Gel Science and Technology Springer   13 ( 41642 )   903 - 907   1998年01月

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    共著区分：共著  

  • YMnO3 thin films prepared from solutions for non-volatile memory devices. 査読

    N. Fujimura, H.Tanaka, H.Kitahata, K.Tadanaga, T. Ito, T. Minami

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   36 ( 12A )   L1601 - L1603   1997年12月

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    共著区分：共著  

  • Mechanism for ordering in SiGe films with reconstructed surface. 査読

    T. Araki, N. Fujimura, T. Ito

    Appl. Phys. Lett. American Institute of Physics   71 ( 9 )   1174 - 1176   1997年09月

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    共著区分：共著  

  • Fabrication of YMnO3 thin films on Si substrates by a pulsed laser deposition method. 査読

    T. Yoshimura, N. Fujimura, N. Aoki, K. Hokayama, S. Tsukui, K. Kawabata, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   36 ( 9B )   5921 - 5924   1997年09月

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    共著区分：共著  

  • The stability of ordered structures in SiGe films examined by strain energy calculations. 査読

    T. Araki, N. Fujimura, T. Ito

    J. Crystal Growth Elsevier   174 ( 41643 )   675 - 679   1997年04月

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    共著区分：共著  

  • The initial stage of BaTiO3 epitaxial films on etched and annealed SrTiO3 substrate. 査読

    T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

    J. Crystal Growth Elsevier   174 ( 41643 )   790 - 795   1997年04月

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    共著区分：共著  

  • Effect of Ce doping on the growth of ZnO thin films. 査読

    Y. Morinaga, K. Sakuragi, N. Fujimura, T. Ito;

    J. Crystal Growth Elsevier   174 ( 41643 )   691 - 695   1997年04月

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    共著区分：共著  

  • Formation of YMnO3 films drectly on Si substrate. 査読

    N. Aoki, N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

    J. Crystal Growth Elsevier   174 ( 41643 )   796 - 800   1997年04月

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    共著区分：共著  

  • Growth mechanism of YMnO3 film as a new candidate for non-volatile memory devices. 査読

    N. Fujimura, S. Azuma, N. Aoki, T. Yoshimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   80 ( 12 )   7084 - 7088   1996年12月

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    共著区分：共著  

  • Structural characterization of ordered SiGe films grown on Ge (100) and Si (100) substrate. 査読

    T. Araki, N. Fujimura, T. Ito, A. Wakahara, A. Sasaki

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   80 ( 7 )   3804 - 3807   1996年10月

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    共著区分：共著  

  • Epitaxially grown YMnO3 film: new candidate for non-volatile memory devices. 査読

    N. Fujimura, T. Ishida, T. Yoshimura, T. Ito

    Applied Physics Letter American Institute of Physics   69 ( 12 )   1011 - 1013   1996年08月

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    共著区分：共著  

  • Epitaxial growth of BaTiO3 thin films and their internal stress. 査読

    S.T.Lee, N. Fujimura, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   34 ( 9B )   5168 - 5171   1995年09月

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    共著区分：共著  

  • Epitaxial orientation control of LiTaO3 film and interfacial coulomb's potential . 査読

    N. Fujimura, H. Tsuboi, T. Ito

    Jpn. J. Appl. Phys. The Japan Society of Applied Physics   34 ( 9B )   5163 - 5167   1995年09月

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    共著区分：共著  

  • Orientation control of (Ca, Sr)CuO2 thin films. 査読

    S. Nagai, H. Tanaka, N. Fujimura, T. Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   77 ( 8 )   3805 - 3811   1995年04月

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    共著区分：共著  

  • Epitaxy Control and Interfacial Coulomb's Potential of LiNbO3 Thin Films on R-cut Sapphire. 査読

    N.Fujimura, H.Tsuboi, T.Ito

    Transactions of Materials Research Society Japan   14B   1627 - 1631   1994年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • Growth Orientation Control of (Ca, Sr)CuO2 Films Deposited on Glass and (001) MgO Substrates. 査読

    S.Nagai, H.Tanaka, N.Fujimura, I.Ito

    Transactions of Materials Research Society Japan   19A   513 - 516   1994年10月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • (115) Bi2Sr2CuOx epitaxial films on (110) SrTiO3 by solid phase epitaxy. 査読

    S. Nagai, N. Fujimura, H. Tanaka, T. Ito

    J. Crystal Growth Elsevier   ( 41641 )   65 - 71   1994年06月

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    共著区分：共著  

  • LiNbO3 film with a new epitaxial orientation on R-cut sapphire. 査読

    N. Fujimura, M. Kakinoki, H. Tsuboi, T. Ito

    J.Appl.Phys. AIP Publishing LLC   75 ( 4 )   2169 - 2179   1994年02月

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    共著区分：共著  

  • Epiatxial growth and structural characterization of erbium silicide formed on (100) Si through a solid-phase reaction. 査読

    Y.K. Lee, N. Fujimura, T. Ito, N. Itoh

    J. Crystal Growth Elsevier   134 ( 41702 )   247 - 254   1993年12月

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    共著区分：共著  

  • An X-ray analysis of domain structure in epitaxial YSi2-x films grown on (100) Si substrate. 査読

    Y.K. Lee, N. Fujimura, T. Ito , N. Itoh

    Nano-structured Materials Elsevier   2   603 - 604   1993年11月

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    共著区分：共著  

  • Control of preferred orientation for ZnOx films: control of self-texture. 査読

    N. Fujimura, T. Nishihara, S. Goto, J. Xu, T. Ito

    J. Crystal Growth Elsevier   130 ( 41641 )   269 - 279   1993年05月

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    共著区分：共著  

  • Epitaxial growth of yttrium silicide YSi2-x on (100)Si. 査読

    Y.K.Lee, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of Alloys and Compounds Elsevier   193 ( 41641 )   289 - 291   1993年03月

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    共著区分：共著  

  • Structural control of non-equilibrium WSi2.6 thin film by external stress. 査読

    N.Fujimura, S.Tachibana, N.Hosokawa , and T.Ito

    J. Appl. Phys. AIP Publishing LLC   73 ( 2 )   733 - 739   1993年01月

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    共著区分：共著  

  • Effects of interfacial energy on the epitaxial growth of LiNbO3. (in Japanese) 査読

    T. Ito, N. Fujimura, M. Kakinoki

    Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会   39   105 - 108   1992年02月

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    共著区分：共著  

  • Orientation control of the Bi2Sr2CuOx thin films. -Self texture and epiraxy- (in Japanese) 査読

    S. Nagai, H. Tanaka, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会   39   744 - 747   1992年02月

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    共著区分：共著  

  • The crystallization and growth of the High-Tc phase in Bi-Sr-Ca-Cu-O thin films. 査読

    S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito

    J. Crystal Growth Elsevier   115 ( 41643 )   769 - 773   1991年12月

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    共著区分：共著  

  • Heteroepitaxy of LiNbO3 and LiNb3O8 thin films on C-cut sapphire

    N.Fujimura, T. Ito, M. Kakinoki

    J. Crystal Growth Elsevier   115 ( 41643 )   821 - 825   1991年12月

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    共著区分：共著  

  • Heteroepitaxy of zinc-oxide thin-films, considering nonepitaxial preferential orientation 査読

    S. Goto, N. Fujimura, T. Nishihara, T. Ito

    J. Crystal Growth Elsevier   115 ( 41643 )   816 - 820   1991年12月

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    共著区分：共著  

  • Annealing behavior of AL-Y alloy film for interconnection conductor in microeletronic devices 査読

    Y.K. Lee, N. Fujimura, T. Ito, N. Nishida

    Journal of Vacuum Science & Technology B AIP Publishing LLC   9 ( 5 )   2542 - 2547   1991年09月

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    共著区分：共著  

  • Formation of the High-Tc phase in Pb-free Bi-Sr-Ca-Cu-O thin film

    S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito, K. Shiraishi

    Jpn. J. Appl. Phys, The Japan Society of Applied Physics   30 ( 5A )   L826 - L829   1991年05月

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    共著区分：共著  

  • A candidate for interconnection material; Al-Y alloy thin films

    S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito, K. Shiraishi

    Materials Letters Elsevier   10 ( 7-8 )   344 - 347   1991年01月

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    共著区分：共著  

  • Structural, electrical and optical characterization of sputtered ZnOx thin film

    T. Nishihara, N. Fujimura, T. Ito

    Transactions of Material Research Soc.Japan 日本ＭＲＳ   1   200 - 204   1990年12月

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    共著区分：共著  

  • Influence of external stress for non-equilibrium thin films

    N. Fujimura, S. Tachibana, T. Ito

    Transactions of Material Research Soc.Japan 日本ＭＲＳ   1   205 - 210   1990年12月

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    共著区分：共著  

  • Solid phase reactions and change in stress of TiN/Ti/Si for a diffusion barrier

    N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito, Y. Nakayama

    J. Appl. Phys, AIP Publishing LLC   67 ( 6 )   2899 - 2903   1990年03月

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    共著区分：共著  

  • The application of ZnOx thin films for the transparent conducting films and the SAW devices.(in Japanese)

    N. Fujimura, S. Goto, T. Nishihara, T. Ito

    Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会   37   12 - 16   1990年01月

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    共著区分：共著  

  • The phase transformation and the behavior of excess atoms in Bi system superconducting thin films. (in Japanese)

    S. Nagai, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会   37   99 - 102   1990年01月

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    共著区分：共著  

  • The formation of LiNbO3 thin films. (in Japanese)

    M. Kakinoki, K. Ando, N. Fujimura, T. Ito

    Journal of the Japan Soc. of Powder and Powder Metallurgy 粉体粉末治金協会   37   17 - 22   1990年01月

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    共著区分：共著  

  • Characterization of Si-rich WSix on Si

    N. Fujimura, S. Tachibana, T. Ito

    Applied Surface Science Elsevier   41-42   286 - 289   1989年11月

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    共著区分：共著  

  • TiSi2 formation at the Ti-rich TiNx/Si interface

    N. Fujimura, T. Ito

    Applied Surface Science Elsevier   41-42   272 - 276   1989年11月

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    共著区分：共著  

  • Effects of texture in the titanium layer on solid state reactions for Al/Ti/Si and Al/TiN/Ti/Si system

    N. Fujimura, N. Nishida, T. Ito, Y. Nakayama

    Materials Science and Engineering Elsevier   108   153 - 157   1989年02月

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    共著区分：共著  

  • Silicide formation in the Pt/a-Si:H system

    T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

    Thin Solid Films Elsevier   167 ( 1-2 )   187 - 194   1988年12月

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    共著区分：共著  

  • Dissolution pits and Si epitaxial regrowth in the Al/(111)Si system

    N. Fujimura, H. Kurosaki, T. Ito, Y. Nakayama

    J. Appl. Phys AIP Publishing LLC   64 ( 9 )   4499 - 4502   1988年11月

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    共著区分：共著  

  • Structural change of a-Si:H by annealing

    T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

    Transactions of Japan Institute of Metals 日本金属学会   29   187 - 190   1988年03月

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    共著区分：共著  

  • Structural Change of a-Si:H by Annealing 査読

    T.Ito, N.Fujimura, Y.Nakayama

    Transactions of Japan Institute of Metals   29   187 - 190   1988年03月

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    掲載種別：研究論文（学術雑誌）   共著区分：共著  

  • Structural characterization of Cu-Cr flms

    T. Ito, N. Fujimura, N. Nishida, T. Kanemura, Y. Nakayama

    Materials Letters Elsevier   6   41 - 44   1987年11月

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    共著区分：共著  

  • Change in film stress of a-Si:H by annealing

    T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

    Transactions of Japan Institute of Metals 日本金属学会   27   789 - 790   1986年10月

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    共著区分：共著  

  • Reactions between Ti and Al films on a-Si:H

    T. Ito, N. Fujimura, Y. Nakayama

    Materials Letters Elsevier   4   350 - 352   1986年08月

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    共著区分：共著  

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書籍等出版物

MISC（その他記事）

  • DMF分子の選択的センシングに向けた2次元半導体/溶媒分子間の相互作用に関する検討

    福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   68th   2021年（ ISSN:2436-7613 ）

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  • 分子接面による二次元半導体の電子光学物性制御

    桐谷乃輔, 吉村武, 藤村紀文

    大阪府立大学研究推進機構放射線研究センター放射線施設共同利用報告書   2018   2020年

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  • 強酸性極薄膜の自発的形成による高発光単層MoS<sub>2</sub>の実現

    山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 篠北啓介, 松田一成, 桐谷乃輔

    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   81st   2020年（ ISSN:2436-7613 ）

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  • 分子性アニオンの吸着による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調

    木村大輔, 山田悠貴, 福井暁人, 青木佑樹, 松山圭吾, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔, 桐谷乃輔

    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   67th   2020年（ ISSN:2436-7613 ）

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  • 2次元半導体上における電子ドナー性分子の流動と表面状態の相関

    一宮永, 瀧ノ上正浩, 福井暁人, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔, 桐谷乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム   18 ( 1 )   2019年（ ISSN:1881-364X ）

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  • 2自由度系圧電MEMS振動発電素子における出力特性の向上

    吉村武, 荒牧正明, 藤村紀文, 村上修一, 神田健介

    センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム(CD-ROM)   36th   2019年

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  • 溶媒和したレドックス活性分子が誘起する2D半導体の超高発光化

    一宮永, 福井暁人, 青木佑樹, 山田悠貴, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔, 桐谷乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会研究会講演要旨集   39th   2019年

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講演・口頭発表等

  • 圧電MEMS共振器を用いた物理リザバー計算における結合重みの効果 国内会議

    吉村 武、芳賀 大樹、藤村 紀文、神田 健介、神野 伊策

    Future Technologies from SENDAI 第16回集積化MEMSシンポジウム  2024年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Neuromorphic Sensing with Piezoelectric MEMS Resonators 国際会議

    21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2024年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 圧電振動子電流センサを用いた物理リザバーコンピューティング 国内会議

    西村 恵、藤村 紀文、吉村 武

    応用物理学会関西支部 2024年度第2回講演会  2024年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical characterization of ferroelectric gate FETs for physical reservoir computing 国内会議

    Y. Ukezeki, H. Yamada, S. Inoue, N. Fujimura, T. Yokomatsu, K. Kanda, K. Maenaka, K. Toprasertpong, S. Takagi and T. Yoshimura

    2024年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Crystal Phase and Composition Control of Multiferroic YbFe2O4 Epitaxial Thin Films 国内会議

    K. Shimamoto, T. Hayama, S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2024年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • The electronic levels and the photoinduced current of correlated ferroelectric YMnO3 thin films 国内会議

    S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2024年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Growth mechanism of ALD-Ga2O3 thin film 国内会議

    R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2024年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ALD growth of HfO2-based ferroelectric thin films on Ga2O3 国内会議

    K. Furukawa, R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2024年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Physical Implementation of Neural Networks Using Nonlinearly Coupled Piezoelectric MEMS Resonators for Neuromorphic Sensing 国際会議

    2024 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Joint Symposium(UFFC-JS2024) International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF)  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 成長空間におけるRFプラズマの評価とβ-Ga2O3薄膜のALD成長 国内会議

    阿多 翔大、市川 龍斗、内藤 圭吾、吉村 武、藤村 紀文

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 圧電MEMSリザバー素子における結合重みと計算性能との関係 国内会議

    吉村 武、芳賀 大樹、藤村 紀文、神田 健介、神野 伊策

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • YbFe2O4 エピタキシャル薄膜の結晶相と組成の制御 国内会議

    嶋本 健人、葉山 琢充、市川 颯大、吉村 武、藤村 紀文

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Non-destructive measurement of longitudinal piezoelectric properties for thin films 国内会議

    2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 強相関強誘電体YMnO3 薄膜の電子準位と光誘起電流 国内会議

    市川 颯大、吉村 武、藤村 紀文

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ALD法で作製したGa2O3薄膜の成長機構 国内会議

    市川 龍斗、吉村 武、藤村 紀文

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 圧電共振子リザバーにおける非線形性と学習性能の関係 国内会議

    庄野 武洋、藤村 紀文、吉村 武

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • スパッタ法によるAl1-xScxN/Siヘテロ構造の作製Ⅱ 国内会議

    山田 洋人、安岡 功樹、藤村 紀文、吉村 武

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • (Ce,Mn)置換ZnO薄膜の低温エピタキシャル成長と電気的特性評価 国内会議

    阪口 萌生、大磯 裕也、藤村 紀文、吉村 武

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係 国内会議

    請関 優、山田 洋人、藤村 紀文、横松 得滋、前中 一介、Kasidit Toprasertpong、高木 信一 、吉村 武

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • SOI 基板上BiFe(1-x)MnxO3薄膜の作製と評価 国内会議

    高城 明佳、Aphayvong Sengsavang、藤林 世覇音、藤原 輝羅、村上 修一、山根 秀勝、藤村 紀文、吉村 武

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 圧電振動子電流センサを用いた物理リザバーコンピューティング 国内会議

    西村 恵、藤村 紀文、吉村 武

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • β-Ga2O3上のHfO2系極薄膜成長の結晶方位依存性 国内会議

    古川 勝裕、市川 龍斗、阿多 翔大、吉村 武、藤村 紀文

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • BiFe1-xMnxO3エピタキシャル膜の結晶構造と電気的特性 国内会議

    藤原 輝羅、Aphayvong Sengsavang、高城 明佳、高木 昂平、藤林 世覇音、藤村 紀文、吉村 武

    第85回応用物理学会秋季学術講演会  2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Fabrication of A/ScN thin films for artificial synapses using ferroelectric materials 国内会議

    K. Yasuoka, Y, Yamada, N. Fujimura and T. Yoshimura

    2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Fabrication of BiFe1-xMnxO3 thin film for development of speech recognition Al microphone 国内会議

    Y. Fujibayashi, N. Fujimura and T. Yoshimura

    2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Reservoir computing using PZT thin-film ultrasonic transducers 国内会議

    H. Honzawa, N. Fujimura and T. Yoshimura

    2024年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Electromechanical properties of epitaxial BiFe1-xMnxO3 film for piezoelectric MEMS vibration energy harvester 国際会議

    The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14)  2024年08月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Composition Control of YbFe2O4 Electronic Ferroelectric Thin Films with PLD Growth Process Monitoring 国際会議

    The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14)  2024年08月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Control of the phase formation of strongly correlated ferroelectric YbMnO3 thin films and effect on dielectric characteristics 国際会議

    The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14)  2024年08月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Non-equilibrium phase HfO2 thin films on Si substrate by ALD method 国際会議

    The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14)  2024年08月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Epitaxial growth of Ce, Mn substituted ZnO thin films by combinatorial sputtering 国際会議

    The 14th Japan-Korea Conference on Ferroelectricity (JKC-FE14)  2024年08月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 強誘電体材料とデバイス応用 国内会議

    藤村 紀文

    大阪大学・社会人教育プログラム「ナノエレクトロニクス材料・デバイス学」  2024年07月 

  • 圧電振動子と物理リザバー計算による電流センシング 国内会議

    西村 恵, 藤村 紀文, 吉村 武

    第41回強誘電体会議  2024年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Effect of bottom electrode on crystal structure and electrical properties of (100)BiFeO3 films epitaxially grown on Si 国内会議

    2024年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 単元/多元PLD 法によるYbFe2O4 エピタキシャル薄膜の組成制御 国内会議

    嶋本 健人, 葉山 琢充, 市川 颯大, 吉村 武, 藤村 紀文

    第41回強誘電体会議  2024年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 機能性セラミックス薄膜プロセッシングと物性制御に関する研究 招待 国内会議

    藤村 紀文

    日本セラミックス協会関西支部・協会賞受賞記念講演会  2024年04月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Non-doped HfO2 ALD 薄膜成長における非平衡相の安定化 国内会議

    市川 龍斗, 内藤 圭吾, 吉村 武, 藤村 紀文

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • 強相関強誘体h-YMnO3薄膜の成長と強誘電性評価 国内会議

    古川 勝裕, 市川 颯大, 吉村 武, 藤村 紀文

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • スパッタ法によるAl1-xScxN/Siヘテロ構造の作製 国内会議

    山田 洋人, 藤村 紀文, 吉村 武

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • 物理リザバーコンピューティング応用に向けた強誘電体ゲートFETの作製と電気特性評価 国内会議

    請関 優, 山田 洋人, 藤村 紀文, 横松 得滋, 神田 健介, 前中 一介, 吉村 武

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • スパッタ法によるCe,Mn置換ZnO薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性評価 国内会議

    阪口 萌生, 藤村 紀文, 吉村 武

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • 複数ターゲットPLDによるエピタキシャルYbFe2O4薄膜の組成制御 国内会議

    葉山 琢充, 嶋本 健人, 市川 颯大, 吉村 武, 藤村 紀文

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • PLD法による強相関強誘電体YbMnO3薄膜の組成制御とその誘電特性に及ぼす影響 国内会議

    市川 颯大, 嶋本 健人, 葉山 琢充, 吉村 武, 藤村 紀文

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • The effect of the seed layer thickness on the electrical properties of (100) BiFeO3 epitaxial films 国内会議

    Aphayvong Sengsavang, Kohei Takaki, Meika Takagi, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura1

    2024年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • シード層膜厚がSi基板上(100)BiFeO3薄膜の結晶構造におよぼす影響 国内会議

    高城 明佳, Aphayvong Sengsavang, 高木 昂平, 藤村 紀文, 吉村 武

    第71回応用物理学会学術講演会  2024年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：東京都市大・世田谷キャンパス  

  • 機能性セラミックス薄膜の成長プロセス制御による準安定相の創製と物性制御 招待 国内会議

    藤村 紀文

    日本セラミックス協会 2024年年会  2024年03月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：熊本市  

  • (010)および(001)β-Ga2O3基板表面へのRF窒素プラズマ照射効果：ショットキー界面の電気特性 国内会議

    高井 亮汰, MD EARUL ISLAM, 内藤 圭吾, 市川 龍斗, 吉村 武, 藤村 紀文

    日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度 第3回研究会  2024年01月 

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    開催地：鳥取市  

  • 圧電MEMS共振器を持いた物理リザバーコンピューティング 国内会議

    吉村 武, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 神田 健介, 神野 伊策

    Future Technologies from KUMAMOTO合同シンポジウム  2023年11月 

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    開催地：熊本市  

  • Physical implementation of machine learning by piezoelectric MEMS resonators 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Taiki Haga, Norifumi Fujimura, Kensuke Kanda, Isaku Kanno

    International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2023  2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Jeju，Korea  

  • Organic Ferroelectric Gate FETs for Reservoir Computing 国内会議

    Yu Ukezeki, Hiroto Yamada, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura Tokuji Yokomatsu, Kensuke Kanda, Kazusuke Maenaka

    2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Investigation of reservoir computing performance using the organic ferroelectric gate-FET 国内会議

    Hiroto Yamada, Yu Ukezeki, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Tokuji Yokomatsu, Kensuke Kanda, Kazusuke Maenaka

    2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Evaluation of Muscle Activities during Exercise Using Organic Piezoelectric Sheets 国内会議

    Soma Sakoda, Norifumi Fujimura, and Takeshi Yoshimura

    2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • The effect of the deposition parameters on the formation of the non-equilibrium phase of HfO2 thin films in ALD methods 国内会議

    R. Ichikawa, K. Naito, T. Yoshimura, N. Fujimura

    2023年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • The effect of ablation conditions on strongly correlated ferroelectric YbMnO3 thin film growth in PLD method 国内会議

    S. Ichikawa, K. Shimamoto, T. Hayama, T. Yoshimura, N. Fujimura

    2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Composition control of YbFe2O4 epitaxial thin films and their optical properties fabricated by PLD method 国内会議

    T. Hayama, K. Shimamoto, S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Dielectric Characterization of Metal/Ferroelectric-HZO/Ga2O3 Interface 国内会議

    K. Naito, K. Yamaguchi, I. M. Earul, R. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Effects of the Distributions of the Atomic Active Species on Phase Formation of Multiferroic YbFe2O4 Thin Films in PLD Method 国内会議

    K. Shimamoto, T. Hayama, S. Ichikawa, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2023年10月 

    　詳細を見る

    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Epitaxial growth of (100) BiFeO3 thin films on Si substrates by combinatorial sputtering method 国際会議

    Kohei Takaki, Sengsavang Aphayvong, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2023  2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Jeju，Korea  

  • Electromechanical properties of the piezoelectric MEMS vibration energy harvesting with bistable-dynamic-magnifier two degree of freedom system 国際会議

    Sengsavang Aphayvong, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2023  2023年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Jeju，Korea  

  • 結合型圧電MEMS共振子のリザバー性能評価 国内会議

    吉村 武, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 神田 健介, 神野 伊策

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • Investigation of Photovoltaic effect of (100) BiFeO3 Thin Films Epitaxially Grown on Si Substrate 国内会議

    Petitjean Amélie, Aphayvong Sengsavang, Kohei Takaki, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 複数圧電振動子リザバーにおけるFETの結合の検討 国内会議

    庄野 武洋, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 吉村 武

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • 生体応用を志向した赤外線温度測定の高精度化 国内会議

    阪口 萌生, 藤村 紀文, 吉村 武

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • PLD法における強相関強誘電体YbMnO3 薄膜成長過程のin-situモニタリング 国内会議

    市川 颯大, 吉村 武, 藤村 紀文

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • ALD法によりSi基板上に作製したHfO2薄膜の結晶構造 国内会議

    市川 龍斗, 内藤 圭吾, 吉村 武, 藤村 紀文

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • 転写バルク結晶から100以上の単層MoS2半導体を得る電気化学手法 国内会議

    望月 陸, 大熊 光, 片山 裕美子, 上野 和紀, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜のFe/Yb組成制御とその光学特性 国内会議

    葉山 琢充, 嶋本 健人, 吉村 武, 藤村 紀文

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • Ga2O3基板上に作製したHf0.5Zr0.5O2薄膜の強誘電性の評価 国内会議

    内藤 圭吾, 山口 晃一, 吉村 武, 藤村 紀文

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • コンビナトリアルスパッタ法を用いて作製したSi基板上(100)BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造解析 国内会議

    高木 昂平, Aphayvong Sengsavang, 藤村 紀文, 吉村 武

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • 有機圧電シートを用いた筋音図測定における外的要因の影響 国内会議

    﨏田 壮真, 藤村 紀文, 吉村 武

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • Electromechanical characteristics of epitaxial BiFeO3 thin film on Si substrate fabricated by combinatorial sputtering method 国内会議

    Aphayvong Sengsavang, Kohei Takaki, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 電子強誘電体YbFe2O4薄膜の相形成におよぼすPLD照射レーザーの影響II 国内会議

    嶋本 健人, 葉山 琢充, 市川 颯大, 吉村 武, 藤村 紀文

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：熊本市  

  • ALD法によるHfO2薄膜作製における原料供給量が直方晶相形成過程におよぼす影響 国内会議

    市川 龍斗, 内藤 圭吾, 吉村 武, 藤村 紀文

    日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度 第１回研究会  2023年07月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪・I-Siteなんば  

  • PLDレーザー照射条件が強相関強誘電体YbMnO3薄膜成長におよぼす影響 国内会議

    市川 颯大, 吉村 武, 藤村 紀文

    日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度 第１回研究会  2023年07月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪・I-Siteなんば  

  • マルチフェロイックYbFe2O4薄膜の組成制御に向けたPLD多元打ち製膜の検討 国内会議

    葉山 琢充, 嶋本 健人, 吉村 武, 藤村 紀文

    日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度 第１回研究会  2023年07月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪・I-Siteなんば  

  • 非平衡窒素プラズマを用いた酸化ガリウム基板の窒化処理手法に関する検討 国内会議

    内藤 圭吾, Islam Md Earul, 市川 龍斗, 吉村 武, 藤村 紀文

    日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度 第１回研究会  2023年07月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪・I-Siteなんば  

  • プラズマプルームの発光分光分析による電子強誘電体YbFe2O4薄膜のPLD成長プロセスモニタリング 国内会議

    嶋本 健人, 葉山 琢充, 市川 颯大, 吉村 武, 藤村 紀文

    日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門委員会 2023年度 第１回研究会  2023年07月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪・I-Siteなんば  

  • 強誘電体材料とデバイス応用 国内会議

    藤村 紀文

    大阪大学ナノ社会人教育プログラム  2023年07月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪大学（オンライン）  

  • Efficient reservoir computing by nonlinearly coupled piezoelectric MEMS resonators 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Taiki Haga, Norifumi Fujimura, Kensuke Kanda, and Isaku Kanno

    Transducers2023  2023年06月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 非平衡成長プロセスを用いた半導体/誘電体薄膜成長制御と超低消費電力半導体デバイス 招待 国内会議

    藤村 紀文

    2023堀場雅夫賞審査委員講演会  2023年06月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：京都  

  • 圧電MEMS振動子の機械学習デバイス応用 国内会議

    吉村 武, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 神田 健介, 神野 伊策

    第40回強誘電体会議  2023年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：京都  

  • ワイドバンドギャップ半導体Ga2O3基板上へのHfxZr1-xO2薄膜のALD成長 国内会議

    内藤 圭吾, 山口 晃一, 吉村 武, 藤村 紀文

    第40回強誘電体会議  2023年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：京都  

  • 圧電MEMS振動子によるリザバーコンピューティング 国内会議

    吉村 武, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 神田 健介, 神野 伊策

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • 表面電気化学反応を用いた大面積単層MoS2単離手法の原理討究 国内会議

    望月 陸, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • リン含有非対称分子によるTMDCに対する電子供給メカニズムの考察 国内会議

    四谷 祥太郎, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • ドナー性分子/2次元半導体ヘテロ構造における低温下での特異な伝導挙動 国内会議

    松山 圭吾, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • 基板近傍に成長空間を制限して作製したHfO2薄膜のALD成長機構 国内会議

    市川 龍斗, 宝栄 周弥, 内藤 圭吾, 吉村 武, 藤村 紀文

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • ALD法によりGa2O3基板上に作製したHfxZr1-xO2薄膜の結晶化過程Ⅱ 国内会議

    内藤 圭吾, 山口 晃一, 吉村 武, 藤村 紀文

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • 強相関強誘電体YbMnO3薄膜の成長機構と化学量論組成が誘電特性に及ぼす影響 国内会議

    市川 颯大, 深江 圭佑, 吉村 武, 藤村 紀文

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • PLD法を用いたYbFe2O4エピタキシャル薄膜の組成制御 国内会議

    葉山 琢充, 嶋本 健人, 吉村 武, 藤村 紀文

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • 磁気秩序形成過程におけるマルチフェロイックYbFe2O4薄膜の電気伝導 国内会議

    嶋本 健人, 五十嵐 悠生, 葉山 琢充, 吉村 武, 藤村 紀文

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • プラズマプルームの発光分光分析による強相関強誘電体YMnO3薄膜のPLD成長プロセスモニタリングII 国内会議

    五十嵐 悠生, 嶋本 健人, 吉村 武, 藤村 紀文

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • MEMS赤外線センサを用いた高精度温度測定の検討 国内会議

    阪口 萌生, 藤村 紀文, 吉村 武

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • 複数圧電振動子でのリザバーコンピューティング 国内会議

    庄野 武洋, 芳賀 大樹, 藤村 紀文, 吉村 武

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • 有機圧電シートを用いた筋音図測定 国内会議

    﨏田 壮真, 藤村 紀文, 吉村 武

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • コンビナトリアルスパッタ法によるSi基板上(100)BiFeO3エピタキシャル薄膜の成長 国内会議

    高木 昂平, 藤村 紀文, 吉村 武

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • 正圧電応答顕微鏡法を用いた電極下分極ドメイン観察における空間分解能 国内会議

    萩原 拓永, トープラサートポン カシディット,高木 信一, 藤村 紀文, 吉村 武

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • Utilization of coupled oscillation in 2DOF-MEMS piezoelectric vibration energy harvester for impulsive force 国内会議

    Aphayvong Sengsavang, Shuichi Murakami,Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

    第70回応用物理学会学術講演会  2023年03月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：上智大学（東京都）  

  • Energy Harvesting from Electric Power Lines Using Piezoelectric Resonator 招待 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, and Norifumi Fujimura

    2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Japan,Kanazawa(Online)  

  • 二次元半導体研究の新機軸 ～電気化学が拓く超大面積化～ 国内会議

    望月陸，吉村武，藤村紀文，桐谷乃輔

    第8回サイボウニクス研究会  2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：新潟県長岡市  

  • ナノスケール多色発光ディスプレイ実現に向けた超極薄膜半導体の高発光化 国内会議

    中原 隆宏，小林 尭史，土肥徹次，藤村紀文，桐谷乃輔

    第8回サイボウニクス研究会  2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：新潟県長岡市  

  • 分子溶液プロセスによる２次元材料の自発的な屈曲現象 ～極薄膜による“折り紙“を目指して～ 国内会議

    四谷祥太郎，吉村武，藤村紀文，桐谷乃輔

    第8回サイボウニクス研究会  2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：新潟県長岡市  

  • 中本が次世代を拓く：2D半導体単層の超効率単離法 国内会議

    中本 竜弥，藤村紀文，桐谷乃輔

    第8回サイボウニクス研究会  2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：新潟県長岡市  

  • 量子ビットの実現に向けてー分子で魅せる新奇半導体エレクトロニクスの開拓 国内会議

    松山圭吾，藤村紀文，桐谷乃輔

    第8回サイボウニクス研究会  2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：新潟県長岡市  

  • マイクロ流体デバイスと半導体トランジスタの融合による夾雑溶液内毒分子センサの開発 国内会議

    福井 暁人, 松山 圭吾, 尾上 弘晃, 板井 駿, 石倉 恵子, 池野 豪一, 長田 貴弘, 土方 優, Jenny Pirillo, 竹井 邦晴, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第8回サイボウニクス研究会  2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：新潟県長岡市  

  • Mechanomyography Using Piezoelectric Materials 国際会議

    S. Sakoda, N. Fujimura and, T. Yoshimura

    2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Japan,Kanazawa(Online)  

  • Effects of sputtering conditions on the growth of AlScN thin films and its conduction mechanism 国際会議

    Kohei Miyaji, Norifumi, Fujimura, Takeshi Yoshimura

    2022年12月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Japan,Kanazawa(Online)  

  • アルキル系膜接合による単層遷移金属カルコゲナイドの超発光化手法の開拓 国内会議

    中原隆宏, 小林尭史, 土肥徹次, 藤村紀文, 桐谷乃輔

    応用物理学会関西支部 75周年記念講演会  2022年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪大学（吹田市）  

  • 超音波印加による超高効率な単層2D半導体の孤立化 国内会議

    中本竜弥、吉村武、藤村紀文、桐谷乃輔

    応用物理学会関西支部 75周年記念講演会  2022年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪大学（吹田市）  

  • 表面電気化学的反応を用いたMoS2の大面積薄層化 国内会議

    望月陸、吉村武、藤村紀文、桐谷乃輔

    応用物理学会関西支部 75周年記念講演会  2022年11月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：大阪大学（吹田市）  

  • Enhancing output power of piezoelectric MEMS vibration energy harvester using BiFeO3 films 国際会議

    Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2022  2022年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Japan（Online）  

  • Improvement of Output Power of Piezoelectric Energy Harvester from AC Magnetic field by Magnetic Flux Focusing 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Sengsavang Aphayvong, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    International Workshop on Piezoelectric Materials and Applications in Actuators (IWPMA)2022  2022年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Japan（Online）  

  • Effects of Laser Irradiation Conditions on Phase Formation of Multiferroic YbFe2O4 Thin Films in PLD method 国内会議

    K. Shimamoto, Y. Igarashi, T. Hayama, T. Yoshimura and N. Fujimura

    2022年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Effects of Ablation Conditions on Strongly Correlated Ferroelectric YMnO3 Thin Film Growth in PLD Method 国内会議

    Y. Igarashi, K. Shimamoto, T. Yoshimura and N. Fujimura

    2022年10月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Recent Progress of Hafnium Oxide based Ferroelectric Thin Films for Microelectronics 招待 国際会議

    N. Fujimura

    8th International Symposium on Transparent Conductive Materials & 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TCM-TOEO 2022)  2022年10月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：Greece,Crete(Online)  

  • Investigation of piezoelectric vibration energy harvesting with an auxiliary bistable oscillator under impulsive force 国内会議

    S. Aphayvong, S. Murakami, N. Fujimura, T. Yoshimura

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Effects of the Laser Fluence on the Precise Phase Control of YbFe2O4 Electronic Ferroelectric Thin Films 国際会議

    K. Shimamoto, Y. Igarashi, T. Hayama, T. Yoshimura and N. Fujimura

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：Buasn(Online)  

  • 電気化学的反応を用いた大面積単層様 MoS2の単離手法の開拓 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 付随するバルクの基板離脱時に面内破断により単層が選択的に残留する現象への考察 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 分子接合による単層 MoS2の自己屈曲現象および自己積層化 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 有機溶液処理によるMoS2への高濃度ドーピング法の開拓 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • DMF分子センサの開発に向けたMoS2/アミド系分子間の相互作用に関する検討 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • ALD法によりGa2O3基板上に作製したHfxZr1-xO2薄膜の結晶化過程 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 電子強誘電体YbFe2O4薄膜の相形成におよぼす照射レーザーの影響 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 正圧電応答顕微鏡法によるHfO2薄膜の分極ドメイン構造の観察Ⅱ 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO3エピタキシャル膜の作製Ⅱ 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • P(VDF-TrFE)薄膜による超音波センシングの検討 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • スパッタ条件が Al1-xScxN の格子歪や電気特性に及ぼす影響 国内会議

    2022年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 強誘電体材料とデバイス応用 国内会議

    藤村 紀文

    大阪大学ナノ社会人教育プログラム  2022年07月 

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    会議種別：公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等  

    開催地：大阪大学（オンライン）  

  • 機能性セラミックス薄膜の新規なプロセッシングと物性制御 招待 国内会議

    藤村 紀文

    フルラス・岡崎記念会2022年度定期総会・講演会  2022年06月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

    開催地：東京工業大学（オンライン）  

  • TiNバッファ層を用いた(001)BiFeO3薄膜のSi基板上​エピタキシャル成長の検討 国内会議

    高木 昂平, 藤村 紀文, 吉村 武

    第39回強誘電体会議  2022年05月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：京都市  

  • スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO3エピタキシャル膜の作製 国内会議

    高木 昂平, 藤村 紀文, 吉村 武

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月  応用物理学会

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）  

  • 正圧電応答顕微鏡法によるHfO2薄膜の分極ドメイン構造の観察 国内会議

    萩原 拓永, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 藤村 紀文, 吉村 武

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）  

  • プラズマプルームの発光分光分析による 強相関強誘電体YMnO3薄膜のPLD成長プロセスモニタリング 国内会議

    五十嵐 悠生, 吉村 武, 藤村 紀文

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月  応用物理学会

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    会議種別：ポスター発表  

    開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）  

  • ホスフィン分子の極薄膜形成によるMoS2への電子ドーピング 国内会議

    四谷 祥太郎, 津留崎 陽大, 吉村 武, 藤村 紀文,桐谷 乃輔

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年03月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：青山学院大学（ハイブリット開催）  

  • Organic-Polymer Coated Superacid-Treated Tungsten Disulfide with Air-Stable Strong Photoluminescence Intensity 国際会議

    Takahiro Nakahara,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

    2021 MRS Fall Meeting & Exhibit  2021年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Why do the HfO2 -based ferroelectric thin films show unique properties? - Negative Capacitance, Wake-up Process and Time-dependent Imprint - 招待 国際会議

    Norifumi FUJIMURA

    Materials Research Meeting 2021   2021年12月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • Layer-Number Dependence of Metallic Transport Behavior in MoS2 by Molecular Charge Transfer Doping 国際会議

    Keigo Matsuyama,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

    2021 MRS Fall Meeting & Exhibit  2021年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • N,N'-dimethylformamide sensor in a contaminated solution based on the specific interaction on molybdenum disulfide 国際会議

    Akito Fukui,Hiroaki Onoe,Shun Itai,Keiko Ishikura,Hidekazu Ikeno,Yuh Hijikata,Jenny Pirillo,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

    2021 MRS Fall Meeting & Exhibit  2021年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Sonication-based selective removal of mechanically-exfoliated bulk MX2 flakes on the substrate 国際会議

    Tatsuya Nakamoto,Takeshi Yoshimura,Norifumi Fujimura,Daisuke Kiriya

    2021 MRS Fall Meeting & Exhibit  2021年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Convection-flow-assisted synthesis of neutral benzyl viologen for strong modulation of transition metal dichalcogenides 国際会議

    Keigo Matsuyama, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura and Daisuke Kiriya

    3rd Online International Conference on Chemistry and Nanosciences  2021年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 無機イオン混合イオン性液体を用いた、MoS2の高濃度電界変調 国内会議

    望月 陸, 松山 圭吾, 福井 暁人, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    大阪府立大学 研究推進機構・放射線研究センター共同利用報告会  2021年11月  大阪府立大学 研究推進機構・放射線研究センター

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 非対称分子の接合による二硫化モリブデンへの電子注入法の開拓 国内会議

    四谷祥太郎, 福井暁人, 津留崎陽大, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

    大阪府立大学 研究推進機構・放射線研究センター共同利用報告会  2021年11月  大阪府立大学 研究推進機構・放射線研究センター

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • 有機溶媒内超音波印加による二次元層状物質の選択的薄層調整法の開拓 国内会議

    中本 竜弥, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    大阪府立大学 研究推進機構・放射線研究センター共同利用報告会  2021年11月  大阪府立大学 研究推進機構・放射線研究センター

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • Modulation of electronic states in two-dimensional semiconductors by bowl-shaped molecules 国際会議

    Shotaro Yotsuya, Akito Fukui, Akihiro Tsurusaki, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya

    2021年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Enhancement of piezoelectric MEMS vibration energy harvester for impulsive force using 2-degree-of-freedom system 国内会議

    Aphayvong Sengsavang, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    2021年09月 

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    会議種別：口頭発表（一般）  

  • スパッタ法におけるBiFeO3薄膜の成長機構の検討II 国内会議

    菊地 理沙, 村瀬 幹生, 吉村 武, 藤村 紀文

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • スパッタ条件がAl1-xScxN薄膜の内部応力に及ぼす影 国内会議

    宮地 航平, 吉村 武, 萩原 拓永, 藤村 紀文

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • 作製溶媒がP(VDF-TrFE)薄膜の電気特性に及ぼす影響 国内会議

    平塚 一暉, 吉村 武, 藤村 紀文

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • 無機イオン混合イオン性液体によるMoS2の電界変調 国内会議

    望月 陸, 松山 圭吾, 福井 暁人, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • ２次元層状物質の超音波印加による薄層選別法のメカニズム考察 国内会議

    中本 竜弥, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • パラフィン被覆によるWS2発光強度向上のメカニズムの考察 国内会議

    中原 隆宏, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • イオン性溶液下における二硫化モリブデンの電子状態の変調 国内会議

    木村 大輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • 強ドナー性分子の接合によるMoS2の金属転移と伝導機構の考察 国内会議

    松山 圭吾, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年09月  応用物理学会

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    会議種別：口頭発表（一般）  

    開催地：オンライン開催  

  • Characteristics of Al1-xScxN epitaxial thin film on Si substrate by changing nitrogen partial pressure 国際会議

    Kohei Miyaji, Mikio Murase, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    8th International Workshop on Piezoelectric MEMS  2021年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Development of MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester with Two-Degree-of-Freedom System for Impulsive Forces 国内会議

    Sengsavang Aphayvong，Takeshi Yoshimura，Shuichi Murakami, Kensuke Kanda，Norifumi Fujimura

    第38回強誘電体会議  2021年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 磁束集束による交流磁界圧電発電素子の出力向上 国内会議

    吉村 武， S. Aphayvong，村上修一，藤村紀文

    第38回強誘電体会議  2021年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Investigation of the growth mechanism of BiFeO3 films on sputtering method 国際会議

    Risa Kikuchi, Mikio Murase, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    8th International Workshop on Piezoelectric MEMS  2021年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical properties of organic piezoelectric P(VDF-TrFE) films fabricated by various solvent 国際会議

    Kazuki Hiratsuka, Izuru Kanagawa, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    8th International Workshop on Piezoelectric MEMS  2021年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Investigation of electromechanical characteristics of 2-degree-of-freedom MEMS piezoelectric vibration energy harvester under impulsive force 国際会議

    Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    8th International Workshop on Piezoelectric MEMS  2021年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electromechanical Properties of 2-Degree-of-Freedom MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester Under Impulsive Force 国際会議

    Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda, Norifumi Fujimura

    IEEE ISAF2021  2021年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 極薄の透明発光デバイス実現に向けた層状半導体の安定な超高発光化 国内会議

    中原 隆宏，山田 悠貴，芦田 淳，吉村 武，藤村紀文，桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会  2021年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ～1 nm 厚の単層半導体の選択的な単離手法の開拓 国内会議

    中本 竜弥，松山 圭吾，吉村 武，藤村 紀文，桐谷　乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会  2021年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 二次元半導体の液中高発光化を実現するイオン界面の構築 国内会議

    木村 大輔，福井 暁人，吉村 武，芦田 淳，藤村　紀文，桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会  2021年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ロバストな量子ビット実現に向けた有機/無機接合デバイス 　Organic/inorganic hybrid device for realization of robust qubit 国内会議

    松山 圭吾，吉村 武，藤村 紀文，桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会第43回研究会  2021年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • インパルス振動を用いた2自由度系圧電MEMS振動発電素子の特性評価 国内会議

    APHAYVONG Sengsavang，吉村 武, 神田健介，村上修一，藤村 紀文

    応用物理学会関西支部　2021年度第1回講演会  2021年04月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • WSe2/MoS2ヘテロ積層構造への分子接面による電子状態の変調 国内会議

    四谷 祥太郎, 松山 圭吾, 福井 暁人, 野内 亮, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • TiNバッファ層を用いたSi基板上へのAl1-xScxN薄膜のエピタキシャル成長 国内会議

    宮地 航平, 村瀬 幹生, 吉村 武, 藤村 紀文

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 有機圧電体P(VDF-TrFE)の電気特性の溶媒依存性評価 国内会議

    平塚 一暉, 金川 いづる, 吉村 武, 藤村 紀文

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 単層二硫化タングステンの発光特性向上を指向した超酸分子処理法の検討 国内会議

    中原 隆宏, 山田 悠貴, 芦田 淳, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 有機溶液内超音波印加による機械的剥離MoS2の薄層選別法の開拓 国内会議

    中本 竜弥, 松山 圭吾, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • スパッタ法におけるBiFeO3薄膜の成長機構の検討 国内会議

    菊地 理沙, 村瀬 幹生, 吉村 武, 藤村 紀文

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 有機接合MoS2におけるトポロジカル相への状態転移に関する研究 国内会議

    松山圭吾, 吉村武, 藤村紀文, 桐谷乃輔

    日本物理学会 第76回年次大会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 夾雑溶液下における2次元半導体MoS2とアミド系分子間の特異的相互作用 国内会議

    福井暁人, 尾上弘晃, 板井駿, 石倉恵子, 池野豪一, 長田貴弘, 土方優, Jenny Pirillo, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔

    日本化学会 第101春季年会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 有機溶液処理による二硫化モリブデンのトポロジカル相転移の検討 国内会議

    松山 圭吾, 福井 暁人, 吉村 武, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvester with two-degree-of-freedom system under impulsive force 国内会議

    Aphayvong Sengsavang, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • DMF分子の選択的センシングに向けた2次元半導体/溶媒分子間の相互作用に関する検討 国内会議

    福井 暁人, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第68回応用物理学会春季学術講演会（オンライン開催）  2021年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 半導体トランジスタとマイクロ流体デバイスの融合による夾雑下における細胞毒分子計測 国内会議

    福井 暁人, 尾上 弘晃, 板井 駿, 石倉 恵子,池野 豪一, 長田 貴弘, 土方 優, Jenny Pirillo, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第7回サイボウニクス研究会  2020年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Topological phase transformation of transition metal dichalcogenides via contacting electron donor molecules 国内会議

    K. Matsuyama, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, and D. Kiriya

    第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催）  2020年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 2次元半導体トランジスタによる夾雑溶液内DMF分子センサの開発 国内会議

    福井 暁人, 尾上 弘晃, 板井 駿, 石倉 恵子, 池野 豪一, 長田 貴弘, 土方 優, Jenny Pirillo , 吉村 武 ,芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会 第42回研究会（オンライン開催）  2020年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • イオン性分子の接合による2D半導体の液中高発光化 国内会議

    木村 大輔, 山田 悠貴, 福井 暁人, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文，桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会 第42回研究会（オンライン開催）  2020年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Formation process of metastable Al-doped HfO2 thin films phases and directly on Si by atomic layer deposition 国内会議

    S.Takarae, K. Takada, D. Kiriya, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催）  2020年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Formation of the metastable phase of HfxZr1-xO2 ferroelectric films deposited by atomic layer deposition method 国内会議

    K. Takada, S. Takarae, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催）  2020年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Correlation between photo excited carrier and spin order of strongly correlated ferroelectric YMnO3 thin films 国内会議

    K. Miura, K. Shimamoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

    第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催）  2020年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Change in the defect structures of composition controlled electronic-ferroelectric YbFe2O4 thin films 国内会議

    K. Shimamoto , K.Miura, D.Kiriya, T.Yoshimura, A.Ashida, and N.Fujimura

    第39回電子材料シンポジウム（オンライン開催）  2020年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • スパッタ法におけるPZT薄膜の成⻑機構の検討Ⅱ 国内会議

    村瀬 幹生, 吉村 武, 藤村 紀文

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 細胞培養液中のDMF濃度計測に向けたMoS2バイオセンサの開発技術 国内会議

    福井 暁人, 長田 貴弘, 土方 優, Jenny Pirillo, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ナノワイヤネットワークを⽤いたゲーティングによる⼆硫化モリブデンの電⼦状態の変調 国内会議

    青木 佑樹, 松山 圭吾, 福井 暁人, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強酸性極薄膜の自発的形成による高発光単層MoS2の実現 国内会議

    山田 悠貴, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 篠北 啓介, 松田 一成, 桐谷 乃輔

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 分⼦性イオンの接合による⼆硫化モリブデンの状態変調に関する検討 国内会議

    木村 大輔, 山田 悠貴, 福井 暁人, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ALD法を⽤いて作成したSi直上Al:HfO2準安定相の結晶化過 国内会議

    宝栄 周弥, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Si直上Y:HfO2エピタキシャル薄膜の界⾯誘電特性 国内会議

    佐保 勇樹, 宝栄 周弥, 高田 賢志, 吉村 武, 藤村 紀文

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 1次元メカニカルメタマテリアルにおける振動伝搬解析 国内会議

    菊地 理沙, 吉村 武, 藤村 紀文

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関強誘電体YMnO3薄膜のd-d遷移における発光特性とスピン秩序の相関 国内会議

    三浦 光平, 嶋本 健人, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の組成制御と⽋陥構造の変化 国内会議

    嶋本 健人, 三浦 光平, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electromechanical properties of 2-degree-of-freedom piezoelectric vibration energy harvester for impulsive 国内会議

    Aphayvong Sengsavang, Takeshi Yoshimura, Kensuke Kanda, Shuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    第81回応用物理学会秋季学術講演会（オンライン開催）  2020年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関強誘電体YMnO3薄膜の光励起キャリアのダイナミクス：磁気秩序との相関 国内会議

    三浦 光平，嶋本 健人，桐谷 乃輔，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 2020年度 第1回研究会（オンライン開催）  2020年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Formation Process of Metastable Phases of Al-Doped HfO2 Films Directly on Si by Atomic Layer Deposition 国際会議

    Shuya Takarae, Kenshi Takada, Yuki Saho, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics  2020年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Observation of Domain Structure of P(VDF-TrFE) Films Using Direct Piezoelectric Response Microscopy 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Izuru Kanagawa, Yuji Matusita, Norifumi Fujimura

    Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics  2020年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electromechanical Properties of MEMS Piezoelectric Vibration Energy Harvester for Impulse Vibration 国際会議

    Sengsavang Aphayvong, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Shuichi Murakami, Kensuke Kanda

    Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics  2020年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Investigation of the Growth Mechanism of PZT Films Using Combinatorial Sputtering Method 国際会議

    Mikio Murase, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    Joint Conference of the IEEE International Frequency Control Symposium & IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics  2020年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 分子性アニオンの吸着による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調 国内会議

    木村 大輔，山田 悠貴，福井 暁人, 青木 佑樹，松山 圭吾, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体薄膜における電気熱量効果を利用した全固体ヒートポンプの検討 国内会議

    松下 裕司, 吉村 武, 桐谷 乃輔, 藤村 紀文

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 面外に分極した分子による２次元半導体の化学ゲーティング 国内会議

    福井 暁人, 津留崎 陽大, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 成長時の酸素分圧がHfO2:Y/Si薄膜の結晶構造や誘電特性に及ぼす影響 国内会議

    佐保 勇樹, 高田 賢志, 吉村 武, 藤村 紀文

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • スパッタ法におけるPZT薄膜の成長機構の検討 国内会議

    村瀬 幹生, 吉村 武, 藤村 紀文

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Characterization of piezoelectric vibration energy harvesters with two-degree-of-freedom system using impulse vibration. 国内会議

    S. Aphayvong, T. Yoshimura, K. Kanda, S. Murakami, N. Fujimura

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • スパッタ法によるSi基板上へのBiFeO3薄膜のエピタキシャル成長Ⅲ 国内会議

    菊地 理沙, 岡本 直樹, 吉村 武, 藤村 紀文

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • YbFe2O4電子強誘電体 PLD 薄膜のエピタキシャル成長過程と電子状態におよぼすアブレーションレーザーの影響 国内会議

    嶋本 健人，田中 淳平，三浦 光平，桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 電子ドナー分子の接合によるMoS2のトポロジカル相への構造相転移 国内会議

    松山 圭吾，福井 暁人，山田 悠貴，青木 佑樹，木村 大輔，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文，桐谷 乃輔

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • UV光照射による分子接面単層MoS2の超高発光化とそのメカニズムの検討 国内会議

    山田 悠貴, 吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文，篠北 啓介, 松田 一成, 桐谷 乃輔

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2019年度第1回講演会・見学会  2020年01月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 大気圧非平衡プラズマを用いて製膜したZnO薄膜高抵抗化の起源 国内会議

    宝栄 周弥, 桐谷 乃輔, 吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2019年度第1回講演会・見学会  2020年01月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ナノワイヤリソグラフィによるグラフェンナノリボンのネットワーク状構造の作製 国内会議

    青木 佑樹, 山田 悠貴, 福井 暁人, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会2019年度第1回講演会・見学会  2020年01月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Novel Applications of ferroelectric and semiconducting perovskite oxide films 招待 国際会議

    N. Fujimura

    Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

  • Epitaxial growth of (111) ITO films for top/bottom electrodes of ferroelectric films 国際会議

    K. Shimamoto, K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Magnetic and electric properties of near stoichiometric YbFe2O4 thin films fabricated by PLD using stoichiometric YbFe2O4 target with Fe2O3 国際会議

    J. Tanaka, K. Miura, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Large Photoluminescence Enhancement of Monolayer MoS2 by a Molecular Treatment with the Aid of UV Irradiation 国際会議

    Y. Yamada, Y. Aoki, A. Fukui, Y. Matsushita, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Shinokita, K. Matsuda, D. Kiriya

    Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Development of an Electron Doping Method Using Specific Interaction between Amide Molecule and MoS2 国際会議

    A. Fukui, Y. Hijikata, J. Pirillo, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Perspectives of Novel Applications of Ferroelectric/Piezoelectric Thin Films for Smart Systems 招待 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura

    Materials Research Meeting 2019  2019年12月 

  • 新奇ナノカーボン物質「グラフェンナノリボンネットワーク」の実現 国内会議

    青木 佑樹, 山田 悠貴, 福井 暁人, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会 第40回研究会(40th CHEMINAS)   2019年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • High-performance Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester using (100) BiFeO3 Films 国際会議

    T. Yoshimura, M. Aramaki, S. Murakami, K. Satoh, N. Fujimura

    19th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2019年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Strong Molecular Electron Transfer System for Transition Metal Dichalcogenides 国内会議

    K. Matsuyama, A. Fukui, Y. Yamada, Y. Aoki, D. Kimura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Energy Harvesting from Electric Power Lines Using Piezoelectric Effect 国際会議

    T. Yoshiura, Y. Ueno, T. Minami, S. Murakami, N. Fujimura

    The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13)   2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Perspective on Ferroelectric Thin Films for Novel Device Applications 招待 国際会議

    N. Fujimura, D. Kiriya, T. Yoshimura

    The 13th Pacific Rim Conference of Ceramic Societies (PACRIM13)   2019年10月 

  • Effects of bottom electrodes on the epitaxial growth of YbFe2O4 films 国際会議

    K. Shimamoto, K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11)   2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth of Highly-Resistive ZnO Films Fabricated using Non-Equilibrium Plasma Generated Near Atmospheric Pressure 国際会議

    S. Takarae, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura

    11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11)   2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Control of Epitaxial Orientation and Crystal Structure of HfO2:Y/Si Films by Oxygen Partial Pressure 国際会議

    Y. Saho, D. Kamada, K. Takada, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11)   2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Investigation of The Epitaxial Growth of PZT Thin Films on Si Substrates using TiN Buffer Layer 国際会議

    M. Murase, N. Okamoto, R. Kudo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11)   2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Domain Structure Imaging in P(VDF-TrFE) Films using Direct Piezoelectric Response Microscopy 国際会議

    I. Kanagawa, Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

    11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11)   2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of Stoichiometry Controlled YbFe2O4 Epitaxial Thin Films Using PLD Method Controlled YbFe2O4 Epitaxial Thin Films Using PLD Method 国際会議

    J. Tanaka, K. Miura, K. Shimamoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics(TOEO11)   2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Time-resolved simulation of the negative capacitance at ferroelectric/semiconductor hetero-junction 国内会議

    K. Takada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Origin of photo-induced current of strongly correlated ferroelectric YMnO3 epitaxial thin film 国内会議

    K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Anomalous charge transfer process of amide molecules to 2D layered material to 2D Layered Material 国内会議

    A. Fukui, Y. Hijikata, J. Pirillo, Y. Aoki, Y. Yamada, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Control of epitaxial orientation and crystal structure of HfO2: Y/Si films by oxygen partial pressure 国内会議

    Y. Saho, D. Kamada, K. Takada, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth of highly-resistive ZnO films fabricated using non-equilibrium plasma generated near atmospheric pressure 国内会議

    S.Takarae, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Monolithic networked graphene nanoribbons fabricated by inorganic nanowire mask 国内会議

    Y. Aoki, Y. Yamada, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Large area strong photoluminescence in molecular-treated MoS2 国内会議

    Y. Yamada, Y. Aoki, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, K. Shinokita, K. Matsuda, D. Kiriya

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Semipermanent chemical gating of MoS2 by wrapping with ionic polymer 国内会議

    D. Kimura, K. Matsuyama, Y. Yamada, Y. Aoki, A. Fukui, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura, D. Kiriya

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Effects of bottom electrodes on the epitaxial growth of YbFe2O4 films 国内会議

    K. Shimamoto, K. Miura, J. Tanaka, D. Kiriya, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第38回電子材料シンポジウム  2019年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 量子物性発現を志向した有機/二次元無機半導体接合系の構築 国内会議

    松山 圭吾，福井 暁人，青木 佑樹，山田 悠貴，木村 大輔，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文 ，桐谷 乃輔

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 酸素分圧変化によるHfO2:Y/Si薄膜の配向と結晶構造の制御 国内会議

    佐保 勇樹, 鎌田 大輝, 高田 賢志, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ナノワイヤマスクを用いたグラフェンナノリボンネットワークの作製 国内会議

    青木 佑樹, 山田 悠貴, 福井 暁人, 吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文，桐谷 乃輔

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • MoS2/アミド系分子間の電子移動メカニズムの検討 国内会議

    福井 暁人, 土方 優, Jenny Pirillo, 青木 佑樹, 山田 悠貴, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の組成制御と電気・磁気・光学特性におよぼす影響 国内会議

    田中 淳平，三浦 光平, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田　淳, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 正圧電応答顕微鏡を用いたP(VDF-TrFE)膜のドメイン構造観察 国内会議

    金川 いづる, 松下 裕司, 吉村 武, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • スパッタ法によるSi 基板上へのBiFeO3 薄膜のエピタキシャル成長Ⅱ 国内会議

    岡本 直樹, 吉村 武, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関強誘電体YMnO3薄膜の電子遷移と光誘起電流の相関 国内会議

    三浦 光平, 田中 淳平, 桐谷 乃輔, 吉村 武，芦田 淳, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体/半導体ヘテロ接合における界面ポテンシャル変化による負性容量とその時間発展シミュレーション 国内会議

    高田 賢志, 吉村 武, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • リラクサ強誘電体ポリマー膜における交流電界下の電気熱量効果 国内会議

    松下 裕司, 吉村 武, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電気的および圧電的特性 国内会議

    宝栄 周弥, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • TiNバッファ層を用いたSi基板上へのPZT薄膜のエピタキシャル成長の検討 国内会議

    村瀬 幹生, 岡本 直樹, 吉村 武, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 大面積CVD成膜単層MoS2の高発光化 国内会議

    山田 悠貴, 青木 佑樹, 福井 暁人, 吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文，篠北 啓介, 松田一成, 桐谷 乃輔

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Characterization of piezoelectric vibration energy harvesters using impulse vibration 国内会議

    S. Aphayvong, T. Yoshimura, K. Kanda, S. Murakami, N. Fujimura

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • イオン性有機物との接合による単層二硫化モリブデンの電子状態の変調 国内会議

    木村 大輔, 山田 悠貴, 松山 圭吾, 福井 暁人, 青木 佑樹, 吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文，桐谷 乃輔

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 電子強誘電体YbFe2O4薄膜のエピタキシャル成長過程におよぼす下部電極の影響 国内会議

    嶋本 健人，三浦 光平, 田中 淳平, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester Using Sputtered BiFeO3 Films 国際会議

    T. Yoshimura, M. Aramaki, K. Sato, S. Murakami, N. Fujimura

    The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019  2019年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Characterization of direct piezoelectric response for P(VDF-TrFE) films using scanning probe microscopy 国際会議

    I. Kanagawa, Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019  2019年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Epitaxial growth of BiFeO3 films on Si substrates by Sputtering method 国際会議

    N. Okamoto, K. Izumi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019  2019年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrocaloric temperature change in ferroelectric polymer thin film under AC electric field 国際会議

    Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The Joint ISAF-ICE-EMF-IWPM-PFM Meeting 2019  2019年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Preparation of Cu2O/ZnO Heterojunctions by Electrodeposition from Aqueous Solution 国際会議

    S. Shiomoto, D. Kiriya, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Ashida

    EM-NANO 2019  2019年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 溶媒和したレドックス活性分子が誘起する2D半導体の超高発光化 国内会議

    一宮 永, 福井 暁人, 青木 佑樹, 山田 悠貴, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会 第39回研究会（39th CHEMINAS）  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • YbFe2O4マルチフェロイック薄膜の化学組成が電気・磁 気的特性におよぼす影響 国内会議

    田中 淳平, 三浦 光平, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第36回強誘電体応用会議  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系強誘電体 YMnO3薄膜の光誘起物性 国内会議

    三浦 光平, 田中 淳平, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 中山 正昭

    第36回強誘電体応用会議  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • HfO2基スパッタリング薄膜の構造と誘電特性におよぼす酸素微量添加効果 国内会議

    高田 賢志, 佐保 勇樹, 桐谷 乃輔, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第36回強誘電体応用会議  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 交流磁界を利用する圧電発電素子 国内会議

    吉村 武, 和泉 享兵, 上野 雄也, 巳波 敏生, 村上 修一, 藤村 紀文

    第36回強誘電体応用会議  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • グラフェンナノリボを用いたネットワーク状構造の作製 国内会議

    青木 佑樹, 山田 悠貴, 福井 暁人, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文, 桐谷 乃輔

    化学とマイクロ・ナノシステム学会 第39回研究会（39th CHEMINAS）  2019年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Time-Resolved Simulation of the Negative Capacitance Stage Emerging at the Ferroelectric/Semiconductor Hetero-Junction 招待 国際会議

    N. Fujimura, K. Takada, T. Yoshimura

    2019 MRS Spring Meeting  2019年04月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系マルチフェロイック強誘電体薄膜の新展開 招待 国内会議

    藤村 紀文

    新無機膜研究会 第78回研究会  2016年03月 

  • 太陽電池窓層への応用を目指した電気化学成長ZnO薄膜の表面形態制御 国内会議

    今西 剛士，芦田 淳，吉村 武，藤村 紀文

    応用物理学会 界面ナノ電子化学研究会 第2回ポスター発表展  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 常圧非平衡プラズマを用いた新規な酸化物薄膜の化学気相成長プロセス 招待 国内会議

    藤村 紀文，野瀬 幸則，木口 拓也，上原 剛，吉村 武，芦田 淳

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

  • β-Ga2O3単結晶基板上への(Hf,Zr)O2薄膜の成長 国内会議

    高田 賢志，小前 智也, 木口 拓也，野瀬 幸則, 吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 靴における圧電発電の検討 国内会議

    柿原 凌汰，苅谷 健人，松下 裕司，吉村 武，藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • (111)SrTiO3基板上への(Ba,La)SnO3薄膜の作製と特性評価 国内会議

    三浦 光平，山下 紘誉，小前 智也，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 電子強誘電体YbFe2O4薄膜の電子状態とその光吸収特性への影響 国内会議

    樫本 涼, 吉村 武, 芦田 淳, 藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Ba1-xCaxTiO3/ZnOヘテロ接合の作製とバンド配置の決定 国内会議

    後田 敦史，山田 裕明，小前 智也，吉村 武，藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 正圧電応答における強誘電ドメインの寄与の解析 国内会議

    苅谷 健人，荒牧 正明，吉村 武，藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth and electrical properties of BiFeO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3 thin films 国内会議

    in Hong Choi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 振動発電応用に向けたBiFeO3厚膜の作製 国内会議

    荒牧 正明，苅谷 健人，吉村 武，村上 修一、藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electronic states of Ce and magneto-transport characteristics in Ce doped Si films 国内会議

    Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida, and N.Fujimura

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電子状態 国内会議

    野瀬 幸則，木口 拓也，岩崎 裕徳, 吉村 武，芦田 淳，上原 剛，藤村 紀文

    第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Carrier control in Ce doped Si thin films using organic ferroelectric-gate field effect transistors 国内会議

    H. Nonami, Y. Miyata, T. Yoshimura and N. Fujimura

    第7回U3-マテリアルデザインフォーラム  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • The wide effective temperature range of the electrocaloric effect in field-induced phase transition 国内会議

    Y. Matsushita, T. Yoshimura and N. Fujimura

    第7回U3-マテリアルデザインフォーラム  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Development of novel conductive oxide film by dual magnetron sputtering 国内会議

    H. Yamashita, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

    第7回U3-マテリアルデザインフォーラム  2016年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 圧電効果を用いた靴発電の検討 国内会議

    柿原 凌汰，苅谷 健人，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体における電気熱量効果の直接測定 国内会議

    松下 裕司，後田 敦史，小前 智也，吉村 武，藤村 紀文

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 低消費電力不揮発性メモリに向けた強誘電体/極性半導体ヘテロ接合の作製 国内会議

    後田 敦史，山田 裕明，小前 智也，吉村 武，藤村 紀文

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体薄膜の格子整合成長に向けた新規下部電極の作製 国内会議

    山下 紘譽，荒牧 正明，吉村 武，藤村 紀文

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth and electrical characterization of BiFeO3 based piezoelectric films 国内会議

    Choi Jin Hong, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体薄膜の圧電特性におけるドメイン壁の寄与 国内会議

    苅谷 健人，吉村 武，藤村 紀文

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 圧電MEMS振動発電素子の高出力化に向けた検討 国内会議

    荒牧 正明，苅谷 健人，村上 修一，吉村 武，藤村 紀文

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Development of efficient piezoelectric energy harvester for human 国内会議

    Ali Mohamed, T. Yoshimura, N. Fujimura

    応用物理学会関西支部　平成27年度第3回講演会  2016年02月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 正圧電応答を利用した新しい強誘電性ドメインの評価手法の提案 国内会議

    苅谷 健人，吉村 武，藤村 紀文

    第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会  2016年01月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Crystal growth of (111) Ba1-xCaxTiO3 on (000 ) ZnO hetero-structure and its electrical property 国内会議

    A.Nochida, H.Yamada, T.Yoshimura, A.Ashida and N.Fujimura

    第25回　日本MRS年次大会  2015年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Direct Measurement of Electrocaloric Effect in Barium Titanate Thin Films 国際会議

    Y. Matsushita, T. Yoshimura and N. Fujimura

    The Seventeenth US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2015年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Chemical vapor deposition of β-Ga2O3 films using non-equilibrium N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure 国際会議

    T. Kiguchi, Y. Nose, K. Takada, T. Uehara, N. Fujimura

    International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015  2015年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Direct measurement of the electrocaloric effect in ferroelectrics using thin film thermocouple 国際会議

    Y. Matsushita, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 32nd International Japan-Korea Seminar on Ceramic  2015年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electronic Structure and Energy Band Alignments at Interfaces between Stannate (CaSnO3, (Ba,La)SnO3) and SrTiO3 Epitaxial Thin Films Revealed by in-situ Photoelectron Spectroscopy 国際会議

    J. D. Baniecki, T. Yamazaki, D. Ricinschi, Q. Van Overmeere, H. Aso, Y. Miyata, H. Yamada, N. Fujimura, and Y. Imanaka

    STAC-9&TOEO-9  2015年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Origin of photo-induced current for strongly correlated ferroelectric YMnO3 films 国際会議

    L. Zhang, H. Uga, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    STAC-9&TOEO-9  2015年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Low temperature Growth of YbFe2O4 electronic ferroelectric thin films with large optical absorption by using PLD method 国際会議

    R. Kashimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, and N. Fujimura

    STAC-9&TOEO-9  2015年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Anomalous Magnetoresistance in Rare Earth, Ce, Doped Single Crystalline Si Epitaxial Films 国際会議

    Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida, Y. Togawa, and N. Fujimura

    NAMBE2015  2015年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 微量O2添加常圧N2プラズマの励起過程と高抵抗ZnO薄膜の作製 国内会議

    野瀬 幸則，木口 拓也，髙田 賢志, 吉村 武，芦田 淳，上原 剛，藤村 紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Si-based nonvolatile field effect transistor using low temperature process 国際会議

    Y. Miyata, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    Solid State Devices and Materials 2015  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光誘起電流の起源 国内会議

    張　楽駿，宇賀　洋志，芦田 淳，吉村　武，藤村 紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定の検討Ⅱ 国内会議

    松下　裕司，吉村　武，藤村　紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • PLD法を用いたYbFe2O4薄膜成長時の組成変動に関する研究 国内会議

    樫本 涼，吉村 武，芦田 淳，藤村 紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • β-Ga2O3単結晶基板上でのBiFeO3強誘電体薄膜の成長 国内会議

    小前 智也，高田 賢志，吉村 武，藤村 紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 大気圧プラズマCVD法を用いたβ-Ga2O3薄膜の低温成長 国内会議

    木口 拓也，野瀬 幸則，髙田 賢志，上原 剛，藤村 紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 大気圧非平衡プラズマを用いたZnO薄膜へのNドーピング 国内会議

    岩崎 裕徳，野瀬　幸則，吉村　武，芦田　淳，上原　剛，藤村　紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 圧電MEMS振動発電素子の高出力化の検討 国内会議

    荒牧 正明, 苅谷 健人, 吉村 武, 村上 修一, 藤村 紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 正圧電効果による強誘電ドメインの観察 国内会議

    苅谷 健人、吉村 武、藤村 紀文

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical properties of 100-oriented (1-x)BiFeO3-x(Bi0.5,K0.5)TiO3 thin films on LaNiO3 electrode 国内会議

    Jin Hong Choi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Control of hole density in acceptor co-doped Si:Ce films 国内会議

    Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fuijmura

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2015年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvesters Using BiFeO3 Films 国内会議

    T.Yoshimura, K. Kariya, N. Fujimura, and S. Murakami

    第34回電子材料シンポジウム  2015年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Novel rare earth doping using surface re-construction of Ce doped Si films 国内会議

    Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N.　Fujimura

    第34回電子材料シンポジウム  2015年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Transport characteristics of B co-doped Si:Ce films 国内会議

    Y. Miyata, K. Ueno, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

    第34回電子材料シンポジウム  2015年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Contribution of excited species in N2 / O2 atmospheric pressure plasma to the chemical vapor deposition of ZnO films 国内会議

    Y. Nose, T. Kiguchi, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, and N. Fujimura

    第34回電子材料シンポジウム  2015年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Switchable Photo-induced Current of Strongly Correlated Ferroelectric Thin Films 国際会議

    N. Fujimura, H. Uga, L. Zhang, A. Ashida, and T. Yoshimura

    EMN Cancun Meeting  2015年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Numerical Analysis of Nonlinear Piezoelectric Vibrational Energy Harvesters 国内会議

    Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    第32回強誘電体応用会議  2015年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Origin of the switchable photo-induced current in strongly correlated ferroelectrics, YMnO3 epitaxial films 国際会議

    N. Fujimura, H. Uga, A. Ashida, and T.Yoshimura

    E-MRS Spring Meeting  2015年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Application of BiFeO3 films for MEMS vibration energy harvesters 国際会議

    K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, and N. Fujimura

    E-MRS Spring Meeting  2015年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Simulation of Vibration Mode of Muti-Beam Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvesters 国際会議

    S. Murakami, T. Yoshimura, K. Kariya, T. Nakajima, T. Nagataki, T. Nakade, K. Satoh, and N. Fujimura

    015 Joint IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectric (ISAF), International Symposium on Integrated Functionalities (ISIF), and Piezoresponse Force Microscopy Workshop (PFM)  2015年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth and Characterization of BiFeO3-(Bi0.5K0.5)TiO3 Thin Films 国内会議

    JinHong Choi, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    第32回強誘電体応用会議  2015年05月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光誘起電流と分極反転の相関 国内会議

    宇賀 洋志、張 楽駿、芦田 淳、古川 喜彬、中山 正昭、藤村 紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • PLD法を用いた強誘電体薄膜の強誘電性及びピエゾ特性評価 国内会議

    天野　泰河、高田　瑶子、岡本　尚樹、齊藤　丈靖、近藤　和夫、吉村　武、藤村　紀文、樋口　宏二、北島　彰

    化学工学会　第80回年会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • センシング応用に向けた非鉛強誘電体薄膜の開発 国内会議

    吉村　武、藤村　紀文

    交通・電気鉄道/フィジカルセンサ研究会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 圧電MEMS振動発電素子の振動モード解析 国内会議

    村上修一、苅谷健人、吉村 武、中嶋隆勝、長瀧敬行、中出卓男、佐藤和郎、藤村紀文

    平成27年　電気学会全国大会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of lead-free (1-x)BiFeO3-x(Bi0.5,K0.5)TiO3 Thin films 国内会議

    JinHong Choi, Takeshi Yoshimura, and Norifumi fujimura

    第6回U3-マテリアルデザインフォーラム  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Orientation control of the electrochemically grown Cu2O thin films 国内会議

    Xiangqian Zhao, Atsushi Ashida, Fumiaki Imanishi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    第6回U3-マテリアルデザインフォーラム  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of ultrathin ferroelectric / semiconductor heterostructure and analysis of its electrical conduction properties 国内会議

    A.Nochida, H.Yamada, T.Komae, T.Yoshimura, N. Fujimura

    第6回U3-マテリアルデザインフォーラム  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Carrier transport properties of electronic ferroelectric YbFe2O4 epitaxial films 国内会議

    Ryo Kashimoto, Takeshi Yoshimura, Athushi Ashida, Norifumi Fujimura

    第6回U3-マテリアルデザインフォーラム  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth process of ZnO films in N2/O2 plasma generated near atmospheric pressure 国内会議

    Yukinori Nose and Norifumi Fujimura

    応用物理学会 界面ナノ電子化学研究会 第１回ポスター発表展  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Si-based non-volatile FET using Organic Ferroelectrics 国内会議

    Yusuke Miyata and Norifumi Fujimura

    応用物理学会 界面ナノ電子化学研究会 第１回ポスター発表展  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • エネルギー変換応用を指向した非鉛強誘電体薄膜の開発 国内会議

    吉村　武、藤村　紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • (111) Ba1-xCaxTiO3/ZnOヘテロ構造の作製とその電気的特性 国内会議

    山田　裕明、吉村　武、藤村　紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • B共添加がSi:Ce薄膜の表面形態・輸送特性に及ぼす影響 国内会議

    宮田　祐輔、植野　和也、吉村　武、芦田　淳、藤村　紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Theoretical Analysis of Nonlinear Response in Vibrational Energy Harvesters 国内会議

    Ali M. Eltanany, T. Yoshimura, N. Fujimura, N. Z. Elsayed, M. R. Ebeid and M. G. S. Ali

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 複数梁構造を有する圧電MEMS振動発電素子の振動解析 国内会議

    苅谷 健人、吉村 武、村上 修一、藤村 紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光吸収および発光特性とそれらの光誘起電流との相関 国内会議

    宇賀 洋志、芦田 淳、吉村 武、古川 喜彬、中山 正昭、藤村 紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • BiFeO3薄膜に用いる新規下部電極の検討 国内会議

    荒牧 正明、苅谷 健人、堂安 豪、吉村 武、藤村 紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • MnドーピングがZnOホモエピタキシャル薄膜成長過程に与える影響 国内会議

    岩崎 裕徳、野瀬　幸則、吉村　武、芦田　淳、藤村　紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 大気圧プラズマCVD法を用いた(-201)β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長 国内会議

    木口 拓也、野瀬 幸則、上原 剛、藤村 紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ZnO単結晶基板上でのBiFeO3薄膜の成長 国内会議

    小前　智也、山田　裕明、吉村　武、藤村　紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Ce添加によるSi上Ge三次元ドット成長プロセスの変化 国内会議

    植野　和也、宮田　祐輔、吉村　武、芦田　淳、藤村　紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • RFマグネトロンスパッタ法による（100）BiFeO3/(100)LaNiO3ヘテロ構造の作製 国内会議

    堂安　豪、苅谷　健人、荒牧　正明、吉村　武、藤村　紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 電子強誘電体YbFe2O4エピタキシャル薄膜のキャリア伝導特性 国内会議

    樫本 涼、吉村 武、芦田 淳、藤村 紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定の検討 国内会議

    松下　裕司、吉村　武、藤村 紀文

    第62回応用物理学会春季講演会  2015年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光吸収・発光特性と光誘起電流との相関 国内会議

    宇賀 洋志，芦田 淳，吉村 武，藤村 紀文

    第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会  2015年01月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Correlation between the Intra-atomic Mn3+ Photoluminescence and the photo-induced current in YMnO3 Epitaxial Films 国際会議

    Norifumi Fujimura, Hiroshi Uga, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida, Yoshiaki Furukawa, Masaaki Nakayama

    MRS Fall Meeting  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • The Effect of H2 Distribution in the PLZT Capacitors with Conductive Oxide Electrodes on the Degradation of Ferroelectric Properties 国際会議

    Y. Takada, T. Amano, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, and A. Kitajima

    MRS 2014 Fall Meeting  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Effects of the Ti layer on the contact resistance of -Ga2O3 single crystal substrate. 国際会議

    G.Z.Yu, Y.Nose,T. Kiguchi, N.Fujimura

    第24回日本ＭＲＳ年次大会  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Orientation control of the electrochemically grown Cu2O films. 国際会議

    Xiangqian Zhao, Atsushi Ashida, Fumiaki Imanishi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    第24回日本ＭＲＳ年次大会  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Effects of spontaneous and piezoelectric polarization on the electric property of Zn1-xMnxO/ZnO hetero-interface. 国際会議

    H.Iwasaki, Y.Nose, T.Nakamura, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura

    第24回日本ＭＲＳ年次大会  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Control of crystal structure of Ga2O3 films grown by atmospheric pressure plasma enhanced CVD(APE-CVD) system. 国際会議

    T. Kiguchi, Y. Nose, T. Uehara, and N.Fujimura

    第24回日本ＭＲＳ年次大会  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth Process of ZnO films in N2/O2 Plasma Generated near Atomospheric Pressure. 国際会議

    Y.Nose, T. Kiguchi, T.Uehara, N.Fujimura

    第24回日本ＭＲＳ年次大会  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Switchable Photo-Induced Phenomena of Strongly-correlated Ferroelectric Epitaxial Films 招待 国際会議

    N. Fujimura, H. Uga, T. Yoshimura and A. Ashida

    第24回日本ＭＲＳ年次大会  2014年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Fundamental Physics and the device application of strongly-correlated ferroelectrics 招待 国際会議

    Norifumi Fujimura

    International Seminar on Functional Ferroelectric Films for Future Electronic Devices and Systems  2014年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体トンネル接合素子における抵抗変化モデルの構築 国内会議

    後田 敦史、山田裕明、吉村　武、藤村紀文

    応用物理学会関西支部　平成26年度第2回講演会  2014年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体の相転移付近における電気熱量効果の解析 国内会議

    松下　裕司、吉村　武、藤村　紀文

    応用物理学会関西支部　平成26年度第2回講演会  2014年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Development of Distributed Parameter Model for MEMS Piezoelectric Energy Harvesters 国内会議

    Ali M. Eltanany , T. Yoshimura, and N. Fujimura

    応用物理学会関西支部　平成26年度第2回講演会  2014年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • BiFeO3薄膜の圧電MEMS振動発電応用 国内会議

    吉村　武、村上　修一、苅谷　健人、藤村　紀文

    第55回真空に関する連合講演会　  2014年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • The output power of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters under random oscillation. 国際会議

    K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

    The 14th International Conference on Micro and Nanotechnology for Power Generation and Energy Conversion Applications  2014年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Structure Modification of Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvesters using BiFeO3 thin films 国際会議

    K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

    4th international workshop on Piezoelectric MEMS  2014年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical and Mechanical Properties of Piezoelectric MEMS Vibrational Energy harvesters using BiFeO3 films. 国際会議

    T. Yoshimura, K. Kariya, S. Murakami, and N. Fujimura

    4th international workshop on Piezoelectric MEMS  2014年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Comparative study of the ferroelectric properties employed with Al:ZnO and Sn:In2O3 electrode PbLaZrTiOx capacitors 国際会議

    Y. Takada, T. Amano, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, and A. Kitajima

    Advanced Metallization Conference 2014: 24th Asian Session IWAPS Joint Conference  2014年10月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Transport Properties of Highly Ce Doped Si Films Grown by Low-temperature Molecular Beam Epitaxy. 国際会議

    Yusuke Miyata, Norifumi Fujimura

    18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2014)  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • PLD法による強誘電体薄膜の配向性制御と電気特性 国内会議

    天野　泰河、高田　瑶子、岡本　尚樹、齊藤　丈靖、近藤　和夫、吉村　武、藤村　紀文、樋口　宏二、北島　彰

    化学工学会　第46回秋季大会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 導電性酸化物電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と劣化機構 国内会議

    高田　瑶子、天野　泰河、岡本　尚樹、齊藤　丈靖、近藤　和夫、吉村　武、藤村　紀文、樋口　宏二、北島　彰

    化学工学会　第46回秋季大会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 非鉛強誘電体薄膜を用いた圧電MEMS振動発電 国内会議

    吉村　武、藤村　紀文

    TARC ワークショップ 2014  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • BiFeO3薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の機械的・電気的特性 国内会議

    吉村　武、苅谷　健人、藤村　紀文、村上　修一

    日本セラミックス協会　第27回秋季シンポジウム  2014年09月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • ZnO基板上でのペロブスカイト型強誘電体薄膜の結晶成長 国内会議

    山田 裕明、吉村 武、藤村 紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 常圧N2/O2リモートプラズマを用いたZnO薄膜のCVD成長における不純物取り込みと伝導機構 国内会議

    野瀬 幸則，木口 拓也，吉村 武，芦田 淳，上原 剛，藤村 紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 有機強誘電体P(VDF-TrFE)を用いたCe添加Si薄膜の伝導制御 国内会議

    宮田 祐輔，植野 和也，吉村 武，芦田 淳， 藤村 紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • BiFeO3薄膜を用いた多自由度圧電 MEMS 振動発電素子の試作 国内会議

    苅谷健人，吉村武，村上修一，藤村紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系強誘電体YMnO3薄膜の光誘起電流とキャリア伝導 国内会議

    宇賀 洋志，芦田 淳，吉村 武，藤村　紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の結晶構造に及ぼす引張歪の影響 国内会議

    小前智也，荒牧正明，吉村武，藤村紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ZnO/Zn1-xMnxO/ZnOヘテロ界面における二次元量子構造の形成と自発分極の影響 国内会議

    岩崎 裕徳, 中村　立, 吉村　武, 芦田　淳, 藤村　紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 大気圧プラズマ CVD 法を用いたβ-Ga2O3薄膜の成長 II 国内会議

    木口 拓也，野瀬 幸則，上原 剛，藤村 紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • BiFeO3薄膜の格子整合成長の検討 国内会議

    荒牧正明、苅谷健人、堂安豪、吉村武、藤村紀文

    第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvester Using (100)BiFeO3/(100)LaNiO3 structure . 国際会議

    Takeshi Yoshimura,Shuichi Murakami,Kento Kariya,Norifumi Fujimura

    The 10th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2014年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical Properties of Cu2O Thin Films Prepared by Electrochemical Process. 国際会議

    A. Ashida, S. Sato, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    19th International Conference on Ternary and Multinary Compounds  2014年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Piezoelectric vibrational energy harvesting using BiFeO3 films 招待 国際会議

    Takeshi Yoshimura,Shuichi Murakami,Kento Kariya,Norifumi Fujimura

    IUMRS-ICA2014  2014年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electrical Characteristics of Non-volatile Silicon Thin Film Transistors Using Organic Ferroelectrics 国際会議

    Yusuke Miyata,Takeshi Yoshimura,Atsushi Ashida,Norifumi Fujimura

    The 10th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2014年08月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Deposition of β-Ga2O3 films by atmospheric pressure plasma enhanced CVD 国内会議

    T. Kiguchi, Y. Nose, T. Uehara, N. Fujimura

    第33回電子材料シンポジウム  2014年07月  電子材料シンポジウム運営委員会

  • Photoreflectance Mesurements of Si-based Diluted Magnetic Semiconductors, Si:Ce Thin Films 国内会議

    K. Ueno, Y. Miyata, H. Nakata, N. Fujimura

    第33回電子材料シンポジウム  2014年07月  電子材料シンポジウム運営委員会

  • 再構成表面を利用した新規な希土類元素ドーピング　 国内会議

    宮田祐輔、植野和也、藤村紀文

    平成26年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会  2014年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 産業牽引型高度人材育成プログラムの将来（博士人材のキャリアパスを拓く） 国内会議

    藤村紀文

    立命館大学びわこ・くさつキャンパス　ローム記念館  2014年07月  大学電気系教員協議会

  • 強誘電体エレクトロニクスの新展開　－安全・安心・エネルギーに貢献する次世代薄膜デバイス－ 招待 国内会議

    藤村紀文

    日本セラミックス協会関西支部　第9回学術講演会  2014年07月  日本セラミックス協会　関西支部

  • The roles of excited species on chemical vapor deposition of ZnO films using N2/O2 remote plasma generated near atomispheric pressure 国内会議

    Y.Nose, T.Kiguchi, T.Yoshimura, A.Ashida, T.Uehara, N.Fujimura

    第33回電子材料シンポジウム  2014年07月  電子材料シンポジウム運営委員会

  • Optical absorption and Luminescence of Strongly-Correlated Ferroelectric YMnO3 Thin Films 国内会議

    H. Uga, K. Maeda, A. Ashida, T. Yoshimura, M. Nakayama, Y. Furukawa, N. Fujimura

    第33回電子材料シンポジウム  2014年07月  電子材料シンポジウム運営委員会

  • Two dimensional growth of homoepitaxial ZnO thin films on Zn-polar ZnO substrates 国内会議

    H. Iwasaki, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

    第33回電子材料シンポジウム  2014年07月  電子材料シンポジウム運営委員会

  • Transport properties of highly Ce doped Si films grown by low-temperature molecular beam epitaxy 国内会議

    Yusuke Miyata, Norifumi Fujimura

    第33回電子材料シンポジウム  2014年07月  電子材料シンポジウム運営委員会

  • リーディングプログラムの概要と成果 国内会議

    藤村紀文

    大阪府立大学工学部同窓会総会  2014年06月  大阪府立大学工学部同窓会

  • ZnO薄膜の結晶成長とドーピング 招待 国内会議

    藤村紀文

    材料学会半導体エレクトロニクス部会  2014年06月 

  • (100)LaNiO3下部電極の格子定数制御によるBiFeO3薄膜の圧電特性の向上 国内会議

    苅谷健人,吉村武,藤村紀文,村上修一

    第３１回強誘電体応用会議  2014年05月  強誘電体応用会議　運営委員会

  • Enhancement of Piezoelectric Properties of BiFeO3 Films for Vibration Energy Harvesting. 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Kento Kariya, Syuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    23rd IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics (ISAF) International Workshop on Acoustic Transduction Materials and Devices (IWATMD) Piezoresponse Force Microscopy Workshop (PFM)  2014年05月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • 薄膜の応力評価方法と応力誘起現象 招待 国内会議

    藤村紀文

    透明酸化物光・電子材料第166委員会　第63回研究会  2014年04月  日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第166委員会

  • 強誘電体の配向性制御による劣化特性の評価 国内会議

    天野 泰河, 高田 瑶子, 岡本 尚樹, 齊藤 丈靖, 近藤 和夫, 吉村 武, 藤村 紀文, 樋口 宏二, 北島 彰, 大島 明博

    第16回化学工学会学生発表会  2014年03月  公益社団法人　化学工学会

  • 強誘電体ゲート絶縁膜に向けたBiFeO3薄膜の低温成長の検討 国内会議

    小前　智也、吉村　武、藤村　紀文

    第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム  2014年03月 

  • 電気化学堆積法を用いて成長させたZnOの粒密度の製膜電位依存性 国内会議

    今西史明、芦田淳、佐藤俊祐、吉村武、藤村紀文

    第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム  2014年03月 

  • 強磁性ZnO薄膜作製に向けたホモエピタキシャルZnO薄膜成長過程に関する研究 国内会議

    岩崎裕徳、中村立、藤村紀文、吉村武、芦田淳

    第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム  2014年03月 

  • 格子定数変調型酸化物導電体の開発 国内会議

    荒牧正明、吉村武、藤村紀文

    第５回　Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム  2014年03月  Ｕ３-マテリアルデザインフォーラム事務局

  • Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvesters using random oscillation 国内会議

    K. Kariya, T. Yoshimura , S. Murakami, N. Fujimura,

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Control of the secondary effect on the pyroelectric properties of P(VDF/TrFE) thin films 国内会議

    Y.Yachi, T.Yoshimura, N.Fujimura

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Chemical Vapor Deposition of ZnO Films using Remote Plasma Generated near Atmospheric Pressure 国内会議

    Y. Nose, T. Kiguchi, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Analyses of Electrical and Gas Sensing Properties of Hydrothermal Titanate Nanotubes 国内会議

    M.Ishii, J. Lee, M.Terauchi, T.Yoshimura, T.Nakayama, N.Fujimura

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Field-effect at polar-hetero-structures II 国内会議

    H. Yamada, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Control of carrier concentration of electrochemically grown Cu2O by precipitation reaction process 国内会議

    S. Sato, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Optical absorption and Luminescence Properties of Strongly-correlated Ferroelectric YMnO3 Thin Films 国内会議

    宇賀 洋志,前田 和弘,芦田 淳，吉村 武,中山 正昭,古川 喜彬, 藤村 紀文

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Formation of β-Ga2O3 films by atmospheric pressure plasma enhanced CVD 国内会議

    T.Kiguchi, Y. Nose, T. Uehara, N. Fujimura

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Magnetovoltaic effect of highly Ce doped Si thin films Ⅱ 国内会議

    宮田 祐輔，吉村 武，芦田 淳，藤村　紀文

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Magnetovoltaic effect of highly Ce doped Si thin films I 国内会議

    宮田 祐輔，吉村 武，芦田 淳，藤村　紀文

    2014年　第61回応用物理学会春季学術講演会  2014年03月  応用物理学会

  • Development of Piezoelectric MEMS Vibration Energy Harvester Using (100) Oriented BiFeO3 Ferroelectric Film 国際会議

    Shuichi. Murakami, Takeshi. Yoshimura, Kazuo. Satoh, Keisuke. Wakazono, Kento. Kariya, Norifumi. Fujimura

    PowerMEMS2013  2013年12月  PowerMEMS2013

  • Development of Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvesters Using BiFeO3 Films 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Keisuke Wakazono, Kento Kariya, Norifumi Fujimura

    16th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Materials  2013年11月  Jon-Paul Maria North Carolina State University

  • Anomalies at Neel Temperature in YMnO3 epitaxial films 国際会議

    N.Fujimura

    58th MMM Conference  2013年11月  American Institute of Physics

  • Effect of the concentration of oxygen sources on the lattice constant of electrochemically grown Cu2O thin films 国際会議

    Syunsuke Sato, Atsushi Ashida, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials　　(ICAE 2013)  2013年11月  The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers

  • Orientation control of BiFeO3 thin films by using LaNiO3 for vibration energy harvester application 国際会議

    Kento Kariya, Takeshi Yoshimura, Syuichi Murakami, Norifumi Fujimura

    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials　　(ICAE 2013)  2013年11月  The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers

  • Switchable Photo-Induced Current of Ferroelectric YMnO3 Epitaxial Films 招待 国際会議

    N.Fujimura

    The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials　　(ICAE 2013)  2013年11月  The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers

  • Enhancement of pyroelectric properties of P(VDF/TrFE) thin films on large thermal expansion substrates 国際会議

    Yoshiki Yachi, Takeshi Yoshimura, Atsushi Ashida and Norifumi Fujimura

    16th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Materials  2013年11月  Jon-Paul Maria North Carolina State University

  • 配向制御BiFeO3薄膜を用いた圧電MEMS振動発電 国内会議

    吉村武・苅谷健人・若園佳祐・藤村紀文・村上修一

    公益社団法人日本セラミックス協会第26回 秋季シンポジウム  2013年09月  日本セラミックス協会

  • 強誘電体薄膜の新展開～振動発電からTHzまで～ 国内会議

    N.Fujimura

    金属学会研究会  2013年09月  金属学会

  • Field-effect at polar hetero-interfaces 国内会議

    H. Yamada, T. Yoshimura and N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • The improvement of the pyroelectric properties of P(VDF/TrFE) thin films using the secondary effect 国内会議

    Yoshiki Yachi, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Piezoelectric Properties of BiFeO3 Thin Films Having a small Lattice Mismatching 国内会議

    K. Wakazono, K. Ujimoto, T. Yoshimura, M. Aramaki and N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Conduction property of electrochemically grown Cu2O thin films evaluated by impedance analysis 国内会議

    S. Sato, A. Ashida, T. Yoshimura, and N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Growth mechanism of ZnO films fabricated by atmospheric pressure plasma enhanced 国内会議

    Y. Nose , T. Nakamura, T. Yoshimura , A. Ashida , T. Uehara , N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Magnetic properties of high Ce doped Si thin films using 3-fold periodic reconstructed surface structure 国内会議

    Y.Miyata, T. Yoshimura, A. Atsushi, N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Photo-induced transport of electric ferroelectric YbFe2O4 epitaxial films 国内会議

    H. Tanaka, A. Ashida, T. Yoshimura N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Photocatalytic Property of Hydrothermal TiO2 Nanotubes 国内会議

    M.Ishii, J. Lee, M.Terauchi, T.Yoshimura, T.Nakayama, N.Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Switchable Photo-Induced Current of Ferroelectric YMnO3 Thin Films 国内会議

    H. Uga, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Characterization of piezoelectric MEMs vibration energy harvesters using (100) orientated BiFeO3 films 国内会議

    K. Kariya, T. Yoshimura, S. Murakami, K. Wakazono, N. Fujimura

    2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年09月  応用物理学会

  • Orientation Control of BiFeO3 Films for Vibrational Energy Harvesting 国際会議

    T. Yoshimura, K. Kariya, K, Wakazono,N. Fujimura, S. Murakami

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年09月  応用物理学会

  • Photo-induced phenomena of strongly correlated ferroelectrics, YMnO3,YbFe2O4 and BiFeO3 thin films 招待 国際会議

    N.Fujimura

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年09月  応用物理学会

  • BiFeO3強誘電体薄膜を用いた圧電型振動発電デバイスの作製とその評価 国内会議

    村上修一,吉村　武,若園佳佑,苅谷健人,藤村紀文

    電気学会　センサ・マイクロマシン部門（E部門）平成２５年度総合研究会  2013年08月  電気学会

  • Effect of oxygen sources on the electrochemical growth process ofCu2O epitaxial films 国内会議

    S. Sato, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    第32回電子材料シンポジウム  2013年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Piezoelectric MEMS Vibrational Energy Harvester Using BiFeO3 Films 国際会議

    Takeshi Yoshimura, Syuichi Murakami,Keisuke Wakazono, Kento Kariya, Norifumi Fujimura

    2013 IEEE—UFFC joint symposia  2013年07月  IEEE

  • Nucleation and grain growth process of ZnO by electrochemical method 国内会議

    A. Ashida, N. Nouzu, T. Yoshimura, N. Fujimura

    第32回電子材料シンポジウム  2013年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Switchable photo-induced current of strongly correlated ferroelectric YMnO3 thin films 国内会議

    H. Uga, Y. Okumura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第32回電子材料シンポジウム  2013年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Carrier inversion in Si based diluted magnetic semiconductor using organic ferroelectric as gate dielectric 国内会議

    Y. Miyata, O. Kyohei, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第32回電子材料シンポジウム  2013年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Low temperature formation of ZnO films using non-equilibrium atmospheric pressure N2 plasma with small amount of O2 below 1% 国内会議

    Y. Nose, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

    第32回電子材料シンポジウム  2013年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Switchable photo-induced current of strongly correlated ferroelectric YMnO3 thin films 国際会議

    N. Fujimura, Y. Okumura, H. Uga, T. Yoshimura, A. Ashida

    The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2013年06月  日本学術振興会　半導体界面制御技術第155委員会

  • Light-induced phenomena of strongly correlated ferroelectric thin films 招待 国際会議

    N. Fujimura

    Collaborative Conference on Materials Research  2013年06月  OAHOST

  • Rare earth ion doping to semiconductors by molecular beam epitaxy : Ce Doped Si 国際会議

    Y. Miyata, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 2nd International GIGAKU Conference in Nagaoka  2013年06月  IGCN Seering Committee

  • Formation of ZnO Films by Nonequilibrium Atmospheric Pressure N2 Plasma with Quite Small Amount of Additional O2 国際会議

    Y. Nose, T. Nakamura, T. Uehara, N. Fujimura

    8th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics  2013年05月  日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第１６６委員

  • 振動発電応用に向けたBiFeO3薄膜の圧電特性の向上 国内会議

    吉村武、氏本勝也、川原祐作、若園佳祐、苅谷健人、藤村紀文、村上修一

    強誘電体応用会議  2013年05月  強誘電体応用会議　運営委員会

  • BiFeO3薄膜を用いた圧電ＭＥＭＳ振動発電 国内会議

    吉村　武、村上　修一、若園　佳佑、苅谷　健人、藤村　紀文

    第42回ＥＭシンポジウム  2013年05月  電気学会　電子回路技術委員会

  • 新規な強誘電体のデバイス応用：革新的太陽電池の開発を中心に 招待 国内会議

    藤村紀文

    大阪大学ナノ理工学コンソーシアム　「機能性酸化物による新奇ナノエレクトロニクス創製」研究会  2013年05月  (社)大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム

  • Near-surface structure of polar ZnO surfaces prepared by pulsed laser deposition 国際会議

    T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    8th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics  2013年05月  日本学術振興会　透明酸化物光・電子材料第１６6委員

  • Fabrication of electric ferroelectrics, YbFe2O4 epitaxial thin films and the photo-induced phenomena 国際会議

    N. Fujimura, H. Yukawa, Y. Masuda

    The 11th International Conference on Ferrites  2013年04月  the ICF International Committee

  • Control of carrier concentration of diluted magnetic semiconductor Si:Ce thin films using organic ferroelectric gate dielectrics 国際会議

    Y. Miyata, Y. Okuyama, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    The 11th International Conference on Ferrites  2013年04月  the ICF International Committee

  • 酸化物導電体を下部電極に用いた強誘電体キャパシタの特性評価 国内会議

    髙田瑶子，辻徹，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，吉村武，藤村紀文，樋口宏二，北島彰，大島明博

    化学工学会 第78年会  2013年03月  化学工学会

  • 不純物ドープSiの常温赤外発光 国内会議

    近藤佑亮，中田博保，奥山祥孝，宮田祐輔，藤村紀文

    日本物理学会第68回年次大会  2013年03月  日本物理学会

  • 大気圧プラズマプロセスを用いて低温成長したZnO薄膜の電気特性 国内会議

    野瀬幸則，寺川卓摩，中村立，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    第4回 U3-マテリアルデザインフォーラム  2013年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 有機強誘電体の圧電性が焦電性に及ぼす影響 国内会議

    谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

    第4回 U3-マテリアルデザインフォーラム  2013年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 振動発電応用に向けたSi上BiFeO3薄膜の配向制御と圧電特性 国内会議

    苅谷健人，吉村武，藤村紀文

    第4回 U3-マテリアルデザインフォーラム  2013年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • BiFeO3薄膜を用いたMEMS振動発電素子の発電特性 国内会議

    若園 佳佑，苅谷 健人，吉村 武，村上 修一，藤村 紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • 六方晶YMnO3薄膜の光誘起電流Ⅲ 国内会議

    宇賀洋志，奥村優太，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • P(VDF-TrFE)薄膜の圧電特性が焦電特性に及ぼす影響 国内会議

    谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の非線形圧電応答 国内会議

    氏本勝也，川原祐作，吉村武，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • 極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード 国内会議

    中村立，長田貴弘，早川竜馬，呉承俊，廣芝伸哉，藤村紀文，知京豊裕，若山裕

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • Zn極性ZnO基板上ZnMnO薄膜の成長モード制御 国内会議

    中村立，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • 振動発電応用に向けたLaNiO3を用いたBiFeO3薄膜の配向制御 国内会議

    苅谷健人，吉村武，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • ナノチャネルを有する強誘電体ゲートTFTの電気特性評価 国内会議

    野村侑平，吉村武，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • 有機強誘電体をゲート絶縁膜に用いた希薄磁性半導体Si:Ce薄膜のキャリア制御 国内会議

    宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • 電気化学成長Cu2O薄膜の結晶性における電解液pH依存性 国内会議

    佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • MIS構造を用いた高濃度CeドーピングSi薄膜の評価 国内会議

    奥山祥孝，吉村武，宮田祐輔，芦田淳，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の正方晶歪の制御とその圧電特性 国内会議

    川原祐作，氏本勝也，吉村武，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の電気特性 国内会議

    野瀬 幸則，寺川卓摩，中村立，吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

    2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年03月  応用物理学会

  • MEMS技術を使った振動発電デバイスの開発 国内会議

    村上修一，若園佳佑，苅谷健人，吉村武，長瀧敬行，中出卓男，中嶋隆勝，藤村紀文

    平成25年電気学会全国大会  2013年03月  電気学会

  • 強誘電体を用いた新規な光電変換素子 国内会議

    藤村紀文

    応物支部セミナー「太陽光エネルギーハーベスティングのための新しい光機能」  2013年01月  応用物理学会

  • Fabrication of piezoelectric MEMS vibration energy harvester with low resonant frequency 国際会議

    S. Murakami, T. Nagataki, T. Nakade, H. Miyabuchi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    37th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites  2013年01月 

  • 有機強誘電体/極性半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタにおける分極界面の電気的特性評価 国内会議

    山田裕明, 吉村 武, 藤村紀文

    第53回真空に関する連合講演会  2012年11月  日本真空学会

  • ナノチャネルを有する強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製とその電気特性評価 国内会議

    野村侑平, 吉村 武, 藤村紀文

    第53回真空に関する連合講演会  2012年11月  日本真空学会

  • 有機強誘電体を用いた磁性半導体Si:Ce薄膜の電界効果 国内会議

    宮田祐輔, 高田浩史, 奥山祥孝, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    第53回真空に関する連合講演会  2012年11月  日本真空学会

  • Electrical properties of Sol-gel derived PbLaZrTiOx capacitors with nonnoble metal oxide top electrodes 国際会議

    Y. Takada, T. Tsuji, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, K. Higuchi, A. Kitajima, A. Oshima

    Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2012)  2012年10月  State Science (PRiME2012)実行委員会

  • 非鉛強誘電体MEMSによる高出力振動発電デバイスの開発 国内会議

    藤村紀文

    2012ナノ理工学セミナー「グリーンナノテクノロジー第3弾 ～創エネ科学技術の新展開～」  2012年10月  (社)大阪大学ナノ理工学人材育成産学コンソーシアム

  • Effect of the polarity on the initial state of interface formation in organic semiconductor/ZnO heterostructures 国際会議

    T. Nakamura, T. Nagata, R. Hayakawa, S. Oh, N. Hiroshiba, N. Fujimura, T. Chikyow, and Y. Wakayama

    The 7th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials  2012年09月 

  • 局所pH制御を利用した銅酸化物半導体材料の電析 国内会議

    佐竹唯大，八木俊介，芦田淳，藤村紀文

    資源素材学会  2012年09月  資源素材学会

  • 大気圧非平衡窒素/酸素プラズマを用いたZnO薄膜の低温成長 国内会議

    野瀬幸則, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    平成24年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会  2012年09月  日本材料学会

  • 非貴金属酸化物電極による強誘電体キャパシタの安定性評価 国内会議

    髙田瑶子, 辻 徹, 岡本尚樹, 齊藤丈靖, 近藤和夫, 吉村 武, 藤村紀文, 樋口宏二, 北島 彰, 大島明博

    化学工学会 第44回秋季大会  2012年09月  化学工学会

  • TiO2ナノチューブガスセンサのセンシングメカニズム 国内会議

    石井将之, 吉村 武, 藤村紀文, 寺内雅裕, 中山忠親

    日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム  2012年09月  日本セラミックス協会

  • 強誘電体薄膜の挑戦 招待 国内会議

    藤村紀文，吉村武

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • 有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた希薄磁性半導体Si:Ce薄膜のキャリア制御 国内会議

    宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，吉村武，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の配向制御 国内会議

    野瀬幸則，吉村武，芦田淳，上原剛，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜のドメイン構造が圧電特性におよぼす影響 国内会議

    氏本勝也，吉村武，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の格子歪みが圧電特性におよぼす影響 国内会議

    川原祐作，氏本勝也，吉村武，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • 強誘電体MEMS振動発電素子の動作特性の解析 国内会議

    吉村武, 宮渕弘樹, 村上修一, 藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜におけるLa置換の効果 国内会議

    若園佳佑, 川原祐作, 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • 六方晶YMnO3薄膜の光誘起電流Ⅱ 国内会議

    奥村優太，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • P(VDF-TrFE)薄膜の圧電特性評価 国内会議

    谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • 高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の伝導キャリアに及ぼす影響 国内会議

    奥山祥孝，宮田祐輔，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • 電気化学堆積法による(111) Pt上Cu2O薄膜成長 国内会議

    佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会  2012年09月  応用物理学会

  • Direct piezoelectric properties of strain engineered BiFeO3 epitaxial films 国際会議

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

    International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012  2012年09月 

  • Nano-sized nucleus formation and growth of ZnO crystals by the electrochemical process 国際会議

    A. Ashida, N. Nouzu, Y. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    European Materials Research Society 2012 Fall Meeting  2012年09月  European Materials Research Society

  • Characterization of ferroelectric MEMS vibration energy harvester. 国際会議

    T. Yoshimura, S. Murakami, H. Miyabuchi, A. Ashida, N. Fujimura

    International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012  2012年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 強誘電体MEMS振動発電素子の動作特性の解析　 国内会議

    吉村 武，宮渕弘樹，村上修一，藤村紀文

    日本セラミックス協会 第25回秋季シンポジウム   2012年09月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • Effects of La substitution for BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

    K. Wakazono, Y. Kawahara, K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 9th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics  2012年08月  JKC-FE9 Conference Committee

  • The effect of crystallization process of P(VDF/TrFE) thin film on the ferroelectric properties 国際会議

    Y. Yachi, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    The 9th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics  2012年08月  JKC-FE9 Conference Committee

  • Orientation control of low temperature grown ZnO films deposited using non-equilibrium atmospheric pressure N2/O2 plasma (大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いて低温成長した酸化亜鉛薄膜の配向制御) 国内会議

    Y. Nose, T. Nakamura, T. Yoshimura, A. Ashida, T. Uehara, N. Fujimura

    第31回電子材料シンポジウム  2012年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Growth temperature and thickness dependences of crystal and micro domain structures of BiFeO3 epitaxial films 国際会議

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, N. Fujimura

    ISAF2012  2012年07月 

  • Magneto-transport properties of YbFe2O4 epitaxial thin films 国内会議

    Y. Masuda, H. Yukawa, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第31回電子材料シンポジウム  2012年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Magneto transport properties of Si:Ce magnetic semiconductor thin films 国内会議

    Y. Miyata, Y. Okuyama, T, Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    第31回電子材料シンポジウム  2012年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の成長条件による結晶構造の制御とその圧電特性 国内会議

    川原祐作, 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    第29回強誘電体応用会議（FMA29)  2012年05月  FMA29)実行委員会

  • Effect of ferroelectric polarization on electronic transport properties in ferroelectric gate thin film transistor with ZnO channel 国際会議

    H. Yamada, T. Yoshimura, N. Fujimura

    2012 MRS Spring Meeting  2012年04月  MRS

  • Investigation of gas sensing characteristics of TiO2 nanotube channel field effect transistor 国際会議

    M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N. Fujimura

    2012 MRS Spring Meeting  2012年04月  MRS

  • Characterization of direct piezoelectric properties of BiFeO3 films for vibration energy harvesting. 国際会議

    T. Yoshimura, K. Ujimoto, S. Murakami, Y.Kawahara, N. Fujimura

    2012 Material Research Society Spring Meeting   2012年04月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • 非貴金属酸化物電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と評価 国内会議

    髙田瑶子，辻徹，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫， 吉村武，藤村紀文，北島彰，大島明博

    第14回化学工学会学生発表会宇部大会  2012年03月  化学工学会

  • 強誘電体MEMS振動発電素子の試作とモデリング 国内会議

    宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • 有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果 国内会議

    高田浩史，奥山祥孝，宮田祐輔，吉村武，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • TiO2ナノチューブFETの電気伝導機構 国内会議

    石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • La置換したBiFeO3薄膜の作製と圧電特性 国内会議

    若園佳佑, 川原祐作, 吉村武, 藤村紀文

    第3回U3-マテリアルデザインフォーラム  2012年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • Al/AlN/Si積層構造の正および逆圧電特性の評価 国内会議

    氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    第3回U3-マテリアルデザインフォーラム  2012年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • TiO2ナノチューブFETの電気伝導およびガスセンシング特性 国内会議

    石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

    第3回U3-マテリアルデザインフォーラム  2012年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 希薄磁性半導体Si:Ce薄膜の磁気・伝導特性 国内会議

    宮田祐輔, 高田浩史, 奥山祥孝,　藤村紀文

    第3回U3-マテリアルデザインフォーラム  2012年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • ZnO極性表面上へのペンタセン薄膜の成長と表面ポテンシャル評価 国内会議

    中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, 呉承俊, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕

    平成23年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会  2012年03月  日本材料学会

  • BiFeO3薄膜の振動発電応用 国内会議

    吉村武，村上修一，氏本勝也，川原祐作，藤村紀文

    日本セラミックス協会2012年年会  2012年03月  日本セラミックス協会

  • 貴金属フリー酸化物電極を用いた強誘電体キャパシタの作製と評価 国内会議

    辻徹，髙田瑶子，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫， 吉村武，藤村紀文，北島 彰，大島明博

    化学工学会第77年会  2012年03月  化学工学会

  • Evaluation of Piezoelectric Properties of Al/AlN/Si Stack Structure for CMOS compatible MEMS 国内会議

    K. Ujimoto, C. Vladimir, I. D. Wolf, M. Jambunathan, D. M. Karabacak, B. D. Bois, S. Severi, T. Yoshimura, N. Fujimura

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • 圧電式振動発電素子の特性向上に対する物質科学的アプローチ 国内会議

    吉村　武，村上修一，氏本勝也，宮渕弘樹，川原祐作，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • P(VDF-TrFE)薄膜における結晶化が電気特性に及ぼす影響 国内会議

    谷地宣紀，吉村武，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • Si:Ce薄膜の磁気・輸送特性 国内会議

    宮田祐輔，高田浩史，奥山祥孝，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性 国内会議

    増田佑介, 湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • 電気化学成長Cu2O薄膜の配向制御 国内会議

    佐藤俊祐，芦田淳，近藤雄祐，八木俊介，吉村武，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • ZnO チャネル上へのナノギャップ電極の形成と伝導特性評価 国内会議

    野村侑平，山田裕明，吉村武，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • 大気非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の成長形態 国内会議

    野瀬幸則，上原剛，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • ZnO極性表面上に成長したペンタセン薄膜の表面電位測定 国内会議

    中村立，長田貴弘，早川竜馬，呉承俊，廣芝伸哉，藤村紀文，知京豊裕，若山裕

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • 格子歪を用いたBiFeO3エピタキシャル薄膜の正圧電特性の増幅 国内会議

    氏本勝也，吉村武，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • Low temperature growth of ZnO films using atmospheric pressure N2/O2plasma 国際会議

    Y. Nose, T.Uehara, N. Fujimura

    4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials  2012年03月 

  • P(VDF-TeFE)/ZnOヘテロ構造の電子輸送特性のチャネル膜厚依存性 国内会議

    山田裕明, 吉村武, 藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • 高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の成長形態に及ぼす影響 国内会議

    奥山祥孝，高田浩史，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • 六方晶YMnO3薄膜の光誘起電流 国内会議

    奥村優太，湯川博喜，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の光誘起物性 国内会議

    湯川博喜，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会  2012年03月  応用物理学会

  • Preparation and the properties of electronic　ferroelectrics, YbFe2O4 epitaxial films 国際会議

    N. Fujimura

    15th International Conference on Thin Films  2011年11月 

  • Evaluation of Al-Doped ZnO top electrodes for PbLaZrTiOx capacitors 国際会議

    T. Tsuji, Y. Takada, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Kitajima, A. Oshima

    2011 MRS Fall Meeting  2011年11月  MRS

  • Direct piezoelectric property of BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

    T. Yoshimura, K. Ujimoto, A. Ashida, N. Fujimura

    15th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2011年11月 

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の光誘起物性 招待 国内会議

    湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会  2011年10月  日本材料学会

  • 大気圧非平衡プラズマを用いたZnO薄膜の低温成長 国内会議

    野瀬幸則, 中村立, 上原剛, 藤村紀文

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • Alドープ酸化亜鉛電極を用いた強誘電体キャパシタの劣化特性評価 国内会議

    辻徹，髙田瑶子，岡本尚樹，齊藤丈靖，近藤和夫，吉村武，藤村紀文，北島彰，大島明博

    化学工学会第43回秋季大会  2011年09月  化学工学会

  • PZT薄膜における33モード正圧電特性の結晶構造および方位依存性 国内会議

    宮渕弘樹, 吉村武 , 村上修一, 藤村紀文

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • Si:Ce薄膜における三倍周期構造の形成過程 国内会議

    奥山祥孝, 高田浩史, 藤村紀文

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • ZnOチャネルFeFETの電子輸送特性における強誘電ドメインの影響 国内会議

    山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の正圧電特性 国内会議

    氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜におけるドメイン構造と圧電特性の相関 国内会議

    川原祐作, 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • 極性を有するZnO 基板上のペンタセン薄膜の成長過程 国内会議

    中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, 呉承俊, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • TiO2ナノチューブチャネルFETのガスセンサ特性 国内会議

    石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011年09月  応用物理学会

  • Fabrication of MFS capacitor using P(VDF-TeFE) organic ferroelectric layer on Si:Ce DMS films 国内会議

    H. Takata, S. Sakurai, D. Shindo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    第30回電子材料シンポジウム  2011年06月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • The magnetic property of Si:Ce DMS with three-fold periodically surface structure（三倍周期表面構造を有する希薄磁性半導体Si:Ceの磁気特性） 国内会議

    Y. Okuyama, D. Shindo, S. Sakurai, N. Fujimura

    第30回電子材料シンポジウム  2011年06月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • PZT薄膜の31,33モードにおける正圧電特性とエナジーハーベスタ応用 国内会議

    宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

    第28回強誘電体応用会議（FMA28)  2011年05月  FMA28)実行委員会

  • 強誘電体の分極状態とZnO薄膜の電子輸送特性の相関 国内会議

    山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

    第28回強誘電体応用会議（FMA28)  2011年05月  FMA28)実行委員会

  • Influence of crystal system on ferroelectric properties of (001) BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    2011 MRS Spring Meeting  2011年04月  MRS

  • Polarization switching behavior of magnetoferroelectric YMnO3 epitaxial films 国際会議

    T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

    2011 MRS Spring Meeting  2011年04月  MRS

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の微細構造が圧電特性におよぼす影響 国内会議

    氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の作製とその分光特性 国内会議

    湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム  2011年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 強誘電体BiFeO3薄膜の分極ドメインおよび伝導領域の微視的観察 国内会議

    川原祐作, 吉村武, 藤村紀文

    Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム  2011年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • P(VDF-TeFE)/ZnOヘテロ構造の電子輸送特性 国内会議

    山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

    Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム  2011年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 強磁性強誘電体YbMnO3薄膜の組成制御とその磁気および誘電特性 国内会議

    奥村優太, 前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    Ｕ-3マテリアルデザインフォーラム  2011年03月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果 国内会議

    高田浩史, 櫻井周作, 進藤大輔, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • Si:Ce薄膜におけるCeの固溶状態がその磁気特性に及ぼす影響 国内会議

    奥山祥孝, 進藤大輔, 櫻井周作, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • TiO2ナノチューブのガスセンサ特性の評価(2) 国内会議

    石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • Zn極性及びO極性ホモエピタキシャルZnO薄膜の表面構造 国内会議

    中村立, 長田貴弘, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO-CVD装置の開発 国内会議

    野瀬幸則, 井手康太, 上原剛, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の光吸収特性 国内会議

    湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性 II 国内会議

    宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • 成長初期層制御による電気化学堆積 ZnO 連続薄膜の作製 国内会議

    能津直哉, 近藤雄祐, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • 電気化学的手法によるZnOロッドの作製とその形態制御 国内会議

    近藤雄祐, 能津直哉, 芦田淳, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • 背面露光法により作製した強誘電体ゲート TFT の電気特性 国内会議

    野村侑平, 福島匡泰, 前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • 強誘電体の分極が ZnO 薄膜の伝導特性に与える影響 Ⅱ 国内会議

    山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会  2011年03月  応用物理学会

  • 文部科学省科学技術振興調整費プロジェクト「地域・産業牽引型高度人材育成プログラム」の概要

    藤村紀文

    関西工学教育協会電気分科会研究会  2011年01月  関西工学教育協会電気分科会研究会実行委員会

  • 大阪府立大学における高度研究人材養成システム

    藤村紀文

    岐阜大学イノベーション創出若手人材養成シンポジウム  2010年12月  岐阜大学イノベーション創出若手人材養成シンポジウム実行委員会

  • Effect of lattice misfit strain on crystal system and ferroelectric property of BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

    K. Ujimoto, H. Izumi, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    International Congress on Ceramics (ICC)  2010年11月  ICC)実行委員会

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の成長とその物性

    藤村紀文

    相関電子系における電荷秩序と誘電異常-遷移金属酸化物と分子性化合物の最近の展開  2010年11月  遷移金属酸化物と分子性化合物の最近の展開実行委員会

  • 成長初期層制御した平坦化電気化学堆積ZnO薄膜 国内会議

    能津直哉，近藤雄祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成22年度第2回半導体エレクトロニクス部門研究会  2010年11月  日本材料学会

  • Characterization of electric transport of field effect transistor with TiO2 nanotube channel 国際会議

    M. Ishii, M. Terauchi, T. Yoshimura, T. Nakayama, N. Fujimura

    3rd international congress on ceramics  2010年11月  ceramics実行委員会

  • ZnO thin films grown by electrochemical deposition method with pulsed electrolytic current and its electrical conductivity 国際会議

    A. Ashida, T. Okuma, T. Nagata, N. Fujimura

    3rd international congress on ceramics  2010年11月  ceramics実行委員会

  • ZnO crystal growth on micro electrode by electrochemical deposition method 国際会議

    Y. Kondo, A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

    3rd international congress on ceramics  2010年11月  ceramics実行委員会

  • Charactrization of direct piezoelectric effect for vibration energy harvesting 国際会議

    T. Yoshimura, H. Miyabuchi, S. Murakami, A. Ashida, N. Fujimura

    3rd international congress on ceramics  2010年11月  ceramics実行委員会

  • Characterization of direct piezoelectric properties of PZT films for vibration energy harvesting 国際会議

    T. Yoshimura, H. Miyabuchi, A. Ashida, N. Fujimura

    The 3rd international symposium on innovations in advanced materials for optics & electronics  2010年10月  electronics実行委員会

  • 非金属電極/保護絶縁膜による強誘電体の劣化抑制効果 国内会議

    辻徹,　和泉要,　廣田祐一郎,　岡本尚樹,　齊藤丈靖,　近藤和夫,　吉村武,　藤村紀文,　北島彰,　大島明博

    化学工学会第42回秋季大会  2010年09月  回秋季大会実行委員会

  • 大阪府立大学でのイノベーション創出若手研究人材養成のとりくみ 国際会議

    藤村紀文

    産学連携による博士人材のキャリア形成教育プログラム　金沢大学キックオフ・セミナー  2010年09月  金沢大学キックオフ・セミナー実行委員会

  • Initial growth process in the electrochemical deposition of ZnO 国際会議

    A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura

    17th international conference on ternary and multinary compounds  2010年09月  compounds実行委員会

  • Device characterization of controlled polarization type ferroelectric gate TFT 国際会議

    T. Yoshimura, T. Fukushima, A. Ashida, N. Fujimura

    17th international workshop on oxide electronics  2010年09月  electronics実行委員会

  • Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate TFT using RC distributed constant circuit 国際会議

    T. Fukushima, K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)  2010年09月  SSDM2010)実行委員会

  • 強誘電体ゲートTFTのRC分布定数回路を用いたインピーダンス解析 国内会議

    福島匡泰，前田和弘，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • 強誘電体の分極がZnO薄膜の伝導特性に及ぼす影響 国内会議

    山田裕明，福島匡泰，髙田浩史，吉村武，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • TiO2ナノチューブのガスセンサ特性の評価 国内会議

    石井将之，寺内雅裕，吉村武，中山忠親，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • 電気化学堆積法による微細電極上ZnO成長II 国内会議

    近藤雄祐，能津直哉，芦田淳，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • 強誘電体キャパシタ用Alドープ酸化亜鉛上部電極の作製と評価 国内会議

    辻徹,　和泉要,　廣田祐一郎,　岡本尚樹,　齊藤丈靖,　近藤和夫,　吉村武,　藤村紀文,　北島彰,　大島明博

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の作製と磁性および電気的特性評価 国内会議

    湯川博喜，廣瀬浩次，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • YMnO3薄膜の酸素含有量の制御とその誘電特性におよぼす影響 国内会議

    前田和弘，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • BiFeO3薄膜の正・逆圧電特性 国内会議

    氏本勝也，宮渕弘樹，川原祐作，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性 国内会議

    宮渕弘樹，氏本勝也，吉村武，村上修一，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡プラズマを用いたSi基板の酸窒化 国内会議

    井手康太，野瀬幸則 ，吉村武，芦田淳，上原剛 ，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • Si:Ce への電界効果応用に向けた有機強誘電体 PVDF-TeFE の誘電特性評価 国内会議

    高田浩史，櫻井周作，進藤大輔，吉村武，藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • Ce添加に伴うSi:Ce薄膜の表面平坦化 国内会議

    進藤大輔，櫻井周作, 高田浩史, 藤村紀文

    平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010年09月  応用物理学会

  • Electronic transport property of YbMnO3/ZnO heterostructure 国際会議

    H. Yamada, T. Fukushima, S. Sakamoto, K. Masuko, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2010年08月  Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会

  • Controlled polarization type thin film transistors using ferroelectric/polar semiconductor interface 国際会議

    N. Fujimura

    2010 Taiwan-Japan bilateral technology interchange project “Workshop on transparent conductive oxide thin films　for electronics and optics in green energy”  2010年08月  Japan bilateral technology interchange project “Workshop on transparent conductive oxide thin films　for electronics and optics in green energy”実行委員会

  • Surface preparation of ZnO single-crystal substrate for the epitaxial growth of ZnO thin films 招待 国際会議

    T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)  2010年08月  16)実行委員会

  • Influence of target surface microstructure on the morphological and electrical properties of pulsed laser deposited BiFeO3 epitaxial thin films 国際会議

    K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16)  2010年08月  16)実行委員会

  • Evaluation of aluminum-doped zinc oxide top electrode for sol-gel derived Pb(Zr,Ti)O3 capacitors 国際会議

    K. Izumi, T. Tsuji, Y. Hirota, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura, A. Kitajima, A. Oshima

    The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2010年08月  Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会

  • Polarization switching behavior of magnetoferroelectric RMnO3 epitaxial films at around the magnetic phase transition temperature 国際会議

    T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura

    The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2010年08月  Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会

  • Direct piezoelectricity of PZT films and application to vibration energy harvesting 招待 国際会議

    H. Miyabuchi, T. Yoshimura, S. Murakami, N. Fujimura

    The 8th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2010年08月  Korea Conference on Ferroelectrics実行委員会

  • Novel spintronics application of ZnO based DMS 国際会議

    N. Fujimura, K. Masuko, T. Yoshimura, T. Nakamura, A. Ashida

    12th international conference on modern materials and technologies(CIMTEC2010)(12th International Ceramics Congress)  2010年06月  Congress)実行委員会

  • Polarization switching of YMnO3 thin films at around magnetic transition temperature 国際会議

    K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    12th international conference on modern materials and technologies(CIMTEC2010)(12th International Ceramics Congress)  2010年06月  Congress)実行委員会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜のナノ領域圧電・伝導特性 招待 国内会議

    氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    第27回強誘電体応用会議(FMA27)  2010年05月  FMA27)実行委員会

  • 分極機能型強誘電体ゲートTFTのデバイス特性評価 国内会議

    福島匡泰, 吉村武, 前田和弘, 芦田淳, 藤村紀文

    日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会　平成22年度第1回研究会  2010年05月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • 強相関系物質のテラヘルツ関連物性 国内会議

    藤村紀文

    テラヘルツ光応用研究会  2010年04月  テラヘルツ光応用研究会実行委員会

  • 電荷秩序型強誘電体YbFe2O4エピタキシャル薄膜の電気伝導特性 国内会議

    廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • Deposition of metal oxide thin film in supercritical carbon dioxide 国際会議

    A. Kojima, Y. Hirota, N. Okamoto, T. Saito, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 5ht international symposium on material cycling engineering  2010年03月  engineering実行委員会

  • Improvement of ferroelectric properties by non-noble-metal-oxide-electrode and encapsulation layer 国際会議

    K. Izumi, T. Tsuji, Y. Hirota, T. Saito, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 5ht international symposium on material cycling engineering  2010年03月  engineering実行委員会

  • RMnO3/ZnOへテロ構造デバイスのチャネル伝導特性 国内会議

    山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • 強誘電体薄膜の正圧電特性と振動発電素子への応用 国内会議

    宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • 分極機能型強誘電体ゲートTFTのデバイス特性評価 国内会議

    福島匡泰, 吉村武, 前田和弘, 芦田淳, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • Si:Ce(3×3)再構成表面を用いたCe高濃度ドーピングとその磁気特性に及ぼす影響 国内会議

    櫻井周作, 進藤大輔, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • 電気化学堆積法による微細電極上ZnO成長 国内会議

    近藤雄祐, 能津直哉, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • 誘電泳動法によって作製したTiO2ナノチューブFETの電気伝導特性の評価 国内会議

    石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜のネール点近傍における強誘電性分極反転ダイナミクス 国内会議

    前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の強誘電特性に対する格子不整合歪の影響 国内会議

    氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • Pt電極上YbFe2O4エピタキシャル薄膜の成長とその電気特性 国内会議

    湯川博喜, 廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会  2010年03月  応用物理学会

  • ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体窒化プロセス 国内会議

    藤村紀文

    大気圧プラズマ研究会  2010年02月  大気圧プラズマ研究会実行委員会

  • The effects of aluminum doping for the magneto-transport property of Si:Ce thin films 国際会議

    D. Shindo, K. Fujii, T. Terao, S. Sakurai, N. Fujimura

    11th joint magnetism and magnetic materials (MMM) intermag conference  2010年01月  conference実行委員会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における強誘電性分極反転ダイナミクス 国内会議

    前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成21年度第1回半導体エレクトロニクス部門研究会  2009年12月 

  • Evaluation of hydrogen barrier thin film for FeRAM Integration 国際会議

    T. Tsuji, K. Izumi, Y. Hirota, T. Saito, N. Okamoto, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 3rd SCEJ(kansai-branch)/SSCCI joint international conference on chemical engineering  2009年12月  branch)/SSCCI joint international conference on chemical engineering実行委員会

  • ZnMnO/ZnOヘテロ構造の作製とスピン依存伝導 国内会議

    益子慶一郎, 芦田淳, 藤村紀文

    ２００９多元系機能材料研究会  2009年12月  多元系機能材料研究会実行委員会

  • TiO2ナノチューブの電気伝導特性の評価　Characterization of Electronic Conductance of TiO2 Nano Tube 国内会議

    石井将之、吉村武、藤村紀文、中山忠親、新原晧一

    U3-マテリアルデザインフォーラム  2009年12月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 圧電体薄膜の正圧電特性と振動発電素子への応用 国内会議

    宮渕弘樹, 吉村武, 藤村紀文

    U3-マテリアルデザインフォーラム  2009年12月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • 強誘電体ゲート/極性半導体チャネル電界効果型不揮発性トランジスタの分極間相互作用とデバイス物性 国内会議

    福島匡泰

    U3-マテリアルデザインフォーラム  2009年12月  マテリアルデザインフォーラム実行委員会

  • Si:Ce薄膜3×3表面再構成構造の高濃度Ceドーピングへの応用に関する検討 国内会議

    櫻井周作,寺尾岳見, 進藤大輔, 藤村紀文

    平成21年度第1回半導体エレクトロニクス部門研究会  2009年12月 

  • マルチフェロイクス物性の基礎と展望：強相関系物質のデバイス 国内会議

    藤村紀文

    イムラ材研研究会2009年  2009年11月 

  • 強誘電体薄膜の圧電特性と発電デバイスへの応用 国内会議

    吉村武

    イムラ材研研究会2009年  2009年11月 

  • ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体プロセス 国内会議

    藤村紀文

    大気圧プラズマ研究会  2009年10月 

  • YbFe2O4エピタキシャル薄膜の成長とその物性　Epitaxial Growth and the Physical Properties of YbFe2O4 Thin Films 国内会議

    藤村紀文

    分子研研究会  2009年10月 

  • チタニアナノチューブの電気伝導特性の評価 Characterization of Electronic Conductance of TiO2 Nano Tube 国内会議

    石井将之, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文, 新原晧一

    第29回エレクトロセラミックス研究討論会  2009年10月 

  • 磁性強誘電体RMnO3エピタキシャル薄膜のネール温度近傍における強誘電特性 国内会議

    吉村武，前田和弘，深江圭佑，芦田淳，藤村紀文

    第29回エレクトロセラミックス研究討論会  2009年10月 

  • Amorphous carbon film deposition for hydrogen barrier in FeRAM integration by radio frequency plasma chemical vapor deposition method 国際会議

    T. Saito, K. Izumi, Y. Hirota, N. Okamoro, K. Kondo, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 216th ECS meeting, Euro CVD 17 and CVD 17, and the 11th international symposium on solid oxide fuel cells (SOFC-XI)   2009年10月 

  • YbMnO3エピタキシャル薄膜の強誘電特性および磁気特性 国内会議

    吉村武

    フューチャー・フェロエレクトリックス ～第1回・誘電体若手秋の学校～  2009年10月 

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移点近傍における分極反転挙動 国内会議

    前田和弘

    フューチャー・フェロエレクトリックス ～第1回・誘電体若手秋の学校～  2009年10月 

  • 強誘電体BiFeO3 エピタキシャル薄膜のナノ領域圧電特性 国内会議

    氏本勝也

    フューチャー・フェロエレクトリックス ～第1回・誘電体若手秋の学校～  2009年10月 

  • 電気化学堆積ZnO薄膜の成長初期過程 国内会議

    能津直哉, 先山晴香, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • RFプラズマCVD法による絶縁膜の形成と強誘電体の劣化保護効果 国内会議

    和泉要,　辻徹,　廣田祐一郎,　岡本尚樹,　齊藤丈靖,　近藤和夫,　吉村武,　藤村紀文

    化学工学会第41回秋季大会  2009年09月  化学工学会

  • 高濃度Ceドーピングを目的としたSi:Ce薄膜(3Ｘ3)表面再構成構造の応用 国内会議

    櫻井周作, 寺尾岳見, 進藤大輔, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすアクセプタドーピングの効果 国内会議

    進藤大輔, 藤井賢治, 寺尾岳見, 櫻井周作, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • インピーダンス分光法による分極機能型強誘電体ゲートTFTの動作特性の解析 国内会議

    吉村武, 福島匡泰, 芦田淳, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の分極反転に及ぼす磁気スピン間相互作用の影響 国内会議

    前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • BiFeO3エピタキシャル薄膜の微視的圧電・伝導特性 国内会議

    氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • 電荷秩序型強誘電体YbFe2O4薄膜の成長におよぼす酸素分圧の効果 国内会議

    廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • ガン型プラズマ源を用いた大気圧非平衡窒素プラズマ 国内会議

    井手康太, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会  2009年09月  応用物理学会

  • Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすアクセプタドーピングの効果 国内会議

    進藤大輔, 藤井賢治, 寺尾岳見, 櫻井周作, 藤村紀文

    第28回電子材料シンポジウム  2009年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • 圧電体薄膜のグリーンデバイス応用 国内会議

    藤村紀文

    半導体プロセス基礎討論会  2009年07月 

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移点近傍における分極反転挙動 国内会議

    前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    第26回強誘電体応用会議  2009年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • Fabrication and magneto-transport properties of Zn0.88Mn0.12O/ZnO 国際会議

    K. Masuko, T. Nakamura, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics (TOEO-6)  2009年04月 

  • 反磁性強誘電体YMnO3薄膜のネール点近傍における分極反転挙動 国内会議

    前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    第一回機能物性酸化物/薄膜研究会  2009年04月 

  • Surface morphology of homoepitaxial ZnO thin films grown on Zn-polar ZnO substrates 国際会議

    T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics (TOEO-6)  2009年04月 

  • Control of cathodic potential for deposition of ZnO by constant current electrochemical method 国際会議

    N. Nouzu, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics (TOEO-6)  2009年04月 

  • CNTを用いたZnOナノ結晶の電気化学的成長 国内会議

    先山晴香，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    日本セラミックス協会2009年年会  2009年03月  日本セラミックス協会

  • Zn0.88Mn0.12O/ZnOヘテロ構造におけるスピン依存伝導現象 国内会議

    益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年03月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における分極反転挙動 国内会議

    前田和弘，吉村武，藤村紀文

    平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年03月  応用物理学会

  • 低温成長磁性強誘電体YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気特性 国内会議

    深江圭佑，前田和弘，吉村武，藤村紀文

    平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年03月  応用物理学会

  • 発光分光分析を用いた電荷秩序型強誘電体YbFe2O4薄膜の成長過程の評価 国内会議

    廣瀬浩次，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年03月  応用物理学会

  • YMnO3/ZnOヘテロ構造における分極間相互作用を用いた新規なデバイスII 国内会議

    坂本真哉，福島匡泰，吉村武，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

    平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年03月  応用物理学会

  • 分極機能型強誘電体ゲートTFTの動作特性 国内会議

    福島匡泰，吉村武，益子慶一郎，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

    平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年03月  応用物理学会

  • PLD法によるBiFeO3 薄膜作製におけるドロップレットの低減 国内会議

    氏本勝也，吉村武，藤村紀文

    平成20年度春季第56回応用物理学関係連合講演会  2009年03月  応用物理学会

  • Spin Dependent Transport in ZnMnO/ZnO Hetero-structure 招待 国際会議

    N. Fujimura

    Material Research Soc. Fall Meeting  2008年12月 

  • ユビキタス社会の半導体メモリ最前線 国内会議

    藤村　紀文

    電子物理から情報化社会・高度福祉型社会への貢献  2008年12月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • ZnO基板上に作製したZn1-xMnxO薄膜の磁気特性 国内会議

    益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動2 国内会議

    前田和弘，吉村武，藤村紀文

    日本物理学会講演会　2008年秋季大会  2008年09月  日本物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動1 国内会議

    吉村武，前田和弘，深江圭佑，藤村紀文

    日本物理学会講演会　2008年秋季大会  2008年09月  日本物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における分極反転挙動 国内会議

    吉村武，前田和弘，深江圭佑，芦田淳，藤村紀文

    日本セラミックス協会　第21回秋季シンポジウム  2008年09月  日本セラミックス協会

  • 電気化学的堆積法による多結晶Au基板上ZnO薄膜の結晶形態制御 国内会議

    芦田淳，藤田章雄，先山晴香，吉村武，藤村紀文，中平敦

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • YMnO3 / ZnO ヘテロ構造における分極間相互作用を用いた新規なナノデバイス 国内会議

    坂本真哉，福島匡泰，吉村武，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • Ceをδ-ドーピングしたSi/Ce/Si薄膜の磁気輸送特性 国内会議

    寺尾岳見，藤井賢治，進藤大輔，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • 分極機能型強誘電体ゲートTFTの提案とデバイス特性の評価 国内会議

    吉村武，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • MIS構造を用いたSi:Ce薄膜の評価 国内会議

    進藤大輔，寺尾岳見，藤井賢治，吉村武，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • 電気化学的堆積法によるPt(111)/sapphire(0001)上ZnOエピタキシャル薄膜の結晶形態制御 国内会議

    先山晴香，能津直哉，芦田淳，益子慶一郎，吉村武，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気相転移近傍での分極反転挙動 国内会議

    深江圭佑，前田和弘，吉村武， 藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • 導電性AFMプローブを用いたBiFeO3 エピタキシャル薄膜のリーク電流測定 国内会議

    氏本勝也，吉村武，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • 電荷秩序型強誘電体YbFe2O4エピタキシャル薄膜の作製（Ⅱ） 国内会議

    廣瀬浩次，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • ZnO/YMnO3/Pt構造を有する分極機能型強誘電体ゲートTFTの電気的特性 国内会議

    福島匡泰，吉村武，益子慶一郎，前田和弘，芦田淳，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍における誘電挙動 国内会議

    前田和弘，吉村武，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • Zn0.88Mn0.12O/ZnOへテロ構造の磁気抵抗におけるs-d交換相互作用の効果 国内会議

    益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成20年度秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008年09月  応用物理学会

  • Electron Transport Properties of ZnMnO/ZnO Modulation-doped Heterostructures 国際会議

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    5th International Workshop on ZnO and Related Materials   2008年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Electron Transport Properties of ZnMnO/ZnO Modulation-doped Heterostructures. 国際会議

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    5th International Workshop on ZnO and Related Materials  2008年09月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • Epitaxial Growth of Charge Ordering Type Ferroelectrics YbFe2O4 国際会議

    K. Hirose, K. Imamura, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

    The 7th Korea-Japan Conference Ferroelectricity (KJC-07)  2008年08月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • Polarization Switching Characteristics of YMnO3 Thin Film at around Magnetic Phase Transition Temperature. 国際会議

    T. Yoshimura, K. Maeda, A. Ashida and N. Fujimura

    The 7th Korea-Japan Conference Ferroelectricity (KJC-07)  2008年08月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • Ferroelectric and Magnetic Properties of (0001)YbMnO3 Epitaxial Thin Films. 国際会議

    T. Yoshimura, K. Fukae, K. Maeda, A. Ashida and N. Fujimura

    The 7th Korea-Japan Conference Ferroelectricity (KJC-07)  2008年08月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • 異種ドメイン間相互作用の科学とデバイス応用 国内会議

    藤村　紀文

    異種ドメイン間相互作用研究会  2008年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 分極機能型薄膜トランジスタの提案とその基礎特性 国内会議

    藤村 紀文, 福島　匡泰, 吉村　武

    第25回　強誘電体応用会議  2008年05月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • 新学術領域や新たな技術シーズを創製できる若手研究者育成プログラム構想 国内会議

    藤村　紀文

    大阪府立大学　産学協同高度人材育成センター講演会  2008年04月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ZnMnO/ZnOヘテロ構造のキャリア輸送特性 国内会議

    益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    日本セラミックス協会2008年年会  2008年03月  日本セラミックス協会

  • Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすB添加の効果 国内会議

    藤井賢治，寺尾岳見，進藤大輔

    平成20年度春季 第55回応用物理学関係連合講演会  2008年03月  応用物理学会

  • YbMnO3エピタキシャル薄膜の強誘電性および磁気特性 国内会議

    深江圭佑，前田和弘

    平成20年度春季 第55回応用物理学関係連合講演会  2008年03月  応用物理学会

  • 強誘電体YMnO3/磁性半導体Si:Ceヘテロ界面の誘電特性 国内会議

    進藤大輔，前田和弘

    平成20年度春季 第55回応用物理学関係連合講演会  2008年03月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の磁気相転移温度近傍におけるC-V特性 国内会議

    前田和弘

    平成20年度春季 第55回応用物理学関係連合講演会  2008年03月  応用物理学会

  • 電化秩序型強誘電体YbFe2O4薄膜の作製と評価 国内会議

    今村謙，吉村武，藤村紀文

    日本セラミックス協会2008年年会  2008年03月  日本セラミックス協会

  • ZnOとYMnO3による強誘電体ゲートFETの電気特性 国内会議

    福島匡泰，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    日本セラミックス協会2008年年会  2008年03月  日本セラミックス協会

  • 強誘電体ゲートトランジスタの問題点と今後の展望 国内会議

    藤村　紀文

    ユビキタス志向ナノマテリアル・プロセス技術調査専門委員会  2008年03月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • ユビキタス社会の本命メモリ：キーワードは不揮発性・超高密度 国内会議

    藤村　紀文

    第44回 テクノラボツアー「ユビキタスネット社会技術を探る」  2008年03月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体プロセス 招待 国内会議

    藤村　紀文

    大気圧プラズマ研究会  2008年02月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • 大気圧プラズマを用いた半導体の窒化 招待 国内会議

    藤村　紀文

    半導体プロセス基礎討論会  2008年01月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Multiferroic Behaviors of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial Films. (Invited) 招待 国際会議

    N. Fujimura

    Material Research Soc. Fall Meeting  2007年12月  MRS

  • 六方晶系RMnO3エピタキシャル膜のマルチフェロイック物性とそのFETへの応用（招待講演） 招待 国内会議

    藤村紀文

    日本MRSシンポジウム 「ドメイン構造に由来する物性発現と新機能材料」  2007年12月  日本MRS

  • Spin-dependent Transport in ZnMnO/ZnO Heterostructure. 国際会議

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    52nd Conference on Magnetism and Magnetic Materials (MMM2007)  2007年11月 

  • Dielectric properties of ferroelectric/DMS heterointerface using YMnO3 and Ce doped Si. 国際会議

    D. Shindo, T. Yoshimura and N. Fujimura

    5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-Ⅴ)  2007年11月 

  • Effect of Electrically Degenerated Layer on the Carrier Transport Property of ZnO Epitaxial Thin Films on YSZ. 国際会議

    S. Sakamoto, T, Oshio, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-Ⅴ)  2007年11月 

  • Controlled polarization type FET with a Ferroelectric gate and a polar semiconductor. 国際会議

    N. Fujimura

    14th International Workshop on Oxide Electronics  2007年10月 

  • Magnetic and Magneto-transport Properties of ZnMnO/ZnO Heterostructure. 国際会議

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年10月 

  • Electro-optic property of ZnO:Mn epitaxial films. 国際会議

    T. Oshio, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)  2007年10月 

  • Magnetic Properties of Si:Ce Thin Films with High Ce Concentration. 国際会議

    T. Terao, D. Shindo, K. Fujii and N. Fujimura

    Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium (Handai Nano Symposium)  2007年09月 

  • BiFeO3-LaAlO3固溶体の作製とその誘電特性 国内会議

    泉宏和

    平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007年09月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3エピタキシャル薄膜の分極反転挙動 国内会議

    前田和弘

    平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007年09月  応用物理学会

  • 強誘電体上への磁性半導体Si:Ce薄膜の成長 国内会議

    進藤大輔，寺尾岳見

    平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007年09月  応用物理学会

  • Ceを高濃度に添加した極薄Si:Ce薄膜の構造評価とその磁気特性 国内会議

    寺尾岳見，藤井賢治，西村吉弘

    平成19年度秋季第68回応用物理学会学術講演会  2007年09月  応用物理学会

  • 電荷秩序型強誘電体YFe2O4-xの電気伝導特性 国内会議

    吉村武，今村謙，堀部陽一，藤村紀文，森茂生，池田直

    日本セラミックス協会 第20回秋季シンポジウム  2007年09月  日本セラミックス協会

  • 強誘電体ゲートカーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ作製とその電気特性 国内会議

    吉村武，櫻井達也，秋田成司，藤村紀文，中山喜萬

    日本セラミックス協会 第20回秋季シンポジウム  2007年09月  日本セラミックス協会

  • Effect of spin polarization on the electron transport in modulation-doped ZnMnO/ZnO heterostructure. 国際会議

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium (Handai Nano Symposium)  2007年09月 

  • Magnetic and Dielectric Properties of Yb(Mn1-xAlx)O3 Thin Films. 国際会議

    K. Fukae, T. Takahashi, T. Yoshimura and N. Fujimura

    The 16th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2007)  2007年05月  IEEE

  • Influence of Antiferromagnetic Ordering on Ferroelectric Polarization Switching of YMnO3 Epitaxial Thin Films. 国際会議

    K. Maeda, T. Yoshimura and N. Fujimura

    The 16th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (ISAF2007)  2007年05月  IEEEE

  • Ce高濃度添加Si:Ce薄膜の磁気特性 国内会議

    寺尾岳見，西村吉弘，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • YMnO３の強誘電性－常誘電性相転移のラマン散乱観察 国内会議

    福村秀夫，播磨弘，木曽田賢治，高橋哲也，吉村武，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡窒素プラズマを用いたGe窒化膜の作成 国内会議

    安部拓也，吉田真司，吉村武，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • BiFeO3の電気、磁気性におぼすBサイトへのMn置換効果 国内会議

    片山知，乾真介，泉宏和，吉村武，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • Yb(Mn1-xAlx)O3薄膜の磁気・誘電特性 国内会議

    深江圭佑，高橋哲也，吉村武，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • PLD法で作製したZnMnO薄膜の圧電特性の評価 国内会議

    先山晴香，大塩武士，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • ZnO極薄膜の作製とその電子輸送特性 国内会議

    坂本真哉，大塩武士，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡プラズマプロセスのHigh-k材料への応用 国内会議

    吉田真司, 西嶋正憲, 吉村武, 功刀俊介, 上原剛, 藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • YMnO３エピタキシャル薄膜の強誘電性分極反転に及ぼす反強磁性秩序の影響 国内会議

    前田和弘，吉村武，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • YbFe2O4薄膜の作製 国内会議

    今村謙，吉村武，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • エピタキシャルBiFeO3薄膜の成長初期過程 国内会議

    乾真介，泉宏和，片山知，吉村武，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • レーザーアブレーション飛散粒子の状態がエピタキシャル界面に及ぼす影響Ⅱ 国内会議

    西嶋正憲，吉村武，藤村紀文

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • 強磁性強誘電体YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気秩序 国内会議

    高橋哲也，吉村武，藤村紀文，福村秀夫，播磨弘

    平成19年度春季第54回応用物理学関係連合講演会  2007年03月  応用物理学会

  • マルチフェロイック物性とその分極機能型FETへの応用 招待 国内会議

    藤村紀文

    セイコーエプソン　研究会  2007年02月 

  • Magnetic Frustration Behavior of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial films. 国際会議

    N. Fujimura

    10th JOINT MMM/INTERMAG CONFERENCE  2007年01月 

  • Effects of the Ce Concentration and the Carrier Concentration on the Magnetic Properties of Low Temperature grown Si:Ce Thin Films. 国際会議

    T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo and N. Fujimura

    10th JOINT MMM/INTERMAG CONFERENCE  2007年01月 

  • Novel Application of ZnO Thin Films 招待 国際会議

    N. Fujimura

    India-Japanese Workshop on ZnO Materials and Devices  2006年12月 

  • IＴ型強誘電体メモリの現状と分極機能型トランジスタ 国内会議

    藤村紀文

    日本学術振興会　薄膜第131委員会　第227回委員会・第233回研究会  2006年12月 

  • RMnO3(R=Y, Yb) エピタキシャル薄膜のマルチフェロイック物性とそのデバイス応用 国内会議

    藤村紀文

    日本学術振興会アモルファス・ナノ材料第147委員会 定例研究会  2006年12月 

  • Multiferroic Behaviors of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial Film. 国際会議

    N. Fujimura, T. Takahashi, K. Maeda and T. Yoshimura

    Material Research Society Fall Meeting  2006年11月  MRS

  • Magnetic and Ferroelectric Properties of YMnO3 Epitaxial Thin Films. 国際会議

    K. Maeda, T. Yoshimura and N. Fujimura

    Material Research Society Fall Meeting  2006年11月  MRS

  • Conduction Characteristics of Charge Ordering Type Ferroelectrics, YFe2O4-δ 国際会議

    K. Imamura, Y. Horibe, T. Yoshimura, N. Fujimura, S. Mori, N. Ikeda

    Material Research Society Fall Meeting  2006年11月  MRS

  • Polarization Control Type FET with a Ferroelectric Gate and a Polar Semiconductor. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura and R. Arai

    Material Research Society Fall Meeting  2006年11月  MRS

  • Cross-Correlation of Ferroelectric Ferromagnet, YbMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

    N. Fujimura, T. Takahashi and T. Yoshimura

    XIII International Workshop on Oxide Electronics  2006年10月 

  • Mn Concentration Dependence of Optical Property of ZnMnO Thin Films. 国際会議

    T. Fukushima, K. Masuko, N. Fujimura, H. Tanaka and M. Nakayama

    XIII International Workshop on Oxide Electronics  2006年10月 

  • Controlled Polarization Type FET with a Ferroelectric Gate and a Polar Semiconductor. 国際会議

    N. Fujimura, R. Arai and T. Yoshimura

    XIII International Workshop on Oxide Electronics  2006年10月 

  • ZnMnO/ZnOヘテロ界面の磁気輸送特性 国内会議

    益子慶一郎，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • ZnOをチャネルに用いた強誘電体ゲートFETの作製とその電気的特性 国内会議

    吉村武，新井涼太，益子慶一郎，芦田淳，藤村紀文

    日本セラミックス協会  2006年09月  日本セラミックス協会

  • 大気圧非平衡プラズマのガン型プラズマ源への応用 国内会議

    中永麻理，吉村武，上原剛，功刀俊介，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • レーザアブレーション飛散粒子の状態がエピタキシャルY2O3/Si界面におよぼす影響 国内会議

    西嶋正憲，吉村武，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • 磁性強誘電体YMnO3エピタキシャル薄膜の誘電特性の改善とその磁気および誘電特性 国内会議

    前田和弘，吉村武，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • 強誘電性YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気特性（Ⅱ） 国内会議

    高橋哲也，吉村武，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • 電荷秩序型強誘電体YFe2O4-δの電気伝導特性 国内会議

    今村謙，堀部陽一，吉村武，藤村紀文，森茂生，池田直

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • 共振周波数で生成した大気圧非平衡窒素プラズマがSi窒化膜の誘電特性に与える影響 国内会議

    吉田真司，中永麻理，吉村武，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • 磁性半導体Si:Ceを用いたMISキャパシタの誘電特性の改善 国内会議

    進藤大輔，西嶋正憲，吉村武，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • 強誘電体ゲート薄膜トランジスタを用いたZnOの物性評価 国内会議

    福島匡泰，新井涼太，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • Si:Ce薄膜の磁気特性・磁気輸送特性におよぼすキャリア濃度の影響 国内会議

    寺尾岳見，西村吉弘，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • ZnO:Mn/Pt/c-sapphireにおけるPtのエピタキシーとZnO:Mnの誘電・圧電特性の検討 国内会議

    大塩武士，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月  応用物理学会

  • Pb(Zr, Ti)O3/ZnOヘテロ構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの電気特性 国内会議

    新井涼太，益子慶一郎，吉村　武，芦田　淳，藤村紀文

    平成18年度秋季第67回応用物理学会学術講演会  2006年09月 

  • Nonvolatile Memory Operation of Ferroelectric-Gate ZnO Channel Thin-film Transistors. 国際会議

    T. Yoshimura, R. Arai, K. Masuko, A. Ashida, N. Fujimura

    The 6th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics(第６回日韓強誘電体会議JKC-FE06）  2006年08月 

  • Electrical Conduction Properties of Charge Ordering Type Ferroelectrics YFe2O4-δ 国際会議

    K. Imamura, Y. Horibe, T. Yoshimura, N. Fujimura, S. Mori, N. Ikeda

    The 6th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics(第６回日韓強誘電体会議JKC-FE06）  2006年08月 

  • Preparation og ZnMnO Thin Films on ZnO Single Crystal Substrate (000-1) and its Magnetic Properties. 国際会議

    K. Masuko, T Fukushima, A Ashida, T Yoshimura, N Fujimura

    The 17th International Conference on Magnetism  2006年08月 

  • Magnetic Properties of Low Temperature Grown Si:Ce Thin Films on (001) Si Substrate. 国際会議

    T. Terao, Y. Nishimura, D. Shindo and N. Fujimura

    The 17th International Conference on Magnetism  2006年08月 

  • Effect of Ce Concentration on the Magnetic Property of Si:Ce DMS Films Grown by Low Temperature MBE Method.（低温MBE 法によって成長したSi:Ce 希薄磁性半導体薄膜の磁気特性に及ぼすCe 濃度の効果） 国内会議

    T. Terao and N. Fujimura

    第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25)  2006年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Fabrication and Electrical Characterization of ZnO/YMnO3 Ferroelectric Gate Piezoelectric-Semiconductor Thin-film Transistors. 国際会議

    T. Yoshimura, R. Arai, K. Masuko, A. Ashida, N. Fujimura

    IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics  2006年07月  IEEE

  • PLD法によるYMnO3薄膜の作製と磁性―強誘電性相関現象 国内会議

    前田和弘, 吉村武, 藤村紀文

    日本セラミックス協会関西支部 第一回関西支部学術講演会  2006年07月  日本セラミックス協会

  • 電荷秩序型強誘電体YFe2O4-δの電気伝導特性 国内会議

    今村謙，堀部陽一，吉村武，藤村紀文，森茂生，池田直

    日本セラミックス協会関西支部 第一回関西支部学術講演会  2006年07月  日本セラミックス協会

  • PLD法を用いたBiFeO3薄膜の作製におけるアブレーション状態の評価 国内会議

    乾真介, 吉村武, 藤村紀文

    日本セラミックス協会関西支部 第一回関西支部学術講演会  2006年07月  日本セラミックス協会

  • Effect of Applied Voltage Frequency on the Nitridation Process of Si by Atomospheric Pressure Nitrogen Plasma（大気圧非平衡窒素プラズマ生成時の印加電圧周波数が窒化過程におよぼす効果） 国内会議

    M. Yoshida, M. Nakae, R. Hayakawa, S. Kunugi, T. Uehara, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25)  2006年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Mn Concentration Dependence of Optical Property of ZnMnO Thin Films（ZnMnO 薄膜の光学特性のMn 濃度依存性） 国内会議

    T. Fukushima, K. Masuko, T. Oshio, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura, H. Tanaka and M. Nakayama

    第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25)  2006年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Preparation and the dielectric properties of MIS capacitor with Si:Ce DMS（希薄磁性半導体Si:Ce 薄膜を用いたMIS キャパシタの作製とその誘電特性） 国内会議

    D. Shindo, T. Terao, M. Nishijima, K. Haratake, T. Yoshimura and N. Fujimura

    第25回電子材料シンポジウム(25th Electronic Material Symposium EMS25)  2006年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • 強磁性強誘電体YbMnO3薄膜の作製 国内会議

    高橋 哲也, 吉村武, 藤村 紀文

    平成18年度 第22回強誘電体応用会議(FMA-23)  2006年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • Multi-Ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

    N.Fujimura,T.Takahashi,T.Yoshimura,A.Ashida

    International Conference on Integrated Ferroelectrics  2006年04月 

  • Fabrication of YMnO3 Epitaxial Thin Films and　the Magnetic-Ferroelectric Correlation Phenomena. 国際会議

    K. Maeda, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and N. Fujimura

    2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai  2006年04月 

  • Ferroelectric Gate Transistors using YMnO3/ZnO Gate Structure. 国際会議

    N.Fujimura,R.Arai,K.Masuko,T.Yoshimura,A.Ashida

    International Conference on Integrated Ferroelectrics  2006年04月 

  • 大気圧非平衡窒素プラズマおよびRFプラズマを用いて作製した低温Si窒化膜/Si界面における結合状態の比較 国内会議

    早川竜馬，中永麻理，吉田真司，田川雅人，寺岡有殿，吉村武，芦田淳，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • ZnMnO薄膜の光学特性のMn濃度依存性 国内会議

    福島匡泰，益子慶一郎，大塩武士，芦田淳，吉村武，藤村紀文，田中浩康，中山正昭

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • 磁性半導体Si:Ce MOS構造の作製とその誘電特性 国内会議

    進藤大輔，寺尾岳見，西嶋正憲，原武耕平，吉村武，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡窒素プラズマ生成時の印加電圧周波数がSiの窒化過程におよぼす影響 国内会議

    吉田真司，中永麻理，早川竜馬，吉村武，芦田淳，功刀俊介，上原剛，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • YFe2O4-δの電気的・磁気的特性における酸素欠損の影響 国内会議

    今村謙，堀部陽一，吉村武，藤村紀文，森茂生，池田直

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • PLD法を用いたBiFeO3薄膜の作製におけるアブレーション状態の評価 国内会議

    乾真介，吉村武，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • PLD法によるYMnO3薄膜の作製と発光分光分析を用いた飛散粒子の解析 国内会議

    前田和弘，重光学道，吉村武，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • ZnO/YMnO3ヘテロ構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの電気特性 国内会議

    新井涼太，重光学道，益子慶一郎，吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • レーザアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Si界面の評価 国内会議

    西嶋正憲，原武耕平，吉村武，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • 強誘電性YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気的性質の評価 国内会議

    高橋哲也，吉村武，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • Si(001)上 歪CeSixエピタキシャル薄膜の成長過程 国内会議

    西村吉弘，進藤大輔，高木督，寺尾岳見，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • 低温MBE成長した低キャリア密度Si:Ce薄膜の磁気特性 国内会議

    寺尾岳見，西村吉弘，進藤大輔，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • ZnMnO/ZnOヘテロ界面における電子の閉じ込め効果 国内会議

    益子慶一郎，福島匡泰，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • ZnO:Mnエピタキシャル膜における空間電荷の圧電特性への影響 国内会議

    大塩武士，芦田淳，吉村武，藤村紀文

    平成18年度春季第53回応用物理学関係連合講演会  2006年03月  応用物理学会

  • 強誘電体電子デバイスの展望 国内会議

    藤村紀文

    日本金属学会セミナー「非シリコン半導体の現状と展望」　  2006年03月 

  • ZnOエピタキシャル膜に及ぼすMn添加効果 国内会議

    大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    第16回日本MRS学術シンポジウム  2005年12月  日本MRS

  • ZnOをチャネルに用いた強誘電体ゲートFET 国内会議

    藤村紀文

    セイコーエプソン強誘電体ゲートFET研究会  2005年12月 

  • YMnO3エピタキシャル薄膜の作製と磁性－強誘電性相関現象 国内会議

    前田和弘, 重光学道,　芦田淳, 藤村紀文

    第16回日本MRS学術シンポジウム  2005年12月  日本MRS

  • 大気圧プラズマを用いたシリコンの窒化過程 国内会議

    中永麻理, 早川竜馬, 吉村武, 藤村紀文, 上原剛

    第16回日本MRS学術シンポジウム  2005年12月  日本MRS

  • Synthesis and Structural Characterization of Bi(FexAl1-x)O3 Thin Films 国際会議

    T. Yoshimura, M. Okada and N. Fujimura

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年11月 

  • 大気圧非平衡プラズマを用いた半導体の窒化プロセス 国内会議

    藤村紀文

    大気圧非平衡プラズマに関する研究会  2005年11月 

  • Fabrication of Ferroelectric-gate Transistors using YMnO3 thin films 国際会議

    T. Yoshimura, K.Haratake, R. Arai, N. Shigemitsu, K. Masuko, M. Nishijima and N. Fujimura

    12th US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics  2005年11月 

  • 強誘電体ゲートFETの新展開 国内会議

    藤村紀文

    電気学会誘電体薄膜集積技術調査専門委員会  2005年10月  電気学会

  • 大気圧非平衡プラズマを用いた半導体の窒化プロセス 国内会議

    藤村紀文

    電気学会誘電体薄膜集積技術調査専門委員会  2005年10月 

  • ZnO/YMnO3強誘電体ゲート圧電半導体トランジスタの電気的特性 国内会議

    吉村武, 新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 芦田淳, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • 低温MBE成長したSi:Ce薄膜の磁気及び磁気輸送特性 国内会議

    髙木督, 寺尾岳見, 西村吉弘, 藤村紀文

    日本金属学会2005年秋期（第137回）大会  2005年09月  日本金属学会

  • 原子レベルで平坦なZnMnO/ZnOヘテロ構造における二次元電子ガスの形成 国内会議

    益子慶一郎, 枝広俊昭, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    日本金属学会2005年秋期（第137回）大会  2005年09月  日本金属学会

  • 磁性強誘電体と磁性半導体を用いた新規なマルチフェロイックトランジスタの開発 国内会議

    藤村紀文, 吉村武

    日本金属学会2005年秋期（第137回）大会  2005年09月  日本金属学会

  • YMnO3エピタキシャル薄膜のマルチフェロイック物性 国内会議

    藤村紀文, 吉村武

    日本金属学会2005年秋期（第137回）大会  2005年09月  日本金属学会

  • YMnO3系物質のマルチフェロイック物性 国内会議

    藤村紀文, 吉村武

    日本セラミックス協会　第１８回秋季シンポジウム  2005年09月  日本セラミックス協会

  • レーザーアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Si界面の改善 国際会議

    西嶋正憲, 原武耕平, 吉村武, 藤村紀文

    第18回秋季シンポジウム第1回アジア-オセアニアセラミックス連盟国際会議  2005年09月 

  • ZnOエピタキシャル薄膜の誘電特性及び圧電特性に及ぼすMn添加効果 国際会議

    大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    第18回秋季シンポジウム第1回アジア-オセアニアセラミックス連盟国際会議  2005年09月 

  • 大気圧非平衡窒素プラズマを用いた低温Si窒化膜の作製とその誘電特性 国際会議

    早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    第18回秋季シンポジウム第1回アジア-オセアニアセラミックス連盟国際会議  2005年09月 

  • 強誘電体YbMnO3エピタキシャル薄膜の磁気特性 国内会議

    高橋哲也, 重光学道，吉村武, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡プラズマを用いたシリコンへの窒化メカニズム 国内会議

    中永麻理, 早川竜馬, 吉村武, 上原剛, 芦田淳, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • ZnO/YMnO3ヘテロ構造を用いた強誘電体ゲート圧電半導体薄膜トランジスタの作製と評価 国内会議

    新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • Si(100)上CeSi2-xエピタキシャル薄膜の物性 国内会議

    西村吉弘, 寺尾岳見, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • レーザーアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Si界面の改善 国内会議

    西嶋正憲, 原武耕平, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • ZnMnO/ZnOヘテロ構造の表面平坦性の向上 国内会議

    益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡窒素プラズマを用いて作製した低温Si窒化膜の誘電特性と欠陥評価 国内会議

    早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    平成17年度秋季第66回応用物理学会学術講演会  2005年09月  応用物理学会

  • Improvement of ferroelectric properties of ferromagnetic YbMnO3 国内会議

    T. Takahashi, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and N. Fujimura

    第24回電子材料シンポジウム(24th Electronic Material Symposium EMS24)  2005年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • マルチフェロイック材料の設計とデバイス応用 国内会議

    藤村紀文

    応用物理学会結晶工学分科会 「不揮発メモリの現状と将来」  2005年07月  応用物理学会

  • Preparation and properties of CeSix epitaxial Films by molecular beam epitaxy 国内会議

    Y. Nishimura, T. Terao, Y. Yoshimizu and N. Fujimura

    第24回電子材料シンポジウム(24th Electronic Material Symposium EMS24)  2005年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Low temperature growth of Si:Ce thin film on (001) Si substrate 国内会議

    T. Terao and N. Fujimura

    第24回電子材料シンポジウム(24th Electronic Material Symposium EMS24)  2005年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • YMnO3/Y2O3/Si エピタキシャルMFIS構造の誘電特性 国内会議

    藤村紀文

    電気学会　誘電体薄膜集積技術調査専門委員会  2005年06月  電気学会

  • YMnO3/Y2O3/SiエピタキシャルMFISキャパシタの低温成長とI層の薄膜化とその評価 国内会議

    原武耕平, 重光学道, 西嶋正憲, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度 第22回強誘電体応用会議(FMA-22)  2005年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • Magnetic properties of low temperature grown Si:Ce thin films on (001) Si substrate by molecular beam epitaxy. 国際会議

    T. Terao, Y. Yoshimizu, Y. Nishimura and N. Fujimura

    The 2005 IEEE International Magnetics Conference (Intermag2005)  2005年04月  IEEE

  • Fabrication and transport properties of ZnMnO/ZnO Hetero-structure with atomically flat interface. 国際会議

    K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura and N. Fujimura

    Prospects in Magnetic Oxide Thin Films and Heterostructures  2005年04月 

  • ZnO Magneto-Capacitance of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

    N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and A. Ashida

    Prospects in Magnetic Oxide Thin Films and Heterostructures  2005年04月 

  • 大気圧非平衡窒素プラズマを用いた低温Si窒化膜の膜厚制御とその誘電特性 国内会議

    早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • YMnO3薄膜の磁性―誘電性相関現象 国内会議

    重光学道, 高橋哲也,吉村武，芦田淳，藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • (111)Si:Ce薄膜の磁気秩序に及ぼすキャリアドーピングの効果 国内会議

    吉水康人, 寺尾岳見, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • 強磁性強誘電体YbMnO3薄膜の誘電特性の改善 国内会議

    高橋哲也, 重光学道，吉村武，芦田淳，藤村紀文，中山忠親, 新原皓一

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡プラズマおよびRFプラズマを用いて生成した窒素励起種のシリコン窒化特性の比較 国内会議

    中永麻理, 早川竜馬, 上原剛, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • 圧電半導体/強誘電体トランジスタを目的としたZnO/YMnO3ヘテロ構造の作製及びその電気的特性 国内会議

    新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 大塩武士, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • Si(100)上におけるCeSi2-xエピタキシャル薄膜の作成 国内会議

    西村吉弘, 寺尾岳見, 吉水康人, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • レーザーアブレーション法によって作製したエピタキシャルY2O3/Siの界面の改善 国内会議

    西嶋正憲, 原武耕平, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • YMnO3/Y2O3/SiエピタキシャルMFISキャパシタにおけるI層の薄膜化とその評価 国内会議

    原武耕平, 重光学道, 西嶋正憲, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • 原子レベルで平坦な界面を有するZnMnO/ZnOヘテロ構造の作製とその輸送特性 国内会議

    益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • 低温MBE成長したSi:Ce薄膜の磁気及び磁気輸送特性 国内会議

    寺尾岳見, 西村吉弘, 吉水康人, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • ZnOエピタキシャル膜の誘電特性に及ぼすMn添加効果 国内会議

    大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成17年度春季第52回応用物理学関係連合講演会  2005年03月  応用物理学会

  • ZnO/ZnMnOヘテロ界面における二次元電子ガスの形成 国内会議

    藤村紀文

    応用電子物性分科会研究例会　実用化に向けて加速するZnO系機能材料  2005年01月 

  • Synthesis of Bi(Fe,Al)O3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition Method. 国際会議

    M. Okada, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura

    The 1st Imagine International Forum on venture-business  2004年12月 

  • Fabrication of ZnMnO/ZnO Hetero-Structure with Atomically Flat Interface. 国際会議

    K. Masuko, T. Oshio, R. Arai, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 1st Imagine International Forum on venture-business  2004年12月 

  • 新強誘電体の探索 国内会議

    藤村紀文

    科学研究費補助金　特定領域研究成果報告会  2004年12月 

  • PLD法による強誘電体YMnO3層上のZnO薄膜のエピタキシャル成長 国内会議

    新井涼太, 重光学道, 益子慶一郎, 大塩武士, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • 強磁性YbMnO3 エピタキシャル膜の強誘電特性 国内会議

    高橋哲也, 重光学道, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • RFプラズマ及び大気圧プラズマにより生成した窒素活性種の反応性の比較 国内会議

    中永麻理, 早川竜馬, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • YMnO3/Y2O3/Siキャパシタの低温成長 国内会議

    原武耕平, 西嶋正憲, 重光学道, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • 空間電荷がZnO:Mnエピタキシャル膜の誘電特性に及ぼす影響 国内会議

    大塩武士, 益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • YMnO3エピタキシャル薄膜を用いた磁場による誘電性制御 国内会議

    重光学道, 高橋哲也,　吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • 大気圧非平衡窒素プラズマを用いた低温Si窒化膜の作製 国内会議

    早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • 新規手法によるYMnO3を用いた金属-強誘電体-絶縁体-半導体キャパシタの電気特性評価 国内会議

    吉村武, 伊藤大輔, 原武耕平, 芦田淳, 藤村紀文

    第15回日本MRS学術シンポジウム  2004年12月  日本MRS

  • 大気圧非平衡プラズマを用いたナノスケール窒化プロセス 国内会議

    藤村紀文

    電気学会ナノ材料・プロセス技術調査専門委員会  2004年12月 

  • Development of Multi-Functional Materials for Future Devices 国内会議

    藤村紀文

    物質・材料研究機構　ナノマテリアル研究所　講演会  2004年12月 

  • 大気圧非平衡プラズマを用いたSi窒化 国内会議

    藤村紀文

    積水化学工業(株)共同研究合同検討会  2004年12月 

  • Multi-Ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

    N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Yoshimura

    Materials Research Society Fall Meeting  2004年11月 

  • Fabrication of Silicon Nitride Film using Pure Nitrogen Plasma Generated near Atmospheric Pressure for III-V Semiconductor Fabrication. 国際会議

    R. Hayakawa, T. Yoshimura, M. Nakae, T. Uehara, A. Ashida, N. Fujimura

    Materials Research Society Fall Meeting  2004年11月 

  • Multi-ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

    N. Fujimura

    11th International Workshop on Oxide Electronics  2004年11月 

  • Formation of Two-Dimensional Electron Gas and the Magnetotransport Behavior of ZnMnO/ZnO Heterostructure 国内会議

    A. Ashida, T. Edahiro, K. Masuko, T. Oshio and N. Fujimura

    第21回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  2004年10月 

  • Control of Ferroelectric Properties of YMnO3 Epitaxial Films by Magnetic Field 国内会議

    N. Fujimura, N. Shigemitsu, T. Yoshimura and A. Ashida

    第21回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  2004年10月 

  • Synthesis and Properties of Bi(FexAl1-x)O3 Multi-Ferroic Thin Films 国内会議

    N. Fujimura, M. Okada, A. Ashida and T. Yoshimura

    第21回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム  2004年10月 

  • 大気圧非平衡プラズマを用いた低温Si窒化膜の作製 国内会議

    早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 藤村紀文, 北畠裕也, 上原剛

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • ZnMnO/ZnOヘテロ界面における輸送特性と電子状態 国内会議

    益子慶一郎, 大塩武士, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • Ce濃度を変化させたSi:Ce薄膜の磁気特性 国内会議

    寺尾岳見, 西村吉弘, 吉水康人, 藤村紀文

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • 優れた分極特性を有するYMnO3薄膜を用いたMFISエピタキシャルキャパシタの作製 国内会議

    原武耕平, 重光学道, 吉村武, 藤村　紀文

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • YMnO3薄膜の磁性―誘電性相関現象 国内会議

    重光学道,　吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • ZnMnOエピタキシャル膜の誘電特性及び磁気特性に及ぼす電界効果 国内会議

    大塩武士, 益子慶一郎, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • 高温MBE成長したSi:Ce薄膜の磁気特性 国内会議

    吉水康人, 寺尾岳見, 藤村紀文

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • ArFレーザーを用いたPLD法によるBi(FexAl1-x)O3薄膜の作製 国内会議

    岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • 大気圧非平衡プラズマを用いたSi酸窒化膜のI-V特性に及ぼす過剰窒素の効果 国内会議

    早川竜馬, 中永麻理, 吉村武, 藤村紀文, 北畠裕也, 上原剛

    平成16年度秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004年09月  応用物理学会

  • Multi-ferroic Properties of YMnO3 Epitaxial Films. 国際会議

    N. Fujimura

    The 5th Korea-Japan Conference on Ferroelectrics (KJC-FE5) 2004  2004年08月 

  • Interface Characteristics of ZnO / ZnMnO Grown on ZnO Substrate. 国際会議

    A. Ashida, K. Masuko, T. Edahiro, T. Oshio, N. Fujimura

    The 14th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 12th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy.  2004年08月 

  • Novel Transistors using multiferroic materials 招待 国際会議

    N. Fujimura

    Dong-Eui University  2004年08月 

  • Novel Transistors using multiferroic materials 招待 国際会議

    N. Fujimura

    Yeungnam University  2004年08月 

  • Heteroepitaxial growth of Si:Ce and Y2O3 films on Si(111) substrate 国内会議

    Y. Yoshimizu, K. Haratake, T. Terao, N. Fujimura

    第23回電子材料シンポジウム(23rd Electronic Material Symposium EMS23)  2004年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • マルチフェロイクス物質を用いた新規なトランジスタの開発（強誘電体ゲートトランジスタからスピントランジスタまで） 国内会議

    藤村紀文

    東北大学　電気通信研究所  2004年07月 

  • Interfacial properties of (Zn,Mn)O/ZnO Heterostructure 国内会議

    K. Masuko, T. Edahiro, T. Oshio, A. Ashida, N. Fujimura

    第23回電子材料シンポジウム(23rd Electronic Material Symposium EMS23)  2004年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Low temperature growth of Si:Ce film on Si(111) substrate 国内会議

    T. Terao, Y. Yoshimizu, N. Fujimura

    第23回電子材料シンポジウム(23rd Electronic Material Symposium EMS23)  2004年07月  電子材料シンポジウム実行委員会

  • Reaction of Si with Excited Nitrogen Species in Pure Nitrogen Plasma near Atmospheric Pressure. 国際会議

    R. Hayakawa, T. Yoshimura, M. Nakae, T. Uehara, A. Ashida, N. Fujimura

    7th APCPST(Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology) and 17th SPSM(Symposium on Plasma Science for Materials)  2004年06月 

  • Magneto-Transport Properties of 2DEG Formed at ZnMnO/ZnO Interface. 招待 国際会議

    N. Fujimura, T. Edahiro, T. Oshio, K. Masuko

    Airforce Office of Science Research (AFOSR) Zinc Oxide Workshop  2004年05月 

  • Formation of Silicon Oxynitride Films with Low Leakage Current using N2/O2 Plasma near Atmospheric Pressure. 国際会議

    R. Hayakawa, T. Yoshimura, A. Ashida, H. Kitahata, M. Yuasa, N. Fujimura

    2004 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology  2004年05月 

  • レーザーアブレーション法によるBi(FexAl1-x)O3薄膜の作製とその評価 国内会議

    岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成16年度 第21回強誘電体応用会議(FMA-21)  2004年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • YMnO3薄膜の低温成長による強誘電性の向上 国内会議

    重光学道, 坂田浩憲, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成16年度 第21回強誘電体応用会議(FMA-21)  2004年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • Anomaly in Magneto-Transport Properties in MBE Grown Ce doped Si Epitaxial Films 国際会議

    N. Fujimura, T. Yokota, Y. Yoshimizu, A. Ashida, T. Yoshimura

    American Physical Society (APS) March Meeting 2004  2004年03月 

  • Anomaly in Ferroelectric Property of YMnO3 at around Neel Temperature 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, N. Shigemitsu, A. Ashida

    American Physical Society (APS) March Meeting 2004  2004年03月 

  • 交播パルス電界窒素プラズマを用いた大気圧近傍でのSi窒化Ⅱ 国内会議

    早川竜馬, 藤村紀文, 北畠裕也, 湯浅基和

    平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会  2004年03月  応用物理学会

  • ZnMnO / ZnOヘテロ構造の界面特性 国内会議

    益子慶一郎, 大塩武士, 芦田淳, 藤村紀文

    平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会  2004年03月  応用物理学会

  • Si(111)基板上へのSi:Ce薄膜の結晶成長とその磁気及び磁気輸送特性 国内会議

    寺尾岳見, 浜崎智, 吉水康人, 藤村紀文

    平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会  2004年03月  応用物理学会

  • ArFレーザーを用いたPLD法によるSi(111)基板上へのY2O3エピタキシャル薄膜の作製 国内会議

    原武耕平, 神園剛, 吉村武, 藤村紀文

    平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会  2004年03月  応用物理学会

  • 強磁性強誘電体(Y,Yb)MnO3薄膜の作製 国内会議

    重光学道, 坂田浩憲, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文

    平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会  2004年03月  応用物理学会

  • Si(111)基板上へのSi:Ce及びY2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長 国内会議

    吉水康人, 寺尾岳見, 浜崎智, 吉村武, 藤村紀文

    平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会  2004年03月  応用物理学会

  • PLD法により作製したBi(FexAl1-x)O3薄膜の構造解析と誘電特性 国内会議

    岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成16年度春季第51回応用物理学関係連合講演会  2004年03月  応用物理学会

  • Electric-Field Control of Magnetic Structure of Si:Ce Films in MOS Capacitors. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yokota, Y. Yoshimizu, A. Ashida, T. Yoshimura

    2004 Magnetism & Magnetic Materials Annual Conference Proceedings  2004年01月 

  • 磁性強誘電体YMnO3薄膜の現状 国内会議

    藤村紀文

    科学研究費補助金特定領域「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」成果報告会  2004年01月 

  • 希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現 国内会議

    藤村紀文, 藤原康文

    科学研究費補助金特定領域「半導体ナノスピントロニクス」平成１５年度成果報告会  2004年01月 

  • Investigation of Retention Properties for YMnO3 Based Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Capacitors 国際会議

    T. Yoshimura, D. Ito, H. Sakata, N. Shigemitsu, K. Harateke, N. Fujimura

    Material Research Society Fall Meeting  2003年12月 

  • Present Status of Ferroelectric Gate Field Effect Transistors 招待 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura

    4th Asian Meeting on Ferroelectrics (AMF-4)  2003年12月 

  • Magnetic and Ferroelectric Behaviors of Multi-Ferroic RMnO3 Thin Films. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura

    Material Research Society Fall Meeting  2003年12月 

  • ＭＦＩＳキャパシタのリーク電流とメモリー保持特性の相関 招待 国内会議

    藤村紀文

    誘電体薄膜材料技術調査専門委員会第７回委員会  2003年10月 

  • 大気圧近傍における交播パルスリモートプラズマ 国内会議

    早川竜馬, 藤村紀文, 北畠裕也, 湯浅基和

    材料物性工学談話会2003年度第1回研究会  2003年10月 

  • ドーピングによる酸化亜鉛薄膜の多機能化と光学的特性の評価 多機能酸化亜鉛エピタキシャル構造を用いた短波長モノリシック光集積回路を目指して 国内会議

    芦田淳, 長田貴弘, 大塩武士, 益子慶一郎, 藤村紀文

    材料物性工学談話会2003年度第1回研究会  2003年10月 

  • 大気圧プラズマを用いたSiの表面窒化 招待 国内会議

    藤村紀文

    東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「高気圧・高密度プラズマの生成と制御」--仙台"プラズマフォーラム" 大気圧プラズマの進展と環境・材料工学への応用--  2003年10月 

  • Proposal of YMnO3 Based Ferroic Gate FETs (p.132) 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, H. Sakata, D. Ito, T. Yokota

    10th International Workshop on Oxide Electronics  2003年09月 

  • Origin of the Retention Property of YMnO3 Based MFIS Capacitors. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito

    The 10th European Meeting on Ferroelectricity  2003年08月 

  • D-E Measurements for Ferroelectric Gate Capacitors. 国際会議

    T. Yoshimura, N. Fujimura

    The 10th European Meeting on Ferroelectricity  2003年08月 

  • YMｎO3/Y2O3/Si構造のリーク電流とデータ保持特性との相関 国内会議

    藤村紀文, 吉村武

    科研費特定領域（B）「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究成果報告会  2003年08月 

  • Er doped-GaAsの磁気及び磁気輸送特性に及ぼすキャリアドーピングの効果 国内会議

    寺尾岳見, 横田壮司, 藤村紀文, 藤原康文, 吉兼豪勇, 小泉淳, 竹田美和

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • YMnO3薄膜のAサイト置換が強誘電体および磁性に及ぼす影響 国内会議

    重光学道, 坂田浩憲, 吉村武, 藤村紀文

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • キャリアを電界で制御したSi:Ce薄膜の磁気輸送特性 国内会議

    吉水康人, 横田壮司, 藤村紀文

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • PLD法によるBiFeO3-BiAlO3薄膜の作製とその評価 国内会議

    岡田守弘, 吉村武, 藤村紀文

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • YMnO3薄膜の欠陥と誘電特性との相関 国内会議

    坂田浩憲, 重光学道, 吉村武, 藤村紀文

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • 交播パルス電界リモートプラズマを用いた高圧力下でのSi窒化の検討 国内会議

    早川竜馬, 藤村紀文, 北畠裕也, 湯浅基和

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • 表面平坦Si:Ce膜へのCeの均一ドーピング 国内会議

    浜崎智, 藤村紀文

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • 強誘電体ゲートトランジスタの現状と次世代電界効果型トランジスタへの展開 招待 国内会議

    藤村紀文, 吉村武

    平成15年度秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年08月  応用物理学会

  • Homoepitaxial Growth of Si using New Type Solid Source Molecular Beam Epitaxy System. 国内会議

    Y. Yoshimizu, S. Hamasaki, T. Wada, T. Yokota, N. Fujimura

    22nd Electronic Materials Symposium  2003年07月 

  • Dielectric Properties of Y2O3 Films Epitaxially Grown on Si. 国内会議

    N. Fujimura

    22nd Electronic Materials Symposium  2003年07月 

  • Preparation and Magnetic Properties of Ce doped Si Epitaxial Films by Low Temperature Molecular Beam Epitaxy. 国内会議

    S.Hamasaki, T.Yokota, T.Wada, N.Fujimra

    22nd Electronic Materials Symposium  2003年07月 

  • 大気圧プラズマを用いたSi窒化プロセスとその気相診断 招待 国内会議

    藤村紀文

    学振153委員会  2003年07月  日本学術振興会

  • Electric-Field Control of Magnetic Structure of Si:Ce Films in MOS Capacitors. 国際会議

    N. Fujimura

    Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors 9  2003年06月 

  • 希土類元素添加半導体の新展開：秩序制御による新しいスピン物性の発現 国内会議

    藤原康文, 藤村紀文, 太田仁, 竹田美和, 斗内政吉, 白井光雲

    科研費特定領域「半導体ナノスピントロニクス」平成15年度成果報告会  2003年06月 

  • 強誘電体ゲートキャパシタのD-E測定 国内会議

    吉村武, 藤村紀文

    第20回強誘電体応用会議  2003年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • 低温成長YMnO3薄膜の構造解析とその誘電特性. 国内会議

    坂田浩憲, 伊藤大輔, 吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    第20回強誘電体応用会議  2003年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • 強誘電体ゲートキャパシタのD-E特性 国内会議

    吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月  応用物理学会

  • ZnO薄膜の表面形態と導波損失との相関 国内会議

    大田博史, 芦田淳, 中野貴之, 長田貴弘, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月 

  • Si中へのCe δ-dopingの検討 国内会議

    吉水康人, 浜崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月 

  • Bi-Al-O系化合物の作製とその誘電特性 国内会議

    岡田守弘, 伊藤大輔, 吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月 

  • 低温成長YMnO3薄膜の構造解析と誘電特性 国内会議

    坂田浩憲, 伊藤大輔, 吉村武, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月 

  • 交播パルス電界リモートプラズマを用いた高圧力下でのSi窒化の検討 国内会議

    早川竜馬, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 北畠裕也, 湯浅基和

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月 

  • 低温成長Si:Ceエピタキシャル膜の磁化挙動 国内会議

    浜崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月 

  • ZnO:X(X=Mn,Li)薄膜のリーク電流特性とその電気光学特性 国内会議

    長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成15年度春季第50回応用物理学関係連合講演会  2003年03月 

  • 新強誘電体物質としてのFerroic Materials 国内会議

    藤村紀文, 吉村武, 坂田浩憲

    科研費特定領域（B） 「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究成果報告会  2003年02月 

  • ZnO薄膜の成長形態と物性の制御 招待 国内会議

    藤村紀文, 芦田淳

    第3回大阪工業大学バイオベンチャーフォーラム  2003年02月 

  • Formation of Two-Dimensional Electron Gas and Shubnikov-de Hass Oscillations of ZnMnO/ZnO Heterosyructure. 国内会議

    藤村紀文, 枝広俊昭, 伊藤太一郎

    第8回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会  2002年12月 

  • Ferromagnetic and Ferroelectric Behaviors of A Site Substituted YMnO3 Based Epitaxial Thin Films 国際会議

    N. Fujimura, H. Sakata, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

    47th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials  2002年11月 

  • Formation of two dimensional electron gas of ZnMnO/ZnO heterostructure. 国際会議

    T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito

    47th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials  2002年11月 

  • The effect of carrier for magnetic and magneto-transport properties of Si:Ce films. 国際会議

    T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, Ｓ. Hamasaki, T. Ito

    47th Annual Conference on Magnetism & Magnetic Materials  2002年11月 

  • Electro-Optic Effect in ZnO:Mn Thin Films 国際会議

    T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

    European Materials Research Society FALL MEETING 2002  2002年10月 

  • Material Design of Novel Transistors. 国内会議

    藤村紀文

    材料学会　半導体エレクトロニクス第13回　委員会  2002年10月  日本材料学会

  • 表面平坦エピタキシャルSi:Ce薄膜の磁気輸送特性 国内会議

    横田壮司, 藤村紀文, 和田孝政, 浜崎智, 伊藤太一郎

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • ZnO/Al2O3薄膜の界面縮退層についての検討 国内会議

    大塩武士, 枝弘俊昭, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • PLD法により作製したYMnO3薄膜の低温成長とその誘電特性 国内会議

    坂田浩憲, 伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • Ce濃度を変化させたSi:Ceエピタキシャル膜の電気的・磁気的特性 国内会議

    浜崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • 交番電界パルスプラズマを用いた誘電体薄膜の作製 国内会議

    早川竜馬, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 屋良卓也, 湯浅基和

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • ZnMnO/ZnO ヘテロ構造の作製とその電気的特性 国内会議

    枝広俊昭, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • YMnO3/Y2O3/Siキャパシタの記憶保持特性と放電電流の過渡応答特性 国内会議

    伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • ZnO:X(Mn,Li)薄膜の電気光学効果の周波数特性 国内会議

    長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度秋季第63回応用物理学関係連合講演会  2002年09月  応用物理学会

  • Magnetic and Dielectric Properyies of Epitaxially Grown BaFeO3 Thin Films on SrTiO3 Single Crystal Substrate 国際会議

    T. Matsui, E. Taketani, N. Fujimura, T. Ito, K. Morii

    The 4th Japan-Korea Conference on Ferroelectrics  2002年08月 

  • YMnO3/Y2O3/Si構造のリテンション特性に及ぼすゲート電圧、リーク電流の影響 国内会議

    藤村紀文

    科研費特定領域(B)「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究報告会  2002年07月 

  • YMnO3/Y2O3/Siエピタキシャル構造を用いたMFISキャパシタの物性 国内会議

    藤村紀文

    電気学会薄膜材料調査専門委員会　テーマ「強誘電体薄膜とデバイス応用」  2002年06月 

  • The Effect of Leakage Current for the Retention Property in the MFIS capacitor 招待 国際会議

    D. Ito, N. Fujimura, T. Ito

    Proc. International Joint Coference on Application of Ferroelectrics 2002 (Integrated Ferroelectrics)  2002年05月 

  • Material Design of novel transistors. 国内会議

    藤村紀文

    第１回次世代先進材料シンポジウムー－機能集積材料の展開  2002年05月 

  • Crystal Growth and Interface Characterization of Dielectric BaZrO3 Thin Films on Si Substrates 招待 国際会議

    Y. Kitano, T. Matsui, N. Fujimura, K. Morii, T. Ito

    International Joint Coference on Application of Ferroelectrics 2002 (JJAP)  2002年05月 

  • Growth Process and Interfacial Structure of Epitaxial Y2O3/Si Thin Films Deposited by Pulsed Laser Deposition 招待 国際会議

    N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

    Proc. International Joint Coference on Application of Ferroelectrics 2002 (Integrated Ferroelectrics)  2002年05月 

  • Effect of A-site Substitution on the Magnetic and Dielectric behaviors of YMnO3 Based Ferroelectric Thin Films. 招待 国際会議

    N. Fujimura, H. Sakata, D. Ito, T. Yokota, T. Ito

    International Joint Conference on Application of Ferroelectrics 2002 (Proc. ISAF)  2002年05月 

  • Electro-optic Effect in Epitaxial ZnO:Li Thin Films 招待 国際会議

    T. Nagata, A. Ashida, Y. Takagi, N. Fujimura, T. Ito

    International Joint Conference on Application of Ferroelectrics 2002 (JJAP)  2002年05月 

  • The Effects of Leakage Current for the Retention Property in the MFIS Capacitor 国際会議

    D. Ito，N. Fujimura，K. Kakuno，T. Ito

    International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics 2002  2002年05月 

  • 強誘電体ゲートトランジスターの物質設計―YMnO3エピタキシャル構造の可能性 国内会議

    藤村紀文

    第77回電子セラミック・プロセス研究会 強誘電体材料＆デバイス研究会の最前線  2002年03月 

  • MBE法によるCeを高濃度に添加したSiエピタキシャル薄膜の作製 国内会議

    濱崎智, 横田壮司, 和田孝政, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会  2002年03月  応用物理学会

  • Si(111)基板上への(Y1-x,Lax)2O3エピタキシャル薄膜の作製とその誘電特性 国内会議

    神園剛, 覚野浩介, 伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会  2002年03月  応用物理学会

  • 交番電界パルスプラズマを用いた誘電体薄膜の作製－窒素プラズマの評価－ 国内会議

    早川竜馬, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 屋良卓也, 湯浅基和

    平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会  2002年03月  応用物理学会

  • ZnOの電気特性の改善および磁性元素のドーピングの効果 国内会議

    枝広俊昭, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会  2002年03月  応用物理学会

  • YMnO3/Y2O3/Siキャパシタのリーク電流と記憶保持特性の相関に対する検討 国内会議

    伊藤大輔, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会  2002年03月  応用物理学会

  • 静・交播磁界を用いたSi:Ce エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性の解析 国内会議

    横田壮司, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会  2002年03月  応用物理学会

  • スパッタZnO:Liエピタキシャル薄膜のリーク電流特性とその電気光学特性 国内会議

    長田貴弘, 芦田淳, 高木裕司, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成14年度春季第49回応用物理学関係連合講演会  2002年03月  応用物理学会

  • ZnO薄膜の多機能化と光IC応用 招待 国内会議

    藤村紀文

    応用物理学会関西支部セミナー  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • PLD法によるY2O3/Siエピタキシャル薄膜の誘電特性の改善 国内会議

    覚野　浩介、伊藤　大輔、藤村　紀文、松井　利之、伊藤　太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • PLD法によるY2O3/Siエピタキシャル薄膜の成長過程とその界面構造解析 国内会議

    覚野　浩介、伊藤　大輔、藤村　紀文、松井　利之、伊藤　太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Si上BaZrO 3 薄膜の結晶成長 国内会議

    北野　泰広,　藤村　紀文,　伊藤太一朗

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ZnOモノリシック光スイッチング素子の基礎検討 国内会議

    長田貴弘、芦田淳、藤村紀文、伊藤太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 水溶液を用いた高抵抗ZnO薄膜の作製 国内会議

    大隈孝仁、石崎博基、芦田淳、藤村紀文、伊藤太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • MBE法によるCe/Si多層薄膜の磁気的特性 国内会議

    和田　孝政、藤村　紀文、横田　壮司、伊藤　太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • MBE法によるCe薄膜の構造変化と磁気的特性 国内会議

    和田　孝政、藤村　紀文、横田　壮司、伊藤　太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • MBE法によるSi:Ce薄膜の作製と電気的磁気的特性 国内会議

    横田　壮司、藤村　紀文、和田　孝政、伊藤　太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • ZnO薄膜の機能と光ICへの応用 国内会議

    藤村紀文、長田貴弘、芦田淳、伊藤太一郎

    第48回応用物理学関係連合講演会  2002年03月 

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    会議種別：口頭発表（招待・特別）  

  • エキゾティックドーピングによるZnO薄膜の多機能化と光IC応用 招待 国内会議

    藤村紀文

    東電科学技術研究所研究会  2002年03月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 高圧電性酸化物の物質設計 国内会議

    藤村紀文

    富士通研究所  2002年02月 

  • 多機能酸化亜鉛エピタキシャル構造を用いた短波長モノリシック光集積回路を目指して. 国内会議

    藤村紀文

    学振第166委員会「透明酸化物光・電子材料」第19回研究会「オプト用ワイドギャップ半導体」  2002年01月  日本学術振興会

  • YMnO3/Y2O3/Si構造のリテンション特性に及ぼすゲート電圧、リーク電流の影響. 国内会議

    藤村紀文

    科研費特定領域（B） 「強誘電体薄膜の物性制御と次世代メモリデバイスへの応用」研究報告会  2002年01月 

  • トランジスタゲート型強誘電体メモリーの物質設計 国内会議

    藤村紀文

    表面科学会セミナー  2002年01月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Hall effect analysis of Ce doped Si thin films 国際会議

    T. Yokota, N. Fujimura, T. Wada, S. Hamasaki and T. Ito

    The 7th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors  2001年12月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • The Present Status of YMnO3 Based Ferroelectric Gate FET's 招待 国際会議

    N.Fujimura

    1st International Conference on FeRAM  2001年11月 

  • Ce concentration dependence of magnetic and transport properties of Ce doped Si epitaxial thin films prepared by MBE 招待 国際会議

    T.Yokota, N.Fujimura, T.Ito

    46th Conference of Magnetism, Magnetic Materials  2001年11月 

  • Dielectric Properties of Epitaxial Y2O3/Si Thin Films Deposited by a Pulsed Laser Deposition 国際会議

    T. Matsui, K. Kakuno, N.Fujimura, T.Ito

    1st International Conference on FeRAM  2001年11月 

  • Si系希薄磁性半導体Si:Ce薄膜の新規な磁気輸送現象 国内会議

    横田壮司，藤村紀文，和田孝政，伊藤 太一郎

    日本鉄鋼協会・日本金属学会　関西支部　材料物性工学談話会  2001年11月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Magnetic and Magneto-Transport Properties of Diluted Magnetic Semiconductor, ZnO:Ni 国際会議

    T. Edahiro, N. Fujimura, A.Ashida, T. Ito

    8th International Workshop on Oxide Electronics  2001年09月 

  • RETENTION PROPERTIY ANALYSIS OF EPITAXIALLY GROWN YMnO3/Y2O3/Si CAPACITOR 国際会議

    D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

    International Meeting on Ferroelectrics  2001年09月 

  • THE PROGRESS OF YMnO3/Y2O3/Si SYSTEM FOR FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR 国際会議

    N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

    International Meeting on Ferroelectrics  2001年09月 

  • Crystal Growth and Dielectric Properties of BaZrO3 Thin Films on Si substrates 国際会議

    N. Fujimura, Y. Kitano, T. Matsui, K. Morii, T. Ito

    8th International Workshop on Oxide Electronics  2001年09月 

  • MBE法を用いて作成されたSi:Ce エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性 国内会議

    横田　壮司、藤村　紀文、和田　孝政、伊藤　太一郎

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • CeをドーピングしたSi系希薄磁性半導体の新規な現象 国内会議

    藤村紀文

    半導体スピントロニクス研究会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • CeをドーピングしたSi系希薄磁性半導体におけるHall効果 国内会議

    横田　壮司、藤村　紀文、和田　孝政、伊藤　太一郎

    日本物理学会　秋季大会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • 希薄磁性半導体ZnO:Niの磁気的電気的特性 国内会議

    枝広俊昭、藤村紀文、芦田淳、若野寿史、伊藤太一郎

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • エピタキシャルY2O3/Si薄膜の誘電特性の膜厚依存性 国内会議

    覚野　浩介、伊藤　大輔、藤村　紀文、松井　利之、伊藤　太一郎

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • エピタキシャルYMnO3薄膜の強誘電性 国内会議

    伊藤　大輔、覚野　浩介、藤村　紀文、伊藤　太一郎

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • YMnO3薄膜の膜質の改善とその誘電特性：PLDターゲットの変化 国内会議

    坂田浩憲 , 伊藤大輔 , 藤村紀文 , 伊藤太一朗

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • C軸配向ZnO薄膜の光導波特性 国内会議

    中野貴之,長田貴弘,芦田淳,藤村紀文,伊藤太一郎

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • スパッタZnO:X(Li,F)エピタキシャル薄膜のリーク電流特性とその誘電性 国内会議

    長田 貴弘、中野 貴之、高木 裕司、芦田 淳、藤村 紀文、伊藤 太一郎

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • エキゾティックドーピングされたZnO:Xの屈折率の評価 国内会議

    高木裕司、長田貴弘、中野貴之、芦田　淳、藤村紀文、伊藤太一郎

    第62回応用物理学会学術講演会  2001年09月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Crystal growth of BaZrO3 thin films under very low oxygen pressure 国際会議

    Y. Kitano, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

    The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy  2001年07月 

  • Magnetic properties of ferromagnetic ZnO:Ni films 国際会議

    T. Wakano, T.Edahiro, N. Fujimura, A. Ashida, T. Ito

    The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy  2001年07月 

  • Electro-optic Property of ZnO:X (X=Li,Mg) Thin Films 国際会議

    T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito

    The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy  2001年07月 

  • Structure-Retention Property Relationship of YMnO3/Y2O3/Si capacitor 国際会議

    D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

    The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy  2001年07月 

  • Growth process and interfacial structure of epitaxial Y2O3/Si thin films deposited by PLD 国際会議

    K. Kakuno, D. Ito, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

    The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy  2001年07月 

  • Structure-property relationship of Ce/Si interfaces fabricated by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

    T. Wada, T. Yokota, N. Fujimura, T. Ito

    The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy  2001年07月 

  • Epitaxial growth of highly Ce doped Si films by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

    T.Yokota, T.Wada, N.Fujimura, T.Ito

    The 11th International Conference on Vapour Phase and Epitaxy  2001年07月 

  • Electro-optic Property of ZnO:X (X=Li,Mg) Thin Films 国際会議

    T. Nagata, T. Shimura, A. Ashida, N. Fujimura and T. Ito

    13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy  2001年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Structure-Retention Property Relationship of YMnO3/Y2O3/Si capacitor 国際会議

    D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, and T. Ito

    13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy  2001年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Magnetic properties of ferromagnetic ZnO:Ni films. 国際会議

    T. Edahiro, N. Fujimura, T. Wakano, A. Ashida and T. Ito

    13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy  2001年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Growth process and interfacial structure of epitaxial Y2O3/Si thin films deposited by a Pulsed Laser Deposition 国際会議

    K. Kakuno, D. Ito, N. Fujimura, T. Matsui and T. Ito

    13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy  2001年07月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Structure-property relationship of Ce/Si interfaces fabricated by Molecular Beam Epitaxy 国際会議

    T. Wada, T. Yokota, N. Fujimura and T. Ito

    13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy  2001年07月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • Crystal growth of BaZrO3 thin films under very low oxygen pressure. 国際会議

    Y. Kitano, N. Fujimura, T. Matsui, T. Ito

    13th International Conference on Crystal Growth/11th Internatonal Conference on Vapor Growth and Epitaxy  2001年07月 

    　詳細を見る

    会議種別：ポスター発表  

  • LiをドーピングしたZnO:X薄膜の強誘電性と光スイッチング素子への応用 国内会議

    長田貴弘、中野貴之、志村環、芦田淳、藤村紀文、伊藤太一郎

    第18回強誘電体応用会議  2001年06月 

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    会議種別：ポスター発表  

  • Improvement of Retention Property of YMnO3/Y2O3/Si MFIS Capacitor 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

    Symposium proc. of Materials Research Society  2000年12月  MRS

  • ピタキシャルYMnO3/Y2O3/Si構造のキャパシタ特性 国内会議

    藤村紀文

    電気情報通信学会　誘電体専門委員会  2000年12月  電気情報通信学会

  • エキゾチックドーピングによるZnO薄膜の多機能化と光IC応用の可能性 国内会議

    芦田淳, 中野貴之, 大隈孝仁, 若野壽史, 志村環, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    平成12年度三元多元機能性材料研究会講演会  2000年11月  応用物理学会

  • Si系希薄磁性半導体薄膜における磁気輸送現象 国内会議

    横田壮司, 藤村紀文, 森永泰規, 伊藤太一郎

    日本金属学会　秋季大会  2000年10月  日本金属学会

  • Magnetic properties of Er or Er, O-doped GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy 国際会議

    Y. Morinaga, T. Edahiro, N. Fujimura, T. Ito, T. Koide, Y. Fujiwara, Y. Takeda

    The International Conference on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors  2000年09月 

  • PLD法によるSi上Y2O3エピタキシャル薄膜の作製とその電気特性 国内会議

    覚野浩介, 伊藤大輔、藤村紀文, 伊藤太一郎

    第61回応用物理学会学術講演会  2000年09月  応用物理学会

  • エピタキシャルPLD-YMnO3/Y2O3/Siキャパシタの作製およびその誘電特性 国内会議

    伊藤大輔, 藤村紀文, 覚野浩介, 伊藤太一郎

    第61回応用物理学会学術講演会  2000年09月  応用物理学会

  • 希薄磁性半導体ZnO：Ni薄膜の作成と磁気・輸送特性 国内会議

    若野寿史, 藤村紀文, 阿部倫千, 芦田淳, 伊藤太一郎

    第61回応用物理学会学術講演会  2000年09月  応用物理学会

  • Magnetic and magneto-transport properties of Ce doped Si thin films 国際会議

    N. Fujimura, T.Yokota, Y.Morinaga, T.Ito

    The International Conference on the Physics of Semiconductors  2000年09月 

  • Magnetic and magneto-transport properties of ZnO:Ni films 国際会議

    T. Wakano, N. Fujimura, N. Abe, Y. Morinaga, A. Ashida, T. Ito

    The International Conference on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors  2000年09月 

  • Detailed structural analysis of Ce doped Si thin films. 国際会議

    T.Yokota, N.Fujimura, Y.Morinaga, T.Ito

    The International Conference on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors  2000年09月 

  • Effect of Carrier Concentration on the Magnetic Behavior of YMnO3 Ceramics and thin films 招待 国際会議

    N. Fujimura, S. Yamamori, D. Ito, T. Ito

    International Symposium on Application of Ferroelectrics　(2000)  2000年07月 

  • Si系希薄磁性半導体の現状 国内会議

    藤村　紀文

    日本金属学会関西支部講演会  2000年06月 

  • PLD-YMnO3薄膜の成長初期過程 国内会議

    伊藤大輔, 藤村紀文, 覚野浩介, 伊藤太一郎

    第17回強誘電体応用会議  2000年05月  強誘電体応用会議実行委員会

  • 水溶液を用いた化学的手法によるZnO:Li薄膜の作製 国内会議

    大隈孝仁, 石崎博基, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎, 伊崎昌伸

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年03月  応用物理学会

  • YMnO3/Y2O3/Si構造のメモリ保持特性の評価 国内会議

    伊藤大輔, 藤村紀文, 覚野浩介, 伊藤太一郎

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年03月  応用物理学会

  • 希薄磁性半導体ZnO：X薄膜の作成と磁気・輸送特性 国内会議

    若野寿史, 藤村紀文, 志村環, 芦田淳, 伊藤太一郎, 筧芳治, 日下忠興, 岡本昭夫, 井上幸二

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年03月  応用物理学会

  • Si:Ce薄膜の磁気輸送異常 国内会議

    横田壮司, 森永泰規, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年03月  応用物理学会

  • 希薄にCeをドープしたSi中での強磁性相転移 (3) 国内会議

    森永泰規, 横田壮司, 藤村紀文, 伊藤太一郎

    第47回応用物理学関係連合講演会  2000年03月  応用物理学会

  • Initial stage of thin film growth of pulsed laser deposited YMnO3 thin film. 招待 国際会議

    D. Ito, N. Fujimura, K. Kakuno, T. Ito

    The 17th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications  2000年01月 

  • Si:Ce薄膜における新規な磁気輸送現象 国内会議

    藤村紀文, 横田壮司, 森永泰規, 伊藤太一郎

    スピンエレクトロニクスの最前線―その基礎の理解と応用への展望   2000年01月 

  • Y2O3/Si界面の電気的評価とその強誘電体メモリーへの応用 国内会議

    藤村紀文,　伊藤大輔,　伊藤太一郎

    応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」  2000年01月 

  • Any candidates of ferroelectric material for transistor type FeRAM? 招待 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Shimura, T. Ito

    The 6th International workshop on Oxide Electronics  1999年12月 

  • Evaluation of Ferroelectricity in MFIS Type Capacitor Using Pulsed C-V Measurement 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

    Materials Research Society  1999年12月  MRS

  • Origin of Leakage Current of YMnO3 Thin Films Prepared by the Sol -Gel Method 国際会議

    H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura , T. Ito

    Materials Research Society  1999年12月  MRS

  • Influence of Reactive Ion Etching Damage on the Schottky Barrier Hight of Ti/p-Si Interface. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yamaguchi, T. Ito

    The Third International Symposium on Control of Semiconductor Interface  1999年10月 

  • Lowering the Crystallization Temperature of YMnO3 Thin films by the Sol-Gel Method Using Yttrium Alkoxide 国内会議

    H. Kitahata, K. Tadanaga, T. Minami, N. Fujimura, T. Ito

    The 16th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications  1999年05月 

  • Variety of Spin Structure in Si:Ce 国際会議

    N.Fujimura, T. Yokota, T.Ito

    Materials Research Society  1999年04月  MRS

  • YMnO3 and YbMnO3 Thin Films for FET type FeRAM Application 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

    Materials Research Society  1999年04月  MRS

  • Detailed C-V Analysis for YbMnO3/Y2O3/Si Structure 国際会議

    T. Yoshimura, N. Fujimura, D. Ito, T. Ito

    Materials Research Society  1999年04月  MRS

  • YMnO3 and YbMnO3 Thin Films for FET type FeRAM Application. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

    Materials Research Society  1999年04月  MRS

  • Exotic Doping for ZnO Thin Films: Possibility of Monolithic Optical Intergrated Circuit. 国際会議

    N.Fujimura, T.Ito

    Materials Research Society  1999年04月  MRS

  • Improvement of Y2O3/Si interface for FeRAM application 国際会議

    D. Ito, T. Yoshimura, N. Fujimura, T. Ito

    3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  1999年01月 

  • Electrical Characterization of Ferroelectric YMnO3 Films for MF(I)S-FET Application. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, D. Ito, T. Ito

    The 11th IEEE International Symposium on the Application of Ferroelectrics  1998年08月 

  • Effect of Stoichiometry and A-site Substitution on the Electrical Properties of Ferroelectric YMnO3 国内会議

    T. Shimura, N. Fujimura, S. Yamamori, T. Yoshimura, T. Ito

    The 15th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications  1998年05月 

  • Electrical Characterization of Ferroelectric YMnO3 Films for MF(I)S-FET Application 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

    International Symposium on Application of Ferroelectrics Ⅵ  1998年05月 

  • Characterization of Y2O3/Si structure for a buffer layer of non-volatile memories 国内会議

    T. Yoshimura, M. Takaoka, N. Fujimura, T. Ito

    The 15th Meeting on Ferroelectric Materials and Their Applications  1998年05月 

  • Composition and Electrode Effects on the Electrical Properties of SBT. 国際会議

    N. Fujimura, S.K. Streiffer, D.T.Thomas, A. I. Kingon

    Symposium of Materials Research Society  1997年12月  MRS

  • Growth and Electrical Property of YMnO3 Thin Films on Si Substrate. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

    Symposium of Materials Research Society  1997年12月  MRS

  • Sr/Bi Ratio Effects for SrxBiyTa2O9 Grown by Pulsed Laser Ablation. 国際会議

    N. Fujimura, S.K. Streiffer, D.T.Thomas, A. I. Kingon

    the 10th International Symposium on the Application of Ferroelectrics  1996年08月 

  • Fabrication of YMnO3 Thin Films.: New Candidate for Non-Volatile Memory Device. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

    1996 Spring meeting Materials Research Soc  1996年04月  MRS

  • ReMnO3 (Re: rare earth) Thin Films as a candidate for non-volatile memory devices. 国際会議

    N. Fujimura, T. Yoshimura, T. Ito

    7th Japan-US semonar on dielectric and piezoelectric ceramics  1995年11月 

  • Epitaxy of LiNbO3 Thin Films 招待 国際会議

    N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

    The 1993 American Ceramics Soc. PAC RIM Meeting  1993年11月 

  • Epitaxy Control and Interfacial Coulomb's Potential of LiNbO3 Thin Films on R-cut Sapphire. 国際会議

    N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

    IUMRS International Conference on Advanced Materials  1993年09月 

  • Relationship Between Self-Texture and Interfacial Restriction on the Epitaxy of ZnO Thin Films. 国際会議

    N. Fujimura, T.Nishihara, S. Goto, T. Ito

    1992 Spring meeting Materials Research Soc.  1992年04月  MRS

  • The Control of Epitaxial Growth of LiNbO3 Thin Films on R-cut Sapphire. 国際会議

    N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

    1991 Fall meeting Materials Research Soc.  1991年12月 

  • Heteroepitaxy of LiNbO3 and LiNb3O8 Thin Films on C-cut Sapphire. 国際会議

    N. Fujimura, M. Kakinoki, T. Ito

    The 7th Int. Conf. on Vapour Growth and Epitaxy;  1991年07月 

  • Preferred Orientation and Elastic Strain of Epitaxial and Non-Epitaxial ZnOx Thin Films. 国際会議

    N. Fujimura, T.Nishihara, S. Goto, T. Ito

    1990 Spring meeting Materials Research Soc.  1990年04月  MRS

  • Crystallization and Precipitation of CVD WSi2.6 Films under External Stress. 招待 国際会議

    N. Fujimura, T. Tachibana, T. Ito

    Int. Conf. on stress in thin films  1989年11月 

  • Texture and Photochromic Characteristics of ZnOx Thin Films. 国際会議

    N. Fujimura, T.Nishihara, S. Goto, T. Ito

    Int. Symp. Int. Soc. of Electrochem  1989年09月 

  • Characterization of Si-Rich WSix on Si. 国際会議

    N. Fujimura, T. Tachibana, T. Ito

    2nd Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interface;  1988年11月 

  • TiSi2 Formation at the Ti-rich TiNx/Si Interface. 国際会議

    N. Fujimura, T. Ito

    2nd Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interface  1988年11月 

  • Structural Change of a-Si:H by Annealing. 国際会議

    N. Fujimura, T. Ito

    Int.Symp.on Non-Equilibrium Solid Phasees of Metals and Alloys  1988年03月 

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担当授業科目

  • 機能デバイス物性特論

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    2024年度   集中講義   大学院

  • 電子物理系特別演習第2（電子物性）

    2024年度   集中講義   大学院

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  • 大阪府立大学　技術紹介フェアー 機能融合型新物質の開発（磁性半導体・強磁性強誘電体）

    2004年04月 - 2005年03月

  • 大阪府立大学　技術紹介フェアー 大気圧非平衡プラズマを用いた酸化物・窒化物薄膜作成プロセスの新展開

    2004年04月 - 2005年03月

  • 大阪府立大学ニューフロンティア材料研究会第182回講演会 次世代トランジスタ－場を用いたマニピュレーションの舞台装置

    2003年04月 - 2004年03月

  • 大阪府立大学ニューフロンティア材料研究会講演会 「磁性と誘電性の融合をめざして」 磁性強誘電体の現状とその電界効果型トランジスタへの応用

    2003年04月 - 2004年03月

  • 大阪府立大学府民講座 エレクトロニクス最前線：半導体ナノデバイスから知能デバイスまで

    2003年04月 - 2004年03月

役職

  • 全学管理職

    大阪公立大学

    副学長  2022年04月 - 継続中

  • 部局内役職

    研究推進機構 協創研究センター 

    センター長  2022年04月 - 継続中

  • 部局内役職

    研究推進機構 

    副機構長  2022年04月 - 継続中